用于组织治疗的孔隙率可控的装置、使用方法和制造方法与流程

技术特征：
1.一种气囊，所述气囊包括：第一多孔隔膜，所述第一多孔隔膜包括第一微观结构，所述第一微观结构构造成响应于流体的引入而在膨胀压力下并以一膨胀速率膨胀到名义尺寸，并且在比灌注开始时的阈值灌注压力低的压力下抵抗流体流动通过所述第一多孔隔膜，以及第二多孔隔膜，所述第二多孔隔膜包括与所述第一微观结构不同的第二微观结构，所述第二微观结构构造成抵抗由所述第一多孔隔膜在膨胀时产生的流体静力负载，其中，所述阈值灌注压力等于或大于实现所述名义尺寸所需的膨胀压力，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的最终压力比所述阈值灌注压力大，并且在所述最终压力下，所述第一多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨胀速率。2.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述阈值灌注压力等于或大于13个大气压。3.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜包括ePTFE。4.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述第一多孔隔膜包括平均流动孔尺寸，所述平均流动孔尺寸在灌注之前和灌注过程中基本上相同。5.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜构造成灌注治疗剂。6.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述气囊是可顺应的。7.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述气囊最小程度地扩大超过所述名义尺寸。8.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，具有中间部分的所述气囊以基本上与在所述中间部段内的每相邻单位面积的速率相同的每单位面积的速率进行灌注。9.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述第一多孔隔膜至少部分地设置在所述第二多孔隔膜内。10.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，还包括第三多孔隔膜，其中所述第二多孔隔膜至少部分地位于所述第三多孔隔膜内，其中所述第三多孔隔膜便于粘合到细长构件。11.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，治疗剂设置在所述第一多孔隔膜的外表面上。12.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述气囊在扩张状态下的尺寸能够使体腔扩开。13.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，所述气囊在比所述阈值灌注压力小的压力下是可透气的。14.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，还包括支架和粘合剂，其中所述支架设置在所述气囊的至少一部分上，并且所述粘合剂将所述支架粘合到所述气囊。15.如权利要求14所述的气囊，其特征在于，还包括溶剂，其中所述溶剂能够灌注通过所述第一多孔隔膜和所述第二多孔隔膜，并且溶解粘合剂。16.如权利要求1所述的气囊，其特征在于，基于所述阈值灌注压力，所述第一多孔隔膜是可选地可灌注的。17.如权利要求16所述的气囊，其特征在于，所述第一多孔隔膜构造成灌注第一剂并且不灌注第二剂。18.如权利要求17所述的气囊，其特征在于，所述第二剂包括对比剂。19.一种气囊装置，所述气囊装置包括：多孔隔膜，所述多孔隔膜构造成响应于引入流体在第一压力下并且以一膨胀速率而扩张到扩张状态，并且在比灌注开始时的第二压力小的压力下抵抗流体流动通过所述多孔隔膜，其中，流体在第二压力以上开始灌注通过所述多孔隔膜，所述第二压力是等于或大于所述第一压力中的至少一种，以及治疗剂，所述治疗剂位于气囊下方的细长构件的部段上，其中，所述第二压力等于或大于所述第一压力，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大，并且在所述第三压力下，所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨胀速率。20.如权利要求19所述的气囊装置，其特征在于，所述第二压力等于或大于13个大气压。21.如权利要求19所述的气囊装置，其特征在于，规定剂量的治疗剂灌注通过所述气囊装置。22.如权利要求19所述的气囊装置，其特征在于，所述多孔隔膜具有基本上等于每相邻单位面积的灌注率的每单位面积的灌注率。23.一种气囊，所述气囊包括：多孔隔膜，所述多孔隔膜构造成响应于流体的引入而在第一压力下并且以一膨胀速率来扩张到扩张状态，并且在第二压力下灌注流体，其中所述多孔隔膜具有至少15平方米/克的微观结构表面积，其中，所述第二压力等于或大于所述第一压力，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大，并且在所述第三压力下，所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨胀速率。24.如权利要求23所述的气囊，其特征在于，所述微观结构表面积为至少20平方米/克。25.如权利要求23所述的气囊，其特征在于，所述第二压力为至少10个大气压。26.如权利要求23所述的气囊，其特征在于，所述多孔隔膜包括ePTFE。27.一种气囊，所述气囊包括：多孔隔膜，所述多孔隔膜包括原纤维，并构造成响应于在第一压力下引入流体而膨胀到名义尺寸，其中流体在第二压力下开始基本上灌注通过气囊，所述第二压力至少等于或大于所述第一压力，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大，并且在所述第三压力下，所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨胀速率。28.一种气囊，所述气囊包括：隔膜，所述隔膜包括多孔微观结构并构造成响应于在第一压力下引入流体而膨胀到名义尺寸，其中流体在第二压力下开始基本上灌注通过气囊，所述第二压力至少等于或大于所述第一压力，其中所述第二压力至少是6个大气压，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大。29.一种制造气囊装置的方法，包括：制造包括渗漏控制层和加强层并限定内部体积的气囊，所述气囊构造成响应于在第一压力下引入流体而扩张到名义尺寸，其中流体在第二压力以上灌注通过气囊，所述第二压力是等于或大于第一压力中的至少一种，且所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大；将所述气囊设置在具有内腔的细长构件上；以及将所述气囊的内部体积置于与所述内腔流体连通。30.如权利要求29所述的方法，其特征在于，其中所述气囊最小程度地扩大超出所述名义尺寸。31.如权利要求29所述的方法，其特征在于，其中所述气囊还包括密封层。32.如权利要求29所述的方法，其特征在于，制造气囊包括带缠绕第一多孔隔膜以形成渗漏控制层和将第二多孔隔膜带缠绕到所述第一多孔隔膜的至少一部分周围以形成所述加强层。33.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所述渗漏控制层和所述加强层包括ePTFE。34.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所述第一压力在至少4个大气压到50个大气压之间。35.如权利要求29所述的方法，其特征在于，所述第二压力是13个大气压。36.如权利要求29所述的方法，其特征在于，还包括用治疗剂涂覆所述渗漏控制层。37.一种气囊，所述气囊包括：多孔隔膜，所述多孔隔膜构造成响应于在第一压力下引入流体而膨胀到名义尺寸，其中流体在第二压力下开始基本上灌注通过所述多孔隔膜，所述第二压力至少等于或大于所述第一压力，其中，所述气囊能收缩到第三压力以停止灌注，并且再膨胀到流体开始灌注的第四压力，所述第四压力在所述第二压力的10％以内，以及其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第五压力比所述第四压力和所述第二压力大。38.一种气囊，所述气囊包括：多孔隔膜，所述多孔隔膜具有外表面并构造成响应于在第一压力下引入流体而膨胀到名义尺寸，其中流体在第二压力下开始基本上灌注通过所述多孔隔膜，所述第二压力至少等于或大于所述第一压力；以及带纹理网络，所述带纹理网络设置在所述多孔隔膜的外表面的至少一部分上，并包括多个空隙，其中，所述气囊的最大工作压力被超过时的第三压力比所述第二压力大，并且在所述第三压力下，所述多孔隔膜的灌注率等于或大于所述膨胀速率。39.如权利要求38所述的气囊，其特征在于，所述带纹理网络是热塑性元件的连贯的不规则网络。40.如权利要求38所述的气囊，其特征在于，所述多孔隔膜的外表面的所述部分包括至少为35微米的Sp值。