在倒置的和晶片结合的太阳能电池中的分流器处理的制作方法_3

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射层。抗反射层是由电绝缘材料制成,并提供与接近所述金属化栅格的分流器足够的分离。例如,抗反射层延伸到任何区域中,其中栅格线路或总线线路在分流器上方延伸,从而提供电分离。下面参照图3-4B进一步描述这种方法。
[0046]第二种方法可以被称作栅格修改方法,其中修改所述金属化栅格以从分流器分离金属化栅格的至少总线部分,或从分流器分离整个金属化栅格。栅格修改方法还可以通过分流排除方法被进一步分成栅格修改和通过分流断开方法分成栅格修改。通过分流排除方法的栅格修改防止金属栅格的任何部分之间的电气连接。当检测该太阳能电池衬底上的分流器接近金属化栅格图案时,修改金属化的栅格以阻止这些电连接。下面参考图5-6B进一步描述通过分流排除方法的栅格修改。
[0047]通过分流器断开方法的栅格修改包括破坏分流器和金属化栅格的总线部分之间的金属化栅格部分。金属化栅格部分,例如栅格线路中的一条可以与分流器电连接,但该部分从总线部分断开。在一些实施方案中,金属化栅格的断开部分可以与多个分流器接触。因此,到金属化栅格的单个修改可以用于解决多个分流器。下面参考图5和6C-6E进一步描述该通过分流断开方法的栅格修改。
[0048]在一些实施方案中,用于处理在太阳能电池衬底上的分流器的方法可以在工艺设计期间进行,并且方法200根据该设计进行,而无需单独的决定操作。替换地,可以针对每一个新的衬底做出该决定。在一些实施方案中,方法可以被使用所在的决定可以针对衬底的不同部分而独立地做出,甚至针对不同的所检测的分流器而做出。例如,该衬底的一部分可以使用分流器分离方法进行处理,而衬底的另一部分可以使用栅格修改方法进行处理。在一些实施方案中,可以将多种方法组合。具体而言,分流器分离方法可以与一个或两个栅格修改方法结合。
[0049]如果使用分流器分离方法,则方法200继续进行操作210,其被概括为图3中的一系列操作。这一系列可能开始于将正性胶沉积到衬底上和在操作302期间执行软烘烤。衬底包括多结堆,其可以具有一个或多个分流器。正性胶是一种以下类型的光刻胶,其中暴露于光中的光刻胶部分变得可溶于光刻胶显影剂溶液。未暴露的光刻胶部分保持不溶于显影剂溶液。与此相反,负性胶是一种以下类型的光刻胶,其中暴露于光中的光刻胶部分变得不溶于光刻胶显影剂溶液。光刻胶的未暴露部分被光刻胶显影剂溶解。尽管这个示例指的是正性胶,然而本领域技术人员将理解如何使用负性胶以便分流器分离的方法。同样地,本领域普通技术人员将理解如何使用正性胶以便下述栅格修改的方法。
[0050]随后在操作304期间,根据用于抗反射层的图案暴露经软烘烤的光刻胶。可以使用掩模或其它合适的技术执行该暴露。图4A是示出暴露区域402的衬底400的示意性顶视图。在一些实施方案中,在抗反射层的制造期间暴露的区域基本上与在金属化栅格的制造中暴露的区域相同。然而,正性胶可以用于抗反射层的制造工艺期间,而负性胶可以用于金属化栅的制造期间。
[0051]之后,在光刻胶的显影中,去除在操作304期间暴露的区域,这将允许该抗反射层沉积到没有覆盖光刻胶的多结堆中。在图4中所示的未暴露区404,在显影中保留了光刻胶。在该抗反射层和在这一区域上延伸的任何抗反射层一起沉积之后,最终去除光刻胶。在所制造的太阳能电池中,该抗反射层不延伸到未暴露区域中。相反,未暴露的区域用金属化栅格覆盖。在常规的太阳能电池中,所述抗反射层可以不与金属化栅格重叠,因为抗反射层是电绝缘的,并且如果允许在多结堆和金属化栅格之间延伸,则将不利地影响金属化栅格的电流采集能力。然而,当使用处理分流器的方法时,可以修改与抗反射区域对应的暴露区域以故意延伸金属化栅格和在特定区域中的多结堆之间的抗反射层,如果在这个领域中找到分流器。
[0052]该方法继续进行操作306中的识别接近未暴露区域的分流器。在一些实施方案中,这个操作可以包括检测未暴露区域404和分流器之间的重叠。例如,如果存在如图4A所示的与分流器406部分重叠的未暴露区域404的重叠,则随后金属栅格与分流器接触,由此导致差的太阳能电池性能。在一些实施方案中,远离未暴露区404延伸的偏移区405可以为重叠考虑在操作306中使用。如果分流器与偏移区405甚至部分地重叠时,则随后该分流器可以被认为接近该金属栅格图案,其位于与未暴露区404对应的这个阶段。总体上,与偏移区405而不是与较小的未暴露区域404重叠可用于确保分流器和金属栅格之间的充分的电分离,以及预测后续处理工艺中的任何公差,诸如对齐不同的光刻图像的公差。
