密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件的制作方法

密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种密封膜，其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜，其中，所述密封膜具有1000MPa以上的拉伸弹性模量，密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为20nm以下。
【专利说明】
密封膜、有机场致发光显示装置及有机半导体器件
技术领域
[0001] 本发明设及密封膜、W及具备该密封膜的有机场致发光显示装置及有机半导体器 件。
【背景技术】
[0002] 在具备有机场致发光元件（W下也适当称为"有机化元件"）及有机半导体元件等 元件的有机电子器件中，有时要设置密封用的构件。通过将运样的密封用的构件W密封器 件内部的有机材料的方式设置，能够防止有机材料因水蒸汽及氧的存在而劣化，进而能够 防止器件的性能下降。作为运样的构件，已提出了具备无机层的密封膜(参考专利文献1)。
[0003] 另外，在如上所述的有机电子器件中，在显示装置中，为了防止外部光映入至画 面，有时要设置防反射膜。作为运样的防反射膜，已知有具备组合了直线偏振片及1/4波片 的圆偏振片的防反射膜(参考专利文献2)。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本特开2009-190186号公报
[0007] 专利文献2:日本特开2012-032418号公报

【发明内容】

[000引发明要解决的问题
[0009] 为了使将密封膜设置于器件时的操作变得容易，本发明人尝试了在密封膜设置粘 接性层。结果发现，如果将运样的具备粘接性层的密封膜与具备圆偏振片的防反射膜组合， 则会引起防反射性能的降低。
[0010] 另外，近年来，对器件薄型化的要求增高。伴随该要求的增高，要求使密封膜的厚 度变薄。但是，如果使密封膜的厚度变薄，存在导致密封膜的机械强度下降、该密封膜的初 劲（3シ)消失的可能性。运样的没有初劲的膜的操作性低，因此有时难W实现适当的密封。
[0011] 本发明鉴于上述问题而完成，目的在于提供即使在与具备圆偏振片的防反射膜组 合的情况下也不易引起防反射性能降低、操作性优异、能够实现良好的密封的密封膜，W及 具备该密封膜的有机场致发光显示装置及有机半导体器件。
[0012]解决问题的方法
[0013] 本发明人为解决上述问题而进行了深入研究。其结果，本发明人发现了一种密封 膜，该密封膜依次具备基材膜、密封层及粘接性层，其中，该密封膜的拉伸弹性模量落在给 定范围，且密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的密封后的延迟落在给定范 围。进一步，本发明人获得了如下见解，进而完成了本发明，即：利用该密封膜，在与具备圆 偏振片的防反射膜组合的情况下不易引起防反射性能的下降，操作性优异，能够实现良好 的密封。
[0014] 旨P，本发明如下所述。
[0015] [1]-种密封膜，其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜，
[0016] 其中，所述密封膜具有1000 MPaW上的拉伸弹性模量，
[0017] 密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为 20nmW下。
[0018] [2]根据[1]所述的密封膜，其中，所述粘接性层包含加氨嵌段共聚物弹性体。
[0019] [3]根据[2]所述的密封膜，其中，所述加氨嵌段共聚物弹性体是将嵌段共聚物的 全部不饱和键的90% W上进行氨化而得到的氨化物，
[0020] 所述嵌段共聚物具有：
[0021] W芳香族乙締基化合物单元为主要成分的聚合物嵌段[A]，且每1分子共聚物具有 2个W上该聚合物嵌段[A];和
[0022] W链状共辆二締化合物单元为主要成分的聚合物嵌段[B]，且每1分子共聚物具有 1个W上该聚合物嵌段[B]，
[0023] 在所述嵌段共聚物整体中，全部聚合物嵌段[A]所占的重量分率WA和全部聚合物 嵌段[B]所占的重量分率WB之比(wA/wB)为20/80~60/40。
[0024] [4]根据[1]~[3]中任一项所述的密封膜，其中，所述基材膜由脂环式締控树脂形 成。
[0025] [引一种有机场致发光显示装置，其具备[1]~[4]中任一项所述的密封膜。
[0026] [6]-种有机半导体器件，其具备[1]~[4]中任一项所述的密封膜。
[0027] 发明的效果
[0028] 根据本发明，可W提供在与具备圆偏振片的防反射膜组合的情况下也不易引起防 反射性能的下降、操作性优异、能够实现良好的密封的密封膜，W及具备该密封膜的有机场 致发光显示装置及有机半导体器件。
【附图说明】
[0029] 图1是示意性地示出本发明的密封膜的一例的剖面图。
[0030] 图2是示意性地示出本发明第一实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。
[0031] 图3是示意性地示出本发明第一实施方式设及的有机显示装置中包含的装配体 的立体图。
[0032] 图4是示意性地示出本发明第二实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。
[0033] 图5是示意性地示出本发明第S实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。
[0034] 图6是示意性地示出本发明第四实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。
[0035] 图7是示意性地示出本发明第五实施方式设及的有机化显示装置的纵向剖面图。
[0036] 图8是示意性地示出本发明第六实施方式设及的有机半导体器件的纵向剖面图。
[0037] 图9是示意性地示出在本发明的实施例及比较例中制作的结构体的纵向剖面图。 [003引符号说明
[0039] 100密封膜
[0040] 110基材膜
[0041 ] 120密封层
[0042] 130粘接性层
[0043] 200有机化显示装置
[0044] 210装配体
[0045] 210U装配体的上表面
[0046] 211 基板
[0047] 21IU基板的上表面
[004引 212第一电极层
[0049] 213边缘覆盖层
[0化0] 214发光层
[0051] 215第二电极层
[0052] 220密封膜
[0化3] 221 基材膜
[0054] 222密封层
[0化日]223粘接性层
[0056] 224密封膜的由密封层及粘接性层构成的层部分
[0化7] 300有机化显示装置
[0化引310防反射膜
[0化9] 311直线偏振片
[0060] 312 1/4 波片
[0061 ] 400有机化显示装置
[0062] 420密封膜
[0063] 421 基材膜
[0064] 500有机化显示装置 [00化]510临时密封层
[0066] 510U临时密封层的上表面
[0067] 600有机化显示装置
[006引 610吸附剂层
[0069] 700有机半导体器件
[0070] 710装配体
[0071] 710U装配体的上表面
[0072] 711 基板
[0073] 712栅电极
[0074] 713栅电极绝缘层 [007引714源电极
[0076] 715漏电极
[0077] 716半导体层
[007引 800结构体
【具体实施方式】
[0079] W下，示出实施方式及例示物等对本发明详细地进行说明，但本发明不受W下所 示的实施方式及例示物等限定，在不脱离本发明的权利要求及其等同范围的范围内可W任 意变更而实施。
[0080] 在W下的说明中，膜是"长条状"是指相对于宽度具有5倍W上的长度的膜，优选具 有10倍或10倍W上的长度，具体而言，是指具有可卷取成卷状进行保管或搬运程度的长度 的膜。相对于宽度而言的长度的倍率的上限没有特别地限定，通常为5000倍W下。
[0081] 在W下的说明中，在没有特别限定的情况下，所述"偏振片"及"1/4波片"不仅包括 刚直的构件，还包括例如树脂制的膜那样的具有晓性的构件。
[0082] 在W下的说明中，在没有特别限定的情况下，所述延迟是指面内延迟。某种膜的面 内延迟是W (nx-ny) Xd表示的值。在此，nx表示与该膜的厚度方向垂直的方向（面内方向） 中给W最大折射率的方向的折射率。另外，ny表示该膜的所述面内方向中与nx的方向正交 的方向的折射率。进一步，d表示该膜的厚度。该延迟可W采用市售的相位差测定装置(例 如，Photonic Lattice公司制造的"WPA-micro")或塞拿蒙（Senarmont)法进行测定。在没有 特别限定的情况下，面内延迟的测定波长为550nm。
[0083] [1.密封膜的概要]
[0084] 图1是示意性地示出本发明的密封膜的一例的剖面图。
[0085] 如图1所示，密封膜100依次具备基材膜110、密封层120及粘接性层130。该密封膜 100通常在具备有机化元件及有机半导体元件等元件的有机电子器件中用于密封所述元 件。如果使用该密封膜100,由于可W将器件所具备的元件良好地密封，因此可W有效地防 止元件中包含的有机材料的由于水及氧导致的劣化。
[00化][2.基材膜]
[0087] 作为基材膜，通常使用树脂膜。其中，从使密封膜成为能够用于显示装置及光源装 置中要求透过光的部分的有用的材料的观点出发，优选使用透明的树脂。在此，某一树脂透 明，是指由该树脂形成的基材膜具有能够用于光学用途的程度的高透光率。具体而言，在将 树脂制成厚度Imm的试验片来测定总透光率的情况下，优选具有通常70% W上、优选80% W 上、更优选90% W上的总透光率的树脂。
[0088] 另外，形成基材膜的树脂可W使用例如热塑性树脂、热固性树脂、紫外线固化性树 月旨、及电子束固化性树脂中的任意树脂。其中，由于加工容易，因此优选热塑性树脂。作为热 塑性树脂的例子，可W列举聚醋树脂、聚丙締酸醋树脂、及締控树脂等。
[0089] 其中，作为基材膜，优选使用由脂环式締控树脂形成的膜。脂环式締控树脂是指含 有脂环式締控聚合物和根据需要的其它任意成分的树脂。脂环式締控树脂的吸湿性低，机 械强度优异。另外，脂环式締控树脂在形成密封层时的蒸锻及瓣射等工序中，脱气(OUtgas) 的释放量少。因此，通过使用由脂环式締控树脂形成的膜作为基材膜，可W得到阻隔性能高 的密封膜。尤其是，将脂环式締控树脂烙融挤出而制造的基材膜由于表面的平滑性良好、可 能成为密封层的开裂原因的表面突起小，因此不需要为了得到发挥高阻隔性能的密封层而 增加密封层的厚度，生产性及晓性优异。
[0090] 脂环式締控聚合物是在主链和/或侧链具有脂环结构的非晶性的热塑性聚合物。 脂环式締控聚合物通常具有由脂环式締控经聚合而得到的结构。脂环式締控聚合物中的脂 环结构可W是饱和脂环控(环烧控)结构，也可W是不饱和脂环控(环締控)结构。从机械强 度、耐热性等观点来看，优选环烧控结构。构成1个脂环结构的碳原子数通常为4个W上、优 选为5个W上，通常为30个W下、优选为20个W下、更优选为15个W下。构成I个脂环结构的 碳原子数在上述范围时，机械强度、耐热性及膜的成形性特性高度平衡，故优选。
[0091] 脂环式締控聚合物整体中具有脂环结构的结构单元的比例优选为55重量％ W上、 进一步优选为70重量％ ^上、特别优选为90重量％ ^上。脂环式締控聚合物中的具有脂环 式结构的结构单元的比例在该范围时，从透明性及耐热性的观点来看优选。
[0092] 作为脂环式締控聚合物，例如可W列举：降冰片締聚合物、单环的环状締控聚合 物、环状共辆二締聚合物、乙締基脂环式控聚合物、及它们的氨化物等。运些聚合物中，降冰 片締聚合物由于透明性和成形性良好，因此可W优选使用。
[0093] 作为降冰片締聚合物的例子，可W列举:具有降冰片締结构的单体的开环聚合物、 或具有降冰片締结构的单体和任意单体的开环共聚物、或它们的氨化物;具有降冰片締结 构的单体的加成聚合物、或具有降冰片締结构的单体和任意单体的加成共聚物、或它们的 氨化物等。运些聚合物中，从成型性、耐热性、低吸湿性、尺寸稳定性、轻质性等观点出发，特 别优选使用具有降冰片締结构的单体的开环(共)聚合物氨化物。运里，"(共)聚合物"是指 聚合物及共聚物。
[0094] 作为具有降冰片締结构的单体，例如可W举出：双环[2.2.1]庚-2-締(惯用名：降 冰片締）、S环[4.3.0.12'5]癸-3,7-二締(惯用名:双环戊二締）、7,8-苯并^环[4.3.0.12'5] 癸-3-締(惯用名：桥亚甲基四氨巧）、四环[4.4.0.1 2'5.17'"]十二碳-3-締(惯用名：四环十 二碳締）、及运些化合物的衍生物(例如，环上具有取代基的衍生物)等。在此，作为取代基， 可W举出例如烷基、亚烷基、极性基团等。另外，运些取代基可W相同或不同地由多个键合 成环。另外，具有降冰片締结构的单体可W单独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种 社。
[0095] 作为极性基团的种类，例如可W列举杂原子、或具有杂原子的原子团等。作为杂原 子，例如可W列举:氧原子、氮原子、硫原子、娃原子、面原子等。作为极性基团的具体例，可 W列举:簇基、幾氧基幾基、环氧基、径基、氧基、醋基、硅烷醇基、甲娃烷基、氨基、腊基、横酸 基等。
[0096] 作为能够与具有降冰片締结构的单体发生开环共聚的任意单体，例如可W列举： 环己締、环庚締、环辛締等单环状締控类及其衍生物;环己二締、环庚二締等环状共辆二締 及其衍生物等。能够与具有降冰片締结构的单体发生开环共聚的任意单体可W单独使用一 种，也可W W任意比率组合使用两种W上。
[0097] 具有降冰片締结构的单体的开环聚合物、W及和能够与具有降冰片締结构的单体 共聚的任意单体形成的开环共聚物，例如可W通过在公知的开环聚合催化剂的存在下使单 体进行聚合或共聚来制造。
[0098] 作为能够与具有降冰片締结构的单体发生加成共聚的任意单体，例如可W列举： 乙締、丙締、1-下締等碳原子数2~20的a-締控及它们的衍生物;环下締、环戊締、环己締等 环締控及它们的衍生物；1,4-己二締、4-甲基-1,4-己二締、5-甲基-1,4-己二締等非共辆二 締等。运些单体中，优选a-締控，更优选乙締。另外，能够与具有降冰片締结构的单体发生加 成共聚的任意单体可W单独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种W上。
[0099] 具有降冰片締结构的单体的加成聚合物、W及和能够与具有降冰片締结构的单体 共聚的任意单体形成的加成共聚物，例如可W通过在公知的加成聚合催化剂的存在下使单 体进行聚合或共聚来制造。
[0100] 具有降冰片締结构的单体的开环聚合物、具有降冰片締结构的单体和能够与其发 生开环共聚的任意单体形成的开环共聚物、具有降冰片締结构的单体的加成聚合物、W及 具有降冰片締结构的单体和能够与其共聚的任意单体形成的加成共聚物等聚合物的氨化 物可W利用任意的制造方法制造。例如，上述聚合物的氨化物可W如下来制造:在运些聚合 物的溶液中，在包含儀、钮等过渡金属的公知的氨化催化剂的存在下使碳-碳不饱和键的优 选90 % W上氨化。
