面发光装置和智能设备的制造方法_4

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硫酰基、环己基亚硫酰基、 2-乙基己基亚硫酰基、十二烷基亚硫酰基、苯基亚硫酰基、萘基亚硫酰基、2-吡啶基亚硫酰 基等)、烷基磺酰基(例如,甲基磺酰基、乙基磺酰基、丁基磺酰基、环己基磺酰基、2-乙基己 基磺酰基、十二烷基磺酰基等)、芳基磺酰基(例如,苯基磺酰基、萘基磺酰基、2-吡啶基磺 酰基等)、氨基(例如,氨基、乙基氨基、二甲基氨基、丁基氨基、环戊基氨基、2-乙基己基氨 基、十二烷基氨基、苯胺基、萘基氨基、2-吡啶基氨基等)、卤素原子(例如,氟原子、氯原子、 溴原子等)、氟代烃基(例如,氟甲基、三氟甲基、五氟乙基、五氟苯基等)、氰基、硝基、羟基、 巯基、甲硅烷基(例如,三甲基甲硅烷基、三异丙基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、苯基二乙基 甲硅烷基等)等。
[0142] 这些取代基可被上述的取代基进一步取代。
[0143] 通式㈧~(C)中,作为由"A1"表示的芳香族环,可列举苯环、联苯环、萘环、奧环、 蒽环、菲环、芘环、窟坏、丁省环、苯并[9, 10]菲环、邻三联苯环、间三联苯环、对三联苯环、 苊环、晕苯环、芴环、荧蒽环、丁省环、并五苯环、茈环、戊芬环、茜环、芘环、皮蒽环、蒽嵌蒽环 等,作为芳香族杂环,可列举呋喃环、噻吩环、吡啶环、哒嗪环、嘧啶环、吡嗪环、三嗪环、苯并 咪挫环、?潘二唑环、三唑环、咪唑环、啦唑环、噻唑环、剛噪环、苯并咪唑环、苯并噻唑环、苯 并 :?恶_唑环、喹喔啉环、喹唑啉环、酞嗪环、味唑环、味啉环、二氮杂味唑环(表示构成味啉环 的烃环的碳原子的一个被氮原子替换了的环。)等。
[0144] 通式(A)~(C)中,"M"表示Ir或Pt,其中,优选Ir。
[0145] 通式(A)~(C)的结构为部分结构,其自身成为完成结构的发光掺杂剂时,与中心 金属的价数对应的配体是必要的。作为这样的配体,具体地,可列举卤素(例如,氟原子、 氯原子、溴原子或碘原子等)、芳基(例如,苯基、对-氯苯基、莱基、甲苯基、二甲苯基、联 苯基、萘基、蒽基、菲基等)、烷基(例如,甲基、乙基、异丙基、羟基乙基、甲氧基甲基、三氟甲 基、叔丁基等)、烷氧基、芳氧基、烧硫基、芳硫基、芳香族杂环基(例如,咲喃基、嗤吩基、口比 啶基、哒嗪基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、喹唑啉基、咔唑基、咔啉基、 酞嗪基等)、通式(A)~(C)的除去了金属的部分结构等。
[0146] 作为发光掺杂剂,优选用通式(A)~(C)的部分结构3个形成完成结构的三体。
[0147] 以下例示具有上述通式(A)~(C)的部分结构的蓝色磷光发光掺杂剂,但并不限 定于这些。
[0148] [化学式 13]
[0150] [化学式 14]
[0151]







[0166] (3)焚光发光掺杂剂
[0167] 作为荧光发光掺杂剂(也称为荧旋光性掺杂剂、荧光发光体等。),可列举:香豆 素系色素、吡喃系色素、花青系色素、克酮酸系色素、方酸系色素、氧代苯并蒽系色素、荧光 素系色素、若丹明系色素、吡喃鐵系色素、茈系色素、1,2-二苯乙稀系色素、聚噻吩系色素、 稀土络合物系荧光体等。
[0168] <注入层:空穴注入层、电子注入层>
[0169]注入层可根据需要而设置,可使其存在于阳极与发光层或空穴传输层之间、或者 阴极与发光层或电子传输层之间。
