屏蔽复合膜片的制作方法
【专利摘要】本发明公开一种屏蔽复合膜片，其包括有导磁层、多个导磁凸块、导体层以及一导电胶层。多个导磁凸块配置于导磁层上。导体层配置于导磁凸块上。导体层介于这些导磁凸块与导电胶层之间，导磁层、导电胶层与这些导磁凸块的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
【专利说明】屏蔽复合膜片
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种膜片，特别是涉及一种屏蔽复合膜片。
【背景技术】
[0002]电子装置(如电视、无线电、电脑、医疗仪器、商业机器、通信设备及类似物)的操作，是伴随电子装置的电子电路的电磁辐射的产生而进行，其可能会辐射至电子装置中的其它元件并且对其产生干扰。此辐射通常发展为电磁频谱的射频波段(即介于约IOKHz与IOGHz之间)范围内的暂态，且被称为电磁干扰(EMI)。
[0003]在常态作业中，电子装置会产生因以辐射和传导方式放出的电磁能而影响邻近电子装置干扰传输，此电磁干扰(EMI)可能会造成重要信号的衰降或完全损失，从而使得电子装置效率不彰或无法运作。
[0004]随着电子装置不断朝向轻量化、可挠曲、高效能及低成本发展，唯有高频化驱动电路设计得以满足产品的轻薄短小需求，但高密度模块或元件封装技术，使功率或传输元件极易产生高频电磁干扰问题，此电磁干扰除了会影响到其它模块功能安全运作之外，更严重时甚至会危害人体健康。
[0005]因此，为减弱电磁干扰(EMI)的影响，降低电磁干扰(EMI)的不利效应，电子装置可采用能吸收或反射电磁干扰(EMI)能量的屏蔽，以将电磁干扰(EMI)能量局限于一装置内，以使此装置与其他装置绝缘。此屏蔽被提供作为介于电子装置与其他装置之间的一障壁，且通常组态为一外罩或覆盖于电子装置中的电子元件外表面的一屏蔽层。目前常用的电磁干扰(EMI)屏蔽膜片，主要以电场屏蔽为主，其绝缘层不具任何其它功能，且电性压合接着时容易分层脱落。
【发明内容】
[0006]本发明的目的在于提供一种屏蔽复合膜片，通过多个导磁凸块配置于导磁层上的结构可有效抑制电路间传导或辐射等电磁杂讯，提升电路动作的稳定性。
[0007]为达上述目的，本发明公开一种屏蔽复合膜片，屏蔽复合膜片包括有一导磁层、多个导磁凸块、一导体层以及一导电胶层。多个导磁凸块配置于导磁层上。导体层配置于导磁凸块上。导体层介于这些导磁凸块与导电胶层之间，导磁层、导电胶层与这些导磁凸块的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
[0008]本发明还公开一种屏蔽复合膜片，屏蔽复合膜片包括有一导磁核壳层以及多个导磁核壳凸块。多个导磁核壳凸块配置于导磁核壳层。
[0009]本发明提出的一种屏蔽复合膜片，主要在导磁层上具有导磁凸块的结构或是在导磁核壳层上配置多个导磁核壳凸块，可增加电场屏蔽有效面积及深度，使电磁波产生多次反射，以提升整体电磁干扰(EMI)隔离屏蔽效能。另外，导电胶层与导体层之间或指导电胶层与导磁核壳层之间的空隙具透气性，也可减少导电胶层与软板间因热压接合时，因内部气体膨胀所引起的分层脱落现象，提升结构稳定性。[0010]以上的关于本
【发明内容】
的说明及以下的实施方式的说明是用以示范与解释本发明的精神与原理，并且提供本发明的权利要求更进一步的解释。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本发明所公开的一种屏蔽复合膜片的示意图；
[0012]图2为本发明所公开的一种屏蔽复合膜片的示意图；
[0013]图3为本发明的电磁强度测试图；
[0014]图4为本发明的另一电磁强度测试图。
[0015]主要元件符号说明
[0016]100屏蔽复合膜片
[0017]101导磁层
[0018]102导磁凸块
[0019]103导体层
[0020]104导电胶层
[0021]200屏蔽 复合膜片
[0022]201导磁核壳层
[0023]202导磁核壳凸块
[0024]204导电胶层
[0025]20导磁核壳
[0026]21磁性物
[0027]22导体层
【具体实施方式】
[0028]以下在实施方式中详细叙述本发明的详细特征以及优点，其内容足以使任何熟悉相关技术者了解本发明的技术内容并据以实施，且根据本说明书所发明的内容、权利要求及附图，任何熟悉相关技术者可轻易地理解本发明相关的目的及优点。以下的实施例进一步详细说明本发明的观点，但非以任何观点限制本发明的范畴。
[0029]请参考图1，为本发明所公开的一种屏蔽复合膜片100的示意图。本实施例为一屏蔽复合膜片100，屏蔽复合膜片100包括有导磁层101、多个导磁凸块102、导体层103以及导电胶层104。
