一种用于提高单晶拉速的冷却设备的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其包括冷却圆筒，所述冷却圆筒顶端分体活动固定在单晶炉的水冷套底端，所述冷却圆筒顶端内径与所述水冷套底端内径相同，所述冷却圆筒底端与所述单晶炉的导流筒内壁之间留有缝隙；在所述冷却圆筒底端侧壁上设有成90°排列的CCD信号口和液面观测口，在所述液面观测口两侧的所述冷却圆筒底端侧壁上分别排列有液面直径观测口。优点在于：在单晶炉的水冷套底端紧密配合增设冷却圆筒，利用冷却圆筒较好的导热性和耐高温性，吸走更多热量，增加单晶纵向温度梯度，使单晶及时冷却，为单晶生长提供动力，从而提高拉速；使生产过程安全，具有连续性。
【专利说明】一种用于提高单晶拉速的冷却设备
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及一种用于提高单晶拉速的冷却设备，属于单晶硅生产领域。
【背景技术】
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[0002]目前，光伏行业单晶硅生产主要包括:拆清炉一装料一合炉一抽空一检漏一压力化一化料一沾渣一稳温一引晶一扩肩一转肩一等径一收尾一停炉等工序，其中等径过程采用金属水冷套对生长出的单晶进行降温，但由于受温度影响，水冷套长度较短，单晶冷却速度较慢，因此，等径过程所用工时占整个单晶生产工时的57%。
实用新型内容:
[0003]本实用新型的目的在于提供一种提高单晶等径时生长速度、提高工时利用率，提高产能，降低成本的用于提高单晶拉速的冷却设备。
[0004]本实用新型由如下技术方案实施:一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其包括冷却圆筒，所述冷却圆筒顶端分体活动固定在单晶炉的水冷套底端，所述冷却圆筒顶端内径与所述水冷套底端内径相同，所述冷却圆筒底端与所述单晶炉的导流筒内壁之间留有缝隙；在所述冷却圆筒底端侧壁上设有成90°排列的CCD信号口和液面观测口，在所述液面观测口两侧的所述冷却圆筒底端侧壁上分别排列有液面直径观测口。
[0005]优选的，所述冷却圆筒整体为上大下小的缩径管。
[0006]优选的，所述冷却圆筒采用石墨、钼、碳碳材料、钨钼合金、锇、钽、钛合金等任意一种高熔点材料制成。
[0007]本实用新型的优点:在单晶炉的水冷套底端紧密配合增设冷却圆筒，利用冷却圆筒较好的导热性和耐高温性，吸走更多热量，增加单晶纵向温度梯度，使单晶及时冷却，为单晶生长提供动力，从而提高拉速；使生产过程安全，具有连续性。
【专利附图】
【附图说明】
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[0008]图1为冷却圆筒的整体示意图。
[0009]图2为冷却圆筒的结构示意图。
[0010]图3为本实用新型的使用示意图。
[0011]冷却圆筒1、单晶炉2、水冷套3、导流筒4、CXD信号口 5、液面观测口 6、液面直径观测口 7、CCD窗口 8。
[0012]【具体实施方式】:如图1至图3所示，一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其包括冷却圆筒1，冷却圆筒I顶端分体活动固定在单晶炉2的水冷套3底端，冷却圆筒I活动固定在水冷套3底端便于更换维护，冷却圆筒I顶端内径与水冷套3底端内径相同，冷却圆筒I整体为上大下小的缩径管；冷却圆筒I底端与单晶炉2的导流筒4内壁之间留有缝隙，冷却圆筒I采用石墨、钼、碳碳材料、钨钼合金、锇、钽、钛合金等任意一种高熔点材料制成；在冷却圆筒I底端侧壁上设有成90°排列的CXD信号口 5和液面观测口 6，CXD信号口 5与单晶炉2的C⑶窗口 8对齐，使C⑶窗口 8中CXD图像传感器可以通过CXD信号口 5采集炉内液面的图像信息；液面观测口 6与与单晶炉2的观测视窗口对齐，便于操作者通过观测视窗口观察炉内液面的情况；在液面观测口 6两侧的冷却圆筒I底端侧壁上分别设有液面直径观测口 7 ;便于操作者使用测径仪量取取液面实时单晶直径。
【权利要求】
1.一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其特征在于，其包括冷却圆筒，所述冷却圆筒顶端分体活动固定在单晶炉的水冷套底端，所述冷却圆筒顶端内径与所述水冷套底端内径相同，所述冷却圆筒底端与所述单晶炉的导流筒内壁之间留有缝隙；在所述冷却圆筒底端侧壁上设有成90°排列的CCD信号口和液面观测口，在所述液面观测口两侧的所述冷却圆筒底端侧壁上分别排列有液面直径观测口。
2.根据权利要求1所述的一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其特征在于，所述冷却圆筒整体为上大下小的缩径管。
3.根据权利要求1或2任一所述的一种用于提高单晶拉速的冷却设备，其特征在于，所述冷却圆筒采用石墨、钼、碳碳材料、钨钼合金、锇、钽、钛合金任意一种高熔点材料制成。
【文档编号】C30B29/06GK204251753SQ201420653428
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年10月30日 优先权日:2014年10月30日
【发明者】谷守伟, 王永青, 贾海洋, 王军磊, 王建平, 陈康, 马洋, 梁山, 王岩, 徐强 申请人:内蒙古中环光伏材料有限公司