专利名称：恒流源和使用该恒流源的固态成像装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种恒流源和使用该恒流源的固态成像装置。
背景技术：
最近几年，作为固态成像装置，CMOS型固态成像装置(以下，称为CMOS传感器)被广泛使用。根据COMS传感器，在光电转换单元中产生的光电荷(photocharge)被一行一行地转移到浮置扩散，并且通过使用每列的源极跟随器，信号基于行单位被同时从垂直读出线读到信号处理单元。用于驱动每个源极跟随器的每列的恒流源通常由公共电流源电路施加偏压。如果具有相关性的电流噪声分量存在于每个恒流源的输出电流中，则每列共有的输出信号噪声产生，并被识别为图像中的水平条带噪声。因此，必需的是，在CMOS传感器中所使用的恒流源是低噪声电路，并且必需减小在公共电流源电路中产生的噪声。日本专利申请公开公报No. 2007-129473公开了这样一种技术，S卩，为了减小由外源噪声引起的垂直读出线的电势波动，电阻器(图1中的7)连接至恒流源的MOS晶体管的公共栅极线(图1中的5)。根据这样的技术，在公共电流源电路(图1中的4)中产生的噪声也被同时减小。日本专利申请公开公报No. 2007-129473中所公开的公共电流源电路的电流值根据电阻值、晶体管特性变化和要使用的电源电压而波动。通常，在通过半导体工艺制造的 CMOS传感器中，关于电阻值，有百分比几十的变化，关于晶体管的阈值，有从几十mV到大约 IOOmV的范围的变化。在使用CMOS传感器时，由于还存在对每个产品设置不同的电源电压的情况，所以恒流源的电流值的变化大。随着恒流源的电流增大，引起电流消耗的增大。相反，随着电流减小，源极跟随器的驱动功率减小，并且像素的读出速度减小。
发明内容
根据本发明的方面，提供一种恒流源，其包括第一电流源电路，所述第一电流源电路用于输出第一电流；第二电流源电路，所述第二电流源电路用于输出根据参考电压的第二电流；电流比较电路，所述电流比较电路用于比较第一电流与第二电流的大小；和电流调整单元，所述电流调整单元用于根据电流比较电路的比较结果来调整从第一电流源电路输出的第一电流的电流值。从以下参照附图对示例性实施例的描述，本发明的进一步的特征将变得清楚。
图1是示出根据本发明的第一实施例的恒流源的示例性布置的示图。图2是示出第一实施例的可变电阻单元的布置的示例的示图。图3是根据第一实施例的恒流源的处理的流程图。图4是示出根据本发明的第二实施例的固态成像装置的示例性布置的示图。图5A和5B是示出图4中的列读出电路的示例性布置的示图。
具体实施例方式现在将根据示例性附图对本发明的优选实施例进行详细描述。(第一实施例)图1是示出根据本发明的第一实施例的恒流源的示例性布置的示图。恒流源具有具有多个输出的恒流源的NMOS晶体管110(在图1中仅示出一个晶体管)；第一电流源电路120 ；第二电流源电路130 ；电流比较电路140 ；和控制逻辑电路150。控制逻辑电路 150是用于调整第一电流源电路120的电流值的电流调整单元。第一电流源电路120具有 可变电阻单元121 ；和电流反射镜电路145的NMOS晶体管122。第二电流源电路130具有 参考电压产生单元131 ；运算放大器132 ；NMOS晶体管135 ；电阻器137 ；和电流反射镜电路 143的PMOS晶体管161。电流比较电路140具有电阻器141和142 ；电流反射镜电路144 ； 电流反射镜电路145的NMOS晶体管149 ；和比较器146。在电流反射镜电路145中，第一电流源电路120的NMOS晶体管122的栅极、电流比较电路140的NMOS晶体管149的栅极和恒流源的NMOS晶体管110的栅极连接至电压供给线107。