玻璃基板的制造方法

玻璃基板的制造方法
【专利摘要】本发明涉及玻璃基板的制造方法。在玻璃基板的制造过程中使用由铂或铂合金而制成的熔融玻璃处理装置中，能够抑制已挥发的铂或铂合金等的挥发物凝集。将熔融玻璃导到成形装置时，使用一种熔融玻璃处理装置将熔融玻璃导到成形装置，该熔融玻璃处理装置包括：液相空间，包含熔融玻璃；气相空间，相对于上述熔融玻璃的液面位于液面上方；及内壁，形成上述液相空间及上述气相空间，且上述气相空间的至少一部分由含有铂族金属的材料构成。在气相空间中形成气流，使气流不通过温度低于所述气相空间中所含有的铂族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域。
【专利说明】玻璃基板的制造方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种玻璃基板的制造方法，通过将使玻璃原料熔融而生成的熔融玻璃成形来制造玻璃基板。

【背景技术】
[0002]玻璃基板一般经过利用玻璃原料生成熔融玻璃之后将熔融玻璃成形为玻璃基板的步骤而制造。
[0003]但是，为了从高温的熔融玻璃批量生产高品位的玻璃基板，需要考虑在玻璃基板制造过程中的任一装置也不要将有可能成为玻璃基板的缺陷的主要原因的杂质等混入到熔融玻璃中。因此，在玻璃基板的制造过程中与熔融玻璃接触的构件的内壁必须根据与该构件接触的熔融玻璃的温度、所要求的玻璃基板的品质等而由恰当的材料构成。例如，已知构成澄清管的管材通常使用钼族金属或属于钼族金属的多种金属的合金(以下简称为钼或钼合金等)(专利文献I)。钼或钼合金等虽然价格较高但熔点高且对于熔融玻璃的耐蚀性也优异，所以，适合用于澄清管或搅拌槽。
[0004]【背景技术】文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1:日本专利特表2006-522001号公报


【发明内容】

[0007]发明所要解决的问题
[0008]但是，钼或钼合金存在下列问题，即在高温下会发生挥发的问题。而且，还会出现以下担忧，即由该钼或钼合金等的挥发物在包围气相空间的壁面凝集所出现的结晶(钼杂质或钼合金杂质)的一部分作为微粒子混入至熔融玻璃中，从而会导致玻璃基板的品质下降。
[0009]来源于所述钼或钼合金等的挥发物的凝集物的微粒子混入至熔融玻璃的问题，在随着近年来的高精细化而品质要求越来越严格的以液晶显示器为代表的平板显示器(FPD，FlatPanelDisplay)用玻璃基板中成了更重大的问题。
[0010]鉴于以上问题，本发明的目的在于提供一种玻璃基板的制造方法，在玻璃基板的制造过程中使用至少一部分由包含钼族金属的材料构成的装置中，能够抑制已挥发的钼或钼合金等的挥发物的凝集的方法。
[0011]解决问题的技术手段
[0012]本发明包括以下的方式。
[0013](方式I)
[0014]玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括:
[0015]熔解步骤，将玻璃原料熔解而制造熔融玻璃；以及
[0016]处理步骤，在熔融玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述熔融玻璃处理装置包括:包含所述熔融玻璃的液相空间以及由所述熔融玻璃的液面与内壁所形成的气相空间，所述熔融玻璃处理装置中包围所述气相空间的内壁的至少一部分由含有钼族金属的材料构成，
[0017]在处理步骤中使所述熔融玻璃处理装置的所述气相空间中形成气流，且使所形成的所述气流通过温度高于所述气相空间中所含有的钼族金属处于饱和蒸汽压的温度的区域。
[0018](方式2)
[0019]玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括:
[0020]熔解步骤，将玻璃原料熔解而制造熔融玻璃；以及
[0021]处理步骤，在熔融玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述熔融玻璃处理装置包括:包含所述熔融玻璃的液相空间以及由所述熔融玻璃的液面与内壁所形成的气相空间，所述熔融玻璃处理装置中包围所述气相空间的内壁的至少一部分由含有钼族金属的材料构成，
[0022]在所述处理步骤中使所述熔融玻璃处理装置的所述气相空间内形成气流，且使形成的所述气流不通过温度低于所述气相空间中所含有的钼族金属处于饱和蒸汽压的温度的区域。
[0023](方式3)
[0024]根据方式I或2所述的玻璃基板的制造方法，
[0025]所述气流为从与所述气相空间接触的所述熔融玻璃处理装置的内壁的温度较低的部分朝向温度较高的部分流动的气流。
[0026](方式4)
[0027]根据方式I至3任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0028]所述气流是通过调整所述气相空间内的压力从而被形成。
[0029](方式5)
[0030]根据方式I至4任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0031]所述气流通过向所述气相空间内导入气体从而被形成。
[0032](方式6)
[0033]根据方式5所述的玻璃基板的制造方法，
[0034]通过改变导入所述气体的气体量从而调整所述气相空间内的压力分布。
[0035](方式7)
[0036]根据方式5或6所述的玻璃基板的制造方法，
[0037]根据在所述气相空间上的位置设置用于向所述气相空间导入气体的气体导入口从而调整所述气流的朝向，其中通过产生强制对流从而调整气流的朝向。
[0038](方式8)
[0039]根据方式5至7任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0040]当向所述气相空间导入气体时，通过根据所述气体的导入的方向改变气流的方向从而调整所述气相空间内的压力分布，其中通过产生强制对流从而调整气流的朝向。
[0041](方式9)
[0042]根据方式5至8任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0043]所述气体从与所述气相空间接触的所述熔融玻璃处理装置的内壁中与周围的温度相比温度较低的部分导入所述气相空间。
[0044](方式10)
[0045]根据方式5至9任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0046]所述气体对于所述熔融玻璃以及所述钼族金属是没有活性的气体。
[0047](方式11)