[0101] 脂环式締控树脂中包含的脂环式締控聚合物的分子量可W根据使用目的而适当 选择。脂环式締控聚合物的重均分子量(Mw)通常为10,000W上、优选为15,000W上、更优选 为20,000W上，通常为100,000?下、优选为80,000W下、更优选为50,000W下。通过使重均 分子量在运样的范围，由于得到的基材膜的机械强度及成型加工性等高度平衡，因此优选。 上述的脂环式締控聚合物的重均分子量可W通过使用环己烧作为溶剂的凝胶渗透色谱法、 作为聚异戊二締换算的值而测定。需要说明的是，在聚合物不溶解于环己烧的情况下，也可 W使用甲苯作为溶剂。进一步，在溶剂为甲苯时，重均分子量可W作为聚苯乙締换算的值而 测定。
[0102] 脂环式締控树脂中的脂环式締控聚合物的比例优选为67重量％~100重量％、更 优选为77重量％~1〇〇重量％。
[0103] 上述脂环式締控聚合物可W单独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种W 上。
[0104] 作为脂环式締控树脂能够含有的任意成分，可W列举例如:抗氧化剂、热稳定剂、 光稳定剂、紫外线吸收剂、抗静电剂、分散剂、氯捕获剂、阻燃剂、结晶成核剂、强化剂、抗粘 连剂、防雾剂、脱模剂、颜料、有机或无机的填充剂、中和剂、润滑剂、分解剂、金属纯化剂、防 污染剂、抗菌剂、任意的聚合物、热塑性弹性体等添加剂。另外，运些任意成分可W单独使用 一种，也可W W任意比率组合使用两种W上。
[0105] 运些添加剂的量可W在不会损害本发明的效果的范围。例如，上述添加剂的量相 对于脂环式締控树脂中包含的脂环式締控聚合物100重量份，通常为0~50重量份、优选为0 ~30重量份。
[0106] 形成基材膜的树脂优选具有高玻璃化转变溫度。形成基材膜的树脂的具体的玻璃 化转变溫度优选为1 l〇°C W上、更优选为130°C W上、特别优选为160°C W上。具有高玻璃化 转变溫度的树脂由于不易因溫度变化而产生热收缩，因此可W抑制高溫环境中的密封膜的 阻隔性下降。形成基材膜的树脂的玻璃化转变溫度的上限没有特别地限制，优选为300°C W 下。
[0107] 基材膜可W是由1层构成的单层结构的膜，也可W是具备2层W上的多层结构的 膜。
[0108] 基材膜的厚度优选为10皿W上、更优选为30皿W上，优选为500皿W下、更优选为 250WI1W下。具有运样厚度的基材膜的机械强度及阻隔性运两者可取得优异的平衡。
[0109] 基材膜的延迟可W根据密封膜的用途而任意地设定。
[0110] 例如，在与由组合有直线偏振片及1/4波片的圆偏振片构成的防反射膜组合地使 用密封膜的情况下，从防止基于防反射膜的防反射功能的降低的观点出发，优选基材膜的 延迟小。具体而言，基材膜的延迟优选在IOnmW下、更优选在5nmW下。
[0111] 另外，例如，在使用密封膜的基材膜作为上述圆偏振片的1/4波片的情况下，优选 基材膜具有1/4波长的延迟。运里，所述1/4波长的延迟表示，在距离测定波长即550皿的1/4 的值为通常±65nm、优选+ 30皿、更优选+ 10皿的范围内的延迟、或在距离中屯、值的3/4的 值为通常± 65nm、优选+ 30nm、更优选+1 Onm的范围内的延迟。
[0112] 基材膜的制造方法是任意的。例如，在由热塑性树脂制造基材膜的情况下，可W通 过利用烙融成型法、溶液流延法等将树脂成型为膜状来制造基材膜。更具体而言，烙融成型 法可分类为例如挤出成型法、压制成型法、吹胀成型法、注射成型法、吹塑成型法、拉伸成型 法等。运些方法之中，为了得到机械强度、表面精度等优异的基材膜，优选挤出成型法、吹胀 成型法或压制成型法。其中，从能够高效率且简单地制造基材膜的观点出发，特别优选挤出 成型法。
[0113] 另外，例如在制造具有延迟的基材膜的情况下，也可W在制造基材膜时进行对膜 进行拉伸的拉伸工序。由此，可W获得拉伸膜作为基材膜。作为拉伸方法，例如可W列举:利 用漉的圆周速度之差沿纵向进行单轴拉伸的方法;使用拉幅拉伸机沿横向进行单轴拉伸的 方法;同时双轴拉伸法、逐步双轴拉伸法等双轴拉伸法;使用拉幅拉伸机沿斜向进行拉伸的 方法等。在此，所述斜向表示与纵向和横向两者均不平行的方向。
[0114] [3.密封层]
[0115] 密封层是具有能够阻隔水的功能的层。另外，该密封层通常不仅能够阻隔水还具 有阻隔氧的功能。由于密封膜可W通过该密封层来阻隔水及氧，因此可W防止设置有密封 膜的器件内的有机材料由于水蒸汽及氧的存在而发生劣化。
[0116] 如果利用水蒸汽透过率来表示密封剂具有的能够阻隔水的功能的程度，则如下所 述。密封层的水蒸汽透过率通常为l.Og/m2 ?天W下、优选为0.2g/V ?天W下、更优选为 0.1g/m2 ?天W下。
[0117] 通常，密封层由无机材料形成。
[0118] -般而言，无机材料具有容易产生伤痕及开裂的倾向，但由于在本发明的密封膜 中密封层被基材膜及粘接性层夹持，因此不易产生由外力引起的伤痕及开裂。因此，即使在 由无机材料形成密封层的情况下，该密封层也不易产生伤痕及开裂、阻隔性不易受损。
[0119] 另外，一般而言，能够作为基材膜的材料使用的脂环式締控树脂与其它材料的亲 和性大多较低，而如果是由无机材料形成的密封层，则能够与由脂环式締控树脂形成的基 材膜具有高亲和性。另外，无机材料通常与能够形成粘接性层的加氨嵌段共聚物弹性体也 可W具有高亲和性。因此，如果将由无极材料形成的密封层设置在基材膜和粘接性层之间， 则可W使基材膜和粘接性层之间的密合性良好。
[0120] 如果列举能够形成密封层的无机材料的优选的例子，可列举:金属(包括半金属）； 金属氧化物、金属氮化物及金属氮氧化物等金属化合物;DLC(类金刚石碳)等。作为上述金 属，可W列举侣、娃等。在运些无机材料中，从透明性方面考虑，特别优选娃的氧化物、氮化 物及氮氧化物等至少含有娃的材料。另外，从与能够成为基材膜的材料的脂环式締控树脂 的亲和性方面考虑，特别优选化C。
[0121] 作为娃的氧化物，可列举例如SiOx。运里，就X而言，从兼顾密封层的透明性及阻隔 性的观点出发，为通常大于1.4、优选大于1.5,另外通常小于2.0、优选小于1.9的数。另外， 作为娃的氧化物，也可W列举SiOC。
[0122] 作为娃的氮化物，可列举例如SiNy。运里，就y而言，从兼顾密封层的透明性及阻隔 性的观点出发，为通常大于0.5、优选大于1.2,另外通常小于1.5的数。
[0123] 作为娃的氮氧化物，可列举例如SiOpNq。运里，在重视密封层的密合性的提高的情 况下，优选使1<9<2.0、0<〇<1.0，使密封层为富氧的膜。另外，在重视密封层的阻隔性的 提高的情况下，优选使〇<P<〇. 8、0.8<q< 1.3，使密封层为富氮的膜。
[0124] 作为侣的氧化物、氮化物及氮氧化物，可W列举例如:A10x、AlNy、及AlOpNq。
[0125] 其中，从阻隔性的观点出发，作为更优选的材料，可使用SiOpNq及AlOx。
[0126] 另外，运些无机材料可W单独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种W上。
[0127] 密封层的厚度优选为3nmW上、更优选为IOnmW上、特别优选为IOOnmW上，优选为 2500nmW下、更优选为2000nmW下、特别优选为1000 nmW下。通过使密封层的厚度在上述范 围的下限值W上，可W获得良好的阻隔性。另外，通过在上限值W下，可W在保持充分的阻 隔性的同时抑制密封膜着色成黄色。
[0128] 密封层的形成方法是任意的。例如，在利用无机材料形成密封层的情况下，可W使 用蒸锻法、瓣射法、离子锻敷法、离子束辅助蒸锻法、电弧放电等离子体蒸锻法、热CV的去、等 离子体CVD法等形成方法。其中，如果使用电弧放电等离子体蒸锻法，则能够生成具有适度 能量的蒸发粒子，从而形成高密度的膜。另外，如果使用热CV的去及等离子体CV的去等化学气 相沉积法，则由于可W通过调节用于膜的形成的气体成分而形成具有晓性的密封层，因此 可W有效地抑制密封层的开裂。进一步，在形成包含多种成分的密封层的情况下，可W将运 些成分同时进行蒸锻或瓣射。
[0129] [4.粘接性层]
[0130] 粘接性层是在使密封膜与其它构件贴合时，能够与该构件具有粘接性的层。其中， 优选粘接性层与无机物具有充分高的粘接性。例如，将粘接性层与玻璃板粘接时，为了从该 玻璃板剥下粘接性层所需要的剥离强度通常为5N/cmW上、优选为lON/cmW上。对于上述剥 离强度的上限没有特别地限制，通常为200N/cmW下。
[0131] 另外，粘接性层优选为柔软的层。通过使粘接性层为柔软的，在向设置有密封膜的 器件施加外力的情况下，由于粘接性层可W发生变形而吸收上述外力，因此可W防止外力 引起的器件内的元件的破损。另外，在利用密封膜密封元件时，由于粘接性层可W与元件表 面的形状相对应地发生变形，因此容易使密封膜与元件之间无缝隙地密合，可W稳定地防 止密封膜从元件的脱离。如果W拉伸弹性模量表示粘接性层的柔软性，则粘接性层通常具 有比基材膜小的拉伸弹性模量，优选具有1500M化W下、更优选1OOOM化W下、特别优选 SOOMPaW下的拉伸弹性模量。运里，拉伸弹性模量是在23°C下测定的值。上述拉伸弹性模量 的下限没有特别限制，通常为0.1 MPaW上。
[0132] [4.1.粘接性层的材料]
[0133] 作为具有如上所述的粘接性及柔软性的粘接性层的材料，通常使用树脂，其中优 选使用弹性体树脂。运里，弹性体树脂是指包含弹性体和根据需要的任意成分的树脂。另 夕h弹性体是指即使不经加硫处理在室溫下也具有橡胶弹性的聚合物。在此，室溫通常是指 25°C。弹性体树脂由于通常不含有残留溶剂、或者即使含有其量也较少，因此脱气少。因此， 弹性体树脂在低压环境中不易产生气体，因此可W防止粘接性层自身成为气体的发生源。
[0134] [4.1.1.弹性体]
[0135] 作为弹性体，优选嵌段共聚物弹性体及加氨嵌段共聚物弹性体。嵌段共聚物弹性 体是指由嵌段共聚物构成的弹性体。另外，加氨嵌段共聚物弹性体是指由嵌段共聚物的氨 化物构成的弹性体。通常，对于嵌段共聚物及其氨化物，可W通过调整其分子结构中包含的 聚合物嵌段的种类及比率来对性状加 W调整。嵌段共聚物及其氨化物为弹性体的情况下， 其嵌段共聚物通常包含:作为分子中具有弹性的橡胶成分（即软链段）的聚合物嵌段、和作 为用于防止塑性变形的分子束缚成分(即硬链段)的聚合物嵌段。
[0136] 作为上述的嵌段共聚物，优选芳香族乙締基化合物-共辆二締嵌段共聚物。在此， 所述芳香族乙締基化合物-共辆二締嵌段共聚物是指，具有W芳香族乙締基化合物单元为 主要成分的聚合物嵌段[A]和W链状共辆二締化合物单元为主要成分的聚合物嵌段[B]的 嵌段共聚物。另外，所述芳香族乙締基化合物单元是指具有由芳香族乙締基化合物聚合而 形成的结构的结构单元。进一步，链状共辆二締化合物单元是指具有由链状共辆二締化合 物聚合而形成的结构的结构单元。运些嵌段共聚物及其氨化物也可W利用例如烷氧基娃 烧、簇酸、簇酸酢等进行改性。
[0137] 其中，作为用作粘接性层的材料的弹性体，优选下述的特定的嵌段共聚物经氨化 而成的氨化物，所述特定的嵌段共聚物具有：W芳香族乙締基化合物单元为主要成分、且每 1分子共聚物中具有2个W上的聚合物嵌段[A];和W链状共辆二締化合物单元为主要成分、 且每1分子共聚物中具有1个W上的聚合物嵌段[B]。W下。针对该特定的嵌段共聚物经氨化 而成的氨化物进行说明。
[0138] (特定的嵌段共聚物）
[0139] 如上所述，特定的嵌段共聚物所具有的聚合物嵌段[A]具有芳香族乙締基化合物 单元。作为对应于该聚合物嵌段[A]所具有的芳香族乙締基化合物单元的芳香族乙締基化 合物，例如可W列举:苯乙締、a-甲基苯乙締、2-甲基苯乙締、3-甲基苯乙締、4-甲基苯乙締、 2,4-二异丙基苯乙締、2,4-二甲基苯乙締、4-叔下基苯乙締、5-叔下基-2-甲基苯乙締、4-单 氯苯乙締、二氯苯乙締、4-单氣苯乙締、4-苯基苯乙締等。运些化合物可W单独使用一种，也 可W W任意比率组合使用两种W上。其中，从吸湿性方面考虑，优选不含有极性基团的那 些。进一步，从工业上获取的容易程度、耐冲击性的观点出发，尤其优选苯乙締。
[0140] 聚合物嵌段[A]中的芳香族乙締基化合物单元的含有率通常为90重量％ ^上、优 选为95重量％^上、更优选为99重量％^上。通过如上所述那样增多聚合物嵌段[A]中的芳 香族乙締基化合物单元的量，可W提高粘接性层的耐热性。
[0141] 聚合物嵌段[A]中除了芳香族乙締基化合物单元W外还可W包含任意的结构单 元。作为任意的结构单元，可W列举例如:链状共辆二締化合物单元、具有由芳香族乙締基 化合物W外的乙締基化合物聚合而形成的结构的结构单元等。
[0142] 作为与链状共辆二締化合物单元对应的链状共辆二締化合物，可W列举例如：与 作为与聚合物嵌段[B]所具有的链状共辆二締化合物单元对应的链状共辆二締化合物的例 子所列举的化合物相同的例子。另外，链状共辆二締化合物可W单独使用一种，也可W W任 意比率组合使用两种W上。
[0143] 作为芳香族乙締基化合物W外的乙締基化合物，例如可W列举:链状乙締基化合 物;环状乙締基化合物;具有腊基、烷氧基幾基、径基幾基、或面素基团的乙締基化合物;不 饱和的环状酸酢;不饱和酷亚胺化合物等。其中，从吸湿性的方面考虑，优选乙締、丙締、1-下締、1-戊締、1-己締、1-庚締、1-辛締、1-壬締、1-癸締、1-十二碳締、1-二十碳締、4-甲基-1-戊締、4,6-二甲基-1-庚締等链状締控；乙締基环己烧等环状締控等不含极性基团的化合 物。其中，更优选链状締控，特别优选乙締及丙締。另外，运些化合物可W单独使用一种，也 可WW任意比率组合使用两种W上。
[0144] 聚合物嵌段[A]中的任意的结构单元的含有率通常为10重量％ ^下、优选为5重 量％ ^下、更优选为1重量％ W下。
[0145] 嵌段共聚物1分子中的聚合物嵌段[A]的数量通常为2个W上，通常为5个W下，优 选为4个W下，更优选为3个W下。在1分子中具有的多个聚合物嵌段[A]相互间可W相同，也 可W不同。
[0146] 在1分子的嵌段共聚物中存在多个不同的聚合物嵌段[A]情况下，在聚合物嵌段 [A]中，将重均分子量最大的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(Al)、将重均分子量最小的聚 合物嵌段的重均分子量设为Mw(A2)。此时，Mw(Al)和Mw(A2)之比"Mw(Al)/Mw(A2r优选为 2.OW下、更优选为1.5W下、特别优选为1.2W下。由此，可W将各种物性值的偏差抑制在低 水平。
[0147] 另一方面，嵌段共聚物所具有的聚合物嵌段[B]具有链状共辆二締化合物单元。作 为与该聚合物嵌段[B]所具有的链状共辆二締化合物单元对应的链状共辆二締化合物，可 W列举例如：1,3-下二締、异戊二締、2,3-二甲基-1,3-下二締、1,3-戊二締等。运些可W单 独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种W上。其中，从吸湿性的方面考虑，优选不含 有极性基团的化合物，特别优选1，3-下二締及异戊二締。
[0148] 聚合物嵌段[B]中的链状共辆二締化合物单元的含有率通常为90重量％ ^上，优 选为95重量％^上，更优选为99重量％^上。通过如上所述那样增多聚合物嵌段[B]中链状 共辆二締化合物单元的量，能够使粘接性层的低溫时的耐冲击性提高。
