高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置制造方法
【专利摘要】一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制银功能层；镍铬金属合金层形成单元，其镀制镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制氮化硅介电层。所述制备装置在玻璃基板上依次镀制氧化钛介电层，氮化硅介电层，氧化锌介电层，镍铬金属合金层，银功能层，镍铬金属合金层，氧化锌锡介电层和氮化硅介电层。
【专利说明】高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及玻璃镀膜【技术领域】，尤其涉及一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻 璃的制备装置。
【背景技术】
[0002] 目前，低辐射镀膜玻璃已经广泛应用在建筑领域，其具有传热系数低和反射红外 线等特点。透过率的提高，一般采用介电层的增透作用和金属层厚度的降低来实现，但是金 属层厚度过低会导致钢化时功能层的氧化，影响镀膜玻璃的光学性能，从而影响了镀膜玻 璃的深加工性能。 实用新型内容
[0003] 本实用新型旨在为了解决镀膜玻璃透过率和镀膜玻璃深加工存在的问题。
[0004] 为了达成上述目的，本实用新型提供了 一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备 装置，包括氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层；氮化硅介电层形成单元，其 镀制一层氮化硅介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；镍铬金属合 金层形成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；镍 铬金属合金层形成单兀，其镀制一层镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单兀，其镀制一 层氧化锌锡介电层；及氮化硅介电层形成单元，其镀制一层氮化硅介电层。所述制备装置在 玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬 金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化娃介电 层。
[0005] -些实施例中，所述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制，沉积厚度在 5?15nm之间，制备氧化钛介电层的氧气与氩气量之比在1 :15?20之间，溅射气压在 2xlCT3mbar至4xlCT3mbar之间，沉积功率在30?50kw之间。
[0006] -些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在 5?IOnm之间，制备氮化娃介电层的氮气与氦气量之比在I:2. 5?3之间，溉射气压在 3xlCT3mbar至5xlCT3mbar之间，沉积功率在20?40kw之间。
[0007] -些实施例中，所述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制，沉积厚度在 5?IOnm之间，制备氧化锌介电层的氧气与氩气量之比在1?2 :1之间，溅射气压在 2xlCT3mbar至4xlCT3mbar之间，沉积功率在20?40kw之间。
[0008] -些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度 在0. 5?5nm之间，制备镍铬金属介电层的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(T3mbar至 5xlCT3mbar之间，沉积功率在1?IOkw之间。
[0009] -些实施例中，所述银功能层形成单元采用纯银靶镀制，沉积厚度在5?13nm之 间，制备银功能层的溉射气体为氦气，溉射气压在lxl(T3mbar至4xl(T3mba;r之间，沉积功率 在5?15kw之间。
[0010] 一些实施例中，所述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度 在1?5nm之间，制备镍铬金属介电层的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(T3mbar至 5xlCT3mbar之间，沉积功率在1?IOkw之间。
[0011] 一些实施例中，所述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制，沉积厚度在 10?20nm之间，制备氧化锌锡介电层的氧气与氦气量之比在1. 5?2. 5 :1之间，溉射气压 在3xlCT3mbar至5xlCT3mbar之间，沉积功率在30?60kw之间。