电流反射镜电路143具有PMOS 晶体管161和162。电流反射镜电路144具有NMOS晶体管163和164。首先，将对第一电流源电路120的布置进行描述。可变电阻单元121连接在电源电压VDD的节点与NMOS晶体管122的漏极之间。NMOS晶体管122具有连接至栅极的漏极、 连接至电压供给线107的栅极和连接至地电势节点的源极。也就是说，NMOS晶体管122为二极管连接，并与可变电阻单元121串联连接。接下来，将对第二电流源电路130的布置进行描述。PMOS晶体管161具有连接至电源电压VDD的节点的源极、连接至漏极的栅极和连接至NMOS晶体管135的漏极的漏极。 电阻器137连接在NMOS晶体管135的源极与地电势节点之间。参考电压产生单元131输出预定电压Vb。运算放大器132具有连接至参考电压产生单元131的输出端子的非反相输入端子、连接至NMOS晶体管135的源极的反相输入端子和连接至NMOS晶体管135的栅极的输出端子。随后，将对电流比较电路140的布置进行描述。PMOS晶体管162具有连接至电源电压VDD的节点的源极、连接至PMOS晶体管161的栅极的栅极和连接至NMOS晶体管163的漏极的漏极。NMOS晶体管163具有连接至栅极的漏极和连接至地电势节点的源极。电阻器 141连接在电源电压VDD的节点与节点147之间。NMOS晶体管164具有连接至节点147的漏极、连接至NMOS晶体管163的栅极的栅极和连接至地电势节点的源极。电阻器142连接在电源电压VDD的节点与节点148之间。NMOS晶体管149具有连接至节点148的漏极、连接至电压供给线107的栅极和连接至地电势节点的源极。比较器146比较节点147与148 处的电压。控制逻辑电路150基于比较器146的输出信号控制可变电阻单元121的电阻值。 NMOS晶体管110具有连接至电压供给线107的栅极和连接至地电势节点的源极。在以下描述中，在电阻器137中流动的电流称为Iref，在电阻器141中流动的电流称为Ia，在电阻器142中流动的电流称为Ib，在NMOS晶体管122中流动的电流称为Ic，在恒流源的NMOS晶体管110中流动的电流称为lout。在第二电流源电路130中，电压Vb从参考电压产生单元131供给到运算放大器132的非反相输入端子，电压Vb无论制造差异和周围环境变化如何都几乎是恒定的。通过到运算放大器132的反相输入端子的电压反馈，NMOS晶体管135的源极端子处的电压也等于Vb。电流Iref通过电压Vb和电阻器137的电阻值而确定。第二电流源电路130输出根据参考电压Vb的第二电流Iref。电流Iref被按由电流反射镜电路143和144设置的增益复制，并且电流Ia被确定。例如，参考电压产生单元131可使用带隙电路来构造。通过选择具有较高精度和较小温度变化特性的电阻器作为电阻器137，无论环境和差异如何，电阻值都变为几乎恒定。由于电流Iref通过由参考电压产生单元131产生的电压Vb和电阻器 137的电阻值而确定，所以其精度高。然而，如果参考电压产生单元131使用带隙电路来构造，则由于电路的元件数量多，所以电压Vb的噪声大。除了电压Vb的噪声之外，由于在运算放大器132、NMOS晶体管 135和电阻器137中产生的噪声被按照平方和的平方根添加到电流Iref，所以这些噪声进一步增大。在电阻器141中流动的电流Ia的电流值的精度与电流Iref —样高，电流Ia是通过按照由电流反射镜电路143和144设置的增益复制电流Iref而获得的。关于噪声，由于添加了在电流反射镜电路143和144的晶体管中产生的噪声，所以它们进一步增大。如以上所提及的，在第二电流源电路130中，即使噪声大，由于噪声比电流小得多，所以也没有问题将发生。电流值的精度是重要的。