[0149] 聚合物嵌段[B]中除了链状共辆二締化合物单元W外也可W包含任意的结构单 元。作为任意的结构单元，可W列举例如：芳香族乙締基化合物单元、W及具有由芳香族乙 締基化合物W外的乙締基化合物聚合所形成的结构的结构单元等。作为运些芳香族乙締基 化合物单元、W及具有由芳香族乙締基化合物W外的乙締基化合物聚合所形成的结构的结 构单元，可W列举例如作为聚合物嵌段[A]中可W含有的单元所例示的那些。
[0150] 聚合物嵌段[B]中的任意的结构单元的含有率通常为10重量％ ^下，优选为5重 量％ ^下，更优选为1重量％^下。特别是，通过降低聚合物嵌段[B]中的芳香族乙締基化合 物单元的含有率，能够提高粘接性层的低溫时的柔软性，提高粘接性层的低溫时的耐冲击 性。
[0151] 嵌段共聚物1分子中的聚合物嵌段[B]的数量通常为1个W上，也可W为2个W上。 嵌段共聚物中的聚合物嵌段[B]的数量为2个W上时，聚合物嵌段[B]相互间可W相同，也可 W不同。
[0152] 另外，在1分子的嵌段共聚物中存在多个不同的聚合物嵌段[B]情况下，在聚合物 嵌段[B]中，将重均分子量最大的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(Bl)、将重均分子量最小 的聚合物嵌段的重均分子量设为Mw(B2)。此时，Mw(Bl)和Mw(B2)之比"Mw(Bl)/Mw(B2T优选 为2.OW下、更优选为1.5W下、特别优选为1.2W下。由此，可W将各种物性值的偏差抑制在 低水平。
[0153] 嵌段共聚物的嵌段的形态既可W为链状型嵌段，也可W为放射型嵌段。其中，链状 型嵌段的机械强度优异，故优选。
[0154] 嵌段共聚物具有链状型嵌段的形态的情况下，其两端为聚合物嵌段[A]时，由于能 够将弹性体树脂的发粘抑制为所期望的低值，因此优选。
[0155] 嵌段共聚物的特别优选的嵌段的形态为:聚合物嵌段[B]的两端键合有聚合物嵌 段[A]的=嵌段共聚物;聚合物嵌段[A]的两端键合有聚合物嵌段[B]、进而在该两聚合物嵌 段[B]的另一端分别键合有聚合物嵌段[A]的五嵌段共聚物。特别是在为[A]-[B]-[A]的= 嵌段共聚物时，由于制造容易且能够使粘度等物性处于所期望的范围，所W特别优选。
[0156] 在嵌段共聚物中，全部聚合物嵌段[A]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率WA与 全部聚合物嵌段[B]在嵌段共聚物整体中所占的重量分率WB之比(wA:wB)通常为20/80W 上，优选为30/70W上，通常为60/40W下、优选为55/45W下。通过将上述比wA/wB控制在上 述范围的下限值W上，可W提高粘接性层的耐热性。另外，通过在上限值W下，可W提高粘 接性层的柔软性，稳定且良好地保持粘接性层的阻隔性。进一步，由于可通过降低嵌段共聚 物的玻璃化转变溫度而降低密封溫度，因此可W抑制有机元件及有机半导体元件等元件 的热劣化。
[0157] 上述嵌段共聚物的重均分子量(Mw)通常为30,000W上、优选为40 ,OOOW上、更优 选为50,000W上，通常为200,000?下、优选为150,000?下、更优选为100,000?下。上述嵌 段共聚物的重均分子量可W通过W四氨巧喃(THF)为溶剂的凝胶渗透色谱法(GPC)、作为聚 苯乙締换算的值而测定。
[0158] 另外，嵌段共聚物的分子量分布(Mw/Mn)优选为3W下、更优选为2W下、特别优选 为1.5W下，优选为1.OW上。运里，Mn表示数均分子量。
[0159] 作为嵌段共聚物的制造方法的例子，例如在制造具有3个聚合物嵌段的嵌段共聚 物的情况下，可W列举下述的制造方法1及2。在此，称为"单体组合物"的材料不仅包括两种 W上物质的混合物，也包括由单一物质构成的材料。
[0160] (制造方法1)包括下述第一工序、第二工序及第=工序的方法：
[0161] 第一工序:使含有芳香族乙締基化合物的单体组合物(al)聚合而形成聚合物嵌段 [A];
[0162] 第二工序:在运样的聚合物嵌段[A]的一端，使含有链状共辆二締化合物的单体组 合物(bl)聚合而形成聚合物嵌段[B]，从而形成[A]-[B]的二嵌段的聚合物；
[0163] 第=工序:在运样的二嵌段中的嵌段[B]侧的末端，使含有芳香族乙締基化合物的 单体组合物(a2)聚合，得到嵌段共聚物。
[0164] 其中，单体组合物(al)和单体组合物(a2)可W相同也可W不同。
[0165] (制造方法2)包括下述第一工序、第二工序及第=工序的方法：
[0166] 第一工序:使含有芳香族乙締基化合物的单体组合物(al)聚合而形成聚合物嵌段 [A];
[0167] 第二工序:在运样的聚合物嵌段[A]的一端，使含有链状共辆二締化合物的单体组 合物(bl)聚合而形成聚合物嵌段[B]，从而形成[A]-[B]的二嵌段的聚合物；
[0168] 第=工序:利用偶联剂使运样的二嵌段聚合物的聚合物嵌段[B]侧的末端彼此偶 联，得到嵌段共聚物。
[0169] 作为将单体组合物聚合而得到各个聚合物嵌段的方法，可W采用例如：自由基聚 合、阴离子聚合、阳离子聚合、配位阴离子聚合、配位阳离子聚合等。从使聚合操作及后续工 序中的氨化反应变得容易的观点出发，优选通过活性聚合进行自由基聚合、阴离子聚合、阳 离子聚合等的方法，特别优选通过活性阴离子聚合进行聚合的方法。
[0170] 上述的单体组合物的聚合可W在聚合引发剂的存在下，在通常(TC W上、优选在10 °C W上、更优选在20°C W上，另外在通常100°C W下、优选80°C W下、更优选70°C W下的溫度 范围内进行。
[0171] 在进行活性阴离子聚合的情况下，作为聚合引发剂，可使用例如：正下基裡、仲下 基裡、叔下基裡、己基裡等单有机裡；二裡甲烧（di 1 ithiomethane)、1,4-二裡下烧、1,4-二 裡-2-乙基环己烧等多官能性有机裡化合物等。它们既可W单独使用1种，也可W W任意的 比率组合巧巾W上使用。
[0172] 聚合反应的形态可W采用溶液聚合及浆料聚合等。其中，如果使用溶液聚合，则容 易除去反应热。
[0173] 进行溶液聚合的情况下，作为溶剂，可W使用能够溶解各工序中所得到的聚合物 的惰性溶剂。作为惰性溶剂，可W列举例如:正戊烧、异戊烧、正己烧、正庚烧、异辛烧等脂肪 族控类;环戊烧、环己烧、甲基环戊烧、甲基环己烧、十氨化糞等脂环式控类;苯、甲苯等芳香 族控类等。它们既可W单独使用1种，也可W W任意的比率组合巧巾W上使用。其中，如果使 用脂环式控类作为溶剂，则在氨化反应中也可W作为惰性的溶剂而直接使用，嵌段共聚物 的溶解性也良好，因此优选。溶剂的使用量相对于全部使用单体100重量份，通常为200重量 份~2000重量份。
[0174] 在各个单体组合物包含巧巾W上单体的情况下，为了防止仅某1种成分的链增长， 例如可W使用无规化剂(randomizer)。特别是在通过阴离子聚合进行聚合反应的情况下， 例如优选使用路易斯碱化合物等作为无规化剂。作为路易斯碱化合物，可W列举例如:二甲 基酸、乙酸、二异丙基酸、二下基酸、四氨巧喃、二苯基酸、乙二醇二乙基酸、乙二醇甲基苯基 酸等酸化合物；四甲基乙二胺、=甲胺、=乙胺、化晚等叔胺化合物;叔戊醇钟、叔下醇钟等 碱金属醇盐化合物;=苯基麟等麟化合物等。它们既可W单独使用1种，也可W W任意的比 率组合巧巾W上使用。
[0175] (特定的嵌段共聚物的氨化物）
[0176] 作为本发明的密封膜中的作为粘接性层的材料的弹性体，优选上述的特定的嵌段 共聚物的氨化物。通过将特定的嵌段共聚物进行氨化后使用，可W进一步减少从粘接性层 的脱气的发生量。
[0177] 该嵌段共聚物的氨化物是通过使上述特定的嵌段共聚物的不饱和键氨化而得到 的。运里，嵌段共聚物的不饱和键中包括嵌段共聚物的主链及侧链的芳香族性及非芳香族 性的碳-碳不饱和键的全部。氨化率为嵌段共聚物的全部不饱和键的90% W上，优选为97% W上，更优选为99% W上。氨化率越高，则越能够使粘接性层的耐热性及耐光性良好。运里， 氨化物的氨化率可通过利用Ih-NMR的测定而求出。
[0178] 特别是，非芳香族性的不饱和键的氨化率优选为95% W上，更优选为99% W上。通 过提高非芳香族性的碳-碳不饱和键的氨化率，能够进一步提高粘接性层的耐光性及耐氧 化性。
[0179] 另外，芳香族性的碳-碳不饱和键的氨化率优选为90% W上，更优选为93% W上， 特别优选为95% W上。通过提高芳环的碳-碳不饱和键的氨化率，由聚合物嵌段[A]氨化而 得到的聚合物嵌段的玻璃化转变溫度变高，因此能够有效地提高粘接性层的耐热性。进一 步，可W降低粘接性层的光弹性系数，不易表现出粘接时的延迟。
[0180] 嵌段共聚物的氨化物的重均分子量(Mw)通常为30,000 W上、优选为40,000W上、 更优选为45,000W上，通常为200,000?下、优选为150,000?下、更优选为100,000?下。上 述嵌段共聚物的氨化物的重均分子量，可W通过W四氨巧喃作为溶剂的凝胶渗透色谱法、 W聚苯乙締换算的值而测定。另外，嵌段共聚物的氨化物的分子量分布(Mw/Mn)优选为3W 下、更优选为2W下、特别优选为1.5W下，优选为1.OW上。通过将嵌段共聚物的氨化物的重 均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn控制在上述的范围，可W提高粘接性层的机械强度及耐热 性。
[0181] 嵌段共聚物的氨化物中的全部聚合物嵌段[A]占嵌段共聚物整体的重量分率WA和 全部聚合物嵌段[B]占嵌段共聚物整体的重量分率WB之比(wA/wB)通常与氨化前的嵌段共 聚物中的比wA/wB为同样的值。
[0182] 进一步，嵌段共聚物的氨化物优选其分子结构中具有烷氧基甲娃烷基。该具有烧 氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物例如可W通过使烷氧基甲娃烷基键合于不具有烧氧 基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物而获得。此时，可W使烷氧基甲娃烷基直接键合于嵌段 共聚物的氨化物，也可W经由例如亚烷基等2价有机基团键合键合于嵌段共聚物的氨化物。
[0183] 具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物与例如玻璃、无机物、金属等材料的 粘接性特别优异。因此，在利用本发明的密封膜密封有机电子器件的元件的情况下，可W使 粘接性层和元件之间的粘接性特别地高。因此，即使在有机电子器件的可靠性评价中通常 进行的高溫高湿环境中长时间暴露之后，粘接性层也可W保持充分的粘接力。
[0184] 相对于导入烷氧基甲娃烷基之前的嵌段共聚物的氨化物100重量份，烷氧基甲娃 烷基的导入量通常为0.1重量份W上、优选为0.2重量份W上、更优选为0.3重量份W上，通 常为10重量份W下、优选为5重量份W下、更优选为3重量份W下。通过将烷氧基甲娃烷基的 导入量控制在上述范围，可W防止因水分等而发生了分解的烷氧基甲娃烷基彼此间的交联 度过度升高，因此可W将与粘接性层的粘接性保持于高水平。
[0185] 烷氧基甲娃烷基的导入量通过Ih-醒R谱进行计测。另外，在计测烷氧基甲娃烷基 的导入量时，在导入量少的情况下，可W增加累计次数而进行计测。
[0186] 就具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物的分子量而言，由于所导入的烧氧 基甲娃烷基的量少，因此相比于导入烷氧基甲娃烷基之前的嵌段共聚物的氨化物的分子量 不会发生大的变化。但是，由于导入烷氧基甲娃烷基时在过氧化物的存在下使嵌段共聚物 的氨化物发生改性反应，因此其氨化物的交联反应及断裂反应得W进行，具有分子量分布 发生大的变化的倾向。具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物的重均分子量通常为 30,000 W上、优选为40,000 W上、更优选为50,000 W上，通常为200,000 W下、优选为150， OOOW下、更优选为120,000?下。上述具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物的重均 分子量，可W通过W四氨巧喃为溶剂的凝胶渗透色谱法、作为聚苯乙締换算值而测定。另 夕h具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的氨化物的分子量分布(Mw/Mn)通常为3.5W下、优 选为2.5W下、特别优选为2.OW下，优选为I.OW上。具有烷氧基甲娃烷基的嵌段共聚物的 氨化物的重均分子量Mw及分子量分布Mw/Mn如果在该范围，则可W保持粘接性层的良好的 机械强度及拉伸伸长率。
[0187] 上述运样的嵌段共聚物的氨化物的制造方法通常包括对上述特定的嵌段共聚物 进行氨化。作为氨化方法，优选可W提高氨化率、嵌段共聚物的断链反应少的氨化方法。作 为运样的优选的氨化方法，可W列举例如:使用包含选自儀、钻、铁、铁、锭、钮、销、钉、鍊中 的至少1种金属的氨化催化剂进行的方法。氨化催化剂可W单独使用一种，也可W W任意比 率组合使用两种W上。氨化催化剂可W使用非均相催化剂、均相催化剂中的任意催化剂。另 夕h氨化反应优选在有机溶剂中进行。
[0188] 非均相催化剂例如可W直接W金属或金属化合物的形式使用，也可W负载于适当 的载体而使用。作为载体，可W列举例如:活性炭、二氧化娃、氧化侣、碳酸巧、二氧化铁、氧 化儀、氧化错、娃藻±、碳化娃、氣化巧等。催化剂的负载量相对于催化剂及载体的总量，通 常为0.1重量％ ^上，优选为1重量％ ^上，通常为60重量％ ^下，优选为50重量％ ^下。另 外，负载型催化剂的比表面积优选为IOOmVg~500m2/g。此外，负载型催化剂的平均微孔直 径优选为1:〇(接W上，更优选为200A W上，优选为1OOOA W下，优选为50QA W下。运里， 比表面积可测定氮吸附量并使用BET式而求得。另外，平均微孔直径可W通过水银压入法测 定。
[0189] 作为均相催化剂，可使用例如将儀、钻、铁或铁的化合物与有机金属化合物组合而 成的催化剂;锭、钮、销、钉、鍊等有机金属络合物催化剂等。
[0190] 作为儀、钻、铁或铁的化合物，可W列举例如:各金属的乙酷丙酬配位化合物、簇酸 盐、环戊二締基化合物等。
[0191] 另外，作为有机金属化合物，可W列举例如乙基侣、=异下基侣等烷基侣、二乙 基氯化侣、乙基二氯化侣等面化侣、二异下基氨化侣等氨化烷基侣等有机侣化合物；W及有 机裡化合物等。
[0192] 作为有机金属络合物催化剂，可W列举例如：二氨四苯基麟)钉、二氨四苯 基麟)铁、双(环辛二締)儀、双(环戊二締基)儀等过渡金属络合物。
[0193] 氨化催化剂的使用量相对于嵌段共聚物100重量份，通常为0.01重量份W上，优选 为0.05重量份W上，更优选为0.1重量份W上，通常为100重量份W下，优选为50重量份W 下，更优选为30重量份W下。
[0194] 氨化反应的溫度通常为10°CW上、优选为50°CW上、更优选为80°CW上，通常为 250°CW下、优选为200°CW下、更优选为180°CW下。通过在运样的溫度范围进行氨化反应， 可W提高氨化率，另外也可W减少嵌段共聚物的分子切断。
