显示基板及其制作方法以及显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
【背景技术】
[0002]在AMOLED(Active-matrixorganic light emitting d1de，有源矩阵有机发光二极体)显示器领域，因其具有高响应速度、高色域、高对比度，广视角、超薄、低功耗等优点成为现代显示器研宄的热点。
[0003]其中，顶发射结构WOLED显示器在有源矩阵的另一端发光，不存在金属布线对OLED发光的遮挡，具有高开口率的优点。顶发射结构的AMOLED可以通过在OLED上面直接做彩膜，打印工艺可以避免UV (紫外光)对OLED的影响。彩膜中BM(黑矩阵)的厚度高于lum，坡度角一般为30?60度之间(如图1所示)，但是由于彩膜保证色饱和度时，厚度要达到微米级，相对于传统的打印工艺制作OLED只需要200?300nm，打印彩膜时所用液滴体积更大，更易出现液滴沿BM的坡度角方向飞溅，容易对相邻像素间造成污染。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是，如何避免打印彩膜时的液滴对相邻像素造成污染。
[0005]为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括:
[0006]设置在相邻像素之间的黑矩阵，
[0007]所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。
[0008]优选地，所述黑矩阵的材料包括负性光刻胶。
[0009]优选地，所述黑矩阵包括:
[0010]第一绝缘层；
[0011]设置在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层；
[0012]设置在所述第二绝缘层之上的第三绝缘层，
[0013]其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度；
[0014]设置在所述第三绝缘层之上的遮光层。
[0015]优选地，还包括:
[0016]设置在所述第一绝缘层之下的下部第二绝缘层；
[0017]设置在所述下部第二绝缘层之下的下部第三绝缘层。
[0018]优选地，通过干刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。
[0019]优选地，还包括:
[0020]封装层，设置在所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管；
[0021]阻挡层，设置在所述黑矩阵和所述封装层之间，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀。
[0022]优选地，还包括:
[0023]吸收层，设置在所述黑矩阵之上，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
[0024]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项所述的显示基板。
[0025]本发明还提出了一种显示基板制作方法，包括:
[0026]形成相邻像素之间的黑矩阵，使所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。
[0027]优选地，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括:
[0028]采用负性光刻胶形成黑矩阵层；
[0029]对所述黑矩阵层进行加热，以烘干所述黑矩阵层中的有机溶剂；
[0030]对所述黑矩阵层进行曝光；
[0031]对所述黑矩阵层进行显影，形成所述黑矩阵。
[0032]优选地，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括:
[0033]形成第一绝缘层；
[0034]在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层；
[0035]在所述第二绝缘层之上形成第三绝缘层，
[0036]其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度；
[0037]在所述第三绝缘层之上形成遮光层。
[0038]优选地，在形成所述第一绝缘层之前还包括:
[0039]形成下部第三绝缘层；
[0040]在所述下部第三绝缘层之上形成下部第二绝缘层，
[0041]所述第一绝缘层形成于所述下部第二绝缘层之上。
[0042]优选地，还包括:
[0043]在所述黑矩阵和封装层之间形成阻挡层，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀，
[0044]其中，所述封装层设置于所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管。
[0045]优选地，还包括:
[0046]在所述黑矩阵之上形成吸收层，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
[0047]根据上述技术方案，通过将黑矩阵的侧壁制作为内凹曲面，在形成彩膜时，一个亚像素中的彩膜液滴在飞溅到黑矩阵的侧壁时，可以沿着曲面返回该亚像素中，避免液滴飞溅污染相邻像素，保证基板良率。
【附图说明】
[0048]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0049]图1示出了现有技术中黑矩阵的结构示意图；
[0050]图2示出了根据本发明一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0051]图3示出了现有技术中液滴飞派的示意图；
[0052]图4示出了根据本发明一个实施例的液滴飞溅的示意图；
[0053]图5示出了根据本发明一个实施例的黑矩阵的结构示意图；
[0054]图6示出了根据本发明又一个实施例的黑矩阵的结构示意图；
[0055]图7示出了根据本发明又一个实施例的黑矩阵的结构示意图；
[0056]图8示出了根据本发明一个实施例的显示基板制作方法示意图。
[0057]附图标号说明:
[0058]1-黑矩阵；11-第一绝缘层；12-第二绝缘层；13-第二绝缘层；14-遮光层；15_下部第二绝缘层；16_下部第三绝缘层；2_阻挡层；3_封装层；4_吸收层；5_第一像素区域；6-第二像素区域。
【具体实施方式】
[0059]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0060]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0061]如图2所示，根据本发明一个实施例的显示基板，包括:
[0062]设置在相邻像素之间的黑矩阵1，
[0063]黑矩阵I的侧壁为内凹曲面。
[0064]由于黑矩阵的侧壁为内凹曲面，在形成彩膜时，第一像素区域5的亚像素中的彩膜液滴在飞溅到黑矩阵I的侧壁时，可以沿着侧壁返回该亚像素中，而不会进入第二像素区域6的亚像素中，相应地，也避免了向第二像素区域6的亚像素中滴入液滴时对第一像素区域5造成污染。
[0065]具体液滴飞溅如图4所示，相对于现有技术中(如图3所示)液滴飞溅范围减小，且液滴飞溅高度也降低。保证了形成的彩膜中，每个亚像素的色彩纯正，提高显示效果，保证基板良率。
[0066]需要说明的是，本实施例中的显示基板除了包括黑矩阵1，还包括薄膜晶体管，具体可以包括栅极、栅绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、源极、漏极、钝化层等，还可以包括有机发光层，在此不再赘述。
[0067]一般地，黑矩阵I的材料包括负性光刻胶。
[0068]黑矩阵I的图形一般采用UV (紫外光)照射形成，而负性光刻胶被UV光照的区域会固化保留，在形成黑矩阵I时，掩膜上的曝光孔很小，会使得光线发生衍射，从而照射在较大面积的黑矩阵材料上，即固化较大面积(大于曝光孔面积)的黑矩阵I。而黑矩阵材料对于光线具有很强的阻隔作用，衍射光难以透射到较深的黑矩阵材料中，因此较深的黑矩阵材料仅能被固化为等同于曝光孔面积的黑矩阵。
[0069]最下部的黑矩阵材料由于接触加热板(在曝光过程中用于烘干有机溶剂)，热量较高，有机溶剂挥发较快，剩余黑矩阵材料较多，因此经过曝光可以形成较宽黑矩阵，从而形成上下较宽，中间较窄的曲面侧壁。
[0070]如图5所示，一般地，黑矩阵I包括:
[0071]第一绝缘层11 ；
[0072]设置在第一绝缘层11之上的第二绝缘层12 ;
[0073]设置在第二绝缘层12之上的第三绝缘层13，
[0074]其中，第一绝缘层11的刻蚀速度大于第二绝缘层12的刻蚀速度，第二绝缘层12的刻蚀速度大于第三绝缘层13的刻蚀速度；
[0075]设置在第三绝缘层13之上的遮光层14。
[0076]第一绝缘层11的材料可以是SiNx，刻蚀速度为30埃/秒，第二绝缘层12的材料可以是S1yNx，刻蚀速度在10埃/秒到30埃/秒之间，第三绝缘层13的材料可以是S1x，刻蚀速度为10埃/秒。由于对第一绝缘层11的刻蚀速度最快，对第三绝缘层13的刻蚀速度最慢，而