专利名称：磁芯烧结工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及电子元件制造技术领域，特别是涉及一种磁芯的制造工艺。
背景技术：
现有技术中的磁芯烧结工艺，通常用真空泵抽取烧结炉中的氧气，用以防止烧结过程中磁芯的氧化和还原。这种生产工艺的缺陷是烧结炉中的含氧量难以控制，易于产生含氧量过低或过高的情况。烧结炉中含氧量过低时，易导致磁芯产生还原、发脆、无电感的产品缺陷；含氧量过高时易导致磁芯产生氧化、发脆的产品缺陷。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种易于控制烧结炉中含氧量，提高磁芯烧结产品质量的磁芯烧结工艺。本发明磁芯烧结工艺磁芯烧结工艺，包括升温工艺、保温工艺和降温工艺；所述升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经9 13小时加温至烧结炉内温度500 6500C，经2 4小时加温至烧结炉内温度800 950°C，经1 3小时加温至烧结炉内温度 1000 1150°C，再经1. 5 4小时加温至烧结炉内最终烧结温度1350 1450°C ；所述保温工艺为在最终烧结温度1350 1450°C保温4 9小时；所述降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测的烧结炉内温度为1200 1350°C时进行第一次氮气置换6 12分钟，直至烧结炉内氧气的含量低于1. 5%，当烧结炉内温度为1050 1150°C时进行第二次氮气置换6 12分钟，直至烧结炉内氧气含量低于 0.1%,在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，氮气置换后，经2 3小时降温至烧结炉内温度至800 1000°C，经3 5小时降温至烧结炉内温度至500 650°C，经5 8小时降温至烧结炉内温度至350 250°C，经 3 5小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。所述升温工艺优选方式为经10 11小时加温至烧结炉内温度580 620°C，经 2. 5 3. 5小时加温至烧结炉内温度880 930°C，经2 2. 8小时加温至烧结炉内温度 1000 1150°C，再经2 3. 5小时加温至烧结炉内最终烧结温度1350 1450°C。所述保温工艺优选方式为在最终烧结温度1350 1450°C时保温5 8小时。所述降温工艺优选方式为关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测定烧结炉内温度为 1200 1300°C时，进行第一次氮气置换9 12分钟，当烧结炉内温度为1000 1100°C时， 进行第二次氮气置换9 11分钟，经8 12小时降温至烧结炉内温度至800 1000°C， 经8 12小时降温至烧结炉内温度至500 650°C，经8 12小时降温至烧结炉内温度至 350 250O。本发明由于采用以上烧结工艺，与现有技术相比具有烧结后的产品表面外观一致性好、产品断面细腻、无大的结晶、无氧化、还原现象、产品性能一致性好的优点。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作详细说明实施例1 针对磁芯材料为锰锌铁氧体12K粉料、型号为T16*12*8、电感要求为 6. 5Κ的磁芯。其烧结工艺为包括升温工艺、保温工艺和降温工艺；升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经12小时加温至烧结炉内温度650°C，经2. 8小时加温至烧结炉内温度920°C，经2. 2小时加温至烧结炉内温度1150°C，再经3小时加温至烧结炉内最终烧结温度1420°C;保温工艺为在最终烧结温度保温5. 5小时；降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测定烧结炉内温度为1280°C时，进行第一次氮气置换12分钟，直至烧结炉内氧气的含量低于1.5%，当烧结炉内温度为1100°C时进行第二次氮气置换10分钟，直至烧结炉内氧气含量低于0. 1 %，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，氮气置换后，经2. 5小时降温至烧结炉内温度至880°C，经4小时降温至烧结炉内温度至600°C，经5小时降温至烧结炉内温度至320°C，经5小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。实施例2 针对磁芯材料为锰锌铁氧体IOK粉料、型号为T14*8*7、电感要求为7Κ 的磁芯，烧结工艺为包括升温工艺、保温工艺和降温工艺；升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经11小时加温至烧结炉内温度640°C，经2. 9小时加温至烧结炉内温度 910°C，经2. 4小时加温至烧结炉内温度1140°C，再经3. 1小时加温至烧结炉内最终烧结温度1400°C ；保温工艺为在最终烧结温度保温6. 5小时；降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测定烧结炉内温度为1290°C时，进行第一次氮气置换12分钟，直至烧结炉内氧气的含量低于1. 5%，当烧结炉内温度为1090°C时，进行第二次氮气置换11分钟，直至烧结炉内氧气含量低于0. 1 %，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，氮气置换后，经3小时降温至烧结炉内温度至890°C，经3. 