专利名称：一种掩膜版清洗装置的制作方法
技术领域：
本实用新型属于清洗装置技术领域，尤其涉及一种掩膜版清洗装置。
背景技术：
掩膜版制作过程中，尤其是铬板掩膜版的制作过程，清洗是要求非常高的 一道工序，即要求清洗掩膜版正反两面的尘粒、脏印、水渍。现有的手工清洗 槽多属于浸泡式，操作不方便且易造成第二次污染和划痕等缺陷。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种掩膜版清洗装置，旨在解决现有技术中的 掩膜版清洗装置在清洗时容易产生产品缺陷的问题。
本实用新型是这样实现的， 一种掩膜版清洗装置，包括一清洗槽，所述清 洗槽中设有一梯形架和与所述梯形架一端连接的一平台，所述掩膜版两端分别 以线接触的方式置于所述梯形架的斜面和所述平台上。
本实用新型通过^f吏掩膜版两端分别以线接触的方式置于梯形架的斜面和 平台上，与传统浸泡式的面接触方式相比，可以避免因掩膜版的背面摩4察而导
致的划痕缺陷，有效地保证了产品质量，提高了产品的良品率；另外，去 离子水通过溢流槽后在梯形架的斜面上形成一均匀水幕，可使去离子水以 漫流方式自上而下均匀沖洗掩膜版表面，掩膜版表面的水渍以及脏印即可 得到有效的清洗。
图1是本实用新型实施例提供的一种掩膜版清洗装置的示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图 及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图1所示为本实用新型提供的一种掩膜版清洗装置，其包括一清洗槽l、两
进水口 5、 一溢流槽4、 一梯形架3、 一平台9。所述溢流槽4、梯形架3和平 台9都设置于所述清洗槽1里，所述溢流槽4和平台9分别位于所述梯形架3 的两端，且所述溢流槽4的出水口位于所述梯形架3上方；所述掩膜版2两端 分别以线接触的方式置于所述梯形架3的斜面和所述平台9上，与传统浸泡式 的面接触方式相比，避免了因掩膜版2的背面摩擦而导致的划痕缺陷；所述进 水口 5设在清洗槽1的一侧面下方，且与所述溢流槽4连通；所述清洗槽1固 定在一支架8上。
清洗时，去离子水通过与进水口 5接通的进水管6进入溢流槽4，通过溢流 槽4后在梯形架3的斜面上形成一均匀水幕，这样去离子水以漫流方式均匀冲 洗掩膜版2表面，掩膜版2表面的水渍以及脏印即可得到有效的清洗。清洗完 后，去离子水再通过出水管7回收处理，避免了直接排放对环境的污染。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型， 凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种掩膜版清洗装置，包括一清洗槽，其特征在于所述清洗槽中设有一梯形架和与所述梯形架一端连接的一平台，所述掩膜版两端分别以线接触的方式置于所述梯形架的斜面和所述平台上。
2、 如权利要求1所述的一种掩膜版清洗装置，其特征在于所述清洗槽中 还设有一溢流槽，所述溢流槽出水口位于所述梯形架上方。
3、 如权利要求2所述的一种掩膜版清洗装置，其特征在于所述清洗槽的 一侧面下方开设有进水口 ，所述进水口与所述溢流槽连通。
专利摘要本实用新型适用于清洗装置技术领域，提供了一种掩膜版清洗装置，包括一清洗槽，所述清洗槽中设有一梯形架和与所述梯形架一端连接的一平台，所述掩膜版两端分别以线接触的方式置于所述梯形架的斜面和所述平台上。在本实用新型中，掩膜版两端分别以线接触的方式置于梯形架的斜面和平台上，与传统浸泡式的面接触方式相比，本实用新型可以避免因掩膜版的背面摩擦而导致的划痕缺陷；另外，去离子水通过溢流槽后在梯形架的斜面上形成一均匀水幕，使去离子水以漫流方式均匀冲洗掩膜版表面，掩膜版表面的水渍以及脏印即可得到有效的清洗。
文档编号B08B3/04GK201235357SQ20082014715
公开日2009年5月13日 申请日期2008年9月10日 优先权日2008年9月10日
发明者熊启龙 申请人:清溢精密光电(深圳)有限公司