[0195] 另外，氨化反应时的氨压力通常为0.1 MPaW上、优选为IMPaW上、更优选为2MPaW 上，通常为30MPaW下、优选为20MPaW下、更优选为IOMPaW下。通过在运样的氨压力下进行 氨化反应，可W提高氨化率、可W减少嵌段共聚物的分子断链，操作性良好。
[0196] 通过如上所述对嵌段共聚物进行氨化，嵌段共聚物的氨化物可W作为产物而获 得。该氨化反应后的产物可W直接使用。或者，可W在根据需要对氨化反应后的产物进一步 实施任意的处理后使用。例如，可W根据需要对氨化反应后的产物进行导入烷氧基甲硅烷 基的处理。
[0197] 作为向嵌段共聚物的氨化物导入烷氧基甲娃烷基的方法，可W使用例如使导入烧 氧基甲娃烷基前的嵌段共聚物的氨化物和締属不饱和硅烷化合物在过氧化物的存在下反 应的方法。
[0198] 作为締属不饱和硅烷化合物，可W使用能够与嵌段共聚物的氨化物发生接枝聚合 从而在嵌段共聚物的氨化物中导入烷氧基甲娃烷基的化合物。作为运样的締属不饱和硅烷 化合物的例子，优选乙締基=甲氧基硅烷、乙締基=乙氧基硅烷、締丙基=甲氧基硅烷、締 丙基二乙氧基硅烷、^甲氧基甲基乙締基硅烷、^乙氧基甲基乙締基硅烷、对苯乙締基二甲 氧基硅烷、对苯乙締基二乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷 氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙基=乙氧基硅烷、3-甲基丙締酷氧基丙 基甲基二乙氧基硅烷、3-丙締酷氧基丙基二甲氧基硅烷、3-丙締酷氧基丙基二乙氧基硅烷 及2-降冰片締-5-基二甲氧基硅烷等。其中，优选乙締基二甲氧基硅烷、乙締基二乙氧基娃 烧、締丙基=甲氧基硅烷、締丙基=乙氧基硅烷、二甲氧基甲基乙締基硅烷、二乙氧基甲基 乙締基硅烷、对苯乙締基=甲氧基硅烷。另外，締属不饱和硅烷化合物可W单独使用一种， 也可WW任意比率组合使用两种W上。
[0199] 相对于导入烷氧基甲娃烷基之前的嵌段共聚物的氨化物100重量份，締属不饱和 硅烷化合物的量通常为0.1重量份W上、优选为0.2重量份W上、更优选为0.3重量份W上， 通常为10重量份W下、优选为5重量份W下、更优选为3重量份W下。
[0200] 作为过氧化物，可列举例如:过氧化二苯甲酯、过氧化乙酸叔下醋、2,2-二(叔下基 过氧化)下烧、过氧化苯甲酸叔下醋、过氧化叔下基异丙苯、过氧化二异丙苯、过氧化二叔己 基、2,5-二甲基-2,5-二（叔下基过氧化己烧）、过氧化二叔下基、2,5-二甲基-2,5-二（叔下 基过氧化）己烧-3、叔下基过氧化氨、过氧化异下酸叔下醋、过氧化月桂酷、过氧化二丙酷、 祗烧过氧化氨等有机过氧化物。其中，优选1分钟半衰期溫度为170~19(TC的过氧化物，例 如优选:过氧化叔下基异丙苯、过氧化二异丙苯、过氧化二叔己基、2,5-二甲基-2,5-二(叔 下基过氧化己烧）、过氧化二叔下基等。另外，过氧化物可W单独使用1种，也可W组合使用 两种W上。
[0201] 相对于导入烷氧基甲娃烷基之前的嵌段共聚物的氨化物100重量份，过氧化物的 量通常为0.01重量份W上、优选为0.2重量份W上、更优选为0.3重量份W上，通常为5重量 份W下、优选为3重量份W下、更优选为2重量份W下。
[0202] 使上述的嵌段共聚物的氨化物与締属不饱和硅烷化合物在过氧化物的存在下反 应的方法，例如可使用加热混炼机及反应器来进行。如果列举具体例，可W在双螺杆混炼机 中，使嵌段共聚物的氨化物和締属不饱和硅烷化合物及过氧化物的混合物在嵌段共聚物的 氨化物的烙融溫度W上加热烙融，混炼所期望的时间，由此在嵌段共聚物的氨化物中导入 烷氧基甲娃烷基。具体的溫度通常为180°C W上、优选为190°C W上、更优选为200°C W上，通 常为240°C W下、优选为230°C W下、更优选为220°C W下。另外，加热混炼时间通常为0.1分 钟W上、优选为0.2分钟W上、更优选为0.3分钟W上，通常为15分钟W下、优选为10分钟W 下、更优选为5分钟W下。在使用双螺杆混炼机、单螺杆挤出机等连续混炼设备的情况下，可 W使滞留时间在上述范围，连续地进行混炼及挤出。
[0203] 利用上述方法得到的嵌段共聚物的氨化物通常W包含嵌段共聚物的氨化物、氨化 催化剂及聚合催化剂的反应液的形式获得。因此，可W在通过例如过滤及离屯、分离等方法 从该反应液中除去氨化催化剂及聚合催化剂之后，从反应溶液中回收嵌段共聚物的氨化 物。作为从反应液中回收嵌段共聚物的氨化物的方法，可W列举例如:从溶解有嵌段共聚物 的氨化物的溶液中通过汽提而除去溶剂的蒸汽凝固法;在减压加热下除去溶剂的直接脱溶 剂法;将溶液注入嵌段共聚物的氨化物的不良溶剂中W使嵌段共聚物的氨化物析出及凝固 的凝固法等。
[0204] 就回收的嵌段共聚物的氨化物的形态而言，为了容易供给到其后的成型加工或改 性反应，优选设为粒料形状。例如，在通过直接脱溶剂法从反应液中回收了嵌段共聚物的氨 化物的情况下，可W在将烙融状态的氨化物从模头挤出为线料状并经过冷却后，用造粒机 进行切割而制成粒料状而供给至各种成型。另外，在使用凝固法的情况下，例如可W在将所 得凝固物干燥之后，通过挤出机W烙融状态挤出并与上述同样地制成粒料状而供给至各种 成型。
[0205] [4.1.2.任意成分]
[0206] 作为能够用作粘接性层的材料的弹性体树脂可包含的任意成分，可W列举例如： 用于调整玻璃化转变溫度及弹性模量的增塑剂、用于提高耐候性及耐热性的光稳定剂、紫 外线吸收剂、抗氧化剂、润滑剂、无机填料等。另外，任意成分可W单独使用一种，也可W W 任意比率组合使用两种W上。
[0207] 作为用于调整玻璃化转变溫度及柔软性的增塑剂，例如可W列举:聚异下締、氨化 聚异下締、氨化聚异戊二締、氨化1,3-戊二締类石油树脂、氨化环戊二締类石油树脂、氨化 苯乙締-巧类石油树脂等。相对于弹性体树脂100重量份，运些增塑剂的配合量通常在40重 量份W下根据调整树脂特性的目的而适当地选择。
[0208] 作为光稳定剂，优选受阻胺类光稳定剂，特别优选在结构中具有例如3，5-二叔下 基-4-径基苯基、2，2，6，6-四甲基赃晚基或1，2，2，6，6-五甲基-4-赃晚基等的化合物。
[0209] 作为光稳定剂的具体例，可W列举：1，2,3,4-下烧四簇酸、1，2,2,6,6-五甲基-4-赃晚醇及3,9-双(2-径基-1,1-二甲基乙基)-2,4,8，10-四氧杂螺[5,5]十一碳烧的混合醋 化物、1,6-己二胺-N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)和吗嘟-2,4,6-S氯-1，3,5-S嗦 的缩聚物、1-[2-〔3-(3,5-二叔下基-4-径基苯基)丙酷氧基）乙基]-4-〔3-3,5-二叔下基-4-径基苯基）丙酷氧基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、2-(3,5-二叔下基-4-径基苄基)-2-正下基丙 二酸-双（1，2,2,6,6-五甲基-4-赃晚基)醋、2-(3,5-二叔下基-4-径基苄基)-2-正下基丙二 酸-双（1，2,2,6,6-五甲基-4-赃晚基)醋、4-(3-(3,5-二叔下基-4-径基苯基)丙酷氧基)-1-(2-(3-(3,5-二叔下基-4-?基苯基）丙酷氧基）乙基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-a-节 基-2-苯基乙基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(2-(l-化咯烷基）乙基)-N-甲 酷氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(2-(4-吗嘟基）乙基)-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲 基-N-甲基赃晚、4-(N-(2-(4-吗嘟基）乙基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(2-仁异丙基氨基）乙基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(2,4,6-ミ甲基苄基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(3-(2-乙基己氧基)丙基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(3,4-(亚甲基二氧基)苄基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-(双环〔2.2.1)庚基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-l，2,2-S甲基丙基-N-甲酯 氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-l，3-二甲基下基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、 4-(N-1-苄基乙基-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-2,2-二甲基丙基-N-甲酯氨 基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-2-乙基己基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-3-甲基下基-N-甲酯氨基)-2，2，6，6-四甲基赃晚、4-(N-4-^基下基-N-甲酯氨基)-2，2，6，6-四甲基赃晚、4-(N-4-^基下基-N-甲酯氨基)-2，2，6，6-四甲基赃晚、4-(N-异丙基-N-甲酯 氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-异丙基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-叔下 基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-异丙基苄基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基 赃晚、4-(N-乙氧基乙基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-乙氧基丙基-N-甲酯氨 基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-十八烷基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-辛 基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-辛基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基 赃晚、4-(N-氯苄基-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-二乙基氨基乙基-N-甲酯氨 基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-环十二烷基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-环 己基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基幾基赃晚、4-(N-环己基-N-甲酯氨基)-2,2,6， 6-四甲基-N-甲基化晚、4-(N-环己基-N-甲酯氨基)-2，2，6，6-四甲基化晚、4-(N-环戊基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-环戊基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃 晚、4-(N-二甲基氨基丙基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-癸基-N-甲酯氨基)- 2.2.6.6- 四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-癸基-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-十二 烷基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-化晚基甲基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲 基赃晚、4-(N-苯基乙基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基化晚、4-(N-苯基乙基-N-甲 酷氨基)-2,2,6,6-四甲基化晚、4-(N-下基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-下基-N-甲酯氨基)-2，2，6，6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-氣苄基-N-甲酯氨基)-2，2，6， 6- 四甲基赃晚、4-(N-己基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-己基-N-甲酯 氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-戊基-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(N-戊基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-甲基环己基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四 甲基化晚、4-(N-甲基苄基-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(N-甲氧基苄基-N-甲酯 氨基)-2,2,6,6-四甲基赃晚、4-(甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基赃晚、4-(甲酯氨基)- 2.2.6.6- 四甲基赃晚、4-〔N-(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N-甲酯氨基)-2,2,6,6-四甲基-N-甲基化晚、4-〔N-(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基）-N-甲酯氨基）-2,2,6,6-四甲基化晚、N， N'，N"，N"'-四（4,6-双(下基-(N-甲基-2,2,6,6-四甲基赃晚-4-基)氨基)-ミ嗦-2-基)-4， 7- 二氮杂癸烧-1,10-胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基赃晚基)-N，N'-二甲酯基-1， 