[0048]根据方式I至10任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0049]所述气流通过利用被设置为与所述气相空间连接的抽吸装置调整所述气相空间内的压力分布从而被形成。
[0050](方式12)
[0051]根据方式10至11任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0052]通过改变所述抽吸装置的抽吸压力从而调整所述气相空间内的压力。
[0053](方式13)
[0054]根据方式11至12任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0055]通过改变所述气相空间内所述抽吸装置的抽吸口的位置从而调整所述气相空间内的压力分布。
[0056](方式14)
[0057]根据方式I至4任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0058]在所述熔融玻璃装置中，进行所述熔融玻璃的澄清，
[0059]通过调整在所述气相空间中从所述熔融玻璃排出气体的气体排出量或在所述气相空间内排出气体的排出区域从而调整所述气流，所述气流通过调整所述气体排出量以及所述排出区域中的至少一方从而调整气相空间内的压力分布或者压力，通过该调整所述气流被调整。
[0060](方式15)
[0061]根据方式14所述的玻璃基板的制造方法，
[0062]所述气体排出量以及所述排出区域中的至少一方的调整通过在所述熔融玻璃处理装置中熔融玻璃的温度履历的调整而进行。
[0063](方式16)
[0064]根据方式15所述的玻璃基板的制造方法，
[0065]所述熔融玻璃的温度履历的调整是通过调整供给所述熔融玻璃的供给热量以使加热所述熔融玻璃而进行的。
[0066](方式17)
[0067]根据方式15或16所述的玻璃基板的制造方法，
[0068]所述熔融玻璃在所述熔融玻璃处理装置的被通电加热的管中流动，
[0069]所述熔融玻璃的温度履历的调整是通过调整在所述管中用于通电加热所述管的流动的电流、或者调整与所述管的场所对应的电流而进行的。
[0070](方式18)
[0071]根据方式14至17任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0072]通过调整所述熔解步骤中的熔融玻璃温度和所述处理步骤中的熔融玻璃温度的差，从而调整所述气体排出量或所述排出区域。
[0073](方式19)
[0074]根据方式I至18任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0075]所述玻璃基板含有氧化锡为0.01摩尔％?0.3摩尔％。
[0076](方式20)
[0077]根据方式I至19任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0078]所述内壁的最高温度为1400°C以上1750°C以下。
[0079](方式21)
[0080]根据方式I至20任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0081]所述内壁的最低温度为1200°C以上1630°C以下。
[0082](方式22)
[0083]根据方式I至21任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0084]所述内壁的温度最高部分与最低部分之间的温度差为50°C以上300°C以下。
[0085](方式23)
[0086]根据方式I至22任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0087]所述熔融玻璃处理装置是进行所述熔融玻璃的澄清并使通过所述澄清生成的气体通过连接所述气相空间与大气的透气管向大气排出的澄清槽，所述气流是朝向所述透气管的流体。
[0088](方式24)
[0089]根据方式I至23任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0090]所述熔融玻璃装置是澄清槽，该澄清槽进行所述熔融玻璃的澄清并使通过所述澄清生成的气体通过连接所述气相空间与大气的透气管向大气排出，
[0091]所述澄清槽包含长条状的澄清管，
[0092]所述澄清管沿在所述澄清管内流动的所述熔融玻璃的流动方向形成温度分布。
[0093](方式25)
[0094]根据方式I至24任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0095]所述玻璃基板是显示器用玻璃基板。
[0096](方式26)
[0097]根据方式I至25任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0098]在所述气相空间内，调整所述气相空间内的压力以使温度越高压力越低。
[0099](方式27)
[0100]根据方式5至10任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0101]所述熔融玻璃处理装置是进行所述熔融玻璃的澄清并使通过所述澄清生成的气体通过连接所述气相空间与大气的透气管向大气排出的澄清槽，
[0102]所述澄清槽包含长条状的澄清管，在所述澄清管设置有包围所述澄清管的长度方向的一部分的位置的外周的凸缘，所述气体从所述澄清管的所述凸缘被设置的部分被导入。
[0103](方式28)
[0104]根据方式27所述的玻璃基板的制造方法，
[0105]所述凸缘是以包围所述澄清管的长度方向的至少2处位置的外周的方式设置至少2个，所述透气管是在所述长度方向的所述至少2处之间设置至少I个，所述气体是从所述至少2处导入到所述气相空间内制造朝向相互对向的方向流动的气流，并从所述至少I个透气管排出。
[0106](方式29)
[0107]根据方式I至28任一项所述的玻璃基板的制造方法，
[0108]所述熔融玻璃处理装置是通过利用所述熔融玻璃处理装置的通电使所述熔融玻璃处理装置发热来调整所述熔融玻璃的温度的构成。
[0109](方式3O)
[0110]处理熔融玻璃的熔融玻璃处理装置，包括:
[0111]内壁，至少一部分由含有钼族金属的材料构成；
[0112]液相空间，包含熔融玻璃；以及
[0113]气相空间，由所述熔融玻璃的液面与所述内壁所形成，
[0114]在所述气相空间中形成气流，
[0115]所述气流通过温度高于所述气相空间中所含有的钼族金属处于饱和蒸汽压的温度的区域。
[0116](方式31)
[0117]处理熔融玻璃的熔融玻璃处理装置，包括:
