Led驱动芯片及其过温保护点调节单元的制作方法_3

文档序号:10372418阅读:来源:国知局
过高,已经超过了预设的温度,开关控制单元16关闭LED驱动芯片。
[0038]在一个变形的实施例中,LED光源装置使用较长时间后,光效变差,为保证发光亮度,通常会通过增加电流来提高亮度,然此时,LED驱动芯片产生的热量升高会较快,这就需要适当通过电阻调节单元来调节基准电压,将基准电压提高,以便开关控制单元16提前一个时间关闭LED驱动芯片,防止LED驱动芯片被烧坏,延长LED光源装置的使用寿命。
[0039]进一步地,所述过温保护单元还包括:缓冲电容单元14,所述缓冲电容单元14 一端连接到所述比较单元18的输入端,所述缓冲电容单元14的另一端连接到所述比较单元18的输出端。该缓冲电容单元18用于使输出到线性电流输出调节单元16的电流稳定,滤除掉杂波,减缓LED驱动芯片的关闭,避免对LED光源装置造成影响。
[0040]进一步地,所述过温保护单元包括:偏置电流产生单元13,用于为所述过温保护单元提供偏置电流,为整个过温保护单元提供工作电源。
[0041]请参见图4,本实用新型较佳实施例的过温保护单元的具体结构如下:
[0042]从10TP2端(过温保护单元输入端)开始,自10TP2端提供一个恒定的偏置电流给串联的电阻Rl、R2、R3、R4,电阻Rl的一端接地,其中电阻Rl与温度点调节电阻1UT RTH并联,通过改变该温度点调节电阻1UT RTH的阻值,来改变10TP2端与电阻R4之间输出的电压,这个电压作为过温保护单元的基准电压。其中,电阻Rl、R2、R3和R4以及该温度点调节电阻1UT RTH组成本实用新型的电阻调节单元12。基准电压的一路输出到一延迟单元,所述延迟单元包括若干个串联的场效应管,具体地,在本实用新型的较佳实施例中,为串联的第一场效应管Ml、第二场效应管M2、第三场效应管M3、第四场效应管M4,实际中,可以依据需要来设置场效应管的数量。该延迟单元用于在温度突然升高时,推迟开关控制单元15执行关闭操作的时间。该延迟单元连接到电容单元,该电容单元包括并联的若干个场效应管,具体地,在本实用新型的较佳实施例中,为并联的第五场效应管M5、第六场效应管M6、第七场效应管M7、第八场效应管M8和第九场效应管M9,经第九场效应管M9后接地。该电容单元可滤除杂波,使所述过温保护单元的电流稳定。在本实用新型较佳实施例中,缓冲电容单元14包括延迟单元和电容单元。
[0043]基准电压的另一路输出到比较单元18的一个输入端,而比较单元8的另一端连接负温度系数电压产生单元17,这里比较单元18主要包括第十四场效应管M14和第十五场效应管M15,基准电压经第十四场效应管M14源极后流入第十七场效应管M17的漏极和栅极和第十八场效应管M18的栅极,而第十七场效应管M17的源极接地,以及负温度系数电压产生单元17的电压信号连接到第十五场效应管M15的栅极。而第十五场效应管M15的源极连接到第i^一场效应管Mll的漏极,漏极与第十八场效应管M18的漏极相连。第十七场效应管M17的源极和第十八场效应管M18的源极接地。第十五场效应管M15的漏极与第十八场效应管M18的漏极之间分出一支路分别连接到第十九场效应管M19的栅极和第九场效应管M9的栅极以及第二十场效应管M20的栅极。第二十场效应管M20的漏极连接OTR端,源极接地,这里的OTR端用作输出线性电流,以调节LED驱动电路的电流大小。第十九场效应管M19的漏极连接到第十二场效应管M12的漏极,源极接地。第十二场效应管M12的栅极连接到偏置电压VPB1,源极分别连接第十场效应管MlO的漏极和源极以及电源VCC,第十场效应管MlO的栅极连接到偏置电压VPBI。第十三场效应管Ml 3的源极连接电源VCC,栅极连接偏置电压VPBI,漏极连接第十六场效应管M16的漏极。第十六场效应管M16的栅极连接第十二场效应管M12的漏极,漏极连接到第二十一场效应管M21源极。第二十一场效应管M21的栅极连接到第十三场效应管Ml 3的漏极,漏极连接到第二十三场效应管M23的源极。第二十三场效应管M23的栅极连接到第十三场效应管M13的漏极,漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十二场效应管M22的源极连接到电源VCC,栅极连接到第十三场效应管M13的漏极,漏极连接到第二十四场效应管M24的栅极和第二十五场效应管M25的栅极。第二十四场效应管M24的源极连接到电源VCC,漏极连接到第二十五场效应管M25的漏极,第二十五场效应管M25的源极与第二十三场效应管M23的源极一道连接至第二^^一场效应管M21的漏极。第二十四场效应管M24的漏极与第二十五场效应管M25的漏极连接到OTP-H端(即过温保护单元的高电平输出端)。当OTP-H端输出高电平时,则关闭LED驱动电路,以防止LED驱动芯片因继续工作过热而烧毁。
[0044]上述过温保护单元中,所述比较单元包括:第十四场效应管M14、第十五场效应管M15和第十七场效应管M17以及第十八场效应管M18,其中,所述第十四场效应管M14的栅极输入所述基准电压,所述第十四场效应管M14的源极连接到电源,所述第十四场效应管M14的漏极连接到所述第十七场效应管M17的栅极与漏极,以及所述第十八场效应管M18的栅极,所述第十五场效应管M15的栅极输入所述负温度系数电压,源极连接到所述电源,漏极连接到所述第十八场效应管M18的漏极。所述第十七场效应管M17的源极与所述第十八场效应管M18的源极接地。
[0045]所述开关控制单元包括:第十六场效应管M16、第二十一场效应管M21、第二十二场效应管M22、第二十三场效应管M23、第二十四场效应管M24和第二十五场效应管M25,其中,所述第十六场效应管M16的栅极受到所述比较单元的输出信号控制,所述第十六场效应管M16的源极与所述第二十一场效应管M21的源极和漏极相连,所述第十六场效应管M16的漏极分别连接所述第二十一场效应管M21的栅极、所述第二十二场效应管M22的栅极以及所述第二十三场效应管M23的栅极;所述第二十二场效应管M22的源极连接所述电源,所述第二十二场效应管M22的漏极分别连接所述第二十三场效应管M23的栅极的漏极、所述第二十四场效应管M24的栅极和所述第二十五场效应管M25的栅极;所述第二十三场效应管M23的源极分别连接所述第二十五场效应管M25的源极和所述第二十一场效应管M21的漏极;所述第二十四场效应管M24的漏极和所述第二十五场效应管M25的漏极连接,并输出开关控制信号。
[0046]所述缓冲电容单元包括:延迟单元和电容单元,所述延迟单元用于在LED驱动芯片温度突然升高时,推迟所述开关控制单元执行关闭操作的时间;所述电容单元用于滤除杂波,使所述过温保护单元的电流稳定。
[0047]所述线性电流输出调节单元包括第二十场效应管M20,所述第二十场效应管M20的源极接地,栅极连接到所述比较单元的输出端,漏极输出线性电流。
[0048]本实用新型通过简单的多个场效应管之间的连接即可实现LED驱动芯片的过温调节,结构简单,成本低廉。
[0049]请参见图5,图5是本实用新型过温
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