例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图
10(F));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图10(G))的步骤分别类似于在第六实施例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10(图9(E));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图9 (F))的步骤。
[0103]第八实施例
[0104]参照图11，本发明的第八实施例中的制造SBD的方法是指制造第三实施例中的SBD的方法，并且包括以下步骤:在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20，基础复合衬底10包括基础支撑衬底11和接合到基础支撑衬底11的一个主表面侧的基础III族氮化物膜13 (图11(A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30(图11 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40(图11(C));在肖特基接触金属膜40的凹进部分上，形成嵌入金属膜80 (图11 (D));在肖特基接触金属膜40上和嵌入金属膜80上，形成防扩散金属膜90 (图11(E));通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上，得到接合衬底100(图11(F));从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图11 (G));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图11(H))。在形成肖特基接触金属膜40的步骤(图11(C))中，肖特基接触金属膜40被形成为使得肖特基接触金属膜40的一部分在绝缘膜的一部分上延伸。
[0105]S卩，相对于第七实施例中的制造SBD的方法，第八实施例中的制造SBD的方法包括:在形成嵌入金属膜80的步骤之后且得到接合衬底100的步骤之前，在肖特基接触金属膜40上和嵌入金属膜80上形成防扩散金属膜90的步骤，并且通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上来执行得到接合衬底100的步骤。
[0106]第八实施例中的制造SBD的方法包括上述步骤，从而使肖特基势皇二极管能够具有高击穿电压并且允许大电流流过，并且以低成本制造，像第七实施例中的制造SBD的方法一样。另外，嵌入金属膜80完全填充肖特基接触金属膜40的凹进部分和接合金属膜60之间的空间。以此方式，可防止在凹进部分和接合金属膜60之间出现任何间隙。因此，例如，就导通电阻、击穿电压和通过取决于例如III族氮化物膜20是否剥离的外观而确定的良率方面而言，可改进SBD。
[0107]另外，关于第八实施例中的制造SBD的方法，在肖特基接触金属膜40上和嵌入金属膜80上，形成防扩散金属膜90的步骤和通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上得到接合衬底100的步骤致使在肖特基接触金属膜40和接合金属膜60之间以及嵌入金属膜80和接合金属膜60之间形成防扩散金属膜90，因此，可防止接合金属膜60中的金属原子扩散到肖特基接触金属膜40中和嵌入金属膜80中。因此，就正向阈值电压、导通电阻、击穿电压等而言，改进了 SBD。
[0108]在第八实施例中的制造SBD的方法中，在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20 (图11 (A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30(图11 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40(图11(C));在肖特基接触金属膜40的凹进部分上，形成嵌入金属膜80 (图11 (D))的步骤类似于第七实施例中的制造SBD的方法中，在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20 (图10 (A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30 (图10 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40(图10(C));在肖特基接触金属膜40的凹进部分上，形成嵌入金属膜80 (图10 (D)) ?
[0109]参照图11 (E)，在肖特基接触金属膜40上和嵌入金属膜80上，形成防扩散金属膜90的步骤中，形成防扩散金属膜90的方法不特别受限制，并且例如可应用形成通过EB气相沉积、电阻加热气相沉积、溅射等由多个层制成的金属膜的方法。
[0110]参照图11 (F)，在通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上得到接合衬底100的步骤中，在接合金属膜60插入其间的情况下接合导电支撑衬底50的步骤类似于第六实施例中的制造SBD的方法中在接合金属膜60插入其间的情况下接合导电支撑衬底50的步骤。
[0111]在第八实施例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图
11(G));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图11 (H))的步骤分别类似于在第六实施例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10(图9(E));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图9 (F))的步骤。
[0112]第九实施例
[0113]参照图12，本发明的第九实施例中的制造SBD的方法是指制造第四实施例中的SBD的方法，并且包括以下步骤:在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20，基础复合衬底10包括基础支撑衬底11和接合到基础支撑衬底11的一个主表面侧的基础III族氮化物膜13 (图12(A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30 (图12 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40 (图12 (C));在肖特基接触金属膜40上，形成防扩散金属膜90 (图12(D));通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上，得到接合衬底100 (图12(E));从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图12(F));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图12 (G))。在形成肖特基接触金属膜40的步骤(图12 (C))中，肖特基接触金属膜40被形成为使得肖特基接触金属膜40的一部分在绝缘膜30的一部分上延伸。