[0170]所谓注入层是为了驱动电压降低、发光亮度提高而设置于电极与有机层之间的 层,例如在"有机EL元件和其工业化最前沿(1998年11月30日工^一 ?工只社发 行)"的第2编第2章"电极材料"(123~166页)中记载有其详细内容,有空穴注入层(阳 极缓冲层)和电子注入层(阴极缓冲层)。
[0171]作为空穴注入层(阳极缓冲层),在日本特开平9-45479号公报、日本特开平 9-260062号公报、日本特开平8-288069号公报等中也记载有其详细内容,作为具体例,可 列举以铜酞菁为代表的酞菁缓冲层、以氧化钒为代表的氧化物缓冲层、无定形碳缓冲层、使 用了聚苯胺(翠绿亚胺)、聚噻吩等的导电性高分子的高分子缓冲层等。另外,也优选使用 日本特表2003-519432号公报中记载的材料。
[0172] 空穴注入层可以将多种材料混合而使用,但在本发明中,优选通过将单一的有机 化合物制膜而形成。作为理由,可列举将多种材料混合而使用的情况下混合比的生产时的 变动、例如制膜基板面内的浓度变动等导致的性能变动的风险变高。
[0173] 对于空穴注入层的层厚不受特别限制,通常为0. 1~100nm左右的范围内,优选为 1~30nm的范围内。
[0174] 作为适合电子注入层的材料,在电子传输层与阴极间设置的电子注入层中,可列 举功函数3eV以下的碱金属、碱土金属、和这些的化合物。作为碱金属化合物,具体地,可列 举氟化钾、氟化锂、氟化钠、氟化铯、氧化锂、锂喹啉络合物、碳酸铯等,优选氟化锂、氟化铯。
[0175] 对电子注入层的层厚不受特别限制,通常为0. 1~10nm左右的范围内,优选为 0. 1~2nm的范围内。
[0176] <阻挡层:空穴阻挡层、电子阻挡层>
[0177] 根据需要设置阻挡层。例如,有日本特开平11-204258号公报、日本特开平 11-204359号公报和"有机EL元件和其工业化最前沿(1998年11月30日工4 一·工 只社发行)"的237页等中记载的空穴阻挡(holeblock)层。
[0178] 所谓空穴阻挡层,广义上讲,由具有电子传输层的功能、具有传输电子的功能且传 输空穴的能力显着地小的空穴阻挡材料构成,通过传输电子且阻挡空穴,可以使电子与空 穴的复合概率提高。另外,可以根据需要将后述的电子传输层的构成作为空穴阻挡层来使 用。
[0179] 空穴阻挡层优选与发光层邻接地设置。
[0180] 另一方面,所谓电子阻挡层,广义上讲,由具有空穴传输层的功能、具有传输空穴 的功能且传输电子的能力显着地小的材料构成,通过传输空穴且阻挡电子,可以提高电子 与空穴的复合概率。另外,可以根据需要将后述的空穴传输层的构成作为电子阻挡层来使 用。
[0181] 作为本发明涉及的空穴阻挡层及电子阻挡层的层厚,优选为3~100nm的范围内, 更优选为5~30nm的范围内。
[0182] <空穴传输层>
[0183] 所谓空穴传输层,由具有传输空穴的功能的空穴传输材料构成,从广义上讲,空穴 注入层、电子阻挡层也包含于空穴传输层。
[0184] 空穴传输层可以设置单层或多层。
[0185] 作为空穴传输材料,是具有空穴的注入或传输、或电子的屏蔽性的任一种的材料, 可以是有机物、无机物的任一种。例如可列举三唑衍生物、#二唑衍生物、咪唑衍生物、聚 芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物和吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳基胺衍生物、氨基取 代查耳酮衍生物、3恶唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、芴酮衍生物、腙衍生物、1,2-二苯乙烯 衍生物、硅氮烷衍生物、苯胺系共聚物、导电性高分子低聚物、特别是噻吩低聚物等。