在第一电流源电路120中，电流Ic的值通过可变电阻单元121的电阻值、NMOS晶体管122的栅极与源极之间的电压和电源电压VDD而确定。第一电流源电路120输出第一电流Ic。可变电阻单元121通过在控制逻辑电路150的控制下改变电阻值来调整电流 Ic。在实施例中，通过半导体工艺将除了电阻器137之外的组成元件形成在同一半导体衬底上。因此，在可变电阻单元121的电阻值和NMOS晶体管122的栅源电压方面也存在制造上的变化。因此，电流Ic的值也变化。另一方面，第一电流源电路120具有这样的简单电路布置，即，使用一个可变电阻单元121和一个NMOS晶体管122，并且可以是噪声源的元件的数量少。因此，电流Ic的噪声可被抑制为小的量。在电阻器142中流动的电流Λ和恒流源的电流Iout也具有与电流Ic的特性类似的特性，电流Λ是通过按照由电流反射镜电路145设置的增益复制电流Ic而获得的。在电流比较电路140中，比较器146比较节点147与148处的电压，节点147与 148处的电压是通过电阻器141和142将电流Ia和Λ转换为电压而获得的。电流比较电路140比较电流Λ与Ia的大小，即，第一电流Ic与第二电流Iref的大小。比较结果被输出到控制逻辑电路150。根据电流比较电路140的比较结果，控制逻辑电路150对于调整时间段调整第一电流源电路120的可变电阻单元121的电阻值，以减小电流Ia与Λ之间的差。通过调整可变电阻单元121的电阻值，第一电流Ic的电流值被调整。对于调整时间段调整的值对于除了调整时间段之外的时间段被保持。恒流源的NMOS晶体管110由第一电流源电路120施加偏压，并输出较小噪声和较高精度的电流。虽然在实施例中外部电阻器用作电阻器137的示例，但是可使用形成在同一衬底上的内部电阻器，只要其特性可接受即可。图2是示出图1中的可变电阻单元121的布置的示例的示图。将参照图2对基于电阻器切换的可变电阻单元121的操作进行详细描述。实施例中的可变电阻单元121具有电阻值不同的电阻器123、124和125、开关1沈、127和128及选择单元129。串联连接的电阻器123和开关126、串联连接的电阻器IM和开关127以及串联连接的电阻器125和开关 128并联连接。选择单元1 连接至控制逻辑电路150，并根据控制逻辑电路150的输出切换开关1沈、127和128中的每个的导通/非导通。选择单元1 用其中组合逻辑电路的选择电路来布置。可变电阻单元121不限于图2中所示的单元，而是还合并可连续改变电阻值的单元，例如通过控制MOS晶体管的电阻值来控制电流量的这样的单元。假设以下条件 电源电压VDD为3. 3V、电流调整之后的电流Ic的目标值为100 μ A，并且可变电阻单元121 的电阻器的电阻值的变化量为士 10%。还假设NMOS晶体管122的栅源电压Vgs为0.7V， 并且电压Vgs的变化为士0. IV。此外，假设电阻器123、124和125的电阻值的相对精度足够高。假设可变电阻单元121的电阻值等于R，则电流Ic用以下方程表达。Ic = (3. 3-Vgs)/R也就是说，如果电压Vgs没有变化，则电阻值R为2^Ω。如果电阻值增大10%并且电压Vgs为0. 8V，则将电流Ic设置为100 μ A所需的电阻值R的设计值为22. ΑΩ。如果电阻值减小10%并且电压Vgs为0. 6V，则将电流Ic设置为100 μ A所需的电阻值R的设计值为30kQ。为了通过电阻器的切换来吸收电阻值和电压Vgs的变化并且将电流Ic调节为100 μ A附近的值，如下设置三个电阻器的值，以使电阻值的可能的误差比最小。电阻器 123 22. 7+ (30-22. 7) X 5/6 = 28. 8k Ω电阻器 124 :22. 7+ (30-22. 