专利名称：单晶硅生长炉的石墨坩埚的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及单晶硅生长设备，尤其涉及单晶硅生长炉的石墨坩埚。
背景技术：
传统的太阳能单晶硅生长炉的石墨坩埚基本选用单瓣式的，单瓣式石墨坩埚的坩埚底部保温较差，坩埚内部盛装的硅料熔体上下温差较大，最終导致单晶硅生产中的氧含量提高，降低了单晶硅的生产质量。因此，应该提供一些新的技术方案解决上述问题。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述不足，提供一种能降低单晶硅生产中的氧含量，传 热效率闻，加热迅速的单晶娃生长炉的石墨i甘祸。为实现上述目的，本实用新型采用的技术方案是单晶硅生长炉的石墨坩埚，包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。所述连接件为两头弯曲的金属卡线。本实用新型单晶硅生长炉的石墨坩埚，坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片组成，相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接。由于单晶硅生长炉需要经常开炉和停炉，在温度急剧变化的恶劣エ况下，石墨坩埚在使用一段时间后容易产生开裂，所以坩埚片的顶部通过连接件连接，对石墨坩埚起到有效的保护作用。在坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台，凸台的设置增加了石墨坩埚外表面积，也増加了石墨坩埚的传热面积，达到加大传输量，快速加热的目的。本实用新型的优点是能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率高，加热迅速。以下结合附图
和具体实施方式
对本实用新型作进ー步详细叙述。图I为本实用新型结构示意图。其中1、坩埚本体，2、坩埚片，3、坩埚托盘，4、连接件，5、凸台。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型单晶硅生长炉的石墨坩埚，包括坩埚本体1，坩埚本体I由大小相同的至少三瓣坩埚片2和ー个坩埚托盘3组成，相邻的坩埚片2的顶部通过连接件4连接，坩埚本体I外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台5，连接件4为两头弯曲的金属卡线。坩埚片2的顶部通过连接件4连接，对石墨坩埚起到有效的保护作用。在坩埚本体I外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台5，凸台5的设置增加了石墨坩埚外表面积，也増加了石墨坩埚的传热面积，达到加大传输量，快速加热的目的。
权利要求1.单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征是包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。
2.根据权利要求I所述的单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征是所述连接件为两头弯曲的金属卡线。
专利摘要本实用新型公开了单晶硅生长炉的石墨坩埚，其特征是包括坩埚本体，所述坩埚本体由大小相同的至少三瓣坩埚片和一个坩埚托盘组成，所述相邻的坩埚片的顶部通过连接件连接，所述坩埚本体外表面具有间隔均匀且高度相同的凸台。本实用新型的优点是能降低单晶硅生产中的氧含量，传热效率高，加热迅速。
文档编号C30B35/00GK202390577SQ20112043528
公开日2012年8月22日 申请日期2011年11月7日 优先权日2011年11月7日
发明者周兵 申请人:周兵