[0012] 一些实施例中，所述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在 10?40nm之间，制备氮化娃介电层的氮气与氦气量之比在1 :2?3. 5之间，溉射气压在 2. 5xlCT3mbar至5xlCT3mbar之间，沉积功率在10?35kw之间。
[0013] 与现有技术相比，本实用新型的有益效果是通过离线磁控溅射技术，在浮法玻璃 基材表面制备多层膜结构，使其具有较高的透过率和选择系数，对红外区域有高反射的作 用，同时能有效的降低玻璃的辐射率。
[0014] 以下结合附图，通过示例说明本实用新型主旨的描述，以清楚本实用新型的其他 方面和优点。
【专利附图】
【附图说明】
[0015] 结合附图，通过下文的详细说明，可更清楚地理解本实用新型的上述及其他特征 和优点，其中：
[0016] 图1为本实用新型的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置制备的镀膜 玻璃示意图。
【具体实施方式】
[0017] 参见本实用新型具体实施例的附图，下文将更详细地描述本实用新型。然而，本实 用新型可以以许多不同形式实现，并且不应解释为受在此提出之实施例的限制。相反，提出 这些实施例是为了达成充分及完整公开，并且使本【技术领域】的技术人员完全了解本实用新 型的范围。
[0018] 现参考附图，详细说明根据本实用新型实施例的一种高透过率可钢化低辐射镀膜 玻璃制备装置制备。如图1所示，一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，包括氧化 钛介电层形成单兀，其镀制一层氧化钛介电层；氮化娃介电层形成单兀，其镀制一层氮化娃 介电层；氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层；镍铬金属合金层形成单元，其 镀制一层镍铬金属合金层；银功能层形成单元，其镀制一层银功能层；镍铬金属合金层形 成单元，其镀制一层镍铬金属合金层；氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电 层；及氮化娃介电层形成单兀，其镀制一层氮化娃介电层。
[0019] 现参考图2,详细描述根据本实用新型制备装置的操作。所述制备装置在玻璃基板 上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金 层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌锡介电层和一层氮化娃介电层。
[0020] 如图2所示，所述装置在玻璃基板1上依次镀制一层氧化钛（TiO2)介电层2, 一层 氮化娃（Si3N4)介电层3, 一层氧化锌（ZnO)介电层4, 一层镍铬（NiCr)金属合金层51，一层 银（Ag)功能层6, 一层镍铬（NiCr)金属合金层52, 一层氧化锌锡（ZnxSny0x+y)介电层7和 一层氮化硅（Si3N4)介电层8。再对所述镀膜玻璃进行钢化，最后对所述钢化后的镀膜玻璃 进行检测。
[0021] 具体地，上述氧化钛介电层2,沉积厚度在5?15nm之间，制备氧化钛介电层的氧 气与氦气量之比在1 :15?20之间，溉射气压在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之间，沉积功率 在30?50kw之间。
[0022] 具体地，上述氮化硅介电层3,沉积厚度在5?IOnm之间，制备氮化硅介电层的氮 气与氦气量之比在I:2. 5?3之间，溉射气压在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间，沉积功率 在20?40kw之间。
[0023] 具体地，上述氧化锌介电层4,沉积厚度在5?IOnm之间，制备氧化锌介电层的氧 气与氦气量之比在1?2 :1之间，溉射气压在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之间，沉积功率在 20?40kw之间。
[0024] 具体地，上述镍铬金属介电层51，沉积厚度在0. 5?5nm之间，制备镍铬金属介电 层的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(T3mba;r至5xl(T3mba;r之间，沉积功率在1?IOkw之 间。
[0025] 具体地，上述银功能层6,沉积厚度在5?13nm之间，制备银功能层的溅射气体为 氦气，溉射气压在IxlCT3Kibar至4xlCT3mbar之间，沉积功率在5?15kw之间。
[0026] 具体地，上述镍铬金属介电层52,沉积厚度在1?5nm之间，制备镍铬金属介电层 的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间，沉积功率在1?IOkw之间。
[0027] 具体地，上述氧化锌锡介电层6,沉积厚度在10?20nm之间，制备氧化锌锡介电层 的氧气与氦气量之比在1. 5?2. 5 :1之间，溉射气压在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间，沉 积功率在30?60kw之间。