4-苯二亚甲基二胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基赃晚基)-N，N'-二甲酯基-S亚甲 基二胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基赃晚基)-N，N'-二甲酯基-六亚甲基二胺、N, N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基赃晚基)-N，N'-二甲酯基-乙二胺、N，N'-双（2,2,6,6-四 甲基-4-赃晚基)-N，N'-二甲酯基-1,4-苯二亚甲基二胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚 基)-N，N'-二甲酯基乙二胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-二甲酯基-S亚甲 基二胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-二甲酯基六亚甲基二胺、N，N'-双(2， 2.6.6- 四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基丙締酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚 基)-N，N'-双六亚甲基花生酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲 基当归酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基^^一烧酸酷胺、N, N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基^^一碳締酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基油酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N， N'-双六亚甲基轄油酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基辛酸 酷胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基癸酸酷胺、N，N'-双(2,2,6， 6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基己酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基己豆酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基香 茅酸酷胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基）-N，N'-双六亚甲基硬脂酸酷胺、N，N'-双 (2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基整鱼酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基十S烧酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双 六亚甲基十九烧酸酷胺、N，N ' -双(2，2，6，6-四甲基-4-赃晚基)-N，N ' -双六亚甲基十六烧酸 酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基己締酸酷胺、N，N'-双(2,2， 6,6-四甲基-4-赃晚基）-N，N'-双六亚甲基丙酸酷胺、N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-赃晚 基)-N，N'-双六亚甲基庚酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基 二十二烧酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基壬酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基十五烧酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲 基-4-赃晚基)-N，N ' -双六亚甲基十屯烧酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N， N'-双六亚甲基肉豆違酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基月 桂酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基十二碳締酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基戊酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基乙酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚 甲基十四酸酷胺、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-双六亚甲基下酸酷胺、班巧 酸二甲醋与4-径基-2，2，6，6-四甲基-1-赃晚乙醇的聚合物、由二下基胺、1，3，5-S嗦及N， N' -双（2，2，6，6-四甲基-4-赃晚基）下基胺形成的缩聚物、双（1，2，2，6，6-五甲基-4-赃晚 基)-2-(3,5-二叔下基-4-径基苄基)-2-正下基丙二酸醋、双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基） 癸二酸醋、聚〔（6-吗嘟代-均S嗦-2，4-二基）〔（2，2，6，6-四甲基-4-赃晚基)亚氨基)-六亚 甲基〔（2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基）亚氨基）、聚〔{(1，1，3,3-四甲基下基）氨基-1，3,5-^ 嗦-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基）亚氨基}六亚甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚 基)亚氨基})、聚〔{6-(1，1，3,3-四甲基下基)氨基-1，3,5-^嗦-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲 基-4-赃晚基)亚氨基}六亚甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)亚氨基})、N，N'-双（2,2,6， 6-四甲基-4-赃晚基)-1，6-己二胺与2，4，6-S氯-1，3，5-S嗦的聚合物和N-下基-1-下烧胺 及N-下基-2，2，6，6-四甲基-4-赃晚胺的反应产物等。
[0210] 运些之中，在耐候性优异的方面，优选N，N'-双（2,2,6,6-四甲基-4-N-甲基赃晚 基)-N，N'-二甲酯基-亚烷基二胺类、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-N，N'-二甲酯基 亚烷基二胺类、N，N双（2，2，6，6-四甲基-4-赃晚基）-N，N双亚烷基脂肪酸酷胺类、聚 〔{6-(1，1，3,3-四甲基下基)氨基-1，3,5-^嗦-2,4-二基}{(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)亚 氨基}六亚甲基{(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基）亚氨基})，特别优选N，N'-双（2,2,6,6-四甲 基-4-赃晚基)-N，N'-二甲酯基亚烷基二胺类、N，N'-双(2,2,6,6-四甲基-4-赃晚基)-1,6-己二胺与2，4，6-S氯-1，3，5-S嗦的聚合物和N-下基-1-下烧胺及N-下基-2，2，6，6-四甲 基-4-赃晚胺的反应产物。
[0211] 光稳定剂的量相对于嵌段共聚物的氨化物100重量份，通常为0.01重量份W上，优 选为0.02重量份W上，更优选为0.03重量份W上，通常为5重量份W下，优选为2重量份W 下，更优选为I重量份W下。通过将光稳定剂的量设在上述范围的下限值W上，能够提高粘 接性层的耐候性。另外，通过设在上限值W下，在将弹性体树脂成型而制造粘接性层时，能 够防止挤出机的T型模和冷却漉的污染，能够提高加工性。
[0212] 作为紫外线吸收剂，可W列举例如:二苯甲酬类紫外线吸收剂、水杨酸类紫外线吸 收剂、苯并=挫类紫外线吸收剂等。
[0213] 作为二苯甲酬类紫外线吸收剂，可W列举例如:2,4-二径基二苯甲酬、2-径基-4-甲氧基二苯甲酬、2-径基-4-甲氧基二苯甲酬-5-横酸S水合物、2-径基-4-辛氧基二苯甲 酬、4-十二烷氧基-2-径基二苯甲酬、4-节氧基-2-径基二苯甲酬、2,2'，4,4'-四径基二苯甲 酬、2,2'-二径基-4,4'-二甲氧基二苯甲酬等。
[0214] 另外，作为水杨酸类紫外线吸收剂，可W列举例如:水杨酸苯醋、4-叔T基苯基-2-径基苯甲酸醋、苯基-2-径基苯甲酸醋、2,4-二叔下基苯基-3,5-二叔下基-4-径基苯甲酸 醋、十六烷基-3，5-二叔下基-4-径基苯甲酸醋等。
[0215] 另外，作为苯并S挫类紫外线吸收剂，可W列举例如：2-(2-?基-5-甲基苯基）-2H-苯并S挫、2-( 3-叔下基-2-径基-5-甲基苯基)-5-氯-2H-苯并S挫、2-( 3，5-二叔下基-2-径基苯基）-5-氯-2H-苯并S挫、2- (3，5-二叔下基-2-径基苯基)-2H-苯并S挫、5-氯-2-(3，5-二叔下基-2-径基苯基)-2H-苯并S挫、2-( 3，5-二叔戊基-2-径基苯基)-2H-苯并S 挫、2-( 2-径基-5-叔辛基苯基)-2H-苯并S挫、2-( 2-径基-4-辛基苯基）-2H-苯并S挫、2-(2H-苯并S挫-2-基)-4-甲基-6-(3，4，5，6-四氨邻苯二甲酯亚胺基甲基)苯酪、2，2 亚甲 基双[4-(1，1，3,3-四甲基下基)-6-[(2护苯并^挫-2-基)苯酪]]等。
[0216] 紫外线吸收剂的量相对于嵌段共聚物氨化物100重量份，通常为0.01重量份W上， 优选为0.02重量份W上，更优选为0.04重量份W上，通常为1重量份W下，优选为0.5重量份 W下，更优选为0.3重量份W下。通过在上述范围的下限值W上使用紫外线吸收剂，能够改 善粘接性层的耐光性，但即使超过上限而过量地使用，也难W获得进一步的改善。
[0217] 作为抗氧化剂，可W列举例如:憐类抗氧化剂、酪类抗氧化剂、硫类抗氧化剂等，优 选着色更少的憐类抗氧化剂。
[0218] 作为憐类抗氧化剂，可列举例如：亚憐酸=苯醋、亚憐酸二苯基异癸基醋、亚憐酸 苯基二异癸基醋、亚憐酸=(壬基苯基）醋、亚憐酸=(二壬基苯基）醋、亚憐酸= (2,4-二叔 下基苯基)醋、10-(3,5-二叔下基-4-径基苄基)-9,10-二氨-9-氧-10-憐杂菲-10-氧化物等 单亚憐酸醋类化合物;4，4 下叉-双（3-甲基-6-叔下基苯基-二-十S烷基亚憐酸醋）、4， 4'-异丙叉-双(苯基-二烷基(C12~C15)亚憐酸醋）等二亚憐酸醋类化合物;6-〔3-(3-叔下 基-4-径基-5-甲基苯基炳氧基)-2,4,8，10-四叔下基二苯并化州1.3.2)二|遽憐环庚烧、 6-〔3-(3,5-二叔下基-4-径基苯基)丙氧基)-2,4,8，10-四-叔下基二苯并〔(1，引〔1.3.2)二 離憐环庚烧等化合物。
[0219] 作为酪类抗氧化剂，可列举例如:季戊四醇-四[3-(3,5-二叔下基-4-径基苯基)丙 酸醋]、2，2-硫代二亚乙基双[3-( 3，5-二叔下基-4-径基苯基)丙酸醋]、十八烷基-3-( 3，5-二叔下基-4-径基苯基)丙酸醋、3,9-双{2-[3-(3-叔下基-4-径基-5-甲基苯基)丙酷氧基]-1，1-二甲基乙基}-2,4,8，10-四氧杂螺[5,5]^碳烧、1，3,5-S 甲基-2,4,6-^(3,5-二叔 下基-4-径基苄基)苯等化合物。
[0220] 作为硫类抗氧化剂，可列举例如：二月桂基-3,3'-硫代二丙酸醋、二肉豆違基-3， 3 硫代二丙酸醋、二硬脂基-3，3 硫代二丙酸醋、月桂基硬脂基-3，3 硫代二丙酸醋、季 戊四醇-四（e-月桂基-硫代丙酸醋）、3,9-双（2-十二烷基硫基乙基)-2,4,8，10-四氧杂螺 [5,引十一碳烧等化合物。
[0221] 抗氧化剂的量相对于嵌段共聚物的氨化物100重量份，通常为0.01重量份W上，优 选为0.05重量份W上，更优选为0.1重量份W上，通常为1重量份W下，优选为0.5重量份W 下，更优选为0.3重量份W下。通过在上述范围的下限值W上使用抗氧化剂，能够改善粘接 性层的热稳定性，但即使超过上限过量地使用，也难W获得进一步的改善。
[0222] 将嵌段共聚物的氨化物和任意成分混合的方法，可W列举例如:将任意成分溶解 在适当的溶剂中并与嵌段共聚物的氨化物的溶液混合，然后除去溶剂，回收包含任意成分 的弹性体树脂的方法;利用双螺杆混炼机、漉、Brabender、挤出机等混炼机使嵌段共聚物的 氨化物成为烙融状态后，与任意成分混炼的方法等。
[0223] [4.1.3.粘接性层的材料的属性]
[0224] 形成粘接性层的树脂优选具有高透明性。例如，优选将形成粘接性层的树脂制成 厚度Imm的试验片测定的总透光率为通常70 % W上、优选80 % W上、更优选90 % W上。
[0225] 形成粘接性层的树脂的玻璃化转变溫度通常为3(TC W上、优选为5(TC W上、更优 选为70°CW上，通常为200°CW下、优选为180°CW下、更优选为160°CW下。另外，例如在使 用了包含嵌段共聚物的树脂的情况下，该树脂有时可W具有多个玻璃化转变溫度。此时，优 选树脂的最高的玻璃化转变溫度落在上述的范围。通过将形成粘接性层的树脂的玻璃化转 变溫度控制在上述的范围，可W获得密封元件时的粘接性和密封后的性能保持的平衡。另 夕h在利用密封膜进行器件的元件的密封时，不会使该元件中包含的有机成分发生热劣化， 容易使密封后的密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的延迟落在所期望的范 围。
[0226] [4.2.粘接性层的厚度]
[0227] 粘接性层的厚度优选为10皿W上、更优选为15皿W上、进一步优选为20皿W上、特 别优选为40皿^上，优选为500皿^下、更优选为200皿^下、进一步优选为150皿^下、特别 优选为lOOwnW下。通过使粘接性层的厚度在上述范围的下限值W上，能够利用挤出成型法 实现粘接性层的制造。另外，如果是该程度的厚度，则具有充分的密封功能，即使进一步在 粘接性层中混入了小的异物，也能够防止因该异物造成粘接性层的厚度变得不均匀。另外， 通过在上限值W下，能够抑制贴合后的晓曲，形成均匀的密封膜，另外，能够使密封膜的厚 度变薄。
