叠形成的孔 穴（收纳空间）121，W散热金属板7成为上侧的方式，收纳接合在层5A上的散热金属板7。 其后，进行上模110和下模120的合模。 阳240] 此外，此时在构成孔穴121的下模120的上表面125,为了形成弯曲部81~84,与 要形成的覆金属锥基板IOA的金属锥4A侧的形状对应地在其中屯、部侧具备凹部。另外，构 成孔穴121的上模110的下表面115与要形成的覆金属锥基板IOA的绝缘部6侧的形状对 应地，在其中屯、部侧具备凸部，W形成弯曲部81~84。由此，能够使散热金属板7成为上 侦U，并W使收纳的层5AW及金属锥4A在要形成弯曲部81~84的位置弯曲的状态下，收纳 在孔穴121内。并且，能够W具备弯曲部81~84的方式形成在后工序中形成的绝缘部6。 阳241] 并且，层5AW及金属锥4A分别由上述那样的构成材料构成。层5A示出了热硬化 性的情况下，层5A优选为未硬化或者半硬化的状态。因此，层5A具有柔软性（可晓性）。 因此，能够使层5A和金属锥4A在要形成弯曲部81~84的位置弯曲。因此，在后工序巧一 3]中，能够得到金属锥4A、树脂层5W及绝缘部6在弯曲部81~84弯曲的覆金属锥基板 10A。 阳242] 运样，为了层5AW及金属锥4A具有柔软性，特别需要赋予层5A优异的柔软性。 该情况下，第二树脂组合物所包含的树脂材料所使用的热塑性树脂W及热硬化性树脂的重 均分子量例如优选在1. 0X1〇4W上1. 0X10 5W下，更优选在3. 0X10 4W上8. 0X10 4W下。 由此，赋予层5A优异的柔软性。另外，即使使层5A在要形成弯曲部81~84的位置弯曲， 也能够抑制或者防止层5A在该位置产生龟裂。其结果，能够可靠地抑制或者防止在该龟裂 中层5A的一部分脱落，即所谓的掉渣的产生。另外，能够可靠地抑制或者防止层5A中破裂 的产生。 阳243] 此外，热塑性树脂W及热硬化性树脂的重均分子量能够使用凝胶渗透色谱（GPC) 等测定。
[0244] 并且，从运样的观点来看，优选上述热塑性树脂W及热硬化性树脂的分子骨架呈 直链状。通过分子骨架呈直链状，层5A发挥更优异的柔软性。因此，在上述树脂材料包含 热硬化性树脂的情况下，热硬化性树脂特别优选含有具有显著的直链状的分子骨架的苯氧 基树脂。
[0245] 另外，上述合模时，W在散热金属板7的厚度方向，供给路113的下侧开口与散热 金属板7不重合，并且上模110的下表面115所具备的凸部与散热金属板7的上表面相互 接触的方式，在孔穴121内收纳接合在层5A上的散热金属板7。由此，能够W绝缘部6的厚 度与散热金属板7的厚度相同的方式形成在后工序中形成的绝缘部6。目P，能够W绝缘部6 不形成在散热金属板7的上表面，而由绝缘部6的上表面和散热金属板7的上表面构成平 坦面的方式，在层5A的上表面的第二区域16选择性地设置绝缘部6。 阳246] 然后，将呈平板状的第一树脂组合物130收纳在上模110所具备的罐111内。
[0247] 巧一2]接下来，加热成形模具100,使罐111内的第一树脂组合物130加热烙融， 并将柱塞112插入罐111内。由此，对第一树脂组合物130加压。
[0248] 由此，成为烙融状态的第一树脂组合物130经由供给路113,移送至孔穴121内。 阳249] 巧一引接下来，通过将柱塞112插入罐111内，而对收纳在孔穴121内的金属锥 4A进行加热W及加压的状态下，烙融后的第一树脂组合物130W覆盖位于第二区域16的层 5A上的方式填充至孔穴121内。
[0250] 另外此时，孔穴121的内部形状由于下模120的上表面125在其中屯、部侧具备凹 部，且上模110的下表面115在其中屯、部侧具备凸部，从而与要形成的覆金属锥基板IOA的 形状对应。因此，第一树脂组合物130W与要形成的绝缘部6的形状对应，即，在形成弯曲 部81~84的位置弯曲的状态，填充至孔穴121内。 阳巧1] 然后，通过使烙融的第一树脂组合物130硬化来形成绝缘部6。由此，W在俯视层 5A时，包围散热金属板7,并且在弯曲部81~84弯曲的状态形成绝缘部6。 阳巧2] 另外，在层5A示出热硬化性的情况下，通过该加热W及加压，层5A硬化从而形成 树脂层5。在层5A示出热塑性的情况下，通过层5A烙融之后冷却层5A而再次硬化来形成 树脂层5。