5小时降温至烧结炉内温度至600°C，经6小时降温至烧结炉内温度至300°C，经5小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。实施例3 针对磁芯材料为锰锌铁氧体12K粉料、型号为T18*10*7、电感要求为 IOK的磁芯，烧结工艺为包括升温工艺、保温工艺和降温工艺；升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经10. 5小时加温至烧结炉内温度630°C，经3小时加温至烧结炉内温度900°C，经2. 5小时加温至烧结炉内温度1100°C，再经3. 2小时加温至烧结炉内最终烧结温度1425°C ；保温工艺为在最终烧结温度保温5. 8小时；降温工艺包括关闭烧结炉炉门， 检测无漏气并测定烧结炉内温度为1270°C时，进行第一次氮气置换11分钟，直至烧结炉内氧气的含量低于1. 5%，当烧结炉内温度为1150°C时，进行第二次氮气置换11分钟，直至烧结炉内氧气含量低于0. 1 %，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，氮气置换后，经2. 8小时降温至烧结炉内温度至890°C，经4小时降温至烧结炉内温度至620°C，经6小时降温至烧结炉内温度至300°C，经6小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。氮气置换过程磁芯烧结炉对称设置有充氮阀和排气阀，先将充氮阀打开向炉内冲入氮气，当炉内压力不低于2兆帕时打开排气阀，一边充氮一边排气。在此氮气置换过程中，始终保持烧结炉内气压不低于2兆帕，直至炉内含氧量满足烧结工艺要求为止。
权利要求
1.一种磁芯烧结工艺，包括升温工艺、保温工艺和降温工艺，其特征在于所述升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经9 13小时加温至烧结炉内温度500 6500C，经2 4小时加温至烧结炉内温度800 950°C，经1 3小时加温至烧结炉内温度 1000 1150°C，再经1. 5 4小时加温至烧结炉内最终烧结温度1350 1450°C ；所述保温工艺为在最终烧结温度1350 1450°C时保温4 9小时；所述降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测的烧结炉内温度为1200 1350°C时进行第一次氮气置换6 12分钟，直至烧结炉内氧气的含量低于1.5%，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，当烧结炉内温度为1050 1150°C时进行第二次氮气置换6 12分钟，直至烧结炉内氧气含量低于0. 1%，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕，氮气置换后，经2 3小时降温至烧结炉内温度至800 1000°C，经3 5小时降温至烧结炉内温度至500 650°C，经5 8小时降温至烧结炉内温度至350 250°C，经3 5小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。
2.根据权利要求1所述的磁芯烧结工艺，其特征在于所述升温工艺为经10 11小时加温至烧结炉内温度580 620°C，经2. 5 3. 5小时加温至烧结炉内温度880 930°C， 经2 2. 8小时加温至烧结炉内温度1000 1150°C，再经2 3. 5小时加温至烧结炉内最终烧结温度1350 1450°C。
3.根据权利要求1所述的磁芯烧结工艺，其特征在于所述保温工艺为在最终烧结温度1350 1450°C保温5 8小时。
4.根据权利要求1所述的磁芯烧结工艺，其特征在于降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测定烧结炉内温度为1200 1300°C时，进行第一次氮气置换9 12分钟，当烧结炉内温度为1000 1100°C时，进行第二次氮气置换9 11分钟，经8 12小时降温至烧结炉内温度至800 1000°C，经8 12小时降温至烧结炉内温度至500 650°C， 经8 12小时降温至烧结炉内温度至350 250°C。
5.根据权利要求1所述的磁芯烧结工艺，其特征在于所述烧结工艺为升温工艺包括磁芯放置于经检测后的烧结炉中，经12小时加温至烧结炉内温度650°C，经2. 8小时加温至烧结炉内温度920°C，经2. 2小时加温至烧结炉内温度1150°C，再经3小时加温至烧结炉内最终烧结温度1420°C;保温工艺为在最终烧结温度保温5. 5小时；降温工艺包括关闭烧结炉炉门，检测无漏气并测定烧结炉内温度为1280°C时，进行第一次氮气置换12分钟， 直至烧结炉内氧气的含量低于1.5%，当烧结炉内温度为1100°C时进行第二次氮气置换10 分钟，直至烧结炉内氧气含量低于0. 1%，在氮气置换过程中保持烧结炉内气压不低于2兆帕；氮气置换后，经2. 5小时降温至烧结炉内温度至880°C，经4小时降温至烧结炉内温度至600°C，经5小时降温至烧结炉内温度至320°C，经5小时降温低于200°C出炉，降温的过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。
全文摘要
本发明公开了一种磁芯烧结工艺，涉及电子元件制造技术领域。其包括升温工艺、保温工艺和降温工艺；所述降温工艺包括二次氮气置换过程，且在降温和氮气置换过程中始终充氮保持烧结炉内气压不低于2兆帕。本发明由于采用以上烧结工艺，与现有技术相比具有烧结后的产品表面外观一致性好、产品断面细腻、无大的结晶、无氧化、还原现象、产品性能一致性好的优点。
文档编号C04B35/64GK102219529SQ201110074089
公开日2011年10月19日 申请日期2011年3月21日 优先权日2011年3月21日
发明者徐本文 申请人:临沂众泰电子有限公司