7) X 3/6 = 26. 4k Ω电阻器 125 :22. 7+ (30-22. 7) X 1/6 = 23. 9k Ω通过如上所述设置电阻器123、1Μ和125的值并选择电阻器以使得电流Ic最接近100 μ Α，在不进行调整的情况下，电流Ic的最大误差可从大约14%减小到大约5%。虽然在实施例中将可变电阻单元121的电阻器的数量设置为3个，但是可通过增加电阻器数量来更精确地调整电流Ic。代替切换电阻器，通过用开关使串联连接的电阻器的一部分短路或者通过用开关将电阻器并联连接，也可调整可变电阻单元121的电阻值。可变电阻单元121的布置不限于电阻器和开关的使用。例如，这样的布置也是可以的，即，可变电阻单元121用MOS晶体管布置，将选择单元129的输出设置为模拟电压，操作栅极电压，并调整电流量。此外，作为调整电流Ic的值的方法，可通过下述方式进行调整，即，将可变电阻单元设置为固定电阻值，并且不将电源电压VDD施加于电阻单元，而是施加可变电压。图3是关于用于调节恒流源的电流值的序列的流程图。在实施例中，将以可变电阻单元121具有用于电流调整的η个电阻器的情况作为示例进行描述。在步骤SlOl中，当电流Ic的调整开始时，控制逻辑电路150对电阻器指定变量 “X”的值进行初始化，以将由可变电阻单元121选择的电阻器指定为0。随后，在步骤S102中，选择单元1 基于控制逻辑电路150的输出使可变电阻单元121中的开关之一导通。如果电阻器指定变量“X”的值等于0，则使具有最大电阻值的电阻器作为初始电阻器导通。因此，将电流Ic的初始值设置为根据电源电压VDD、最大电阻值和NMOS晶体管122的栅源电压Vgs的电流。比较器146将节点127与148处的电压进行比较，并将显示它们的大小关系的比较结果输出到控制逻辑电路150。随后，在步骤S103中，控制逻辑电路150验证比较器146的输出和电阻器指定变量“X”的值，以确定以下两个条件⑴和⑵之一是否满足。电压V(147)表示节点147处的电压，电压V(148)表示节点148处的电压。
(1) V (148) < V (147)(2) χ = n-1如以上所提及的，可变电阻单元121的初始值等于最大电阻值。此时，电流Ic被设置为最小值，电压供给线107的电压也被设置为最低值。因此， 电流Λ也通过电流反射镜电路145被设置为最小值，节点148处的电压V(l^)也被设置为最高值。一开始，在许多情况下，节点148处的电压V(148)比节点147处的电压V(147) 高，以上条件(1)不满足。一开始，由于电阻器指定变量“X”的值等于0，所以以上条件(2) 也不满足。如果在步骤S103中确定结果为“否定”，则所述过程转移到步骤S104，如果它为 “肯定”，则所述过程转移到步骤S105。如果条件(1)和( 均不满足，则所述处理例程进行到步骤S104。在步骤S104中，控制逻辑电路150将电阻器指定变量“X”的值加1。在下一个步骤S102中，使下述电阻器导通，所述电阻器具有小一个等级的可变电阻单元121的电阻值。 由于可变电阻单元121的值降低，所以电流Ic增大，电压供给线107的电压也增大。因此， 电流Λ也通过电流反射镜电路145增大。通过步骤S102至S104的循环过程，可变电阻单元121的电阻值逐渐降低，节点148处的电压V(148)逐渐降低。然后，节点148处的电压 V(148)变得比节点147处的电压V(147)低，以上条件(1)满足。所述处理例程进行到步骤 S105。如果条件(2)满足，则由于可变电阻单元121的电阻值不能降低得更多，所以所述过程转移到步骤S105。在步骤S105中，控制逻辑电路150保持电阻器指定变量“X”的值，并完成电流Ic 的调节序列。