[0118]内壁，至少一部分由含有钼族金属的材料构成；
[0119]液相空间，包含熔融玻璃；以及
[0120]气相空间，由所述熔融玻璃的液面与所述内壁所形成，
[0121]在所述气相空间中形成气流，
[0122]所述气流不通过温度低于所述气相空间中所含有的钼族金属处于饱和蒸汽压的温度的区域。
[0123](方式32)
[0124]根据方式30或31所述的熔融玻璃处理装置，
[0125]所述气流为从与所述气相空间接触的所述内壁中温度较低的部分朝向所述内壁的温度较高的部分流动的气流。
[0126](方式33)
[0127]根据方式30至32所述的熔融玻璃处理装置，包括:
[0128]压力调整装置，调整所述气相空间内的压力以使形成所述气流。
[0129](方式34)
[0130]根据方式30至33任一项所述的熔融玻璃处理装置，
[0131]在所述气相空间内，调整(控制)所述气相空间内的压力以使温度越高压力越低。
[0132](方式35)
[0133]一种玻璃基板的制造装置，包括:
[0134]溶解玻璃原料且制造熔融玻璃的溶解装置，以及
[0135]根据方式30至34任一项所述的熔融玻璃处理装置。
[0136](方式36)
[0137]一种玻璃基板的制造装置，包括:
[0138]溶解玻璃原料且制造熔融玻璃的溶解装置，以及
[0139]根据方式30至34任一项所述的熔融玻璃处理装置。
[0140]发明的效果
[0141]根据上述方式的玻璃基板的制造方法、制造装置及熔融玻璃处理装置，可以抑制已挥发的钼或钼合金等的凝集。

【专利附图】

【附图说明】
[0142]图1是表示本实施方式的玻璃基板的制造方法的步骤的一例的图。
[0143]图2是示意性地表示进行本实施方式中的熔解步骤?切断步骤的装置的一例的图。
[0144]图3(a)是对本实施方式的澄清槽进行说明的立体图，图3(b)是对本实施方式的澄清管内部的气体流动的一例进行说明的图，图3(c)是对澄清管内部的气体流动的另一例进行说明的图。
[0145]图4是表示本实施方式的澄清管内壁的长度方向温度分布的一例的图。

【具体实施方式】
[0146]以下，对本实施方式的玻璃基板的制造装置、玻璃基板的制造方法及熔融玻璃处理装置进行说明。图1是表示本发明的玻璃基板制造方法的步骤的一例的图。
[0147]以下说明的钼或钼合金等是钼族金属，包括钼、钌、铑、钯、锇、铱及这些金属的合金。
[0148]玻璃基板的制造方法主要包括熔解步骤(STl)、澄清步骤(ST2)、均质化步骤(ST3)、成形步骤(ST4)、缓冷步骤(ST5)及切断步骤(ST6)。除此以外，还包括研削步骤、研磨步骤、清洗步骤、检查步骤、捆包步骤等，捆包步骤中层叠的多个玻璃基板被搬送给订货方的商家。
[0149]熔解步骤(STl)是在熔解槽中进行。在熔解步骤中，向熔解槽中所储存的熔融玻璃的液面投入玻璃原料，由此制造熔融玻璃。另外，优选在玻璃原料中添加澄清剂。关于澄清剂，从降低环境负荷的方面来说，适合使用氧化锡。
[0150]澄清步骤(ST2)是在澄清槽的由钼或钼合金等构成的澄清管的内部进行。在澄清步骤中，澄清槽的管内的熔融玻璃升温。在该过程中，澄清剂成为通过还原反应释放氧之后作为还原剂发挥作用的物质。熔融玻璃中所含有的包含o2、co2或SO2的气泡与通过澄清剂的还原反应所产生的O2合为一体从而体积变大，上浮至熔融玻璃的液面破裂而消失。气泡中所包含的气体是通过设置在澄清槽的气相空间而释放到外部气体中。
[0151]然后，在澄清步骤中，使熔融玻璃的温度下降。在该过程中，通过澄清剂的还原反应所获得的还原剂发生氧化反应。由此，残留在熔融玻璃的气泡中的O2等气体成分通过溶入至熔融玻璃中，从而气泡消失。
[0152]在均质化步骤(ST3)中，使用搅拌器对通过从澄清槽延伸的配管而供给的搅拌槽内的熔融玻璃进行搅拌，由此，进行玻璃成分的均质化。
[0153]在成形装置中进行成形步骤(ST4)及缓冷步骤(ST5)。
[0154]在成形步骤(ST4)中，将熔融玻璃成形为平板玻璃，制造平板玻璃的流体。成形可以使用溢流下拉法或浮式法。在下述的本实施方式中，列举使用溢流下拉法的例子进行说明。
[0155]在缓冷步骤(ST5)中，以成形后流动的平板玻璃成为所期望的厚度且不产生内部应变、进而不产生翘曲的方式进行冷却。
[0156]在切断步骤(ST6)中，在切断装置中将从成形装置供给的平板玻璃切断成规定的长度，由此，获得板状的玻璃板。将切断后的玻璃板进一步切断成规定的尺寸，制造目标尺寸的玻璃基板。
[0157]在本实施方式的玻璃基板的制造方法中，在澄清步骤?均质化步骤中使用的装置中实施以下方法。
[0158]S卩，在将玻璃原料熔解而生成熔融玻璃的熔解步骤后且将熔融玻璃成形为平板玻璃之前，使其通过用于对熔融玻璃进行处理的熔融玻璃处理装置。该处理装置包括包含钼或钼合金等的金属制的管或槽。此时，熔融玻璃处理装置是包含含有熔融玻璃的液相空间及相对于熔融玻璃的液面位于液面上方的气相空间且气相空间的至少一部分由包含钼族金属的材料构成的装置。在该熔融玻璃处理装置的气相空间中，以气流不通过低于气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域的方式，或以气流通过成为饱和蒸汽压的温度以上的温度的区域的方式，形成气流。优选从与气相空间接触的熔融玻璃处理装置的内壁中温度较低的部分朝向内壁的温度较高的部分形成气流。此时，优选将气体导入到气相空间内而形成气流。而且，通过作为气体而将惰性气体导入到气相空间内，也可以在气相空间内抑制气相空间中已挥发的钼或钼合金等的挥发物凝集。该方面在下文进行叙述。
[0159]另外，钼或钼合金的凝集物是一个方向上的细长的线状物。因此，钼或钼合金的凝集物(异物)的最大长度以及最小长度指的是拍摄钼或钼合金的凝集物后的外接此凝集物的像的外接长方形的长边的长度以及短边的长度。本实施方式中，钼或钼合金的凝集物是指凝集物的最大长度和最小长度的比即宽高比超过100的钼族金属的异物。例如，钼族金属的异物(凝集物)的最大长度为50 μ m?300 μ m,最小长度为0.5 μ m?2 μ m。
[0160]如上所述的熔融玻璃处理装置被应用于澄清步骤至均质化步骤之间的步骤中使用的装置。例如，被应用于进行澄清步骤的澄清槽及进行均质化步骤的搅拌槽。以下，代表性地以应用于澄清槽的方式进行说明。
[0161]图2是示意性地表示进行本实施方式中的熔解步骤(STl)?切断步骤(ST6)的装置的一例的图。如图2所示，该装置主要包含熔融玻璃生成装置100、成形装置200及切断装置300。熔融玻璃生成装置100包含熔解槽101、澄清槽102、搅拌槽103、及玻璃供给管104、105、106。
