专利名称：一种可异地加工的低辐射玻璃的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种镀膜玻璃，尤其是涉及一种可异地加工的低辐射玻璃。
背景技术：
我们知道，低辐射玻璃在倡导低能耗的现今社会，是非常受欢迎的，其在反射和吸 收太阳光方面比透明玻璃都要高出很多，但是我们也知道，过分的高反射和高吸收也会带 来一些副作用，一是可见光透过率太低影响白天室内照明，二是玻璃过度升温可能引起热 应力炸裂，三是反射太高引起所谓光污染，因此，镀膜玻璃对太阳光的反射和吸收具体要控 制在什么程度，还要根据具体的环境和要求来决定，另外，镀膜玻璃对可见光和太阳能的透 过率、反射率、吸收率这些基本参数取决于镀膜玻璃的的薄膜的材料以及薄膜的层数结构， 因此，镀膜玻璃上镀覆的材料的选择、层数的限定，以及镀膜质量的好坏都直接影响着镀膜 玻璃的性能。此外，传统的低辐射玻璃由于其结构上的限制，只能采用先钢化后镀膜的方式来 进行生产，使得生产工艺复杂，且成本高，而且造成传统的低辐射玻璃的性能存在缺陷。
实用新型内容为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种能有效降低玻璃表面 的反射率、并提高玻璃对光谱的选择性的可异地加工的低辐射玻璃。本实用新型是通过以下技术方案来实现的一种可异地加工的低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括 以浮法玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、第三电介 质层、^Vg层、第二保护层、外层第一电介质层、外层第二电介质层和外层第三电介质层。所述的第一电介质层、第二电介质层、外层第一电介质层和外层第二电介质层的 材料分别选自 Si3N4、SiNxOy, TiO2, ZAO、ZnSnOx, SnO2, ZnO2, SiO2, Ta2O5, BiO2, ZnAl2O5, Nb2O5 中的一种或几种。所述的外层第三电介质层的材料为灶02。所述的第三电介质层的材料为&10。所述的第一保护层、第二保护层的材料分别选自NiCr、NiCrOx, NiCrNx, CrNx, ZAO 中的一种或几种。本实用新型的有益效果是本实用新型通过其自身特殊的膜层结构，使得其加工 方法发生了改变，可实现先镀膜再进行改切、磨边、钢化等后续加工，简化了工艺步骤，降低 了生产成本，而最重要的是，本实用新型极大地降低了玻璃表面的辐射率，并提高了玻璃对 光谱的选择性，使其使用性能达到了最佳。
图1为本实用新型一实施例的结构示意图。[0013]图中主要附图标记含义为1、浮法玻璃2、第一电介质层4、第一保护层5、第三电介质层7、第二保护层8、外层第一电介质层10、外层第三电介质层
具体实施方式
下面将结合附图，详细说明本实用新型的具体实施方式
图1为本实用新型一实施例的结构示意图。如图1所示可异地加工的低辐射玻璃，包括浮法玻璃1和镀膜层，其中，镀膜层包 括以浮法玻璃1为基础层向外依次镀覆的第一电介质层2、第二电介质层3、第一保护层4、 第三电介质层5、Ag层6、第二保护层7、外层第一电介质层8、外层第二电介质层9和外层 第三电介质层10。其中，第一电介质层2、第二电介质层3、外层第一电介质层8和外层第二电介质层 9 的材料分别选自 Si3N4、SiNxOy, TiO2, ZAO、ZnSnOx, SnO2, ZnO2, SiO2, Ta2O5, BiO2, ZnAl2O5, Nb2O5中的一种或几种。而外层第三电介质层10的材料为&02，以提高对整体膜层的保护，第三电介质 层5的材料为&10，以改善银层的结晶条件，第一保护层4和第二保护层7的材料分别选自 NiCr, NiCrOx, NiCrNx, CrNx，ZAO 中的一种或几种。此外，本实用新型的生产工艺为首先选用新鲜的浮法玻璃1，然后通过清洗机清 洗达到要求后，按顺序依次镀制第一电介质层2、第二电介质层3、第一保护层4、第三电介 质层5、Ag层6、第二保护层7、外层第一电介质层8、外层第二电介质层9和外层第三电介 质层10，最后经喷塑胶粉粒处理后用PE布密封包装。更为具体的是其中的第一电介质层2、第二电介质层3、外层第一电介质层8和外 层第二电介质层9是通过双旋转阴极、中频磁控溅射形成的，其中溅射条件为背景真空度 在IO-6Hibar条件下，充入Ar和反应气体(02或N2)的混合气体，保持真空度在10_3mbar左
右ο而外层第三电介质层10则通过旋转阴极或平面阴极溅射形成，其中溅射条件为 背景真空度在10_6mbar条件下，充入Ar和反应气体02的混合气体，然后保持真空度在 10—3mbar 左右。第三电介质层5通过旋转阴极或平面阴极溅射形成，其中溅射条件为背景真空 度在10_6mbar条件下，充入Ar和反应气体02的混合气体，然后保持真空度在10_3mbar左
