专利名称：光学膜片的冲裁装置及光学膜片的冲裁方法
技术领域：
本发明涉及一种用于将例如偏振膜片等光学膜片冲裁成产品要求的所需大小、形状从而形成为光学膜的冲裁装置及光学膜片的冲裁方法。
背景技术：
一般情况下，安装于显示器等的表面上的光学膜片是(例如偏振膜)通过使用冲裁刀将长条的光学膜片或矩形的光学膜片冲裁(切断)成所需大小而制造。例如在下述专利文献1记载的冲裁装置中，在基座上立设冲裁刀，隔着光学膜片从其上方将压板推压到光学膜片，在冲裁刀与压板之间将光学膜片冲裁成所需尺寸的光学膜片。
可是，光学膜片通常在对其进行冲裁时容易发生静电，光学膜容易带电。另外，当对光学膜片进行冲裁时，产生粉尘。因此，在冲裁过程中产生的粉尘由静电作用附着于光学膜，使光学膜的质量下降。
因此，在上述以往的冲裁装置中，通过使压板的接触面的表面粗糙度变大，尽可能地减小与光学膜片的接触面积，由此抑制冲裁时发生静电。
日本特开2002-58405号公报然而，在如上述以往的冲裁装置那样增大压板的接触面的表面粗糙度时，相反容易产生粉尘，不能有效地防止粉尘附着。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种可通过在冲裁光学膜片时抑制发生静电从而防止粉尘附着于光学膜的冲裁装置及光学膜片的冲裁方法。
本发明人为了达到上述目的，进行了认真的研究，结果发现，通过在光学膜片中对与冲裁刀进入一侧的面相反侧的面进行导电处理，从而可减少发生静电，由此完成了本发明。
即，本发明的光学膜片的冲裁装置，可相对接触离开地设置用于载置光学膜片的垫和冲裁刀，对载置于垫上的光学膜片进行冲裁；其特征在于，在上述垫处对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行导电处理。
在上述构成的冲裁装置中，在垫处对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行导电处理，从而防止伴随着冲裁动作发生静电，所以，即使随着冲裁动作产生粉尘，也可防止该粉尘附着于光学膜。
在此，光学膜片是指将光学膜冲裁成作为商品所需要的大小、形状之前阶段的片，包含长条的片、单片类型这两种概念。
通常，对于长条的片，一边依次朝前方送出光学膜片，一边用冲裁刀连续地进行冲裁，从而形成光学膜；对于单片类型的光学膜片，大多一张一张地冲裁光学膜片来形成光学膜。
本发明的光学膜片的冲裁装置的特征在于，在该垫处将冲裁刀接触的面形成为平滑面。按照该构成，与将冲裁刀接触的面形成为粗糙面的情况相比，粉尘的产生量受到抑制。
本发明的光学膜片的冲裁方法是将光学膜片载置于垫上来进行冲裁；其特征在于，使用对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行了导电处理的垫，使上述垫与冲裁刀相对接触离开。
通过使用对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行了导电处理的垫，将光学膜片载置于该垫上来进行冲裁，从而可防止随着冲裁动作产生的静电，因此，即使随着冲裁动作产生粉尘，也可防止该粉尘附着于光学膜。
本发明的光学膜片的冲裁方法的特征在于，使用将冲裁刀接触的面形成为平滑面的垫。
按照该方法，与使用冲裁刀接触的面为粗糙面的垫的情况相比，可抑制粉尘的发生量。
本发明的光学膜片的冲裁方法的特征在于，将光学膜片形成为卷筒体，从该卷筒体拉出光学膜片，将其载置于垫上。
在上述方法中，将光学膜片形成为卷筒体，当从卷筒体拉出光学膜片时，成为容易发生剥离带电的状态，但由于对载置光学膜片的垫实施导电处理，当将光学膜片载置于垫上时，除去剥离带电，所以，即使随着光学膜片的冲裁动作产生粉尘，也可防止该粉尘附着于光学膜。