[0253] 虽然运样的工序中的加热W及加压的条件并不特别限定，但例如，如W下那样设 定。 阳巧4]目P，加热溫度优选设定在80~200°C左右，更优选设定在170~190°C左右。 阳巧5] 另外，加压的压力优选设定在2~IOMPa左右，更优选设定在3~7MPa左右。 [0256] 并且，优选加热W及加压的时间为1~60分钟左右，更优选为3~15分钟左右。 阳257] 通过将溫度、压力W及时间设定为运样的条件，W在树脂层5与绝缘部6的界面附 近，树脂层5所包含的填料分散到绝缘部6侧而树脂层5与绝缘部6混合的状态，形成树脂 层5和绝缘部6。因此，能够使树脂层5与绝缘部6的密合性提高。 阳巧8] 另外，第一树脂组合物130的烙融粘度在175°C时，优选为10~3000化?S左右， 更优选为30~2000化?S左右。由此，能够更可靠地W在俯视树脂层5时，包围散热金属 板7的方式形成绝缘部6。 阳259]此外，175°C下的烙融粘度例如能够通过岛津制作所制的热流动评价装置（流动 试验仪）测定。
[0260] 另外，优选由于通过将柱塞112插入罐111内产生的压力，而金属锥4A被推压至 下模120所具备的孔穴121的底面。由此，防止烙融的第一树脂组合物130向金属锥4A下 表面的蔓延。其结果，可靠地防止在金属锥4A下表面，绝缘部6的形成。由此，能够防止通 过对金属锥4A进行图案化得到的布线4被绝缘部6覆盖运一情况。由此，能够防止阻碍包 括半导体装置1的电子部件与布线4的电连接。 阳261] 经由W上那样的工序，制造出覆金属锥基板10A。 阳％2] 另外，对该覆金属锥基板IOA所具备的金属锥4A进行图案化，形成具有与半导体 装置1所具备的连接端子12电连接的端子的布线4。由此，制造出在基材8上形成了布线 4的电路基板10。此外，虽然作为对金属锥4A进行图案化的方法，并不特别限定，但例如能 够列举W下那样的方法。在金属锥4A上形成与要形成的布线4的图案（形状）对应的抗 蚀剂层。其后，将该抗蚀剂层作为掩模使用，通过湿式蚀刻法或者干式蚀刻法，对从抗蚀剂 层的开口部露出的金属锥4A进行蚀刻。 阳％3] 此外，在本实施方式中，对通过经由上述工序巧一1]~巧一3]，得到一个覆金属 锥基板IOA的情况进行了说明。但是，本发明并不限定于运样的情况，例如，也可W通过将 在上述工序巧一1]中，在孔穴121收纳在层5A上接合了多个散热金属板7的层叠体，其 后，将经由上述工序巧一2]、巧一3]得到的一个覆金属锥基板IOA在其厚度方向裁断（切 断），得到多个覆金属锥基板10A。此外，该裁断可W在（I)上述工序巧一3]之后、（II)对 金属锥4A进行图案化而在基材8上形成多个布线4之后、或者（III)与多个布线4分别对 应地将多个半导体装置I安装在电路基板10上之后的任意一个阶段执行。优选该裁断在 上述（III)的阶段执行。由此，能够一起制造多个发热体安装基板50。
[0264] 另外，在本实施方式中，W独立工序进行工序巧]、和工序巧]。但是，本发明并不 限定于此，例如，若能够在省略了向罐111内装填第一树脂组合物130的状态下，通过将柱 塞112插入罐111内，实施散热金属板7对金属锥4A的推压，则也可W在孔穴121内一并 实施工序[2]和工序巧]。
[02化]运样的构成的发热体安装基板50作为各种电子设备所具备的基板（一个部件） 安装。
[0266] <第二实施方式> 阳％7] 接下来，对本发明的发热体安装基板的第二实施方式进行说明。
[0268] 图5是表示本发明的发热体安装基板的第二实施方式的纵剖视图。
[0269] W下，对于第二实施方式的发热体安装基板51，W与上述第一实施方式的发热体 安装基板50的不同点为中屯、进行说明，对于相同的事项，省略其说明。
[0270] 图5所示的发热体安装基板51除了在构成与第一实施方式的电路基板10的构成 不同的电路基板IOa的上表面，安装了半导体装置1W外，与图1、2所示的发热体安装基板 50相同。 阳271]目P，在第二实施方式的发热体安装基板51中，电路基板IOa在从第一区域15 (散 热金属板7)远离的电路基板IOa的面方向右侧的方向，具有两个弯曲部81、82。运些弯曲 部中，弯曲部81向布线4的上侧弯曲，弯曲部82向绝缘部8的下面侧弯曲。由此，两个弯 曲部81、82相互向相反的方向弯曲。并且，电路基板IOa在从第一区域15 (散热金属板7) 远离的电路基板IOa的面方向左侧的方向，具有两个弯曲部83、84。运些弯曲部中，弯曲部 83向布线4的上表面侧弯曲，弯曲部84向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此，两个弯曲部83、 84相互向相反的方向弯曲。通过电路基板IOa具备运样的弯曲部81~84,而位于第一区 域15的散热金属板7在基材8的厚度方向，配置在从电路基板IOa整体突出地形成的凹部 96。并且，与散热金属板7对应地设置的半导体装置1安装在凹部96内。 阳272] 根据运样的第二实施方式的发热体安装基板51，也能够得到与上述第一实施方式 相同的效果。 阳273] <第^实施方式>
