电路板及其制作方法
【专利摘要】一种电路板，其包括基底、多个导电垫、介电层、活化金属层、第一金属种子层、第二金属种子层及电连接体。所述导电垫形成于基底的表面。所述介电层形成在多个导电垫表面及从导电垫露出的基底的表面。所述介电层内含有激光活化催化剂。电路板内形成有多个贯穿所述介电层并与多个导电垫一一对应的盲孔。所述活化金属层通过激光活化所述盲孔的内壁的激光活化催化剂形成，并与介电层相接触。所述第二金属种子层形成于活化金属层表面及对应的导电垫表面。电连接体形成于第二金属种子层表面并凸出于所述介电层。所述第一金属种子层形成在介电层远离基底的表面。所述导电线路形成在所述第一金属种子层表面。本发明还提供一种所述电路板的制作方法。
【专利说明】电路板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电路板制作领域，尤其涉及一种具有电连接体的电路板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]在电路板的制作过程中，通常需要制作导电盲孔将两层或者多层导电线路导通。导电盲孔通常在具有导电垫的电路基板上层压介电层，通过激光烧蚀的方式形成与导电垫对应的第一开口。然后在介电层上形成光致抗蚀剂层，通过对光致抗蚀剂层曝光及显影，得到与所述第一开口对应连通的第二开口。由于第二开光采用曝光及显影的方式形成。由于制作设备的要求，第二开口的开口大小需要大于第一开口的开口大小，以方便进行对位。这样，制作形成的导电盲孔具有比盲孔孔径大的孔环。由于孔环的存在，不利于导电线路的密集化排布，不能满足电路板导电线路密集化的要求。
【发明内容】
[0003]因此，有必要提供一种电路板的制作及其方法，可以得到具有密集分布的导电线路的电路板。
[0004]一种电路板的制作方法，包括步骤:提供电路基板，所述电路基板包括基底及形成于基底表面多个导电垫；在所述多个导电垫表面及从多个导电垫露出的基底的表面形成介电层，所述介电层内具有激光活化催化剂；在所述介电层远离电路基板表面形成第一金属种子层；在所述第一金属种子层远离介电层的表面形成电镀光致抗蚀剂层，所述电镀光致抗蚀剂层包括线路部分；对所述电镀光致抗蚀剂层的线路部分进行曝光；采用激光在电镀光致抗蚀剂层、第一金属种子层及防焊层内形成多个与多个导电垫一一对应的盲孔，每个所述导电垫从对应的盲孔露出，位于防焊层内的盲孔的孔壁的所述激光活化催化剂被活化，形成活化金属层；在所述活化金属层表面形成第二金属种子层，所述第二金属种子层与第一金属种子层相互电导通；对所述电镀光致抗蚀剂层进行显影，使得所述线路部分被去除，从而在电镀光致抗蚀剂层中形成线路开口，部分所述第一金属种子层从所述线路开口露出；在所述盲孔内电镀金属形成电连接体，并在线路开口内形成导电线路，所述电连接体凸出于防焊层远离电路基板的表面；以及去除所述电镀光致抗蚀剂层及未被导电线路覆盖的所述第一金属种子层。
[0005]—种电路板，其包括基底、多个导电垫、介电层、活化金属层、第一金属种子层、第二金属种子层及电连接体。所述导电垫形成于基底的表面。所述介电层形成在多个导电垫表面及从导电垫露出的基底的表面。所述介电层内含有激光活化催化剂。电路板内形成有多个贯穿所述介电层并与多个导电垫一一对应的盲孔。所述活化金属层通过激光活化所述盲孔的内壁的激光活化催化剂形成，并与介电层相接触。所述第二金属种子层形成于活化金属层表面及对应的导电垫表面。电连接体形成于第二金属种子层表面并凸出于所述介电层。所述第一金属种子层形成在介电层远离基底的表面。所述导电线路形成在所述第一金属种子层表面。
[0006]与现有技术相比，本技术方案提供的电路板的制作方法，在制作用于形成电连接体的盲孔时，采用激光烧蚀形成。这样，可以避免现有技术中采用两次显影分别在介电层中形成开口而后再电镀光致抗蚀剂层中形成开口，电镀光致抗蚀剂层中形成开口需要与介电层中的开口进行对位，而需要设定较大的介电层中的开口，而形成具有孔环的导电盲孔，从而不利于形成密集排布导电线路。并且采用含有激光活化催化剂的材料作为介电层，在激光形成盲孔时，同时使得盲孔内壁的介电层形成活化金属层，这样可以方便地形成第二金属种子层。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1是本技术方案实施例提供的电路基板的剖面示意图。
[0008]图2是图1的电路基板表面形成介电层后的剖面示意图。
[0009]图3是图2的防焊层表面形成第一金属种子层后的剖面示意图。
[0010]图4是图3的第一金属种子层表面形成电镀光致抗蚀剂层后的剖面示意图。
[0011]图5是对图4的电镀光致抗蚀剂层进行显影后的剖面示意图。
[0012]图6是在图5的电镀光致抗蚀剂层、第一金属种子层及防焊层内形成盲孔，并在位于防焊层的盲孔内壁形成活化金属层后的剖面示意图。
[0013]图7是图6的活化金属层表面形成第二金属种子层后的剖面示意图。
[0014]图8是图7中的电镀光致抗蚀剂层的线路部分被去除形成线路开口后的剖面示意图。