[0114]即，相对于第六实施例中的制造SBD的方法，第九实施例中的制造SBD的方法包括:在形成肖特基接触金属膜40的步骤之后且得到接合衬底100的步骤之前，在肖特基接触金属膜40上形成防扩散金属膜90的步骤，并且通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上来执行得到接合衬底100的步骤。
[0115]第九实施例中的制造SBD的方法包括上述步骤，从而使肖特基势皇二极管能够具有高击穿电压并且允许大电流流过，并且以低成本制造，像第六实施例中的制造SBD的方法一样。
[0116]另外，关于第九实施例中的制造SBD的方法，在肖特基接触金属膜40上形成防扩散金属膜90的步骤和通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上得到接合衬底100的步骤致使在肖特基接触金属膜40和接合金属膜60之间形成防扩散金属膜90，因此，可防止接合金属膜60中的金属原子扩散到肖特基接触金属膜40中和嵌入金属膜80中。因此，就正向阈值电压、导通电阻、击穿电压等而言，改进了 SBD。
[0117]在第九实施例中的制造SBD的方法中，在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20 (图12 (A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30 (图12(B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40 (图12 (C))的步骤分别类似于第六实施例中的制造SBD的方法中，在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20(图9(A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30 (图9 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40 (图9 (C))。
[0118]参照图12(D)，在肖特基接触金属膜40上形成防扩散金属膜90的步骤中，形成防扩散金属膜90的方法类似于第八实施例中的形成SBD的防扩散金属膜90的方法。
[0119]以此方式得到的防扩散金属膜90形成在肖特基接触金属膜40上，在肖特基接触金属膜40中，形成在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上形成的肖特基接触部分40a相对于绝缘膜30上形成的绝缘接触部分40b凹进。因此，在防扩散金属膜90中，在肖特基接触金属膜40的凹进部分上形成的部分相对于在肖特基接触金属膜40的除了凹进部分外的部分上形成的部分凹进。
[0120]参照图12 (E)，在通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上得到接合衬底100的步骤中，在接合金属膜60插入其间的情况下接合导电支撑衬底50的步骤优选地包括与第六实施例中的制造SBD的方法中在接合金属膜60插入其间的情况下接合导电支撑衬底50的步骤的子步骤类似的子步骤。在这种情况下，防扩散金属膜90的凹进部分被接合金属膜60填充。特别地，在绝缘膜30的开口小的情况下，防扩散金属膜90的凹进部分被接合金属膜60完全填充。
[0121]在第九实施例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图
12(F));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图12(G))的步骤分别类似于在第六实施例中的制造SBD的方法中，从接合衬底100去除基础复合衬底10(图9(E));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图9 (F))的步骤。
[0122]第十实施例
[0123]参照图13，本发明的第十实施例中的制造SBD的方法是指制造第五实施例中的SBD的方法，并且包括以下步骤:在基础复合衬底10的基础III族氮化物膜13上，形成III族氮化物膜20，基础复合衬底10包括基础支撑衬底11和与基础支撑衬底11的一个主表面侧接合的基础III族氮化物膜13 (图13(A));在III族氮化物膜20上形成具有开口的绝缘膜30 (图13 (B));在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上和绝缘膜30上，形成肖特基接触金属膜40(图13(C));在肖特基接触金属膜40上形成防扩散金属膜90(图13(D));在防扩散金属膜90的凹进部分上，形成嵌入金属膜80 (图13 (E));通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50与防扩散金属膜90之间和导电支撑衬底50与嵌入金属膜80之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90和嵌入金属膜80上，得到接合衬底100 (图13 (F));从接合衬底100去除基础复合衬底10 (图13 (G));在III族氮化物膜20上形成第一电极72并且在导电支撑衬底50上形成第二电极75 (图13 (H))。在形成肖特基接触金属膜40的步骤(图13(C))中，肖特基接触金属膜40被形成为使得肖特基接触金属膜40的一部分在绝缘膜30的一部分上延伸。
[0124]即，相对于第九实施例中的制造SBD的方法，第十实施例中的制造SBD的方法包括:在形成防扩散金属膜90的步骤之后且得到接合衬底100的步骤之前，在防扩散金属膜90的凹进部分上形成嵌入金属膜80的步骤，并且通过在接合金属膜60插入导电支撑衬底50和防扩散金属膜90之间以及导电支撑衬底50和嵌入金属膜80之间的情况下，将导电支撑衬底50接合到防扩散金属膜90上和嵌入金属膜80上来执行得到接合衬底100的步骤。
[0125]第十实施例中的制造SBD的方法包括上述步骤，从而使肖特基势皇二极管能够具有高击穿电压并且允许大电流流过，并且以低成本制造，像第九实施例中的制造SBD的方法一样。另外，因为在肖特基接触金属膜40和接合金属膜60之间形成防扩散金属膜90，所以可防止接合金属膜60中的金属原子扩散到肖特基接触金属膜40中。因此，就正向阈值电压、导通电阻、击穿电压等方面而言，改进了 SBD。
[0126]另外，关于第十实施例中的制造SBD的方法，在肖特基接触金属膜40上形成防扩散金属膜90，在肖特基接触金属膜40中，在绝缘膜30的开口下方的III族氮化物膜20上形成的肖特基接触部分40a相对于接触绝缘膜30上形成的绝缘接触部分40b凹进