[0162]图2所示的例子的熔解槽(熔解装置)101是将玻璃原料熔解而制造熔融玻璃。澄清槽102包括包含钼或钼合金等的澄清管102a (参照图3)。在澄清管102a中，至少进行消泡处理，该消泡处理是在以熔融玻璃MG具有液面的方式形成有气相空间的状态下使熔融玻璃MG通过的期间，使电流在设置在澄清槽102的一对电极板间流动而将澄清管102a通电加热，使熔融玻璃MG向气相空间中释放气泡。搅拌槽103是利用搅拌器103a对熔融玻璃MG进行搅拌而使其均质化。
[0163]成形装置200是包含成形体210，利用使用成形体210的溢流下拉法将在澄清槽200、搅拌槽103中处理过的熔融玻璃MG成形而制成平板玻璃SG。此外，在成形装置200中，以平板玻璃SG不产生板厚偏差、应变及翘曲的方式使平板玻璃SG缓冷。
[0164]切断装置300是将缓冷后的平板玻璃SG切断而制成玻璃基板。
[0165](澄清步骤及澄清槽)
[0166]图3(a)是主要表示进行澄清步骤的装置构成的图。
[0167]澄清步骤包括消泡处理与吸收处理。在以下的说明中，以使用氧化锡作为澄清剂的例子进行说明。氧化锡与以往一般使用的亚砷酸相比澄清功能低，但因环境负荷低的方面可适合用作澄清剂。但是，因氧化锡的澄清功能比亚砷酸低，所以，使用氧化锡的情况下，必须使熔融玻璃MG的澄清步骤时的熔融玻璃MG的温度比以往高。在此情况下，例如澄清步骤中的熔融玻璃的温度的最高温度例如为1630°C?1720°C，优选1670°C?1710°C。
[0168]在熔解槽101中进行熔解后的熔融玻璃MG是利用玻璃供给管104(参照图2)导入到澄清槽102。
[0169]如图3(a)所示，澄清槽102包括包含钼或钼合金等的长条状的澄清管102a，且包含设置在澄清管102a的顶部的透气管102b、电极板102c、102d、凸缘102e、102f、及气体导入管 102h、102i。
[0170]具体来说，澄清槽102的澄清管102a包含含有熔融玻璃的液相空间及由该熔融玻璃的液面与澄清管102a的内壁所形成的气相空间。包围气相空间的澄清槽102的内壁的至少一部分是由钼或钼合金等材料构成。在澄清管102a的气相空间中形成气流，该气流不通过温度低于气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域。或者，在澄清管102a的气相空间中形成的气流通过温度高于气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度以上的温度区域。优选以从与气相空间接触的澄清管102a的内壁中温度较低的部分朝向内壁的温度较高的部分产生气流的方式形成气流。气流优选使用气流形成装置而产生。作为气流形成装置，优选使用调整(控制)气相空间内的压力的压力调整装置。通过在气相空间内形成压力差，可以从压力较高的区域朝向压力较低的区域产生气流。作为压力调整装置，列举向气相空间中导入气体的气体导入管或对气相空间的气体进行抽吸的抽吸装置等。在气体导入管和抽吸装置中，通过故意在气相空间内产生压力分布，按以下方式形成气流，即，使气流不通过钼族金属低于成为饱和蒸汽压的温度的区域的方式，或者，使气流通过钼族金属成为饱和蒸汽压的温度以上的温度的区域的方式形成气流。或者，也可以通过向气相空间导入气体产生强制对流从而形成气流。利用气体导入，通过故意在气相空间内产生强制对流，从而按以下方式形成气流，即，使气流以不通过钼族金属低于成为饱和蒸汽压的温度的区域的方式，或者，使气流通过钼族金属成为饱和蒸汽压的温度以上的温度的区域的方式形成气流。
[0171]关于气体导入管，可通过改变导入气相空间的气体量从而能够调整气相空间内的压力分布。另外，能够根据在气相空间上的设置用于向气相空间导入气体的气体导入口位置调整气流的方向。而且，根据向气相空间导入气体时的气体的导入方向能够改变气流的方向。能够通过由于气体导入产生的压力分布的状态或者强制对流调整气流的方向。
[0172]关于抽吸装置，可通过改变抽吸装置的抽吸压力从而能够调整气相空间内的压力分布的大小(压力分布中的压力差)。另外，通过改变气相空间内抽吸装置的抽吸口的位置从而能够调整气相空间内的压力分布。
[0173]另外，通过调整利用熔融玻璃的消泡处理从熔融玻璃放出的气体的气体排出量以及气相空间内排出气体的排出区域的至少一方，能够调整气相空间内的压力分布或压力。另外，通过调整气体排出量以及气体的排出区域的至少一方从而能够调整气流。通过调整气体排出量以及排出区域的至少任意一方从而调整气相空间内的压力分布或者压力，通过该调整能够调整气流。通过在熔融玻璃处理装置即澄清槽102中调整熔融玻璃的温度履历从而能够进行压力分布或压力的调整。如后述的流动有熔融玻璃的管，即澄清管为了加热熔融玻璃向熔融玻璃提供供给热量，例如，为了通电加热流动有熔融玻璃的管调整流向管中的电流，或根据管的位置通过电流的调整等从而能够进行熔融玻璃的温度履历的调整。或者，通过利用设置于上述管周围的断热部件(例如，耐火砖)的调整从而调整来自管的放热量从而能够进行熔融玻璃的温度履历的调整。作为断热部件的调整，可以考虑断热部件的种类、厚度等的变更。另外，通过调整熔融玻璃流入上述管之前的熔融玻璃的温度，优选通过澄清调整气相空间内的气体排出量以及气相空间内的气体排出区域。如此一来,能够更有效且更大的调整气相空间内的气体排出量以及气相空间内的气体排出区域。熔融玻璃的温度越高，因为随着澄清剂的还原反应进行，且熔融玻璃的粘度降低，所以除了气体排出量增加，在熔融玻璃的温度急速上升的区域，澄清剂的还原变得活跃。其结果，气体排出量增大。即，澄清步骤前的熔融玻璃的温度与澄清步骤时的熔融玻璃的温度差变得越大气体排出量能够变得越大。即，调整气体排出量优选调整流入管的熔融玻璃的前步骤即熔解步骤中的熔融玻璃温度和处理步骤中的熔融玻璃温度的差。例如，熔解槽101中的熔融玻璃的最高温度和澄清槽102中的熔融玻璃的最高温度的差优选为50°C以上，更佳优选为50°C?200°C，优选为 70°C?150°C。
[0174]另外，对于增大气体排出量，除了熔融玻璃的温度调整，能够利用澄清剂，例如根据氧化锡的含有量调整。例如，澄清剂为氧化锡时，此含有率为0.01摩尔％?0.3摩尔％，优选为0.03摩尔％?0.2摩尔％。如果澄清剂的含有量过多，因为从熔融玻璃挥发的澄清剂会在澄清槽102的内壁等凝集产生二次结晶的问题所以不优选。如果澄清剂的含有量少，则澄清效果小，气泡数量增加。
