一种多晶硅切片方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及硅锭后续加工技术领域，特别是一种对多晶硅锭进行加工制得用于切片的硅棒的方法。
【背景技术】
[0002]在现多晶晶锭长晶工艺过程中，最重要的一个特征就是长晶方向为从底部到头部，这就使得绝大部分分离系数小于1的金属杂质、c以及SiC、SiN及SiCNx等硬度系数较高杂质集中在多晶晶锭最上方，导致晶锭越往顶部杂质越多，硬度越高，同时少子寿命越低；同时一些分离系数大于1的稀有金属集中在晶锭底部，同时在长晶和退火过程中坩祸及SiN中杂质会向晶锭扩散，导致晶锭底部和四周少子寿命值变低，由于晶锭底部氧含量较高，会在晶锭底部形成较多的硼-氧复合体，这有助于提高少子寿命，从而导致晶锭底部长晶方向3cm内少子寿命呈曲线分布。
[0003]目前国内外行业内尚无较为高效方法来解决现多晶晶锭少子寿命检测及低少子寿命部分截断工序多且复杂、成本高且影响循环晶锭质量的问题。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是:为了解决现多晶晶锭少子寿命检测及低少子寿命部分截断工序多且复杂、成本高且影响循环晶锭质量的问题。
[0005]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种对多晶硅锭进行加工制得用于切片的硅棒的方法，具体如下工艺步骤:1.打开电源启动线切割机；2.检查线网是否有跳线；3.检查导线轮是否损伤；4.检查放收线轮上的钢线余量是否够切；5.检查砂浆供给、喷嘴、工件装置；6.横移架的位置是否校正；7.按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面；8.按“手动操作”键进入“电栗单独操作”画面；9.按“加工程序”键进入“模拟切割”画面；10.按“生产统计”进入耗材使用画面；11.准备完毕后看是否还有报警信息存在；
12.进入主画面，检查一遍。
[0006]进一步，将硅锭先横切再竖切。
[0007]又进一步，先将硅锭横切成均匀的上下两部分，再横向竖切成小锭，最后将每个小锭进行纵向竖切成硅片。
[0008]又进一步，在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为
0.32mm/min0
[0009]本发明的有益效果是:结合现多晶晶锭质量的长期监控、实验统计和分析总结，在对多晶工艺有效监控和稳定工艺的前提下，完全改变现国内外多晶晶锭在少子寿命测试、低少子寿命层截断的工艺方法，从根本上解决了长久以来少子寿命检测及低少子寿命层截除工序多且复杂、成本高且影响循环晶锭质量的现象，同时为硅片良率的改善打下了基础，也为硅片在电池端的良率进一步提供了保证。
【具体实施方式】
[0010]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种对多晶硅锭进行加工制得用于切片的硅棒的方法，具体如下工艺步骤:1.打开电源启动线切割机，检查外围冷却时、压缩空气，达到规定值时进入设备操作。2.检查线网是否有跳线，并将跳线处理好。3.检查导线轮是否损伤，如有将其更换；检查主辊内外侧损伤情况，如有可向里移动。4.检查放收线轮上的钢线余量是否够切，同时检查线网张力是够正常。5.检查砂浆供给、喷嘴、工件装置。6.横移架的位置是否校正，如有误差可手动调节。7.按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面看还有哪些不能满足生产需求的故障要改进，进入“进刀单元”画面，设置切割0点；手动向上抬升2_位置待切割状态。进入“钢线定位”和“移动杆设定”画面，如有问题解决方法同“4”和“6”，且手动更改正确参数。8.按“手动操作”键进入“电栗单独操作”画面，检查砂浆状态是否正常。9.按“加工程序”键进入“模拟切割”了解生产一刀的钢线用量、切割时间，进入“图表程序”画面检查暖机和切割的工艺参数。10.按“生产统计”进入耗材使用画面查看耗材剩余时间。11.准备完毕后看是否还有报警信息存在，如果给与消除。12.进入主画面，检查一遍，如正常按“autostart”键开始切割。
[0011]进一步，将硅锭先横切再竖切。
[0012]又进一步，先将硅锭横切成均匀的上下两部分，再横向竖切成小锭，最后将每个小锭进行纵向竖切成硅片。
[0013]又进一步，在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为
0.32mm/min0
[0014]结合现多晶晶锭质量的长期监控、实验统计和分析总结，在对多晶工艺有效监控和稳定工艺的前提下，完全改变现国内外多晶晶锭在少子寿命测试、低少子寿命层截断的工艺方法，从根本上解决了长久以来少子寿命检测及低少子寿命层截除工序多且复杂、成本尚且影响循环晶徒质量的现象，同时为娃片良率的改善打下了基础，也为娃片在电池端的良率进一步提供了保证。
【主权项】
1.一种多晶硅切片方法，具体如下工艺步骤: (一)、打开电源启动线切割机； (二)、检查线网是否有跳线； (三)、检查导线轮是否损伤； (四)、检查放收线轮上的钢线余量是否够切； (五)、检查砂浆供给、喷嘴、工件装置； (六)、横移架的位置是否校正； (七)、按“运行准备”键进入“自动启动条件设定”画面； (八)、按“手动操作”键进入“电栗单独操作”画面； (九)、按“加工程序”键进入“模拟切割”画面； (十)、按“生产统计”进入耗材使用画面； (十一)、准备完毕后看是否还有报警信息存在； (十二)、进入主画面，检查一遍。2.如权利要求1所述的一种多晶硅切片方法，其特征在于:将硅锭先横切再竖切。3.如权利要求2所述的一种多晶硅切片方法，其特征在于:先将硅锭横切成均匀的上下两部分，再横向竖切成小锭，最后将每个小锭进行纵向竖切成硅片。4.如权利要求1所述的一种多晶硅切片方法，其特征在于:在切割过程中观察机器运行状况，线张力控制在21N左右，平均进给为0.32mm/min。
【专利摘要】本发明公开了一种多晶硅切片方法，属于多晶硅的切片工艺技术领域，包括将硅锭先横切再竖切。采用该方法切片得到的硅片晶粒呈长条状，整体晶粒较大，可有效降低制造的电池的复合，少子寿命有20us及以上(产业上普通多晶硅太阳能硅片的少子寿命在10us及以下)，太阳能电池平均转换效率达到17.50％及以上。采用本方法切片无须对夹具进行调整，在摆放夹具时也无需考虑是否会出现捣坏硅片的现象，避免了很多不必要的操作，杜绝了这些操作有可能在切割过程中对硅棒造成的负面影响，减少了操作工的操作步骤，不影响切片工作效率。
【IPC分类】B28D5/04
【公开号】CN105252659
【申请号】CN201510725876
【发明人】顾祥宝
【申请人】江苏耀阳电子有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年10月30日