[0030]多个导磁凸块102配置于导磁层101上，导磁凸块102可为锥形体、矩形体、柱形体及上述任意组合所构成的群组其中之一。导体层103配置于导磁凸块102上。
[0031]请继续参考图1，屏蔽复合膜片100还包括有一导电胶层104，导电胶层104为异向或同向导电胶层104。导体层103则介于导磁凸块102与导电胶层104之间。屏蔽复合膜片100中导电胶层104与导磁凸块102的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
[0032]其中，导磁凸块102的高度，即从导磁层101的表面至导磁凸块102最高点的高度，一般为导磁层101厚度的2%-50%。导磁层101包含磁粉及高分子树脂，成分比例可为磁粉100-70wt%及高分子树脂0_30wt%或磁粉100-80wt%及高分子树脂0_20wt%。另外，磁粉的平均粒径为0.5-25um。导磁层101的厚度范围可为0.02-0.7mm或0.05-0.3mm，其厚度大小与制作时刮刀法成形生胚有关。导磁层101为单层、多层等结构及上述任意组合所构成的群组其中之一，而导体层103为金、银、铜、铝及上述任意组合所构成的群组其中之一。导体层103的厚度范围为20-750nm或75-450nm。
[0033]导磁层101中的磁粉，可包含以下成分:磁粉为MOFe2O3铁氧磁体时，其中M为锰、钴、镍、铜、锌、镁、铁及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为MFe12O19铁氧磁体时，其中M为钡、锶及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为Ba2M2Fe12O22铁氧磁体时，其中M为锰、钴、镍、铜、锌、镁及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为Fe-X合金时，其中X为锰、钴、镍、铝、硅、铬及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉可为M0Fe203、Ba2M2Fe12O22铁氧磁体、Fe-X合金及金、银、铜、铝等导体及上述任意组合所构成的群组其中之一 O
[0034]请继续参考图1，本发明提供一种屏蔽复合膜片100，其兼具电磁干扰(EMI)屏蔽及吸收的功能，此结构的形成方式，主要在导磁层101表面施以角锥状序化结构的导磁凸块102，接着溅镀纳米级厚的角锥型导体层103于导磁凸块102上，并涂布导电胶层104提供接地抑制杂讯等用途。此屏蔽复合膜片100的优势在于此特定角锥面可增加屏蔽有效面积及深度，使电磁波产生多次反射，其导磁层101还可屏蔽高频磁场，以提升整体EMI隔离屏蔽效能。此导电胶层104与导磁凸块102的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙，也可增加导电胶层104接着性以减少因热压接合时，内部气体膨胀所引起的分离脱落问题，提升结构稳定性。
[0035]请参考图2，为本发明所公开的一种屏蔽复合膜片200的示意图。本实施例为一屏蔽复合膜片200，屏蔽复合膜片200包括有导磁核壳层201以及导磁核壳凸块202。
[0036]导磁核壳凸块202配置于导磁核壳层201,导磁核壳凸块202为锥形体、矩形体、柱形体及上述任意组合所构成的群组其中之一。其中导磁核壳层201以及导磁核壳凸块202由多个导磁核壳20构成,每一导磁核壳20包括一磁性物21以及一导体层22,导体层22包覆磁性物21。
[0037]请继续参考图2，屏蔽复合膜片200还包括有一导电胶层204，导电胶层204为异向或同向导电胶层204。导电胶层204位于导磁核壳层201的导磁核壳凸块202上,屏蔽复合膜片200中导电胶层204与导磁核壳凸块202的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
[0038]其中，磁性物21包含磁粉及高分子树脂，成分比例可为磁粉100_70wt%&高分子树脂0-30wt%或磁粉100-80wt%及高分子树脂0-20wt%。导体层22为金、银、铜、铝及上述任意组合所构成的群组其中之一。
[0039]磁性物21中的磁粉，可包含以下成分:磁粉为MOFe2O3铁氧磁体时，其中M为锰、钴、镍、铜、锌、镁、铁及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为MFe12O19铁氧磁体时，其中M为钡、锶及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为Ba2M2Fe12O22铁氧磁体时，其中M为锰、钴、镍、铜、锌、镁及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉为Fe-X合金，其中X为锰、钴、镍、铝、硅、铬及上述任意组合所构成的群组其中之一。磁粉可为M0Fe203、Ba2M2Fe12O22铁氧磁体、Fe-X合金及金、银、铜、铝等导体及上述任意组合所构成的群组其中之一 O