[0175]在图3(a)示出的方式中，作为优选的方式，澄清槽102包含将气体导入到气相空间内的气体导入管102h、102i。气体优选使用相对于熔融玻璃及钼或钼合金等为惰性气体、例如氮气或氮气、氦气、氖气等稀有气体或这些气体的混合气体。气体导入管102h、102i连接于设置在澄清管102a的内壁的气体导入口 102j、102k。因此，如图3(b)所示，惰性气体通过气体导入口 102j、102k导入到气相空间中。图3(b)是对澄清管102a的内部的气体的流动进行说明的图。
[0176]来自气体导入管102h、102i的惰性气体的导入是在本实施方式中，从如气体导入102j、102k般的喷嘴导入，但并不一定限制于喷嘴，也可以利用公知的方法导入惰性气体。所导入的惰性气体优选预先加热到被导入的气相空间的部分的温度附近，使得与气相空间内的温度差不大。
[0177]如图3(b)所示，透气管102b是将澄清管102的气相空间与大气连接，将气相空间内的气体或惰性气体排出到大气中。本实施方式的透气管102b的形状形成呈烟?状笔直地延伸的形状，但并不限制于该形状。也可以是在中途弯曲的形状等。
[0178]澄清槽102如上所述优选设置抽吸气相空间中的气体的抽吸装置。而且，抽吸装置优选以与透气管102b连接的方式设置。通过使用气体导入管、抽吸装置或所述两者调整(控制)气相空间的压力，可以在气相空间内产生所期望的气流。
[0179]虽未图示，但也可以在澄清槽102的周围覆盖耐火砖。在澄清槽102的大致中央部，在凸缘102e与凸缘102f之间设置着透气管102b。
[0180]在澄清管102a经由凸缘102e、102f设置着电极板102c、102d。凸缘102e设置在澄清管102a的一端部。凸缘102f设置在澄清管102a的长度方向的中途的位置上。当然，凸缘102f也可以设置在澄清管102a的另一端部。电极板102c、102d是与作为电力供给源的交流电源102g连接，被施加规定的电压。凸缘102e、102f是由具有导电性的金属构成，使来自电极板102c、102d的电流以在澄清管102a的周上均匀地分散的方式流动。电极板102c、102d是通过使电流流动到澄清管102a而将澄清管102a通电加热，将沿澄清管102a流动的熔融玻璃MG的温度升温至例如1630°C以上。
[0181]另一方面，熔融玻璃MG是在澄清管102a内以熔融玻璃MG具有液面的方式流动。通过所述澄清管102a的通电加热而粘性成为例如120?400泊的熔融玻璃MG是使通过澄清剂的作用而膨胀的气泡在熔融玻璃MG内上浮，在熔融玻璃MG的液面破裂而将气泡中所包含的气体释放到气相空间中。即，进行消泡处理。因此，澄清管102a是在其内部以熔融玻璃MG具有液面的方式包含气相空间。
[0182]在澄清管202的气相空间破裂而释放的气体从透气管102b释放到澄清管102外的大气中。
[0183]在澄清管102a内流动的熔融玻璃MG的温度维持在例如1630°C以上之后，在澄清管102a的后半部分以下或后续的玻璃供给管105以下逐渐(阶段性地或连续地)降温，进行气泡的吸收处理。在吸收处理中，如上所述气泡通过熔融玻璃MG的降温被吸收到熔融玻璃MG内而消失。
[0184]在图3(a)中，表示了设置着一对电极板102c、102d的例子，但例如在澄清管102a的后半部分进行降温的情况下，除电极板102c、102d以外，也可以设置I对以上的电极板。
[0185]另外，因澄清管102a如上所述通过通电加热而加热到高温(例如1700°C左右)，所以，钼或钼合金等容易从包含钼或钼合金等的澄清管102a的内壁挥发。而且，因澄清管102a的气相空间如上所述与大气相通，所以，在气相空间内存在氧，此外，氧也作为成分而包含在通过消泡所产生的气体中，所以，气相空间内的氧浓度高于大气的氧浓度。因此，促进钼或钼合金等的挥发。像这样在气相空间中含有较多的已从澄清管102a的内壁挥发的钼或钼合金的挥发物。
[0186]在本实施方式的澄清槽102中，如图3(a)所示，将气体导入口 102j、102k设置在设置着凸缘102e、102f的部分。其原因在于使得从气体导入口 102j、102k导入的惰性气体如图3(b)所示朝向透气管102b流动。凸缘102e、102f是为了使来自电极板102c、102d的电流在澄清管102a的周上均匀地扩散而设置，凸缘102e、102f是用于将从澄清管102a传递的热向外部辐射且抑制由热引起的凸缘102e、102f的破损的未图示的冷却装置并设在凸缘102e、102f而将凸缘102e、102f冷却，所以，设置凸缘102e、102f的澄清管102a的内壁部分即凸缘对应部分的温度比该凸缘对应部分的周围的温度低。
[0187]图4是示意性地表示澄清管102a的内壁温度沿着澄清管102a的长度方向分布的一例的图。如所述的温度可以通过在澄清管102a的内壁或靠近内壁的气相空间中配置热电偶等进行测量而获得。在澄清管102a的情况下，在设置凸缘102e、102f的凸缘对应部分温度比周围部分的温度低，如果更进一步地说，则为最低，随着向透气管102b前进而温度逐渐变高。但是，因透气管102b是突出在靠近大气的区域，所以，无法避免向大气散热。因此，在设置透气管102b的部分，温度下降。但是，该部分的温度高于凸缘对应部分的温度。澄清管102a具有如所述的温度分布。
[0188]像这样，在设置凸缘102e、102f的凸缘对应部分温度比其周围低。因此，如果在所述凸缘对应部分的周围挥发的钼或钼合金等的挥发物触碰到温度较低的所述凸缘对应部分，则依据挥发物的饱和蒸汽压的温度依赖性而挥发物容易凝集。因此，为使设置所述凸缘102e、102f的凸缘对应部分的周围挥发的钼或钼合金等的挥发物不会触碰到温度较低的所述凸缘对应部分，从凸缘对应部分朝向温度比所述凸缘对应部分高的部分强制性地产生惰性气体的气流。即，以从与气相空间接触的澄清管102a的内壁中温度较低的部分朝向内壁的温度较高的部分沿着澄清管102a的长度方向产生长条状气流的方式，将对于熔融玻璃及钼或钼合金等没有活性的惰性气体导入到气相空间内。在本实施方式中，在设置所述凸缘102e、102f的凸缘对应部分设置着所述气体导入口 102j、102k。
[0189]另外，如图4所示，在设置透气管102b的部分温度下降的情况下，在透气管102b的周围设置加热器等加热透气管102b，由此，可以防止在透气管102b的内壁及透气管102b附近的澄清管102a的内壁凝集钼或钼合金等的挥发物。
[0190]而且，除了从熔融玻璃释放的气体以外，与澄清管102a及熔融玻璃不发生反应的惰性气体也导入到气相空间内，所以，气相空间内的气压高于大气。因该压力差，可以使气相空间内的通过澄清而产生的气体、进而钼或钼合金等的挥发物经由透气管102b快速地排出到大气中。因此，钼或钼合金等的挥发物不易产生凝集。或者，也可以在透气管102b连接未图示的抽吸装置，使气相空间内的通过澄清而产生的气体、进而钼或钼合金等的挥发物从透气管102b快速地排出。此时，气相空间内的气压比大气压或包围澄清槽103的外部气压低。具体来说，气相空间内的气压也可以比大气压小超过O且小于1Pa (OPa <大气压-气相空间内气压< 1Pa)。而且，因向气相空间内导入惰性气体，所以，可以使容易使钼或钼合金等挥发的氧在气相空间内的分压下降。因此，可以抑制钼或钼合金等的挥发。