[0015]图9是在图8的盲孔内形成电连接体及导电线路后的剖面示意图。
[0016]图10是图9去除电镀光致抗蚀剂层及第一金属种子层后的剖面示意图。
[0017]图11是图10的介电层表面形成防焊层后的剖面示意图。
[0018]图12是图11的防焊层中形成与电连接体对应的开孔后的剖面示意图。
[0019]图13是本技术方案提供的电路板的剖面示意图。
[0020]主要元件符号说明 _
【权利要求】
1.一种电路板的制作方法，包括步骤: 提供电路基板，所述电路基板包括基底及形成于基底表面多个导电塾； 在所述多个导电垫表面及从多个导电垫露出的基底的表面形成介电层，所述介电层内具有激光活化催化剂； 在所述介电层远离电路基板表面形成第一金属种子层； 在所述第一金属种子层远离介电层的表面形成电镀光致抗蚀剂层，所述电镀光致抗蚀剂层包括线路部分； 对所述电镀光致抗蚀剂层的线路部分进行曝光； 采用激光在电镀光致抗蚀剂层、第一金属种子层及防焊层内形成多个与多个导电垫一一对应的盲孔，每个所述导电垫从对应的盲孔露出，位于防焊层内的盲孔的孔壁的所述激光活化催化剂被活化，形成活化金属层； 在所述活化金属层表面形成第二金属种子层，所述第二金属种子层与第一金属种子层相互电导通； 对所述电镀光致抗蚀剂层进行显影，使得所述线路部分被去除，从而在电镀光致抗蚀剂层中形成线路开口，部分所述第一金属种子层从所述线路开口露出； 在所述盲孔内电镀金属形成电连接体，并在线路开口内形成导电线路，所述电连接体凸出于防焊层远离电路基板的表面；以及 去除所述电镀光致抗蚀剂层及未被导电线路覆盖的所述第一金属种子层。
2.如权利要求1所述的电路板的制作方法，其特征在于，所述介电层中激光活化催化剂的质量百分含量为0.1%-30%。
3.如权利要求2所述的电路板的制作方法，其特征在于，所述激光活化催化剂为重金属混合氧尖晶石或金属盐。
4.如权利要求3所述的电路板的制作方法，其特征在于，所述激光活化催化剂为硫酸铜、碱式磷酸铜、硫氰酸铜或铜铬氧尖晶石。
5.如权利要求1所述的电路板的制作方法，其特征在于，所述第二金属种子层采用化学镀铜的方式形成。
6.如权利要求1所述的电路板的制作方法，其特征在于，还包括在从防焊层凸出的电连接体的表面形成保护层，所述保护层材料为锡、铅、银、金、镍或钯中的一种、两种或两种以上的组合。
7.如权利要求1所述的电路板的制作方法，其特征在于，还包括在所述介电层表面形成防焊层，所述防焊层内形成有多个与电连接体一一对应的多个开孔，每个电连接体从盲孔内凸出的部分收容于对应的开孔内。
8.如权利要求7所述的电路板的制作方法，其特征在于，所述开孔的横街面积大于对应电连接体的横截面积。
9.如权利要求7所述的电路板的制作方法，其特征在于，还包括在每个开孔内填充焊接材料，所述焊接材料覆盖对应的电连接体，并延伸出对应的开孔。
10.一种电路板，其包括基底、多个导电垫、介电层、活化金属层、第一金属种子层、第二金属种子层及电连接体，所述导电垫形成于基底的表面，所述介电层形成在多个导电垫表面及从导电垫露出的基底的表面，所述介电层内含有激光活化催化剂，电路板内形成有多个贯穿所述介电层并与多个导电垫一一对应的盲孔，所述活化金属层通过激光活化所述盲孔的内壁的激光活化催化剂形成，并与介电层相接触，所述第二金属种子层形成于活化金属层表面及对应的导电垫表面，所述电连接体形成于第二金属种子层表面并凸出于所述介电层，所述第一金属种子层形成在介电层远离基底的表面，所述导电线路形成在所述第一金属种子层表面。
11.如权利要求10所述的电路板，其特征在于，所述第二金属种子层的材料为铜。
12.如权利要求10所述的电路板，其特征在于，所述介电层中激光活化催化剂的质量百分含量为0.1%-30%。
13.如权利要求12所述的电路板，其特征在于，所述激光活化催化剂为重金属混合氧尖晶石或金属盐。
14.如权利要求13所述的电路板，其特征在于，所述激光活化催化剂为硫酸铜、碱式磷酸铜、硫氰酸铜或铜铬氧尖晶石。
15.如权利要求10所述的电路板，其特征在于，从所述介电层凸出的电连接体的表面形成有保护层，所述保护层材料为锡、铅、银、金、镍或钯中的一种，或者为锡、铅、银、金、镍或钯中两种或两种以上的组合。
16.如权利要求10所述的电路板，其特征在于，所述电路板还包括防焊层，所述防焊层内形成有多个与多个盲孔对应连通的开孔，凸出于所述介电层的电连接体收容于对应的开孔内。
17.如权利要求16所 述的电路板，其特征在于，所述电路板还包括焊接材料，所述焊接材料填充于每个开孔内，覆盖对应的电连接体并凸出于对应的开孔。
18.如权利要求17所述的电路板，其特征在于，所述焊接材料的材质为锡、铅或铜，或者为锡、铅或铜的合金。
【文档编号】H05K3/42GK103635035SQ201210312000
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2012年8月29日 优先权日:2012年8月29日
【发明者】胡文宏 申请人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司