[0028] 具体地，上述氮化硅介电层7,沉积厚度在10?40nm之间，制备氮化硅介电层的氮 气与氦气量之比在1 :2?3. 5之间，溉射气压在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间，沉积功 率在10?35kw之间。
[0029] 本实用新型的一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，其生产出来的单 银高透低辐射产品，可以进行高温钢化工艺处理，且钢化前后透过率和颜色值改变很小，对 产品性能没有影响。采用复合电介质层对功能层银（Ag)层能起到保护作用，有效的避免银 离子凝聚及银层被氧化等，最外层氮化硅在热处理中具有稳定的抗热冲击性能。
[0030] 将本实用新型用于卧式连续式磁控溅射镀膜机，其中包括6个旋转阴极，3个平面 阴极，共计9个阴极。使用其中5个旋转阴极和3个平面阴极进行生产，制造出高透过率可 钢化低辐射镀膜玻璃，工艺配置如下表1 :
[0031]
【权利要求】
1. 一种高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃的制备装置，其特征在于，包括： 氧化钛介电层形成单元，其镀制一层氧化钛介电层； 氮化娃介电层形成单兀，其镀制一层氮化娃介电层； 氧化锌介电层形成单元，其镀制一层氧化锌介电层； 镍铬金属合金层形成单兀，其镀制一层镍铬金属合金层； 银功能层形成单元，其镀制一层银功能层； 镍铬金属合金层形成单兀，其镀制一层镍铬金属合金层； 氧化锌锡介电层形成单元，其镀制一层氧化锌锡介电层；及 氮化娃介电层形成单兀，其镀制一层氮化娃介电层， 其中，所述制备装置在玻璃基板上依次镀制一层氧化钛介电层，一层氮化硅介电层，一 层氧化锌介电层，一层镍铬金属合金层，一层银功能层，一层镍铬金属合金层，一层氧化锌 锡介电层和一层氮化娃介电层。
2. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述氧化钛介电层形成单元采用氧化钛靶镀制，沉积厚度在5?15nm之间，制备氧化钛介电 层的氧气与氦气量之比在1 :15?20之间，溉射气压在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之间，沉 积功率在30?50kw之间。
3. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在5?10nm之间，制备氮化硅介 电层的氮气与氦气量之比在1 :2. 5?3之间，溉射气压在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间， 沉积功率在20?40kw之间。
4. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述氧化锌介电层形成单元采用锌铝合金靶镀制，沉积厚度在5?10nm之间，制备氧化锌介 电层的氧气与氦气量之比在1?2 :1之间，溉射气压在2xl(T3mbar至4xl(T3mbar之间，沉 积功率在20?40kw之间。
5. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在〇. 5?5nm之间，制备镍铬金 属介电层的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(r3mbar至5xl(T3mba;r之间，沉积功率在1? 10kw之间。
6. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述银功能层形成单元采用纯银靶镀制，沉积厚度在5?13nm之间，制备银功能层的溅射气 体为氦气，溉射气压在lxlCT3mbar至4xlCT3mbar之间，沉积功率在5?15kw之间。
7. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述镍铬金属介电层形成单元采用镍铬合金靶镀制，沉积厚度在1?5nm之间，制备镍铬金属 介电层的溉射气体为氦气，溉射气压在3xl(r3mbar至5xl(T3mba;r之间，沉积功率在1?10kw 之间。
8. 根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述氧化锌锡介电层形成单元采用锌锡合金靶镀制，沉积厚度在10?20nm之间，制备氧化锌 锡介电层的氧气与氦气量之比在1. 5?2. 5 :1之间，溉射气压在3xl(T3mbar至5xl(T3mbar 之间，沉积功率在30?60kw之间。
9.根据权利要求1所述的高透过率可钢化低辐射镀膜玻璃制备装置，其特征在于，所 述氮化硅介电层形成单元采用硅铝合金靶镀制，沉积厚度在10?40nm之间，制备氮化硅介 电层的氮气与氦气量之比在1 :2?3. 5之间，溉射气压在2. 5xl(T3mbar至5xl(T3mbar之间， 沉积功率在10?35kw之间。
【文档编号】C03C17/36GK204211647SQ201420565737
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年9月28日 优先权日:2014年9月28日
【发明者】井治, 钱宝铎, 张超群, 罗松松, 王程 申请人:中国建材国际工程集团有限公司