也就是说，如果电流比较电路140的比较结果指示以上条件满足，则控制逻辑电路150固定可变电阻单元121的电阻值(第一电流Ic的电流值)的调整。通过执行前述序列，可使第一电流源电路120的电流值Ic接近第二电流源电路 130的电流值Iref，电流值Iref难以被制造差异影响。在其中控制逻辑电路150保持可变电阻单元121的设置的布置防止第一电流源电路120受第二电流源电路130的噪声影响。 由于恒流源的NMOS晶体管110由第一电流源电路120施加偏压，所以电流Iout的电流值的精度也高，它的噪声小。虽然在实施例中电阻器从高电阻值的电阻器切换到低电阻值的电阻器，但是本发明不限于这样的布置，只要电流Ic可被调整为所设置的目标附近的电流值即可。在这种情况下，关于电流值的调节序列的流程和每个步骤的操作可不同。指出，电流值的调节序列可根据使用必要性来执行，例如，可如在电源开启情况下那样响应于固态成像装置的操作开始时的操作来执行，可在每一预定时间执行，等等。还可以的是，根据其中合并恒流源的固态成像装置的工作模式的改变来改变所设置的目标的电流值，以执行电流值调节序列。如上所述，恒流源被构造为电流值精度较低、但是噪声较小的第一电流源电路 120的电流值被调节为电流值精度较高、但是噪声较大的第二电流源电路130的电流值，并且可变电阻单元121的设置被保持。由于恒流源的NMOS晶体管110的电流Iout通过使用由电流反射镜电路145设置的增益来复制NMOS晶体管122的电流Ic而获得，所以关于电流Iout也是，电流值的精度高，噪声大。根据前述布置，在实施例中，可实现具有低噪声特性和高电流值精度的恒流源。(第二实施例)
图4是示出根据本发明的第二实施例的固态成像装置的示例性布置的示图。实施例的固态成像装置使用第一实施例的恒流源。示出了像素阵列(例如，3像素X3像素)200。像素阵列200具有按二维矩阵布置的多个像素401。像素401具有用于通过光电转换产生像素信号的光电转换元件和用于放大产生的像素信号的源极跟随器放大器。多个垂直输出线201-1至201-3共同连接至二维矩阵中的每列的像素401。被选行的像素401 基于行单位将像素信号输出到垂直输出线201-1至201-3。恒流源的NMOS晶体管110-1至 110-3分别连接至垂直输出线201-1至201-3。NMOS晶体管110-1至110-3对应于图1中的NMOS晶体管110，并分别连接在垂直输出线201-1至201-3与地电势节点之间。恒流源 205和206是图1中的恒流源中除NMOS晶体管110和电压供给线107之外的部分，并且具有相同的布置。电压供给线107-1和107-2对应于图1中的电压供给线107。NMOS晶体管 110-1至110-3的栅极通过电压供给线107-1连接至第一恒流源205。如图1所示，NMOS晶体管110-1至110-3构成电流反射镜电路145，其用于将根据第一恒流源电路120的第一电流Ic的电流Iout供给到多个垂直输出线201-1至201-3。列读出电路(信号处理电路)203-1至203-3分别连接在垂直输出线201-1至 201-3与水平读出电路207之间。第二恒流源206通过电压供给线107-2连接至列读出电路203-1至203-3。水平读出电路207转移每一行被列读出电路203处理的每个像素401 的输出信号，并输出到固态成像装置的外部。在实施例的布置中，从像素401输出的信号被列读出电路203-1至203_3采样和保持，并通过水平读出电路207输出到固态成像装置的外部。由于恒流源的NMOS晶体管 110-1至110-3的电流对每个像素401的输出信号电平造成影响，所以本发明的恒流源的使用使得可减小每个像素401的输出信号随时间的波动，所述波动由在恒流源中产生的噪声引起。