[0274] 接下来，对本发明的发热体安装基板的第=实施方式进行说明。
[0275] 图6是表示本发明的发热体安装基板的第=实施方式的纵剖视图。 阳276] W下，对于第=实施方式的发热体安装基板52,W与上述第一实施方式的发热体 安装基板50的不同点为中屯、进行说明，对于相同的事项，省略其说明。 阳277] 图6所示的发热体安装基板52除了在构成与第一实施方式的电路基板10的构成 不同的电路基板1化的上表面，安装了半导体装置1W外，与图1、2所示的发热体安装基板 50相同。 阳27引目P，在第=实施方式的发热体安装基板52中，电路基板1化在从第一区域15 (散 热金属板7)远离的电路基板IOb的面方向右侧的方向，具有两个弯曲部81、82。运些弯曲 部中，弯曲部81向布线4的上表面侧弯曲，弯曲部82向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此， 两个弯曲部81、82相互向相反的方向弯曲。并且，电路基板1化在从第一区域15 (散热金 属板7)远离的电路基板I化的面方向左侧的方向，具有两个弯曲部83、84。运些弯曲部中， 弯曲部83向布线4的上表面侧弯曲，弯曲部84向绝缘部6的下表面侧弯曲。由此，两个弯 曲部83、84相互向相反的方向弯曲。 阳279] 此外，在发热体安装基板52中，在各弯曲部81~84中，布线4W及树脂层5的上 表面W及下表面运双方弯曲。另一方面，虽然绝缘部6的上表面弯曲，但下表面不弯曲。由 此，电路基板IOb的下表面由W绝缘部6的下表面和散热金属板7的下表面形成的平坦面 构成。
[0280]因此，通过电路基板IOb具备运样的弯曲部81~84,而位于第一区域15的散热金 属板7与形成于电路基板1化的凹部96对应地配置。并且，与散热金属板7对应地配置的 半导体装置1安装在凹部96内。 阳281] 根据运样的第=实施方式的发热体安装基板52,也能够得到与上述第一实施方式 相同的效果。 阳2間 <第四实施方式> 阳283] 接下来，对本发明的发热体安装基板的第四实施方式进行说明。 阳284] 图7是表示本发明的发热体安装基板的第四实施方式的纵剖视图，图8是从图7 中的箭头A方向观察到的图（俯视图）。 阳285] W下，对于第四实施方式的发热体安装基板53,W与上述第一实施方式的发热体 安装基板50的不同点为中屯、进行说明，对于相同的事项，省略其说明。 阳286] 图7所示的发热体安装基板53除了在构成与第一实施方式的电路基板10的构成 不同的电路基板IOc的上表面W及下表面运双方，分别安装了半导体装置1W外，与图1、2 所示的发热体安装基板50相同。 阳287]目P，在第四实施方式的发热体安装基板53中，电路基板IOc具备基材8cW及分别 设在该基材8c的上表面W及下表面的布线4,其中，所述基材8c具备：树脂层5 ;在俯视树 脂层5时与第一区域15对应地覆盖树脂层5的散热金属板7、与第二区域16对应地覆盖树 脂层5的绝缘部6、W及覆盖运些散热金属板7W及绝缘部6的下表面的树脂层5。而且， 两个半导体装置1分别W在其连接端子12与布线4电连接的状态，安装于基材8c所具有 的布线4。 阳28引另外，在基材8c中，散热金属板7在俯视树脂层5时与第一区域15对应地覆盖树 脂层5。绝缘部6在俯视树脂层5时与第二区域16对应地覆盖树脂层5。在本实施方式中， 如图8所示，散热金属板7在基材8c(电路基板IOc)的一个侧面露出。在两个半导体装置 1产生的热量从该露出的散热金属板7的露出面散热。 阳289] 根据运样的第四实施方式的发热体安装基板53,也能够得到与上述第一实施方式 相同的效果。 阳290] 此外，运样的构成的发热体安装基板53如W下那样得到。首先，准备在基材8c 的上表面W及下表面运双方分别设置了金属锥4A的覆金属锥基板（本发明的覆金属锥基 板）。接下来，对运双方的金属锥4A进行图案化得到布线4。其后，在布线4安装半导体装 置1。 阳291] <第五实施方式> 阳292] 接下来，对本发明的发热体安装基板的第五实施方式进行说明。 阳293]图9是表示本发明的发热体安装基板的第五实施方式的纵剖视图。 阳294]W下，对于第五实施方