[0191]在本实施方式中，因在澄清管102a的长度方向上产生内壁的温度分布，所以，通过惰性气体的导入而制造的气流是如图3(b)所示，沿着澄清管102a的长度方向。但是，所述气流并不限定于沿着澄清管102a的长度方向，从与气相空间接触的澄清管102a的内壁中温度较低的部分朝向内壁的温度较高的部分产生气流即可。
[0192]另外，在本实施方式中，澄清管102a的内壁的最高温度为1400°C以上1750°C以下时，在本实施方式澄清管102a和透气管102b中，由气流所产生的抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果变大。而且，抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果是随着澄清管102a的内壁的最高温度成为1600°C以上、1630°C以上、进而1650°C以上，而依序变大。澄清管102a的内壁的温度的最高温度小于1400°C的情况下，钼或钼合金等的挥发不易成为问题，本实施方式的所述效果较小。澄清管102a的内壁的最高温度更优选为1630°C以上1750°C以下，更优选为1650°C以上1750°C以下。如果所述最高温度过低，则不能得到足够澄清的熔融玻璃。另一方面，澄清管102a的内壁的最低温度更优选为1200°C以上1630°C以下，更优选为1300°C以上1600°C以下，特别优选为1400°C以上1500°C以下。如果所述最低温度过高，则凸缘102e、102f熔损。另外，如果所述最低温度过低，则容易产生钼或钼合金等的挥发物的凝集。
[0193]而且，如果澄清管102a的内壁的最低温度与最高温度的温度差较大，则钼或钼合金等的饱和蒸汽压的差变大，而容易发生凝集。内壁中最高温度的高部分的最高温度与最低温度的低部分的最低温度的温度差为50°C以上300°C以下时，本实施方式中的抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果变大。所述温度差小于50°C的情况下，钼或钼合金等的挥发物的凝集的程度较小，不易产生凝集的问题。如果所述温度差为150°C以上、进而250°C以上，则挥发物的凝集的抑制效果明显变大。
[0194]另外，在本实施方式的气相空间内，温度变得越高则压力变得越低，或者压力变得越低则温度变得越高，从抑制挥发物的凝集这点出发，优选为调整(控制)气相空间内的压力。
[0195](玻璃组成)
[0196]作为上述玻璃基板，举例示出以下的玻璃组成的玻璃基板。因此，使用玻璃原料以使玻璃基板包括以下的玻璃组成。
[0197]S12:55 摩尔％?75 摩尔％、
[0198]Al2O3:5 摩尔％?20 摩尔％、
[0199]B2O3:0 摩尔 ％?15 摩尔 ％、
[0200]RO:5摩尔％?20摩尔％
[0201](R是Mg、Ca、Sr以及Ba中玻璃基板所包含的所有元素)，
[0202]R' 20:0摩尔％?0.8摩尔％ (R'是L1、K、以及Na中玻璃基板所包含的所有元素)。
[0203]上述玻璃是高温粘性高的玻璃的一个例子。在上述玻璃中，为了在澄清管102a以适合的熔融玻璃的粘度进行消泡，高温加热熔融玻璃。因此，挥发物从澄清管102a的内壁大量挥发，挥发物的凝集成为问题。上述情况下，抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的本实施方式的效果明显。
[0204]此时，至少含有Si02、Al203、B203、以及R0(R是Mg、Ca、Sr以及Ba中玻璃基板所包含的所有元素)的任意一个，摩尔比((2XS12)+Al2O3)/((2XB2O3)+R0)可以为4.0以上。即，摩尔比((2XS12)+Al2O3)/((2XB2O3)+R0)为4.0以上的玻璃是高温粘性特别高的玻璃的一个例子。由此，抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的本实施方式的效果更加明显。另夕卜，因为有碱金属氧化物的含有量越少则玻璃粘度越高的倾向，所以碱金属氧化物的总含量V 20为O摩尔％?0.8摩尔％的玻璃的粘性特别高。为了使粘度高的玻璃充分澄清，需要澄清槽温度(钼或钼合金)的温度提高，即使当制造上述粘度高的玻璃时，也通过应用本实施方式从而得到抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果。
[0205]另外，除了使用上述高温粘性高的玻璃时，在使用熔解温度高的玻璃时，本实施方式的抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果也很明显。例如，在制造作为熔解温度的指标的粘度为12 5泊时的温度在1500°c以上的玻璃时，本实施方式的抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果明显。
[0206]玻璃基板的应变点可以为650°C以上，优选为690°C以上，更优选为730°C以上。另夕卜，应变点高的玻璃在粘度为12 5泊由于有熔融玻璃的温度变高的倾向，所以本实施方式的效果明显。
[0207]另外，当熔解玻璃原料以使含有氧化锡、并且粘度为12 5泊时的熔融玻璃的温度成为1500°C以上时，本实施方式的效果更加明显，粘度为12 5泊时的熔融玻璃的温度例如为 1500°C?1700°C，也可以为 1550°C?1650°C。
[0208]本实施方式中制造的玻璃基板适合于包含平板显示器用玻璃基板的显示器用玻璃基板。适用于使用了 IGZO(铟、镓、锌、氧)等的氧化物半导体的氧化物半导体显示器用玻璃基板以及使用了 LTPS(低温度多晶硅)半导体的LTPS显示器用玻璃基板。
[0209]而且，本实施方式中制造的玻璃基板适合于要求碱金属氧化物的含有量极少的液晶显示器用玻璃基板。而且，也适合于有机EL (Electro-Luminescence,电致发光)显示器用玻璃基板。换句话说，本实施方式的玻璃基板的制造方法适合于显示器用玻璃基板的制造，尤其适合于液晶显示器用玻璃基板的制造。
[0210]而且，本实施方式中制造的玻璃基板也可以应用于盖玻片、磁盘用玻璃、太阳能电池用玻璃基板等。