[022引[4.3.粘接性层的制造方法]
[0229] 粘接性层通常W长条的膜的形式准备，可使用该膜进行密封膜的制造。粘接性层 例如可W通过使上述的粘接性层的材料成型为膜状来制造。作为成型方法，例如可W使用 烙融成型法、溶液流延法等。烙融成型法更详细而言可分类为挤出成型法、压制成型法、吹 胀成型法、注射成型法、吹塑成型法、拉伸成型法等。运些方法之中，为了得到机械强度及表 面精度优异的膜，优选挤出成型法、吹胀成型法及压制成型法，其中，从能够高效率且简单 地制造膜的观点出发，特别优选挤出成型法。
[0230] [5.任意的层]
[0231] 密封膜除上述基材膜、密封层及粘接性层之外，还可W根据需要而具备任意的层。
[0232] 例如，在基材膜的与密封层相反一侧的面上还可W设置防粘连层。通过设置防粘 连层，可W防止密封膜的粘连。另外，在密封膜的保存时及搬运时，还可W保护密封膜的表 面。防粘连层例如可W通过如下方法形成:涂布有机娃类剥离剂、长链烷基类剥离剂、氣类 剥离剂、硫化钢等剥离剂的方法;形成包含惰性粒子等润滑剂的树脂层的方法等。
[0233] 另外，密封膜还可W具备防静电层、硬涂层、导电性赋予层、防污染层、凹凸结构层 等。
[0234] [6.密封膜的物性等]
[02；3日]密封膜在测定溫度23°C通常具有1000 MPaW上、优选1200MPaW上、更优选HOOMPa W上的拉伸弹性模量。通过使密封膜具有运样高的拉伸弹性模量，可W使密封膜产生初劲， 提高该密封膜的操作性。如果操作性良好，则可W防止密封时的密封膜的權皱，因此可W容 易地进行无缝隙的密封。另外，密封膜的拉伸弹性模量的上限通常为4000MPaW下、优选为 3500MPaW下、更优选为3000MPaW下。通过使密封膜的拉伸弹性模量在上述的上限值W下， 可W提高其对密封前的元件的表面具有的高低差的追随性，可W防止密封后气泡的混入。
[0236] 对于将密封膜的拉伸弹性模量控制在上述范围的方法没有限制，例如可W列举： 适当地调整基材膜及粘接性层的材料及厚度的方法。粘接性层的材料存在拉伸弹性模量低 的倾向。为此，通过增加粘接性层的厚度，可W降低密封膜的拉伸弹性模量。另外，通过在能 够确保粘接性的范围内减小粘接性层的厚度，可W提高密封膜的拉伸弹性模量。进一步，通 过在基材膜中使用拉伸弹性模量高的树脂，也可W提高密封膜的拉伸弹性模量。特别是，通 过在粘接性层中混合增塑剂，能够容易地调整密封膜的拉伸弹性模量。
[0237] 密封后的密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的延迟通常落在期望 的范围。即，在使用密封膜进行元件的密封的状态下，用于该密封的密封膜的与基材膜相比 设置在密封层侧的层部分的延迟通常落在期望的范围。上述层部分是不包含基材膜的层部 分，通常为由密封层及粘接性层、W及根据需要设置的任意的层构成的层部分。该层部分的 具体的延迟通常为20nmW下、优选为15nmW下、更优选为IOnmW下。通过将密封后的上述层 部分的延迟控制在上述的范围，即使在将具备圆偏振片的防反射膜和密封膜组合的情况 下，也可W防止防反射膜的防反射性能的降低。另外，在将密封膜用于有机场致发光显示装 置（W下，也适当地称为"有机化显示装置"）等显示装置的密封的情况下，可W防止该显示 装置的显示品质的降低。
[0238] 密封后的密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的延迟可W通过如下 方法测定。
[0239] 使用具有2nmW下延迟的膜代替成为测定对象的密封膜的基材膜及在该基材膜的 与密封层侧相反的一侧设置的任意的层，除此之外，与成为测定对象的密封膜同样地，制造 了样品膜。在给定的密封条件下，将该样品膜贴附于玻璃板，准备了测定试样。测定该测定 试样的延迟。该测定试样的经测定的延迟的值设为密封后密封膜的与基材膜相比设置在密 封层侧的层部分的延迟。此时，在密封膜的基材膜及在该基材膜的与密封层侧相反的一侧 设置的任意的层的延迟较小、例如为化mW下的情况下，不是必须制作样品膜，可W将该密 封膜贴附于玻璃板而进行延迟的测定。
[0240] 为了进行上述的延迟的测定而将样品膜贴附于玻璃板时的密封条件为溫度Tg巧 °C~Tg巧0°C、层压压力为0.05M化~l.OMPa。运里的所述Tg表示形成粘接性层的树脂的玻 璃化转变溫度。另外，在形成粘接性层的树脂具有多个玻璃化转变溫度的情况下，上述Tg表 示其中的溫度最高的玻璃化转变溫度。就本发明的密封膜而言，在作为上述的密封条件而 规定的范围中的至少一点测定上述密封后密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部 分的延迟时，该测定的延迟落在上述期望的范围。
[0241] 对于将密封后密封膜的上述层部分的延迟调整至上述范围的方法没有限制，可W 列举例如:对形成粘接性层的树脂中所包含的聚合物的种类、单体的组成比、及上述树脂的 玻璃化转变溫度加 W调整的方法。作为具体例，可W列举调整形成粘接性层的树脂中所包 含的聚合物的种类或单体的组成比，使上述聚合物的光弹性系数减小的方法。运样，如果利 用包含光弹性系数小的聚合物的树脂形成粘接性层，则在向该粘接性层施加应力时，可W 使其不易表现出延迟。例如，在为了形成粘接性层使用芳香族乙締基化合物-共辆二締嵌段 共聚物的氨化物的情况下，为了减少具有高光弹性系数的芳环，优选使用芳环部分也被氨 化了的嵌段共聚物。另外，例如，可W通过利用增塑剂使形成粘接性层的树脂的玻璃化转变 溫度降低、使粘接时产生的热应力减少的方法，将密封后密封膜的上述层部分的延迟调整 至上述范围。
[0242] 本发明的密封膜的阻隔性优异。具体而言，密封膜整体的水蒸汽透过率优选为IX l(T2g/m2 ?天W下、更优选为5X1(TW ?天W下。运样的水蒸汽透过率可W通过适当地选 择密封层及其它层的材质及厚度来实现。另外，理想的下限为零，但现实中为IX l(T6g/m2， 天W上。
[0243] 优选本发明的密封膜即使置于高溫环境中，其阻隔性也不易受损。具体而言，优选 即使将密封膜在85°C的环境中放置100小时，其水蒸汽透过率也落在如上所述的低范围。进 一步，优选密封膜即使置于低压环境中其脱气的发生量也较少。由于运样的密封膜具有高 阻隔性，即使在高溫或低压的环境中也可W良好地保持其阻隔性，因此可W发挥出优异的 耐候性。尤其是，作为脱气的水蒸汽的发生量少，对于防止包含有机成分的元件的劣化的方 面是有效的。运样的密封膜可W通过使用例如包含具有每1分子2个W上的聚合物嵌段[A] 及每1分子1个W上的聚合物嵌段[B]的特定的嵌段共聚物的氨化物的粘接性层来实现。
[0244] 对于密封膜的透明性没有特别地限定。但是，从能够将密封膜用于要求透过光的 部分的观点出发，优选密封膜的透明性高。此时，密封膜的总透光率优选为70% W上、更优 选为80 % W上、特别优选为90 % W上。
[0245] 对于密封膜的雾度没有特别地限定。但是，在将密封膜用于不特别要求使光扩散 的光学用途的情况下，通常优选雾度低者。此时，密封膜的雾度优选在3.0% W下、更优选在 1.0%W 下。
[0246] [7.密封膜的制造方法]
[0247] 密封膜可W通过例如包含如下工序的制造方法制造:在基材膜的至少一面形成密 封层而获得多层膜的工序、W及使该多层膜和粘接性层叠合并进行加热压合的工序。
[0248] 在基材膜的表面形成密封层的方法如在密封层的说明项中所说明的。通过在基材 膜的表面形成密封层，可得到具有基材膜及密封层的多层膜。该多层膜通常可W W长条的 膜的形式获得。
[0249] 对于得到的多层膜，可使用例如溫度可控的加压漉等加压装置与粘接性层进行加 热压合。此时，多层膜W密封层侧的表面与粘接性层贴合。在使用弹性体树脂作为形成粘接 性层的材料的情况下，加热压合时粘接性层变得柔软而表现出高的粘接性，利用该表现出 的粘接性，粘接性层粘接于多层膜。由此，得到了具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜。
[0250] 进行加热压合时的溫度通常为70°C W上、优选为80°C W上。由此，可W将具备基材 膜及密封层的多层膜和粘接性层稳定地粘接。另外，溫度的上限通常为25(TC W下，优选为 基材膜所具有的树脂的玻璃化转变溫度W下。由此，可W抑制加热压合时基材膜的热收缩 及劣化。
[0251] 进行加热压合时的压力通常为0.OSMPaW上。由此，可W将具备基材膜及密封层的 多层膜和粘接性层稳定地粘接。压力的上限通常为1.5MPaW下、优选为1.OMPaW下。由此， 可W防止由于过度的压力而导致在密封层产生开裂。
[0252] [8.密封膜的用途]
[0253] 密封膜通常在具备有机化元件及有机半导体元件等元件的有机电子器件中用于 密封上述元件。通常，通过使密封膜的粘接性层侧的面面向并顺着上述元件的表面、将密封 膜在给定的密封溫度下压合至元件来进行密封。由于本发明的密封膜的操作性良好，因此 可W防止密封时的權皱，容易无缝隙地密封元件。运样一来，由于可W稳定地保护构成元件 的要素不受水分及氧的影响，因此可W长时间保持元件的性能。
[0254] 就密封溫度而言，通常在Tg巧。C W上、优选在Tg+10°C W上、更优选在Tg+20°C W上 的溫度下进行。运里的所述Tg表示形成粘接性层的树脂的玻璃化转变溫度。另外，在形成粘 接性层的树脂具有多个玻璃化转变溫度的情况下，上述Tg表示其中最高溫的玻璃化转变溫 度。由此，可W将密封后密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的延迟调整至上 述期望的范围。另外，在运样的高于玻璃化转变溫度的溫度下，由于粘接性层充分柔软，因 此即使在元件表面不平坦的情况下也可W使粘接性层与元件表面无缝隙地密合，获得高阻 隔性。特别是，在使用密封膜密封显示装置的显示面的情况下，由于可W减小显示面的微小 的凹部及凸部，因此可W改善显示的观看方式。另外，密封溫度的上限通常为Tg+150°C W 下、优选为Tg+120°CW下、更优选为Tg+100°CW下。由此，可W防止由于密封时的热而导致 基材膜的取向发生驰豫、或元件发生热劣化。
[0255] 在采用密封膜的器件中，作为优选的例子，可W列举有机化显示装置、液晶显示装 置等显示装置。运些显示装置也可W是画面能够弯曲的柔性显示装置。另外，除显示装置之 夕h还优选用于例如具备有机半导体元件的有机半导体器件。运些器件具有有机化元件及 有机半导体元件等元件作为显示器件功能的元件，进一步具备用于密封运些元件的密封 膜。W下，针对具备运样的密封膜的器件，示出实施方式进行说明。
[0巧6] [8.1.第一实施方式]
[0257] 图2为示意性地示出本发明第一实施方式设及的有机化显示装置200的纵向剖面 图。另外，图3为示意性地示出本发明第一实施方式设及的有机化显示装置200所包含的装 配体210的立体图。
[0258] 如图2所示，本发明第一实施方式设及的有机化显示装置200具备:包含发光元件 等构成要素的装配体210、和用于密封该装配体210所包含的发光元件的密封膜220。
[0259] 如图3所示，装配体210具有:基板211、在基板211的上表面211UW细长的带状形成 有多个的第一电极层212、在第一电极层212的周边形成的边缘覆盖层213、在第一电极层 212上设置的发光层214、W及在发光层214上设置的第二电极层215。
[0260] 第一电极层212、发光层214及第二电极层215构成作为有机化元件的发光元件，通 过向第一电极层212及第二电极层215通电，能够使发光层214发光。
[0261] 关于构成装配体210的要素的材料、厚度、及制造方法没有特别地限定。
[0262] 例如，作为基板211的材料的例子，可W列举：由聚碳酸醋、聚对苯二甲酸乙二醇 醋、聚糞二甲酸乙二醇醋、脂环式締控聚合物等具有柔软性的透明塑料形成的柔性基板、W 及石英玻璃、钢巧玻璃、无机碱玻璃等玻璃基板。
[0263] 构成第一电极层212及第二电极层215的材料，可W适当地选择能够用作有机化元 件的电极的材料。另外，可W将第一电极层212及第二电极层215中的任意一者作为阳极、另 一者作为阴极。通过使第一电极层212及第二电极层215中的一者为透明电极，另一者为反 射电极，能够实现在透明电极通过后的出光。或者，也可W将第一电极层212及第二电极层 215两者为透明电极。作为透明电极的材料的例子，可W列举:金属薄膜、ITOaZO及Sn化等。 作为反射电极层的材料的例子，可W列举侣及MgAg等。
[0264] 作为设置在第一电极层212及第二电极层215之间的发光层214,没有特别地限定， 可W从已知的材料中适当地选择。对于发光层214,为了适于作为光源的用途，可W利用单 独一种层或多种层的组合而使其发出包含期望的峰值波长的光。
[0265] 另外，在第一电极层212及第二电极层215之间，除了发光层214之外，还可W进一 步设置例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层及阻气层等任意的层，运些 也可W成为发光元件的构成要素。
[0266] 作为发光元件的具体的层结构的例子，可W列举：阳极/空穴传输层/发光层/阴极 的结构、阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/阴极的结构、阳极/空穴注入层/发光层/阴 极的结构、阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极的结构、 阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/等电位面形成层/空穴传输层/发光层/电子注入 层/阴极的结构、及阳极/空穴传输层/发光层/电子注入层/电荷发生层/空穴传输层/发光 层/电子注入层/阴极的结构。发光元件可W制成在阳极与阴极之间具有一层W上的发光层 214的元件。该发光层214可W具有多种发光色不同的层的叠层体、或者在某色素的层中渗 杂有不同色素的混合层。作为构成发光层214的材料的例子，可W列举:聚对苯乙烘系、聚巧 系、及聚乙締基巧挫系的材料。另外，作为空穴注入层及空穴传输层的材料的例子，可W列 举:献菁系、芳基胺系、及聚嚷吩系的材料。作为电子注入层及电子传输层的材料的例子，可 W列举:侣络合物及氣化裡。作为等电位面形成层及电荷发生层的材料的例子，可W列举： IT0、IZO及Sn化等透明电极、W及Ag及Al等金属薄膜。
[0267] 对于第一电极层212、发光层214、第二电极层215W及除此之外的构成发光元件的 任意的层，可通过将它们依次叠层在基板211上来设置。上述各层的厚度可设为IOnm~ 1OOOnm。
[0268] 装配体210可W进一步具有用于向第一电极层212及第二电极层215通电的配线等 任意的构成要素。
[0269] 如图2所示，密封膜220从距离装配体210较远一侧起依序具备基材膜221、密封层 222及粘接性层223,通过粘接性层223的粘接力而粘接于装配体210的上表面210U。在本实 施方式中，列举使用了包含具有每1分子2个W上的聚合物嵌段[A]及每1分子1个W上的聚 合物嵌段[B]的特定的嵌段共聚物的氨化物的粘接性层223的例子进行说明。进一步，基材 膜221的延迟大致为零，另外，密封膜220的由密封层222及粘接性层223构成的层部分224的 延迟为20nmW下。