[0186] 作为空穴传输材料,可以使用上述的空穴传输材料,更优选使用卟啉化合物、芳香 族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物,特别是芳香族叔胺化合物。
[0187] 作为芳香族叔胺化合物和苯乙烯基胺化合物的代表例,可列举Ν,Ν,Ν',Ν'-四 苯基-4,4'-二氨基苯基、Ν,Ν'-二苯基-Ν,Ν'-双(3-甲基苯基)-[1,1'-联苯]-4, f-二胺(TPD)、2,2-双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)丙烷、1,1-双(4-二-对-甲 苯基氛基苯基)环己烧、Ν,Ν,Ρ'Γ-四-对-甲苯基_4,4^ -二氛基联苯、1,1_双 (4-二-对-甲苯基氨基苯基)-4-苯基环己烷、双(4-二甲基氨基-2-甲基苯基)苯基甲烷、 双(4-二-对-甲苯基氨基苯基)苯基甲烷、Ν,Ν'-二苯基-Ν,Ν'-二(4-甲氧基苯基)-4, V-二氨基联苯、N,N,N'-四苯基_4,4'-二氨基二苯基醚、4,4'-双(二苯基氨 基)四联苯、N,N,N-三(对-甲苯基)胺、4-(二-对-甲苯基氨基-[4-(二-对-甲 苯基氨基)苯乙烯基]1,2-二苯乙烯、4-N,N-二苯基氨基-(2-二苯基乙烯基)苯、3-甲氧 基-N,N-二苯基氨基苯乙烯基苯、N-苯基咔唑,还可列举美国专利第5061569号说明 书中记载的分子内具有2个稠合芳香族环的化合物、例如4,f-双[N-(l-萘基)-N-苯基 氨基]联苯(NPD)、特开平4-308688号公报中记载的三苯基胺单元连结成3个星爆型的4, V,4"-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]三苯基胺(MTDATA)等。
[0188] 进而,也可以使用将这些材料导入了高分子链的、或将这些材料作为高分子的主 链的高分子材料。另外,P型-Si、p型-SiC等的无机化合物也可以作为空穴注入材料、空 穴传输材料来使用。
[0189] 另外,也可以使用日本特开平4-297076号公报、日本特开2000-196140号公报、 日本特开2001-102175号公报、J.Appl.Phys.,95, 5773 (2004)、日本特开平11-251067号 公报、J.Huang等着文献(AppliedPhysicsLetters80 (2002),第139页)、日本特表 2003-519432号公报中记载的、据说具有所谓的p型半导体的性质的空穴传输材料。本发明 中,从可得到更高效率的发光元件出发,优选使用这些材料。
[0190] 空穴传输层可以是由上述材料的1种或2种以上构成的1层结构。
[0191] 对于空穴传输层的层厚不受特别限制,通常为5nm~5μπι左右的范围内,优选为 5~200nm的范围内。
[0192] <电子传输层>
[0193] 电子传输层由具有传输电子的功能的材料构成。
[0194] 电子传输层可以设置单层或多层。
[0195] 作为用于电子传输层的电子传输材料,只要具有将经由阴极注入了的电子传送到 发光层的功能即可,可以从以往公知的化合物中选择任意的化合物而使用。例如,可列举硝 基取代芴衍生物、二苯基醌衍生物、噻喃二氧化物衍生物、联吡啶衍生物、亚芴基甲烷衍生 物、碳化二亚胺、蒽醌二甲烷和蒽酮衍生物、端二唑衍生物等。另外,上述P恶二唑衍生物中, 将气|二唑环的氧原子替换为硫原子的噻二唑衍生
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