[0040]请继续参考图2，本发明提供一种屏蔽复合膜片200，其兼具电磁干扰(EMI)屏蔽及吸收的功能，此结构的形成方式，主要在导磁核壳层201表面施以角锥状序化结构的导磁核壳凸块202，接着涂布导电胶层204提供接地抑制杂讯等用途。此屏蔽复合膜片200的优势在于此特定角锥面可增加屏蔽有效面积及深度，使电磁波产生多次反射，其导磁核壳层201还可完全屏蔽高频磁场，以提升整体电磁干扰(EMI)隔离屏蔽效能。此角锥面也可增加导电胶层204接着性以减少因热压接合时，内部气体膨胀所引起的分离脱落问题，提升结构稳定性。
[0041]请参考图3，为本发明的电磁强度测试图。本实施例请参考图1，其中以甲苯或正丁醇等有机溶剂与NiCuZn铁氧磁粉(Ferrite)混合16_20hr，再利用刮刀成型制作生胚，胚体经过80°C /30min烘干，此铁氧磁粉(Ferrite)导磁率为120。导磁层101厚度为0.63mm,并将角锥状序化结构(底面积lXlmm2，高45um)转印至导磁层101的表面，形成一连续高低起伏面。之后再以溅镀方式于导磁凸块102的角锥表面镀上导体层103 (厚度0.73um)。再覆盖导电胶层104即可进行电磁波辐射测试。测试结果如图3所示，趋势线A为一般平面型导体层，趋势线B为具角锥型的屏蔽复合膜片100。由图3可知具角锥型的屏蔽复合膜片100的辐射损失平均值比平面型导体层低约8-12dBuv。以700MHz频率来说，角锥型的屏蔽复合膜片100能因电场屏蔽面积及深度增加而使屏蔽效能提升约12dBuv，且导磁层101更有助于屏蔽高频磁场，故此屏蔽复合膜片100有助于提升电磁屏蔽及抑制杂讯的能力。
[0042]请参考图4，为本发明的另一电磁强度测试图。本实施例请参考图4，其中此实施例主要将铁基金属粉制作成薄层生胚(EW0201)，控制适当的铁基粉及有机溶剂比例(62.5/37.5wt%)，胚体再经过80°C /30min烘干，经堆叠后导磁层101厚度控制为0.3mm,将导磁凸块102的角锥状规则阵列(底面积lXlmm2，高45um)转印到铁基生胚表面。以溅镀法于导磁凸块102表面批覆导体层103 (厚度:0.2um)。测试结果如图4所示，趋势线C为一般平面型导体层，趋势线D为具角锥型的屏蔽复合膜片100。实施例结果发现具角锥型导体层的铁基金属系的屏蔽复合膜片100的屏蔽效果于0.8-lGHz频段时效应较为显着，其屏蔽效能可提升达5-8dBuv值。
[0043]本发明在于提出一种屏蔽复合膜片，主要在导磁层上具有导磁凸块的结构或是在导磁核壳层上配置多个导磁核壳凸块，可增加电场屏蔽有效面积及深度，使电磁波产生多次反射，以提升整体电磁干扰(EMI)隔离屏蔽效能。另外，导电胶层与导体层之间或指导电胶层与导磁核壳层之间的空隙具透气性，也可减少导电胶层与软板间因热压接合时，因内部气体膨胀所引起的分层脱落现象，提升结构稳定性。
【权利要求】
1.一种屏蔽复合膜片，其包括: 导磁层； 多个导磁凸块，配置于该导磁层上； 导体层，其配置于该些导磁凸块上；以及 导电胶层，该导体层介于该些导磁凸块与该导电胶层之间，该导磁层、该导电胶层与该些导磁凸块的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
2.如权利要求1所述的屏蔽复合膜片，其中该导磁凸块为锥形体、矩形体、柱形体及上述任意组合所构成的群组其中之一。
3.如权利要求1所述的屏蔽复合膜片，其中该导电胶层为异向或同向导电胶层。
4.如权利要求1所述的屏蔽复合膜片，其中该导磁层为单层或多层结构。
5.一种屏蔽复合膜片，其包括: 导磁核壳层；以及 多个导磁核壳凸块，配置于该导磁核壳层。
6.如权利要求5所述的屏蔽复合膜片,其中该导磁核壳层以及该些导磁核壳凸块由多个导磁核壳构成，每一该导磁核壳包括磁性物以及导体层，该导体层包覆该磁性物。
7.如权利要求5所述的屏蔽复合膜片，还包括有导电胶层，该导电胶层位于该导磁核壳层的该些导磁核壳凸块上，该导电胶层与该些导磁核壳凸块的底部之间形成多个彼此相连通的孔隙。
8.如权利要求7所述的屏蔽复合膜片，其中该导电胶层为异向或同向导电胶层。
9.如权利要求5所述的屏蔽复合膜片，其中该导磁核壳凸块为锥形体、矩形体、柱形体及上述任意组合所构成的群组其中之一。
【文档编号】H05K9/00GK103889197SQ201210579784
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月27日 优先权日:2012年12月21日
【发明者】唐敏注, 汤士源, 王丽君, 王燕萍 申请人:财团法人工业技术研究院