[0270]通过具有运样的结构，在本发明第一实施方式设及的有机化显示装置200中，包含 发光层214的发光元件通过密封膜220而被密封。进一步，在该密封膜220中，水蒸汽、溶剂及 残留单体等的脱气少。由此，可实现良好的密封，能够提高有机化显示装置200的寿命等性 能。
[0271 ]另外，利用密封膜220的粘接性层223的变形能力，装配体210的表面21OU的凹凸被 覆盖，其结果，可W提高有机化显示装置200的强度。
[0272] 进一步，由于密封膜220的基材膜221、密封层222及粘接性层223的延迟小，因此来 自发光层214的光的偏振状态在透过密封膜220时不易产生意图之外的变化。由此，可W适 当地控制色彩及亮度等显示性能，能够实现高显示品质。
[0273] 运样的有机化显示装置200例如可W通过在装配体210上压合密封膜220来制造。 由于密封膜220具有高拉伸弹性模量，操作性良好，因此在压合时不易产生權皱，可设置成 与装配体210的表面210U的整体密合。为此，可W稳定地防止有机化显示装置200所具有的 全部发光元件的劣化，可W抑制暗斑的发生。运里，所述暗斑是指，由于有机化显示装置200 中的发光元件的有机材料劣化而导致部分发光元件无法发光而产生的、看起来发暗的区 域。
[0274] [8.2.第二实施方式]
[0275] 图4是示意性地示出本发明第二实施方式设及的有机化显示装置300的纵向剖面 图。对于第二实施方式设及的有机化显示装置300的构成要素中的与第一实施方式设及的 有机显示装置200相同的要素，利用与第一实施方式设及的有机显示装置200同样的符 号表示。
[0276] 如图4所示，本发明第二实施方式设及的有机化显示装置300在密封膜220的与装 配体210相反一侧的表面220U上具备由圆偏振片构成的防反射膜310。防反射膜310从距离 密封膜220较远一侧起依序具备直线偏振片311及1/4波片312。本发明第二实施方式设及的 有机化显示装置300除W上事项之外，具有与第一实施方式设及的有机化显示装置200同样 的构成。
[0277] 如果向具有运样构成的有机显示装置300入射作为非偏振光的自然光L，则具有 与直线偏振片311的透过轴平行的振动方向的直线偏振光成分的光Ll透过直线偏振片311， 除此之外的光被直线偏振片311吸收。另外，透过直线偏振片311的光Ll由于透过1/4波片 312而由直线偏振光转变为圆偏振光，在透过密封膜220之后被装配体210的表面210U反射， 进一步在透过密封膜220之后通过再次透过1/4波片312而被转变为直线偏振光，入射至直 线偏振片311。此时，密封膜220的基材膜221的延迟大致为零，另外，由于密封膜220的由密 封层222及粘接性层223构成的层部分224的延迟为20nmW下，因此透过了直线偏振片311的 光Ll的偏振状态与透过密封膜220时相比没有大的变化。由此，该光Ll由于W基本不包含具 有与直线偏振片311的透过轴平行的振动方向的直线偏振光的状态入射至直线偏振片311， 因此其大部分被直线偏振片311吸收。因此，能够利用防反射膜310来防止外光L的反射。运 样一来，本实施方式设及的密封膜220不会妨碍由防反射膜310带来的防反射功能，可W进 行密封。
[0278]另外，根据本实施方式设及的有机化显示装置300,可W获得与第一实施方式设及 的有机化显示装置200相同的优点。
[02巧][8.3.第S实施方式]
[0280] 图5是示意性地示出本发明第S实施方式设及的有机化显示装置400的纵向剖面 图。对于第S实施方式设及的有机化显示装置400的构成要素中的与第一实施方式及第二 实施方式设及的有机EL显示装置200及300相同的要素，利用与第一实施方式及第二实施方 式设及的有机化显示装置200及300同样的符号表示。
[0281] 如图5所示，本发明第S实施方式设及的有机化显示装置400中，代替密封膜220而 具备密封膜420。密封膜420除了代替基材膜221而具备能够作为1/4波片发挥功能的基材膜 421W外，与第一实施方式设及的密封膜220具有相同的构成。另外，有机化显示装置400如 下地构成:在密封膜420的与装配体210相反一侧的表面420U上具备直线偏振片311，通过该 直线偏振片311和基材膜421的组合而构成由圆偏振片构成的防反射膜。本发明第=实施方 式设及的有机化显示装置400除了 W上事项之外，与第一实施方式设及的有机化显示装置 200具有同样的构成。
[0282] 具有运样的结构的有机化显示装置400与第二实施方式设及的有机化显示装置 300同样，可W利用由直线偏振片311与基材膜421的组合构成的防反射膜防止外光L的反 射。另外，由于密封膜420的基材膜421作为防反射膜的1/4波片发挥功能，因此不需要另外 准备1/4波片。由此，可W使有机化显示装置400的厚度变薄。
[0283] 另外，根据本实施方式设及的有机化显示装置400,可W获得与第一及第二实施方 式设及的有机化显示装置200及300同样的优点。
[0284] [8.4.第四实施方式]
[0285] 图6是示意性地示出本发明第四实施方式设及的有机化显示装置500的纵向剖面 图。第四实施方式设及的有机化显示装置500的构成要素中的与第一实施方式~第S实施 方式设及的有机化显示装置200、300及400相同的要素，利用与第一实施方式~第S实施方 式设及的有机化显示装置200、300及400同样的符号表示。
[0286] 如图6所示，本发明第四实施方式设及的有机化显示装置500除了在装配体210和 密封膜220之间设置有临时密封层510之外，与第一实施方式设及的有机化显示装置200具 有同样的构成。
[0287] 临时密封层510是设置在装配体210的上表面210U的层，作为其材料，可W列举例 如:SiN、SiO等包含娃的材料。临时密封层510的厚度可W为0.2WI1~Iwii左右。
[0288] 临时密封层510可W在例如与发光层214及第二电极层215同样的减压环境中的条 件下通过蒸锻等成膜方法形成。因此，通过在减压环境中连续地设置发光层214、第二电极 层215及临时密封层510,可W有效地抑制发光层214的劣化。进一步，通过在将其从减压环 境中取出之后利用密封膜220进行密封，可W形成在有机EL显示装置500的使用环境中能够 耐受的强固的密封。由此，可W获得在制造时发光元件的劣化少、并且该状态在使用环境中 也可W长时间保持的有机化显示装置500。
[0289] 另外，根据本实施方式设及的有机化显示装置500,可W获得与第一实施方式设及 的有机化显示装置200同样的优点。
[0290] [8.5.第五实施方式]
[0291] 图7是示意性地示出本发明第五实施方式设及的有机化显示装置600的纵向剖面 图。第五实施方式设及的有机化显示装置600的构成要素中的与第一实施方式~第四实施 方式设及的有机显示装置200、300、400及500相同的要素，利用与第一实施方式~第四实 施方式设及的有机化显示装置200、300、400及500同样的符号表示。
[0292] 如图7所示，本发明第五实施方式设及的有机化显示装置600除了在装配体210和 密封膜220之间设置有临时密封层510及吸附剂层610之外，与第一实施方式设及的有机化 显示装置200具有同样的构成。
[0293] 吸附剂层610是设置在临时密封层510的上表面510U的层，作为其材料，例如可W 列举有机侣络合物。吸附剂层610的厚度可W为0.1 wii~Iwii左右。
[0294] 通过具备吸附剂层610,可W使密封更为强固。例如，可W吸附能够从密封膜220少 量地放出的脱气，从而进一步防止发光层214等层的劣化。
[0W5]另外，根据本实施方式设及的有机化显示装置600,可W获得与第一实施方式及第 四实施方式设及的有机化显示装置200及500同样的优点。
[0296] [8.6.第六实施方式]
[0297] 图8是示意性地示出本发明第六实施方式设及的有机半导体器件700的纵向剖面 图。第六实施方式设及的有机半导体器件700的构成要素中的与第一实施方式~第五实施 方式设及的有机显示装置200、300、400、500及600相同的要素，利用与第一实施方式~第 五实施方式设及的有机化显示装置200、300、400、500及600同样的符号表示。
[0298] 如图8所示，本发明第六实施方式设及的有机半导体器件700具备装配体710、W及 设置于该装配体710的上表面710U的密封膜220。装配体710具备:基板711、在基板711的上 表面设置的栅电极712、在基板711及栅电极712的上表面设置的栅电极绝缘层713、W及在 栅电极绝缘层713的上表面设置的半导体层716、源电极714、及漏电极715。构成运些有机半 导体器件700的要素的材料、厚度及制造方法没有特别限定，可采用已知的材料、厚度及制 造方法。
[0299] 例如，作为基板711，可列举例如由聚碳酸醋、聚酷亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇醋、 聚糞二甲酸乙二醇醋、脂环式締控聚合物等具有柔软性的塑料形成的柔性基板、石英玻璃、 钢巧玻璃、无机碱玻璃等玻璃基板、娃晶片等娃基板等。
[0300] 栅电极712例如可W由导电性材料形成。作为导电性材料，可W列举例如：销、金、 银、儀、铭、铜、铁、锡、錬铅、粗、铜、钮、蹄、鍊、银、侣、钉、错、钢、鹤、氧化锡-錬、氧化铜-锡 (ITO)、氣渗杂氧化锋、锋、碳、石墨、玻碳、银糊及碳糊、裡、被、儀、钟、巧、筑、铁、儘、错、嫁、 妮、钢、钢-钟合金、儀/铜混合物、儀/银混合物、儀/侣混合物、儀/铜混合物、侣/氧化侣混合 物、裡/侣混合物等。另外，还可W使用通过渗杂等使导电率提高了的导电性聚合物。作为运 样的导电性聚合物，可列举例如：导电性聚苯胺、导电性聚化咯、导电性聚嚷吩。另外，作为 导电性聚嚷吩，可列举聚亚乙基二氧嚷吩和聚苯乙締横酸的络合物等。运些之中，优选铭及 钢，更优选铭。另外，运些导电性材料可W单独使用一种，也可W W任意比率组合使用两种 社。
[0301] 栅电极712例如可W如下地形成:将上述导电性材料通过瓣射法等形成在基板711 上，接着进行蚀刻处理，由此在基板711上W给定图案形成栅电极712。
[0302] 栅极绝缘膜713的材料优选具有密封性、耐湿性、绝缘性及耐药品性。作为栅极绝 缘膜713的材料的具体例子，可例示聚酷亚胺、聚醋、聚糞二甲酸乙二醇醋、聚碳酸醋、聚乙 締、聚对苯二甲酸乙二醇醋、聚酸讽等热塑性树脂。另外，运些树脂可W单独使用一种，也可 W W任意比率组合使用两种W上。进一步，还可W使用例如与密封膜220的粘接性层223相 同的树脂。
[0303] 半导体层716例如可W由有机半导体形成。作为有机半导体，例如作为P通道型，可 W列举:并五苯、并四苯、嚷吩低聚物、巧、a-六联苯及其衍生物、糞、蔥、红巧締及其衍生物、 六苯并苯及其衍生物、含/不含金属的献菁及其衍生物等低分子半导体、或者W嚷吩、巧为 基础的聚烷基嚷吩、聚烷基巧或其衍生物等高分子半导体等。另外，运些材料可W单独使用 一种，也可W W任意比率组合使用两种W上。
[0304] 半导体层716例如可通过将上述有机半导体利用涂布法或CVD法等形成在栅极绝 缘膜713上、接着进行图案化使其成为给定的图案形状来形成。
[0305] 源电极714及漏电极715可W由导电性材料形成。作为导电性材料，可使用与上述 的栅电极712同样的材料。源电极714及漏电极715例如可通过将上述导电性材料利用瓣射 法等形成在半导体层716上、接着进行蚀刻处理而在半导体层716上W给定图案形成。
[0306] 在图8中，由于有机半导体器件700具备设置于装配体710的上表面710U的密封膜 220,因此，半导体层716、源电极714及漏电极715通过栅电极绝缘层713及密封膜220而被密 封。进一步，在该密封膜220中，水蒸汽、溶剂及残留单体等的脱气少。由此，可实现良好的密 封，能够提高有机半导体器件700的寿命等性能。
[0307] 另外，利用密封膜220的粘接性层223的变形能力，装配体710的表面71OU的凹凸被 覆盖，其结果，可W提高有机半导体器件700的强度。
[030引实施例
[0309] W下，结合实施例对本发明进行具体地说明。但本发明并不限定于W下的实施例， 可W在不脱离本发明的权利要求书及其等同范围的范围内进行任意变更而实施。
[0310] 在W下的说明中，表示量的"％"及"份'只要没有特别说明则为重量基准。另外，W 下说明的操作只要没有特别说明则是在常溫及常压的条件下进行。
[0311] [测定方法]
[0312] (1.拉伸弹性模量的现憶方法）
[0313]膜的拉伸弹性模量WJISK 7162为基准进行了测定。此时，评测点间距离为25mm、 拉伸速度为50mm/min、测定溫度为23°C。
[0314] (2.延迟的测定方法）
[0315] 膜的层部分的延迟利用自动双折射仪(王子计测器公司制造"K0BRA-2n在波长 550nm进行了测定。
[0316][制造例1:具备有机EL元件的结构体]
[0317]图9为示意性地示出在本发明的实施例及比较例中制作的结构体800的纵向剖面 图。具备在实施例及比较例中制作的有机化元件的结构体800的结构大致如图9所示。
[031引在具有透光性的玻璃制的基板211的上表面211U通过蒸锻(IX IO-4Pa减压下)而形 成侣的层。通过光刻法成型该侣的层，制成厚度0.05WI1、宽度500皿、长度IOmm的细长方形 状，形成了作为第一电极层(反射电极)212的阳极。
[0319]接着，进行光致抗蚀剂旧本瑞翁制"ZWD6216")的涂布及光刻蚀，在阳极的周围形 成了厚度I.Owii的边缘覆盖层213。
[0320] 接着，在阳极上蒸锻NPB(4,4'-双[N-(l-糞基)-N-苯基氨基]联苯），形成了厚度 40nm的空穴传输层(未图示）。
[0321] 接着，在空穴传输层上蒸锻作为蓝色发光材料的ADS082(4,4-双（二苯基亚乙締 基)联苯），形成了厚度0.05WI1的可W发蓝光的发光层214。
[0322] 接着，蒸锻Alq3(S(8-^基哇嘟)侣），形成了厚度0.05皿的电子传输层(未图示）。
[0323] 接着，在电子传输层上蒸锻LiF,形成了厚度0.5nm的缓冲层(未图示）。
[0324] 接着，在缓冲层上蒸锻口 0,形成了作为第二电极层215的厚度0.25皿的阴极(透明 电极）。由此，得到了装配体210。
[0325] 然后，W覆盖所形成的层及基板全体的方式在装配体210的上表面210U蒸锻SiN, 形成了厚度0.2WI1的临时密封层510。
[0326] 从空穴传输层到临时密封层的蒸锻在保持压力为1 X 1(T4~1 X 1(T6化的条件下持 续进行。
[0327] 接下来，在临时密封层510的表面涂布吸附剂化合物(双叶电子工业制造 "Ole r )，在100°C赔烧，形成了厚度0.5WI1的吸附剂层610。
[0328] 通过W上的操作，制作了依次具备装配体210、临时密封层510及吸附剂层610的结 构体800。
[0329] [制造例2:密封用树脂的制造]
[0330] 使用苯乙締作为芳香族乙締基化合物，使用异戊二締作为链状共辆二締化合物， 根据W下程序制造了具有在聚合物嵌段[B]的两端键合有聚合物嵌段[A]的=嵌段结构的 嵌段共聚物。