[0211]此外，在制作的玻璃基板的板厚较薄的玻璃基板、例如0.5mm以下、甚至0.3mm以下、甚至0.1mm以下的玻璃基板中，本实施方式的抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果也比板厚较厚的玻璃基板明显。在澄清管102a等的内壁凝集的钼或钼合金等的凝集物的一部分成为微粒子而落到熔融玻璃中，混入至熔融玻璃中并包含于玻璃基板中。在此情况下，玻璃基板的板厚越薄，成为缺陷的微粒子就越多地位于玻璃基板的表面。如果位于玻璃基板的表面的微粒子在使用玻璃基板的面板制造步骤中脱离，则脱离后的部分成为凹部，形成在玻璃基板上的薄膜不均匀地形成，而制造画面的显示缺陷。因此，如本实施方式般在澄清管102a中抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果是板厚越薄的玻璃基板越大。
[0212]另外，在本实施方式中，表示了应用于澄清槽102的例子，但也可以应用于使熔融玻璃均质化的搅拌槽103。在此情况下，搅拌槽103的内壁中温度较低的部分多数情况下为搅拌槽103的顶壁与侧壁的连接部分。在此情况下，优选从所述连接部分将惰性气体供给至气相空间内。此时，可以使气相空间内的气体或气体从搅拌槽103与搅拌器103a之间的间隙流动到外部。
[0213]如果对以上本实施方式进行总结则可以叙述以下的内容。
[0214](I)在实施方式中，在气相空间中形成的气流不通过温度低于所述气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域。由此，气相空间内的钼或钼合金的凝集得到抑制。而且，通过从气相空间内的温度较低的区域朝向较高的区域制造气流，可以进一步抑制钼或钼合金的凝集。该气流优选使用包含调整(控制)气相空间内的压力的压力调整(控制)装置的气流形成装置而形成。
[0215]作为压力调整装置，优选使用向气相空间内导入气体的气体导入管、对气相空间进行抽吸的抽吸装置或其组合。
[0216]气相空间的压力优选以气相空间的温度越高的区域越低的方式进行调整(控制)。由此，可以从气相空间内的温度较低的区域朝向较高的区域制造气流。
[0217](2)在本实施方式中，从气体导入管导入的气体优选相对于熔融玻璃及钼族金属为惰性气体。通过将惰性气体导入到气相空间，可以使气相空间内的氧分压下降，而降低钼或钼合金从澄清管102a的内壁的挥发量。此外，在本实施方式中，从抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的方面来说，优选从与气相空间接触的澄清管102a的内壁中内壁的温度较低的部分向气相空间中导入惰性气体，且已挥发的钼或钼合金从气相空间内的温度较低的区域朝向较高的区域制造气流。例如，惰性气体优选从澄清管102a的内壁中温度比周围的温度低的部分例如温度极小的部分导入到气相空间中。特别优选从澄清管102a的内壁中温度最低的部分导入到气相空间中。
[0218]在本实施方式中，因从澄清管102a中挥发物容易凝集的内壁的温度较低的部分导入惰性气体，所以，从挥发物容易凝集的场所起制造使挥发物迅速流动的气流，并且使氧分压变低。因此，依据挥发物的饱和蒸汽压的分压依存性而挥发物的凝集得到抑制。
[0219](3)本实施方式被应用于进行熔融玻璃的澄清的澄清管102a。澄清管102a是从澄清起直到即将成形为止的使用钼或钼合金等的装置中将熔融玻璃的温度加热到最高的装置。因此，在澄清管102a中，钼或钼合金等的挥发在所述装置中最剧烈。而且，通过澄清管102a中进行的消泡而释放到气相空间的气体的成分中包含较多的助长钼或钼合金等的挥发的氧，所以，气相空间内的氧分压比大气高。因此，在气相空间中，钼或钼合金等更进一步从内壁挥发。此外，澄清管102a与搅拌槽103等其他装置相比，内壁的最高温度与最低温度的差较大，挥发物的饱和蒸汽压的差也较大，所以，在挥发物通过透气管102b排出到大气之前，挥发物容易发生凝集。因此，为了抑制挥发物的凝集，优选在澄清管102a形成气流，使气流不通过温度低于气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度区域。在此情况下，通过澄清而产生的气体及所导入的惰性气体的气流是朝向透气管102b的流体，所以，通过澄清而产生的气体也可以容易地排出到大气中。
[0220]另外，因澄清管102a的透气管102b设置在靠近大气的位置上，所以，透气管102b的温度与澄清管102a的内壁的温度相比容易变低，因为饱和蒸汽压变小，所以通过透气管102b的挥发物容易凝集。因此，优选加热透气管102b以使饱和蒸汽压比透气管102b附近的挥发物的蒸汽压还大，来抑制挥发物的凝集。
[0221](4)澄清槽102包含长条状的澄清管102a，在澄清管102a设置着包围澄清管102a的长度方向的一部分的外周的凸缘102e、102f。而且，气体是从澄清管102a的设置凸缘102eU02f的部分导入。因凸缘102e、102f暴露在澄清管102a的外部的温度中，所以，从凸缘102e、102f释放热。因此，设置凸缘102e、102f的澄清管102a的内壁的部分的温度在其周围变低。因对该部分导入气体，所以，使欲触碰设置凸缘102e、102f的澄清管102a的内壁的部分的挥发物移动到周围的温度较高的部分，因此，可以有效地抑制使挥发物凝集。
[0222](5)凸缘102e、102f是以包围澄清管102a的长度方向的2处位置的外周的方式设置2个。而且，透气管102b是在澄清管102a的长度方向的所述2处之间设置I个。此时，气体是从所述2处导入到气相空间内而制造朝向相互对向的方向流动的气流，并从I个透气管排出。因此，可以同时抑制挥发物在因设置在澄清管102a的长度方向的2处位置的凸缘102e、102f而温度下降的内壁的2处部分凝集。
[0223](6)在本实施方式中，设置在2处的凸缘中的至少I个是设置在澄清管102a的端部，由此，可以从澄清管102a的端部加热熔融玻璃。尤其，通过设置在熔融玻璃朝向搅拌槽103流动的方向的上游侧的澄清管102a的端部，可以高效率地加热熔融玻璃。
[0224]澄清槽102是通过利用澄清管102a的通电加热而澄清管102a发热来调整熔融玻璃的温度。由此，可以快速地进行熔融玻璃的澄清。但是，因将澄清管102a通电加热，所以，澄清管102a的内壁的温度变得极高。因此，钼或钼合金等的挥发极为剧烈。即使在如上所述的情况下，因本实施方式的澄清槽102在气相空间内制造如上所述的气流，所以，也可以在澄清管102a内抑制挥发物的凝集。
