裡粉直接补裡法、将金属裡粉配制成浆 料后涂敷在石墨締负极表面的补裡法、金属裡带补裡法、直接接触补裡法和电锻补裡法中 的一种。
[0022] 本发明的有益效果在于：H/h*d《2cm，即裡离子要穿透表层涂层，需要扩散移动 的最大距离为2cm，此时虽然会对裡离子的扩散有一定影响，但电池仍能够正常充放电，不 会明显影响电池的整体性能；但当扩散距离更大时，将明显影响裡离子的扩散，从而降低电 池的电性能（如容量、倍率等）；2《H/h，即石墨締片层在表层涂层中W多片堆叠形式存 在，而多片堆叠结构的类石墨締过滤层可W有效的阻隔裡硫化物溶解于电解液中并扩散至 负极析出，进而影响电池性能。
【具体实施方式】
[0023] 下面结合【具体实施方式】对本发明及其有益效果进行详细说明，但本发明的实施方 式不限于此。
[0024] 比较例，
[0025] 电极浆料的配制：将硫碳复合物、导电碳、PVDF(硫碳复合物：导电碳：PVDF = 80:10:10)分散于NMP中得到正极浆料待用；
[00%] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 100 ym，烘干、冷压、分条、焊接得到正极片待用；
[0027]成品裡硫电池制备：将上述正极片与隔离膜、金属裡带叠片，得到裸电忍，之后选 择侣塑膜为外封装材料，进行顶侧封、注液、静止、化成、整形、排气得到成品裡硫电池。
[0028] 实施例1，与比较例不同之处在于，本实施例包括如下步骤：
[0029] 电极浆料的配制：将硫碳复合物、导电碳、PVDF(硫碳复合物：导电碳：PVDF = 80:10:10)分散于NMP中得到正极浆料待用；
[0030] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为3nm，平面等效直径d为IOnm)、 PVDF(质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0031] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 100 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为2 ym的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用； 阳0巧其余与比较例相同，不再寶述。
[0033] 实施例2,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0034] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为0. 3nm，平面等效直径d为Inm)、 PVDF(质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0035] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0036] 实施例3,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0037] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为lOOnm，平面等效直径d为 20 y m，）、PVDF (质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0038] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 100 y m，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为10 y m的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、 焊接得到正极片待用；
[0039] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0040] 实施例4,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0041] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为8nm，平面等效直径d为Sii m)、 PVDF(质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0042] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 100 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为1 ym的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用；
[0043] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0044] 实施例5,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0045] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为400nm，平面等效直径d为 100 y m)、PVDF (质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0046] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 100 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为4 ym的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用；
[0047] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0048] 实施例6,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0049] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为0. 3皿，平面等效直径d为 IOOnm)、PVDF (质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0050] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 10 y m，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为0. 6nm的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用；
[0051] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0052] 实施例7,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0053] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为Inm，平面等效直径d为1 y m)、 PVDF(质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0054] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 50 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为IOOnm的氧化石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用； 阳化5] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0056] 实施例8,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0057]类石墨締浆料配制：将改性石墨締（片层厚度h为5nm，平面等效直径d为200nm)、 硫碳复合物、PVDF(质量比为1:8:1)分散于NMP中得到改性石墨締浆料待用；
[0058] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 500 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为2 ym的改性石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊 接得到正极片待用；
[0059] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0060] 实施例9,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0061] 类石墨締浆料配制：将石墨締（片层厚度h为5nm，平面等效直径d为200nm)、纳 米氧化侣、PVDF(质量比为4:5:1)分散于NMP中得到石墨締浆料待用；
[0062] 正极电极片的制备：选择侣锥为集流体，将上述浆料涂敷于侣锥表面，涂敷厚度为 80 ym，烘干；再在电极表面涂敷一层厚度为25nm的石墨締浆料，烘干、冷压、分条、焊接得 到正极片待用；
[0063] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0064] 实施例10,与实施例1不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0065] 底层涂层制备：将硫单质气相沉积在侣锥上，沉积厚度为500nm，得到底层涂层待 用；
[0066] 类石墨締浆料配制：将氧化石墨締（片层厚度h为3nm，平面等效直径d为IOnm)、 PVDF(质量比为8:2)分散于NMP中得到氧化石墨締浆料待用；
[0067] 正极电极片的制备：在上述底层涂层表面涂敷一层厚度为2ym的氧化石墨締浆 料，烘干、冷压、分条、焊接得到正极片待用；
[0068] 其它与实施例1的相同，运里不再重复。
[0069] 实施例11，与实施例8不同的是，本实施例包括如下步骤：
[0070] 电极浆料的配制：将硫单质、导电碳、PVDF(硫单质：导电碳：PVDF = 30:50:20) 分散于NMP