1.一种切割铸造多晶硅棒工艺中的粘棒方法，其特征在于，包括以下步骤：
将表面研磨好的硅棒按照硬度不同粘接在基座上并进行固化，形成硅棒组，待切割使用。
2.根据权利要求1所述的粘棒方法，其特征在于，所述硅棒的粘接具体为：依据硅棒在硅锭中所处的位置不同其硬度不同、杂质分布不同的特点，将硅棒分为高硬度硅棒、中硬度硅棒、低硬度硅棒，在粘接硅棒时，
进线侧粘接中硬度硅棒或低硬度硅棒，且硅棒的顶端朝向进线的方向；
线网中部粘接低硬度硅棒，且硅棒的顶端朝向进线的方向；
出线侧粘接高硬度或中硬度硅棒，且硅棒的顶端朝向出线的方向。
3.根据权利要求1或2所述的粘棒方法，其特征在于，所述基座包括工件板和树脂板，其中，所述工件板和所述树脂板的外形尺寸一致，所述树脂板通过树脂胶粘接在所述工件板上；所述硅棒粘接在所述树脂板上；
所述固化时间为4-6小时。
4.一种切割铸造多晶硅棒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、粘棒；
所述粘棒方法为权利要求1至3任一项所述的粘棒方法；
S2、线网布线；
将步骤S1中粘好的硅棒组安装至切割机的加工室；
将切割用的切割线从切割机的放线室的放线轮上引出，通过小导轮将切割线布置在主辊上对应的线槽内，当主辊切割线布置一部分后，进行分线网作业，预留与所述硅棒组的硅棒之间的拼缝个数相同的线网缝隙；
待切割线布满整个主辊后，将切割线的线头引出至切割机的收线室的收线轮，完成线网的布线工作；
S3、调整线网缝隙；
根据步骤S1中粘好的硅棒组的硅棒之间的拼缝位置，调整线网缝隙的位置；
S4、切割；
切割完成后，停机、取下硅棒组，对切割形成的硅片进行脱胶、清洗和分选，完成多晶硅片的加工。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S2中，相邻两个所述硅棒之间的拼缝宽度为0.5-1mm；线网缝隙宽度为4-5mm。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S2中，所述切割机的放线室和/或收线室内设置有冷却液供给装置，所述冷却液供给装置将冷却液均匀地供给切割线，以使切割线表面形成一定的冷却液膜，增加切割线的润滑性，以减少切割线在布线过程中的跳线压线情况或收线轮切割线互相摩擦造成切割线的磨损。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述冷却液供给装置包括储液槽，所述储液槽中装有冷却液，所述储液槽的正上方设置有喷淋头，所述储液槽的底部连接有冷却液出水管，所述冷却液出水管连接所述喷淋头，以供给冷却液给所述喷淋头。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述储液槽的相对的两侧部开设有通孔，以供所述切割线进出；其中，
所述通孔低于所述喷淋头，高于所述冷却液的液面；或
所述通孔低于所述冷却液的液面，所述通孔处设置有液流阻挡装置。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述通孔的直径为1-3mm。
10.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S4中，所述切割步骤具体为：
打开冷却液供应系统，冷却液流量设置为8000-10000立方/小时，左右两侧建立相应的张力12-25N，热机循环；热机结束后，按照线速10-25m/s和台速0.2-1.4mm/min，进行切割。