[0225]因在澄清槽102的澄清管102a设置包围澄清管102a的长度方向的一部分的位置的外周的凸缘102、102f，且包含通过使电流从凸缘102e、102f流动到澄清槽102的澄清管102a而使澄清管102a发热来调整熔融玻璃的温度的电力供给源，所以，在澄清管102a的周上澄清管102a相对均匀地发热，使熔融玻璃的温度不产生不均。因此，可以高效率地进行熔融玻璃的澄清。
[0226]另外，在本实施方式中，对熔融玻璃的加热使用使电流直接流动到澄清管102a而使其发热的通电加热的方式，但并不限制于通电加热的方式。例如，也可以通过在澄清管102a的周围设置加热器等热源来间接地加热澄清管102a，由此调整熔融玻璃的温度。在使电流流动到澄清管102a的通电加热的方式中，容易调整熔融玻璃的温度。但是，澄清管102a的内壁也同时成为高温，所以，在澄清管102a的内壁温度容易产生不均，钼或钼合金等的挥发物容易发生凝集。但是，通过采用本实施方式，即使在如上所述的通电加热的方式的情况下，也可以抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集。因此，通电加热的方式的情况与利用加热器等间接地加热澄清管102a的情况相比，抑制钼或钼合金等的挥发物的凝集的效果变大。
[0227](7)在本实施方式中，从气体导入口 102j、102k向气相空间内沿相对于熔融玻璃的液面为垂直下方的方向喷射气体，但气体的喷射方向并无特别限制。图3(c)是对澄清管102a的内部的气体的流动的另一例进行说明的图。从可以容易地制造气体的朝向透气管102b的流体的方面来说，优选如图3(c)所示，以气体的喷射方向朝向澄清管102a的设置透气管102b的长度方向的中央侧的方式使气体倾斜地喷射。而且，也可以朝向澄清管102a的两端将气体导入到气相空间内，在澄清管102a的两端的壁面使气体反射之后，制造朝向通气口 102b的流体。
[0228]以上，对本发明的玻璃基板的制造装置、玻璃基板的制造方法及熔融玻璃处理装置详细地进行了说明，当然，本发明并不限定于所述实施方式，也可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行多种改良或变更。
[0229]符号说明
[0230]100熔融玻璃生成装置；101熔解槽；101d螺旋进料器；102澄清槽；102a澄清管；102b透气管；102c、102d电极板；102e、102f凸缘；102g交流电源；102h、102i气体导入管；102j、102k气体导入口 ；103搅拌槽；103a搅拌器；104、105、106玻璃供给管；200成形装置；210成形体；300切断装置
【权利要求】
1.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括: 熔解步骤，将玻璃原料熔解而生成熔融玻璃；以及 处理步骤，在熔融玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述熔融玻璃处理装置包括:包含所述熔融玻璃的液相空间以及由所述熔融玻璃的液面与内壁所形成的气相空间，所述熔融玻璃处理装置中包围所述气相空间的内壁的至少一部分由含有钼族金属的材料构成，在所述熔融玻璃处理装置的所述气相空间中形成气流，且使所形成的所述气流通过温度高于所述气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域。
2.一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括: 熔解步骤，将玻璃原料熔解而生成熔融玻璃；以及 处理步骤，在熔融玻璃处理装置中处理所述熔融玻璃，所述熔融玻璃处理装置包括:包含所述熔融玻璃的液相空间以及由所述熔融玻璃的液面与内壁所形成的气相空间，所述熔融玻璃处理装置中包围所述气相空间的内壁的至少一部分由含有钼族金属的材料构成，在所述熔融玻璃处理装置的所述气相空间内形成气流，且使形成的所述气流不通过温度低于所述气相空间中所含有的钼族金属成为饱和蒸汽压的温度的区域。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气流是从与所述气相空间接触的所述熔融玻璃处理装置的内壁中温度较低的部分朝向温度较高的部分流动的气流。
4.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气流是通过调整所述气相空间内的压力而被形成。
5.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气流是通过向所述气相空间内导入气体而被形成。
6.根据权利要求5所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气体是相对于所述熔融玻璃以及所述钼族金属没有活性的气体。
7.根据权利要求5所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气体是从与所述气相空间接触的所述熔融玻璃处理装置的内壁中温度相比周围的温度低的部分导入所述气相空间。
8.根据权利要求7所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气体是相对于所述熔融玻璃以及所述钼族金属没有活性的气体。
9.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述气流是通过利用被设置为与所述气相空间连接的抽吸装置调整所述气相空间内的压力而被形成。
10.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述内壁的最高温度是1400°C以上1750°C以下。
11.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述内壁的温度最高部分与温度最低的部分之间的温度差为50°C以上300°C以下。
12.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于， 所述熔融玻璃处理装置是澄清槽，在该澄清槽内进行所述熔融玻璃的澄清并使在所述澄清过程中产生的气体通过连接所述气相空间与大气的透气管排出到大气中，所述气流是朝向所述透气管的流体。
13.根据权利要求1或2所述的玻璃基板的制造方法，其特征在于，所述玻璃基板是显示器用玻璃基板。
【文档编号】C03B5/225GK104445868SQ201410475198
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月17日 优先权日:2013年9月17日
【发明者】月向仁志, 服部佑纪 申请人:安瀚视特控股株式会社