[0053]在一些实施方案中,如果使用操作306,那么操作306仅包括未暴露区域404或偏移区405的检查。剩余的区域可以不被检查,由于在其余区域的分流器将远离金属化栅格,并且不会影响太阳能电池的性能。这个集中检查允许提高处理吞吐量。
[0054]在一些实施方案中,在暴露抗反射图案或任何其他暴露的图案之前,可以确定相对于金属栅格图案的分流器的位置。检查工具可以使用金属栅格图案的坐标来执行检查而不是依赖于实际暴露的图案。这些坐标可以被称为金属化栅格的虚拟图案,并在检查时可以不与在衬底表面上的任何结构或图像对应。在此虚拟图案的检查中,如果接近金属化栅格图案的分流器被识别,则随后用于制造抗反射层的光刻胶的初始暴露和/或用于制造金属化栅格的光刻胶的初次暴露可以被修改以解决这些近似分流器的存在。
[0055]在一些实施方案中,甚至在作出决定之前,就检测分流器相对于金属栅格图案的接近度,要使用的方法诸如分流器分隔的方法、通过分流器断开方法的栅格修改、或者通过分流器排除方法的栅格修改。在这些实施方案中,关于靠近分流器的信息,其可以作为分流器地图(shunt map),可以用于选择这些方法中的一个或更多个。可以针对整个衬底或衬底的部分(诸如包括一个或更多个分流器的部分)做出这种选择。
[0056]如果没有检测到接近分流器,在操作312期间该方法可进行显影光刻胶。在正性胶的情况下,暴露的光刻胶将被去除,而未暴露的光刻胶将被保留。在操作314期间,随后形成抗反射层,接着去除剩余的(未暴露)光刻胶,其具有可在该剩余的光刻胶上延伸的任何抗反射层。该操作后所得到的结构是多结堆,其具有准备容纳金属化栅格的图案化的抗反射层。
[0057]然而,如果检测到一个或多个接近分流器,则在操作310期间该方法进行暴露这些分流器区域。这些区域,诸如图4A所示的区域408,可以被称为附加暴露区域,因为这些区域延伸超出表示标准抗反射区域图案的标准暴露区域404。在一些实施方案中,附加暴露区域比分流器的区域稍大,以确保分流器和金属化栅格形成的层之间足够的电分离,并以预测未来的工艺的任何制造公差。这些一个或多个附加的暴露在分流器上方延伸抗反射层(在后面的操作中形成),从而防止如下进一步描述的分流器和金属化栅格之间的接触。在一些实施方案中,可以添加关于任何接近金属化栅格的分流器的信息到分流器地图中,或者更具体地,可将分流器的坐标加入到分流器地图中。随后在分流器地图中的这些信息可用于确定用于在太阳能电池衬底上暴露部分的位置、形状以及尺寸,以便处理分流器。例如,在此确定操作工艺中可以分析被加入到分流器地图中的分流器的坐标。
[0058]随后,该方法继续进行在操作312中的显影光刻胶,并且如上所述的在操作314中形成图案化的抗反射层。由于这种附加的暴露,在这些新暴露的区域诸如图4A所示的区域408中的光刻胶也被去除,并且抗反射层沉积在分流器上。即使金属化栅格将在后面延伸在区域408上,金属化栅格也不会与分流器物理接触或形成电连接,因为沉积在这个区域中的抗反射层将金属化栅格从分流器中分离,如现在将参考图4B更详细地描述。
[0059]具体地,图4B示出了从如图4A所示的衬底上形成的太阳能电池410的示意性剖面图。与图4A所示的A-A截面对应的剖面图,其包括分流器。太阳能电池410包括具有含有分流器416的多结堆418的衬底。太阳能电池410还包括金属化栅格414和形成在多结堆418上的图案化的抗反射层412。而金属化栅格414在最多的位置上接触多结堆418,金属化栅格414由抗反射层412的部分从在分流器416的区域中的多结堆418中分离出来。换言之,抗反射层412被设置在分流器416和金属栅格414之间。应该注意的是,这种分流器的分隔方法允许保持金属化栅格414内的连续性,并且将金属化栅格414从多结堆418中断开,其中仅分流器存在于多结堆418中。同样,金属化栅格414的电流采集能力仅轻微地受影响,并且被限制在接近金属化栅格的分流器区域。同时,金属化栅格414的电流导通能力和将在下面进一步描述的栅格修改方法相反一点都不会受到影响。
[0060]返回到图2中,在操作210之后,接着在操作212中的形成金属化栅格。如上所述,在操作212之前,在接近金属化栅格图案内检测到的任何分流器均覆盖有抗反射层。同样,操作212中形成的金属化栅格将不接触这些分流器。
[0061]如果方法200使用栅格修改方法,则随后在操作206中去除生长衬底后,在操作220中形成图案化的抗反射层。不同于分流器分离方法,在操作220中形成的图案化的抗反射层不会基于在接近金属化栅格图案内的分流器的检测来修改。事实上,在操作220之前,可以针对分流器检查衬底
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