对第二绝缘层12的刻蚀速度界于两者之间，因此在进行刻蚀时，第一绝缘层11被刻蚀的深度最深，第三绝缘层13被刻蚀的深度最浅，第二绝缘层12被刻蚀的深度界于两者之间，从而形成从第三绝缘层13向第一绝缘层11内凹的侧壁。
[0077]如图6所示，一般地，还包括:
[0078]设置在第一绝缘层11之下的下部第二绝缘层15 ;
[0079]设置在下部第二绝缘层15之下的下部第三绝缘层16。
[0080]具体地，下部第二绝缘层15和第二绝缘层12的材料相同，下部第三绝缘层16和第三绝缘层13的材料相同。
[0081]下部第二绝缘层15和下部第三绝缘层16可以形成由下至上内凹的侧壁，与第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13配合，可以形成更加圆滑的侧壁，保证液滴飞溅后，仍可以沿着侧壁流回其目标子像素，保证目标子像素的色度。
[0082]—般地，通过干刻蚀工艺刻蚀第一绝缘层11、第二绝缘层12和第三绝缘层13。
[0083]干刻蚀工艺可以通过气体进行刻蚀，除了刻蚀黑矩阵的表面，还可以对黑矩阵I的侧壁进行刻蚀。
[0084]如图7所示，一般地，还包括:
[0085]封装层3，设置在黑矩阵I下方，用于封装有机发光二极管；
[0086]阻挡层2，设置在黑矩阵I和封装层3之间，用于防止干刻蚀工艺对封装层3刻蚀。
[0087]通过阻挡层2可以避免干刻蚀的气体对封装层3造成腐蚀，保护封装的内部结构。
[0088]—般地，还包括:
[0089]吸收层4，设置在黑矩阵I之上，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
[0090]保证溅射到黑矩阵I之上的液滴也可以被吸收，进一步避免对其他亚像素造成溅射污染。
[0091]本发明还提出了一种显示装置，包括上述任一项的显示基板。
[0092]需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0093]根据本发明一个实施例的显示基板制作方法，包括:
[0094]形成相邻像素之间的黑矩阵1，使黑矩阵I的侧壁为内凹曲面。
[0095]一般地，形成相邻像素之间的黑矩阵I包括:
[0096]采用负性光刻胶形成黑矩阵层；
[0097]对黑矩阵层进行加热，以烘干黑矩阵层中的有机溶剂；
[0098]对黑矩阵层进行曝光；
[0099]对黑矩阵层进行显影，形成黑矩阵I。
[0100]如图8所示，一般地，形成相邻像素之间的黑矩阵I包括:
[0101]SI，形成第一绝缘层11 ;
[0102]S2，在第一绝缘层11之上形成第二绝缘层12 ；
[0103]S3，在第二绝缘层12之上形成第三绝缘层13，
[0104]其中，第一绝缘层11的刻蚀速度大于第二绝缘层12的刻蚀速度，第二绝缘层12的刻蚀速度大于第三绝缘层13的刻蚀速度；
[0105]S4，在第三绝缘层13之上形成遮光层14。
[0106]一般地，在形成第一绝缘层11之前还包括:
[0107]形成下部第三绝缘层16 ;
[0108]在下部第三绝缘层16之上形成下部第二绝缘层15，
[0109]第一绝缘层11形成于下部第二绝缘层15之上。
[0110]一般地，还包括:
[0111]在黑矩阵I和封装层3之间形成阻挡层2，用于防止干刻蚀工艺对封装层3刻蚀，
[0112]其中，封装层3设置于黑矩阵I下方，用于封装有机发光二极管。
[0113]一般地，还包括:
[0114]在黑矩阵I之上形成吸收层4，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
[0115]其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括:沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。
[0116]以上结合附图详细说明了本发明的技术方案，考虑到现有技术中，在制作彩膜时，形成亚像素的液滴可能溅射到其他像素区域的亚像素中，对其他亚像素造成污染。根据本发明的技术方案，通过将黑矩阵的侧壁制作为内凹曲面，在形成彩膜时，一个亚像素中的彩膜液滴在飞溅到黑矩阵的侧壁时，可以沿着曲面返回该亚像素中，避免液滴飞溅污染相邻像素，保证基板良率。
[0117]需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
[0118]在本发明中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
[0119]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种显示基板，其特征在于，包括: 设置在相邻像素之间的黑矩阵， 所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵的材料包括负性光刻胶。3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述黑矩阵包括: 第一绝缘层； 设置在所述第一绝缘层之上的第二绝缘层； 设置在所述第二绝缘层之上的第三绝缘层， 其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度； 设置在所述第三绝缘层之上的遮光层。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，还包括: 设置在所述第一绝缘层之下的下部第二绝缘层； 设置在所述下部第二绝缘层之下的下部第三绝缘层。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，通过干刻蚀工艺刻蚀所述第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，还包括: 封装层，设置在所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管； 阻挡层，设置在所述黑矩阵和所述封装层之间，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀。7.根据权利要求1至6中任一项所述的显示基板，其特征在于，还包括: 吸收层，设置在所述黑矩阵之上，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。8.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至7中任一项所述的显示基板。9.一种显示基板制作方法，其特征在于，包括: 形成相邻像素之间的黑矩阵，使所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。10.根据权利要求9所述的显示基板制作方法，其特征在于，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括: 采用负性光刻胶形成黑矩阵层； 对所述黑矩阵层进行加热，以烘干所述黑矩阵层中的有机溶剂； 对所述黑矩阵层进行曝光； 对所述黑矩阵层进行显影，形成所述黑矩阵。11.根据权利要求9所述的显示基板制作方法，其特征在于，所述形成相邻像素之间的黑矩阵包括: 形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层之上形成第二绝缘层； 在所述第二绝缘层之上形成第三绝缘层， 其中，所述第一绝缘层的刻蚀速度大于所述第二绝缘层的刻蚀速度，所述第二绝缘层的刻蚀速度大于所述第三绝缘层的刻蚀速度； 在所述第三绝缘层之上形成遮光层。12.根据权利要求11所述的显示基板制作方法，其特征在于，在形成所述第一绝缘层之前还包括: 形成下部第三绝缘层； 在所述下部第三绝缘层之上形成下部第二绝缘层， 所述第一绝缘层形成于所述下部第二绝缘层之上。13.根据权利要求12所述的显示基板制作方法，其特征在于，还包括: 在所述黑矩阵和封装层之间形成阻挡层，用于防止干刻蚀工艺对所述封装层刻蚀， 其中，所述封装层设置于所述黑矩阵下方，用于封装有机发光二极管。14.根据权利要求9至13中任一项所述的显示基板制作方法，其特征在于，还包括: 在所述黑矩阵之上形成吸收层，用于吸收有机溶剂、水和形成子像素的液体。
【专利摘要】本发明涉及一种显示基板及其制作方法以及显示装置，上述显示基板包括：设置在相邻像素之间的黑矩阵，所述黑矩阵的侧壁为内凹曲面。通过将黑矩阵的侧壁制作为内凹曲面，在形成彩膜时，一个亚像素中的彩膜液滴在飞溅到黑矩阵的侧壁时，可以沿着曲面返回该亚像素中，避免液滴飞溅污染相邻像素。
【IPC分类】H01L27/32, H01L21/77
【公开号】CN104979372
【申请号】CN201510259953
【发明人】方金钢, 沈武林, 孙宏达, 林俊仪
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年10月14日
【申请日】2015年5月20日