按照本发明的光学膜片的冲裁装置，通过在垫处对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行导电处理，从而可防止光学膜片由冲裁刀切断时发生静电，所以，可防止光学膜带电，因此，即使随着冲裁动作产生粉尘，也可有效地防止该粉尘附着于光学膜，可容易地制造高质量的光学膜。
按照本发明的光学膜片的冲裁方法，通过使用对与冲裁刀接触的面相反侧的面实施了导电处理的垫，从而可防止光学膜片由冲裁刀切断时发生静电，所以，可防止光学膜带电，因此，即使随着冲裁动作产生粉尘，也可有效地防止该粉尘附着于光学膜，可容易地制造高质量的光学膜。
图1为示出本发明实施方式的冲裁装置整体构成的概略图。
图2为示出该冲裁刀装置的离开位置和冲裁位置的概略剖视图。
图3为示出垫的剖视图。
图4为示出该偏振膜片的层叠构成的放大剖视图。
图5为示出另一实施方式的光学膜片的层叠构成的放大剖视图。
具体实施例方式
下面，根据附图以冲裁装置为例说明本发明的实施方式，光学膜片为仅透射特定振动方向的光的偏振膜片。图1为示出冲裁装置的整体构成的概略图，图2为示出该冲裁刀装置的离开位置和冲裁位置的概略剖视图，图3为示出垫的剖视图，图4和图5为示出该偏振膜片的层叠构成的放大剖视图。
在本发明实施方式中处理的偏振膜片2具有作为保护膜20、21的高透明、高耐久性的三乙酰纤维素(TAC)膜夹住聚乙烯醇(PVA)膜的构造，该聚乙烯醇(PVA)膜为吸附了碘络合物或二色性染料的偏振膜18(作为芯构件的偏振膜)。
另外，在上侧的保护膜20的表面侧层叠微粘接剂层22，在该微粘接剂层22的表面侧层叠防护膜23。另外，在下侧的保护膜21的表面层叠比微粘接剂层22厚的粘接剂层24，在该粘接剂层24的表面层叠分离膜25。
偏振膜片2还可考虑如图5所示那样层叠相位差膜30将其形成为光学膜片2的情况。在该情况下，相位差膜30层叠到粘接剂层24的下侧，再通过另一粘接剂层31将分离膜25层叠到该粘接剂层31。这样的偏振膜4在从粘接剂层24剥离分离膜25后粘贴到显示器进行使用。
在图1所示情况，图示了这样的例子，即，预先将偏振膜片2形成为层叠体，然后将其卷绕成卷筒体2A，但也可分别将构成偏振膜片2的多种膜等形成为卷筒体，依次将其拉出，形成为层叠体后进行使用。也有形成为偏振膜片2的层叠体的情况。偏振膜片2形成为与后述的垫5大体相同宽度。
下面，说明偏振膜片2的冲裁装置1。冲裁装置1在将偏振膜片2载置于上述垫5上的状态下，使用冲裁刀装置7将其冲裁成作为商品所需要的大小和形状，从而形成偏振膜4。在该实施方式中，示出偏振膜片2是将长条的偏振膜片卷成卷筒状的情况，但不限于此，例如也可适用于使用单片状的偏振膜片2，由该偏振膜片2冲裁偏振膜4。
如图1所示那样，冲裁装置1具有将两端卷绕到辊3、3的环式的上述垫5、辊3、3的未图示的驱动装置、及冲裁刀装置7。两辊3、3为了具有除电功能，使用金属制成。或者，也可考虑通过对其表面实施导电处理，从而使其具有除电功能。
如图2和图3所示那样，垫6为由上侧(载置偏振膜片2的表面侧)的基材10和通过涂覆或蒸镀等设于基材10下表面的导电处理层11即带电防止层构成的塑料片。作为垫6的基材10，例如最好使用聚苯乙烯(PS)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)。作为基材10的厚度t1，例如设定为500～600μm。作为导电处理层11的厚度t1，如为可发挥带电防止功能的厚度，则也可比基材10的厚度t1薄。作为基材10的上面10a的粗糙度，即表面粗糙度(JIS B 0601 1994年版)，最好为Ra0.01～0.6μm(如为0.02～0.1μm则更好)、Rz0.1～2μm(如为0.2～1μm则更理想)。Ra表示中心线平均粗糙度，Rz表示十点平均粗糙度。即，基材10的表面粗糙度与以前的基材10的表面粗糙度相比是极平滑的平滑面的值。