右ο第一保护层4和第二保护层7通过平面阴极溅射形成，其中溅射条件为背景真空 度在10_6mbar条件下，充入Ar或Ar与反应气体(02或拟)的混合气体，然后保持真空度在 lCr3mbar 左右。而Ag层6则通过平面阴极溅射形成，其中溅射条件为背景真空度在10_6mbar条 件下，充入Ar或Ar与少量02的混合气体，然后保持真空度在lO—^ibar左右。具体实施例1
3、第二电介质层 6、Ag 层
9、外层第二电介质层[0030]第一电介质层2和外层第二电介质层8选用Si3N4，其中第一电介质层2的膜层厚 度为13nm 14nm，而外层第一电介质层8的膜层厚度为30nm 31nm，而第一保护层4和 第二保护层7选用NiCr，其中第一保护层4的膜层厚度为1. 9nm 2. lnm，而第二保护层7 的膜层厚度为2. 9nm 3. lnm，此外，Ag层6的膜层厚度为IOnm llnm，第三电介质层5的 膜层厚度为6nm 6. 3nm,而第二电介质层选用TiO2,其膜层厚度为12nm 13nm，外层第一 电介质层选用SiSnO3,其膜层厚度为5. Snm 6. 4nm，此外，外层第三电介质层的膜层厚度 为 5nm 5. 2nm。上述实施例的生产步骤为所有Si3N4膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅 射，工艺气体为Ar和队的混合气体，溅射功率为20kw lOOkw，中频电源频率为20kHz 50kHz ；Ti02膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射，工艺气体为Ar和02的混合气体， 溅射功率为20kw lOOkw，中频电源频率为IOkHz 50kHz ；ZnSnO3膜层采用双阴极旋转靶在中频电源下溅射，工艺气体为Ar和02的混合气 体，溅射功率为IOkw lOOkw，中频电源频率为20kHz 50kHz ；所有MCr膜层采用平面阴极在直流电源下溅射，工艺气体为Ar气，溅射功率为 3. 5kw 20kw ；Ag膜层采用平面阴极在直流电源下溅射，工艺气体为Ar，溅射功率为5kw 15kw ；Zr02膜层采用平面阴极在直流电源下溅射，工艺气体为Ar和02气的混合气体，溅 射功率为Iw 20kw。本实用新型的生产工艺简单，降低了生产成本，并极大地降低了玻璃表面的辐射 率，并提高了玻璃对光谱的选择性，使其使用性能达到了最佳。以上已以较佳实施例公开了本实用新型，然其并非用以限制本实用新型，凡采用 等同替换或者等效变换方式所获得的技术方案，均落在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种可异地加工的低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括以 浮法玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、第三电介质 层、^Vg层、第二保护层、外层第一电介质层、外层第二电介质层和外层第三电介质层。
2.根据权利要求1所述的一种可异地加工的低辐射玻璃，其特征在于，所述的第一 电介质层、第二电介质层、外层第一电介质层和外层第二电介质层的材料分别选自Si3N4、 SiNxOy^ Ti02、ZAO> ZnSnOx> SnO2> ZnO2> Si02、Ta2O5^ Bi02、ZnAl2O5^ Nb2O5 ψ 白勺一禾中。
3.根据权利要求1所述的一种可异地加工的低辐射玻璃，其特征在于，所述的外层第 三电介质层的材料为&02。
4.根据权利要求1所述的一种可异地加工的低辐射玻璃，其特征在于，所述的第三电 介质层的材料为aio。
5.根据权利要求1所述的一种可异地加工的低辐射玻璃，其特征在于，所述的第一保 护层、第二保护层的材料分别选自NiCr、NiCrOx、NiCrNx、CrNx，ZAO中的一种。
专利摘要本实用新型公开了一种可异地加工的低辐射玻璃，包括浮法玻璃和镀膜层，其特征在于，镀膜层包括以浮法玻璃为基础层向外依次镀覆的第一电介质层、第二电介质层、第一保护层、第三电介质层、Ag层、第二保护层、外层第一电介质层、外层第二电介质层和外层第三电介质层。本实用新型通过其自身特殊的膜层结构，使得其加工方法发生了改变，可实现先镀膜再进行改切、磨边、钢化等后续加工，简化了工艺步骤，降低了生产成本，而最重要的是，本实用新型极大地降低了玻璃表面的辐射率，并提高了玻璃对光谱的选择性，使其使用性能达到了最佳。
文档编号C03C17/36GK201817403SQ20102051541
公开日2011年5月4日 申请日期2010年9月1日 优先权日2010年9月1日
发明者林嘉宏 申请人:林嘉宏