因此，可减小在图像中产生的水平条带噪声。在恒流源206中，偏压电压被施加于每列的列读出电路203-1至203-3，每列的列读出电路203-1至203-3的工作点被保持，并可使读出操作稳定。在实施例中所示的列读出电路203-1至203-3具有模拟信号处理电路的情况下， 水平读出电路207变为模拟信号的转移电路。如果列读出电路203-1至203-3具有模/数转换器(A/D转换器)，则水平读出电路207变为数字信号的转移电路。虽然在实施例中，偏压电压通过使用恒流源206供给，但是实施例不限于这样的布置。可使用下述布置，即，恒流源将自己的电流供给到列读出电路203-1至203-3。可使用另一布置，即，期望的电压通过使用由恒流源产生的电流来指定，并且这样的电压被作为适于决定列读出电路203-1至 203-3的工作点的偏压电压供给。合并这里的恒流源的固态成像装置的布置使得可降低列读出电路203-1至203-3的噪声和降低在图像中产生的水平条带噪声。虽然以上关于其中提供两个恒流源205和206的示例对实施例进行了描述，但是一个公共恒流源也可共用地对电压供给线107-1和107-2施加偏压。在固态成像装置中使用恒流源的情况下，运动图像模式/静态图像模式的改变、放大器增益的改变等可被提及为需要恒流源的电流值的调节序列的工作模式改变的示例。通过使用通过其恒流源的控制逻辑电路150在至少一帧的图像拾取操作期间连续保持设置的方法，在一帧中获得的输出的电平可保持恒定。如以上所提及的根据固态成像装置工作时的必要性执行电流调整序列，以使得无论工作模式或周围环境的改变如何，都可使电流源的输出稳定，并且可减少横向条带噪声的产生。 接下来，将参照图5A和5B对图4中的列读出电路203-1至203-3的示例性布置进行描述。图5A是示出具有模拟处理电路的差分放大器的列读出电路203-1至203-3的示例性布置的示图。差分放大器放大垂直输出线201的信号电压与预定电压VREF之间的差电压，并从输出端子501输出获得的电压。NMOS晶体管223和2 用作输MOS晶体管。 PMOS晶体管221和222用作有效负载。电压供给线107-2连接至电流源晶体管225的栅极。差分放大器通过由电流源225确定的电流操作，并且该操作所需的偏压电压通过电压供给线107-2从外部供给。通过恒流源206将偏压电压设置为低噪声电压，可减小电流源 225的电流的波动，从而可使差分放大器的放大系数稳定。 图5B是示出使用斜坡电压比较型A/D转换器的列读出电路203-1至203-3的示例性布置的示图。斜坡电压比较型A/D转换器具有参考电压源211、比较器220、缓冲电路212 和计数器213，并将模拟信号转换为数字信号。参考电压源211产生预定周期的斜坡波形的电压信号。比较器220基本上具有与图5A中所示的差分放大器的布置相同的布置。从垂直输出线201输出的电压信号输入到比较器220，并被与参考电压源211的电压进行比较。 比较结果作为比较器220的输出通过缓冲电路212输出到计数器213。在计数器213中，在参考电压源211的斜坡信号的每一周期通过参考时钟(未显示)的脉冲数量对直到比较器 220的输出被反相为止所需的时间进行计数。计数值作为数字转换结果从输出端子502输出。比较器220通过由电流源晶体管225确定的电流操作。为此目的所需的偏压电压通过电压供给线107-2从电路外部供给。电流源晶体管225的电流量被比较器220比较，并且也对直到获得比较器220的输出为止所需的时间造成影响。在相关领域的A/D转换器中， 由于直到获得比较器220的输出为止所需的时间由于电流源晶体管225的波动而变化，所以A/D转换结果也变化。通过恒流源206将偏压电压设置为低噪声电压，电流源晶体管225 的电流的波动减小，并可获得稳定的A/D转换结果。