[0331] 在内部经过了充分氮置换的具备揽拌装置的反应器中，加入脱水环己烧256份、脱 水苯乙締25.0份及正二下基酸0.615份，一边在60°C揽拌一边加入正下基裡（15 %环己烧溶 液）1.35份W引发聚合，然后，一边揽拌一边在6(TC反应60分钟。该时刻的聚合转化率为 99.5 % (聚合转化率通过气相色谱进行了测定。下同）。
[0332] 接着，加入脱水异戊二締50.0份，在相同溫度下继续揽拌30分钟。该时刻的聚合转 化率为99 %。
[0333] 然后，再加入脱水苯乙締25.0份，在相同溫度下揽拌60分钟。该时刻的聚合转化率 大致为100 %。
[0334] 接下来，在反应液中加入异丙醇0.5份，使反应停止，得到了包含嵌段共聚物的溶 液(i)。
[0335] 所得到的溶液（i)中的嵌段共聚物的重均分子量(Mw)为44,900,分子量分布(Mw/ Mn)为1.03。
[0336] 接着，将溶液(i)转移至具备揽拌装置的耐压反应器中，添加作为氨化催化剂的二 氧化娃-氧化侣负载型儀催化剂化22U、儀负载量60% ;日挥化学工业公司制）4.0份及脱水 环己烧350份并进行混合。将反应器内部用氨气置换，然后一边揽拌溶液一边供给氨，在溫 度170°C、压力4.5MPa下进行6小时氨化反应，由此将嵌段共聚物氨化，得到了包含嵌段共聚 物的氨化物(i i)的溶液(i i i)。溶液(i i i)中的氨化物(i i i)的重均分子量(Mw)为45，100，分 子量分布(Mw/Mn)为1.04。
[0337]氨化反应结束后，将溶液（i i i )过滤W除去氨化催化剂。然后，向过滤后的溶液 (iii)中添加溶解有作为憐类抗氧化剂的6-〔3-(3-叔下基-4-径基-5-甲基苯基)丙氧基)-2，4，8，10-四叔下基二苯并〔d，f)〔 1.3.2)二P霧憐环庚烧(住友化学公司制"S皿i 1 izer(注册 商标)GP"，W下称为"抗氧化剂A" )0.1份的二甲苯溶液1.0份，使其溶解，得到了溶液(iv)。 [033引接下来，将溶液（iv)用Zeta Plus(注册商标)过滤器30H(Cuno公司制、孔径0.5~1 皿)过滤，再用其它的金属纤维制过滤器(孔径0.4皿、NicMdai公司制)依次过滤，除去了微 小的固体成分。使用圆筒型浓缩干燥器(制品名"Kontro"、株式会社日立制作所制），在溫度 260°C、压力0.OOlM化W下，从过滤后的溶液（iv)中除去作为溶剂的环己烧、二甲苯及其它 的挥发成分。然后，从与上述的浓缩干燥器直接连结的模头将固体成分W烙融状态挤出为 线料状，进行冷却，并用造粒机进行切割，得到了含有嵌段共聚物的氨化物及抗氧化剂A的 密封用树脂的粒料(v)85份。所得到的粒料(V)中的嵌段共聚物氨化物的重均分子量(Mw)为 45，000，分子量分布(Mw/Mn)为1.08。氨化率为99.9 %。
[0339] [制造例3:作为粘接性层的膜(1)的制造]
[0340] 相对于制造例2中得到的粒料(V)IOO份，添加乙締基S甲氧基硅烷2.0份及过氧化 二叔下基0.2份，得到混合物。将该混合物使用双螺杆挤出机W料筒溫度210°C、滞留时间80 ~90秒进行混炼。将混炼得到的混合物挤出，通过造粒机进行成型，得到粒料(Vi)。利用动 态粘弹性测定装置的tanS峰对该粒料(Vi)的玻璃化转变溫度Tg进行评价的结果，为-50°C 和 125°C。
[0341] 对于该粒料(Vi)，通过W料筒溫度200°C进行单螺杆挤出成型，得到了作为用作粘 接性层的膜的厚度50WI1的膜(1)。
[0342] [制造例4:作为粘接性层的膜(2)的制造]
[0343] 除了改变厚度之外，与制造例3同样地得到了作为用作粘接性层的膜的厚度30WH 的膜(2)。
[0344] [制造例5:作为粘接性层的膜(3)的制造]
[0345] 将制造例3中得到的粒料(Vi)IOO重量份添加到具备能够添加液态物的侧面送料 器的双螺杆挤出机(制品名叮EM37BS"、东芝机械株式会社制），在树脂溫度190°C挤出。挤出 时，从侧面送料器连续地添加作为增塑剂的聚异下締（制品名"Nisseki Polybutene LV-100"、数均分子量500、JX NIPPON 0IL&ENERGY公司制）、使得增塑剂达到相对于粒料(Vi) 100重量份为10重量份的比例，挤出为线料状。挤出后的树脂经自然冷却后，利用造粒机进 行切割，得到粒料(Vii)。利用动态粘弹性测定装置的tanS峰对该粒料(Vii)的玻璃化转变 溫度Tg进行评价的结果，为-40°C和99°C。
[0346] 对于该粒料(Vii),通过W料筒溫度180°C进行单螺杆挤出成型，得到了作为用作 粘接性层的膜的厚度50WI1的膜(3)。
[0347] [制造例6:作为粘接性层的膜(4)的制造]
[0：34引除了改变厚度之外，与制造例3同样地，得到了作为用作粘接性层的膜的厚度80皿 的膜(4)。
[0349] [制造例7:作为粘接性层的膜(5)的制造]
[0350] 除了代替粒料(Vi)而使用了制造例2中得到的密封用树脂的粒料(V)之外，与制造 例3同样地，得到了作为用作粘接性层的膜的厚度50WI1的膜(5)。
[0351] [制造例8:作为粘接性层的膜(6)的制造]
[0352] 除了代替粒料(Vi)而使用了制造例2中得到的密封用树脂的粒料(V) W及改变了 厚度之外，与制造例3同样地，得到了作为用作粘接性层的膜的厚度180WI1的膜(6)。
[0353] [实施例1]
[0354] (1-1.密封膜的制造）
[0355] 准备卷状的脂环式聚締控树脂膜（包含降冰片締聚合物的膜、日本瑞翁公司制 "ZE0N0RFILM ZFl护、厚度60WH、延迟化m)作为基材膜。在该基材膜的一侧的表面通过瓣射 装置形成厚度200nm的SiN膜作为密封层，得到了多层膜巧）。切出多层膜(5)的一部分，测定 了该膜的水蒸汽透过率，结果确认为4Xl(T 3g/m2 ?天。
[0356] 另外，作为粘接性层，准备了制造例3中制造的膜（1)。该膜（1)为苯乙締异戊二締 苯乙締共聚物的膜。上述的苯乙締异戊二締苯乙締共聚物是将使用苯乙締作为芳香族乙締 基化合物、使用异戊二締作为链状共辆二締化合物而制造的芳香族乙締基化合物-共辆二 締嵌段共聚物进行氨化，并进一步利用烷氧基硅烷进行改性而得到的聚合物，具有在聚合 物嵌段[B]的两端键合有聚合物嵌段[A]的=嵌段结构。另外，苯乙締异戊二締苯乙締共聚 物的重均分子量(Mw)为45,000,聚合物嵌段的重量分率之比"wA/wB"为50/50,聚合物嵌段 [A]的重均分子量之比"Mw(Al )/Mw(A2r为1.08，氨化率为99.9%，在-50°C及125°C具有玻 璃化转变溫度。
[0357] 在上述的多层膜(5)的密封层侧的面上设置了上述膜（1)。通过对置的一对树脂漉 从两侧夹入该多层膜(5)及膜（1)，边加压边沿长度方向进行搬送。此时，树脂漉的溫度调节 至150°C。另外，搬送时的线速度为0.3m/min。进一步，基于树脂漉的加压的强度为0.1M化。 由此，将多层膜(5)和膜（1)加压压合，得到了具有基材膜-密封层-膜（1)的层结构、厚度为 110皿的密封膜(6)。
[0358] (1-2.密封膜的评价）
[0359] 测定了密封膜(6)的拉伸弹性模量。
[0360] 另外，利用手对密封膜(6)的操作性进行评价的结果，其具有充分的初劲，操作性 良好。
[0361] 进一步，与针对后述的结构体的粘接条件同样地，将密封膜(6)粘接至玻璃，测定 了密封膜(6)的延迟，由此得到了密封后的密封膜(6)的由密封层及膜（1)构成的层部分的 延迟的值。上述的由密封层及膜（1)构成的层部分即是与基材膜相比设置在密封层侧的层 部分。
[0362] (1-3.有机化器件的制造及评价）
[0363] 在制造例1中得到的图9所示的结构体800的吸附剂层610的表面，将上述的密封膜 (6) W膜（1)侧的面、在密封溫度150°C下施加0.1 M化的压力而进行压合，实施了热密封。由 此，得到了如图7所示的具备装配体210、临时密封层510、吸附剂层610、由膜(1)构成的粘接 性层223、密封层222及基材膜221的能够发蓝光的有机化器件600。
[0364] 将所得到的有机化器件通电，确认到可没有问题地进行点灯。然后，将有机化器件 在非点灯状态下于85°C持续300小时实施了热处理。然后，使有机化器件回复至室溫，再次 通电使其点灯，观察是否存在出光面的暗斑。
[0365] (1-4.与防反射膜组合的情况下的评价）
[0366] 准备了吸附有舰的聚乙締醇制的直线偏振片和1/4A板组合而成的圆偏振片。在上 述的有机化器件的密封膜(6)上，将作为防反射膜的上述圆偏振片W使其1/4波片与密封剂 相对的朝向进行了贴附。然后，在巧光灯照明下观察在贴附有圆偏振片的面上的外光的映 入，考察了是否存在映入。
[0367] [实施例2]
[036引作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜(1)而使用了制造例4中制造的膜(2)。
[0369] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。
[0370] [实施例3]
[0371] 作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜（1)而使用了在制造例5中制造的膜 (3)。
[0372] 另外，将制造有机化器件时的密封溫度从150°C变更至125°C。
[0373] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。
[0374] [实施例4]
[0375] 作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜（1)而使用了在制造例7中制造的膜 (5) 。
[0376] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。
[0377] [实施例引
[0378] 作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜（1)而使用了在制造例8中制造的膜 (6) 。
[0379] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。
[0380] [实施例6]
[0381] 在将聚甲基丙締酸甲醋树脂(Mitsubishi Rayon公司制"ACRYPET VHOOr)干燥 后，在料筒溫度23(TC进行单螺杆挤出成型，由此得到了厚度150皿的树脂膜。将该树脂膜代 替脂环式聚締控树脂膜而用作基材膜。
[0382] 另外，作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜（1)而使用了在制造例4中制造的 膜(2)。
[0383] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。
[0384] [比较例1]
[0385] 作为基材膜，使用了脂环式聚締控树脂膜(包含降冰片締聚合物的膜，日本瑞翁公 司制造"ZE0N0RFILM ZFl护，厚度20皿、延迟Inm)。
[0386] 另外，作为粘接性层，代替在制造例3中制造的膜（1)而使用了在制造例6中制造的 膜(4)。
[0387] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。 [038引[参考例1]
[0389] 将制造有机化器件时的密封溫度从150°C变更至133°C。
[0390] 除W上的事项之外，与实施例1同样地进行了密封膜及有机化器件的制造及评价。 [03川[结果]
[0392]上述实施例及比较例的结果如下述表1及表2所示。在表1及表2中，简称的含义如 下所述。
[03W] "ZNR":脂环式締控树脂膜
[0394] 巧SIS(N)":硅烷改性加氨苯乙締异戊二締苯乙締共聚物的膜
[0395] 巧SIS(LowT)":包含增塑剂的苯乙締异戊二締苯乙締共聚物的膜
[0396] 巧SIS(NS)":加氨苯乙締异戊二締苯乙締共聚物的膜
[0397] "PMMA":聚甲基丙締酸甲醋树脂的膜
[0398] "Re":密封膜的与基材膜相比设置在密封层侧的层部分的延迟
[0399] "暗斑"：热处理后的有机化器件的出光面的暗斑
[0400] "映入"：在有机化器件的密封膜上设置了防反射膜的情况下的映入 陶]酷]
[0402] 「亲1 .违施例1~4的结要1
[0403]
[0404]
[0405]
[0406]
[0407] *器件的端部产生了權皱。另外，在器件的端部观察到了暗斑。
[040引**在器件的角部观察到不会成为问题的程度的暗斑。
[0409] [探讨]
[0410] 如比较例1所示，就拉伸弹性模量低的密封膜而言，密封膜没有初劲，容易产生權 皱。如果在密封时产生了微小的權皱，则会由于该權皱而导致在结构体和密封膜之间产生 缝隙。如果该缝隙中浸入了水和氧，则元件会劣化，因而会导致一部分的元件的发光功能下 降、产生暗斑。与此相对，在实施例1~6中，获得了拉伸弹性模量高且具有初劲的密封膜，因 此不易产生權皱。由此，可W无缝隙地密封结构体，因而能够防止暗斑的发生。
[0411] 进一步确认到，在实施例1~6中，由于密封膜具有足够小的延迟，因此即使在与由 圆偏振片构成的防反射膜组合使用的情况下，也可W防止外光的反射，能够防止由于该外 光的反射而引起的映入。
[0412] 另外，运里，作为参考例1而示出了使用与实施例1同样的密封膜、有意地在不适当 的密封条件下进行了密封的例子。在参考例1中，采用了使粘接性层表现出大的延迟的密封 条件。在该参考例1中，由于具有大的延迟的粘接性层会导致透过该粘接性层的外光的偏振 状态发生变化，因此由防反射膜带来的防反射功能降低。基于此可W理解，在用于显示装置 等光学用途的情况下，密封膜的密封后的延迟的范围是具有技术上的意义的。
【主权项】
1. 一种密封膜，其是依次具备基材膜、密封层及粘接性层的密封膜， 其中， 所述密封膜具有lOOOMPa以上的拉伸弹性模量， 密封后所述密封膜的与所述基材膜相比设置在所述密封层侧的层部分的延迟为20nm 以下。2. 根据权利要求1所述的密封膜，其中，所述粘接性层包含加氢嵌段共聚物弹性体。3. 根据权利要求2所述的密封膜，其中，所述加氢嵌段共聚物弹性体是将嵌段共聚物的 全部不饱和键的90 %以上进行氢化而得到的氢化物， 所述嵌段共聚物具有： 以芳香族乙烯基化合物单元为主要成分的聚合物嵌段[A]，且每1分子共聚物具有2个 以上该聚合物嵌段[A];和 以链状共辄二烯化合物单元为主要成分的聚合物嵌段[B]，且每1分子共聚物具有1个 以上该聚合物嵌段[B]， 在所述嵌段共聚物整体中，全部聚合物嵌段[A]所占的重量分率wA和全部聚合物嵌段 [B]所占的重量分率wB之比(wA/wB)为20/80~60/40。4. 根据权利要求1~3中任一项所述的密封膜，其中，所述基材膜由脂环式烯烃树脂形 成。5. -种有机场致发光显示装置，其具备权利要求1~4中任一项所述的密封膜。6. -种有机半导体器件，其具备权利要求1~4中任一项所述的密封膜。
【文档编号】B32B7/02GK105830533SQ201480068188
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2014年12月25日
【发明人】田崎聪, 井上弘康, 石黑淳, 小出洋平
【申请人】日本瑞翁株式会社