虽然在实施例中将斜坡电压比较型A/ D转换器提及为A/D转换器的示例，但是本发明的实施例不限于它。如以上所提及的，第一电流源电路120可产生精度更低、但是噪声更小的电流Ic。 第二电流源电路130可产生噪声更大、但是精度更高的电流Iref。通过组合第一电流源电路120与第二电流源电路130，第一实施例和第二实施例的恒流源可产生噪声更小、精度更高的电流。固态成像装置中的恒流源的使用使得可获得水平条带噪声量更小的良好图像。在前述实施例中，仅显示了实施本发明的示例，本发明的技术范围不应该限于由它们解释。也就是说，在不脱离本发明的技术构思或者本发明的主要特征的情况下，可以以各种形式实施本发明。尽管已参照示例性实施例对本发明进行了描述，但是将理解本发明不限于所公开的示例性实施例。将给予权利要求的范围以最广泛的解释，以涵盖所有这样的修改及等同结构和功能。
权利要求
1.一种恒流源，包括第一电流源电路，所述第一电流源电路用于输出第一电流； 第二电流源电路，所述第二电流源电路用于输出根据参考电压的第二电流； 电流比较电路，所述电流比较电路用于比较第一电流与第二电流的大小；和电流调整单元，所述电流调整单元用于根据电流比较电路的比较结果来调整从第一电流源电路输出的第一电流的电流值。
2.根据权利要求1所述的恒流源，其中，所述第一电流源电路具有可变电阻器和二极管连接的MOS晶体管，所述可变电阻器和所述MOS晶体管串联连接，电流调整单元调整可变电阻器的电阻值。
3.根据权利要求1所述的恒流源，其中，当电流比较电路的比较结果满足条件时，所述电流调整单元保持第一电流的电流值的调整。
4.一种固态成像装置，包括多个像素，所述多个像素按二维矩阵布置，每个像素具有光电转换元件和放大器； 多个输出线，所述多个输出线共同连接至所述二维矩阵中的每列的像素； 第一恒流源，所述第一恒流源用于输出第一电流；和电流反射镜电路，所述电流反射镜电路用于允许基于第一电流的电流在所述多个输出线中流动，其中，所述第一恒流源包括第一电流源电路，所述第一电流源电路用于输出第一电流； 第二电流源电路，所述第二电流源电路用于输出根据参考电压的第二电流； 电流比较电路，所述电流比较电路用于比较第一电流与第二电流的大小；和电流调整单元，所述电流调整单元用于根据电流比较电路的比较结果来调整从第一电流源电路输出的第一电流的电流值。
5.根据权利要求4所述的固态成像装置，其中，所述第一电流源电路具有可变电阻器和二极管连接的MOS晶体管，所述可变电阻器和所述MOS晶体管串联连接，电流调整单元调整可变电阻器的电阻值。
6.根据权利要求4所述的固态成像装置，还包括多个信号处理电路，所述多个信号处理电路分别连接至所述多个输出线；和第二恒流源，所述第二恒流源具有与第一恒流源的布置相同的布置， 其中，所述多个信号处理电路由第二恒流源施加偏压。
7.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中，所述第一恒流源和第二恒流源是一个共用电路。
8.根据权利要求6所述的固态成像装置，其中，所述多个信号处理电路具有各自的模/ 数转换器。
全文摘要
本申请提供恒流源和使用该恒流源的固态成像装置。该恒流源具有第一电流源电路，用于输出第一电流；第二电流源电路，用于输出根据参考电压的第二电流；电流比较电路，用于比较第一电流与第二电流的大小；和电流调整单元，用于根据电流比较电路的比较结果来调整从第一电流源电路输出的第一电流的电流值。
文档编号H04N5/3745GK102438109SQ20111022614
公开日2012年5月2日 申请日期2011年8月9日 优先权日2010年8月10日
发明者山崎和男, 高木诚 申请人:佳能株式会社