作为构成导电处理层11的材料，例如可列举出由铝等金属或铟锡氧化物、锡氧化物的蒸镀、溅镀获得的导电膜，含有从锡、锑、铟中选择的至少一种金属成分和硅的酒精性溶胶的带电防止用膜组成物，由从锡、锑、铟中选择的至少一种的导电性金属氧化物的水分散性溶胶和水性硅溶胶构成的带电防止用膜组成物，金属醇盐的水解缩聚物，共轭系导电性高分子、高分子型的带电防止剂、低分子型的界面活性剂等材料。
在这些带电防止用的材料中，特别是共轭系导电性高分子、高分子型的带电防止剂可由下述方法在基材10容易地形成耐久性高的导电处理层11，所以，可以较好地得到使用。作为共轭导电性高分子的具体例，最好使用聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚对苯乙炔、或它们的置换体。它们可通过将溶解于溶剂中的可溶性的导电性高分子涂到基材上形成导电处理层11，或由单体和氧化剂直接在基材10上聚合而形成导电处理层11。
作为高分子型的带电防止剂的具体例，最好使用非离子系的聚环氧乙烷、聚醚酯酰胺、聚醚酰胺酰亚胺、环氧乙烷表卤醇共聚物、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯共聚物，阳离子系的含有季铵基的(甲基)丙烯酸盐共聚物、含有季铵基的马来酰亚胺共聚物、含有季铵基的甲基丙烯酰亚胺共聚物，阴离子系的聚苯乙烯磺酸钠、两性类的羰基甜菜碱-接枝共聚物等。它们可在溶解到适当的溶剂后涂到基材上，或也可与适当的聚合物混合后进行熔融挤压而形成薄膜，然后粘合到基材膜。
上述冲裁刀装置7具有支承台15、固定于该支承台15的底面的冲裁刀(也称为汤姆孙刀)16、及可上下自由移动地对支承台进行支承的未图示的上下驱动装置。冲裁刀装置7在基准位置将冲裁刀16配置到相对于垫6的上表面(载置表面)6a朝上方离开的位置。冲裁刀16形成为可根据情况将偏振膜片2冲裁成所期望的形状的形状。例如，在该实施方式的情况，形成为从底面观察时为矩形。
冲裁刀16的构造为在离开位置X和冲裁位置Y之间由上述上下驱动装置支承其支承台15，在该X位置，冲裁刀16的尖端状的刀尖17相对于垫6的上表面6a离开，该冲裁位置Y为从该离开位置X下降使刀尖17接触于垫6(实际上稍进入到垫6的基材10)的位置。
下面，说明使用上述构成的冲裁位置1将偏振膜片2冲裁成作为商品所需要的面积和形状(剪断地冲裁)的顺序。垫6与辊3、3的驱动同步地从下游侧C1朝上游侧C2移动，翻转后，从上游侧C2朝下游侧C1移动，反复进行这样的动作。在垫6上载置偏振膜片2并使得其防护膜23处于上方(分离膜25处于下方)，使用从宽度方向两侧的夹持机构等适当的机构，使其与垫6成为一体，从而使垫6与偏振膜片2同步地从上游侧C1移动到下游侧C2。此时，在冲裁刀装置7中，在离开位置X，可将偏振膜片2插入到冲裁刀16与垫6之间。
偏振膜片2一到达冲裁刀装置7的正下方，则暂时停止垫6的驱动部的驱动，对冲裁刀装置7的驱动部进行驱动，使冲裁刀装置7从离开位置X下降。这样，冲裁刀16的刀尖17从防护膜23侧进入到偏振膜片2。当使冲裁刀装置7进一步下降时，如图4所示，冲裁刀16的刀尖17成为稍进入到垫6的冲裁位置Y。通过这样使冲裁刀装置7下降到冲裁位置Y，从而由冲裁刀16将载置于垫6的偏振膜片2剪断成与冲裁刀16相应的面积和形状，冲裁成偏振膜4。冲裁后的偏振膜片2在下游侧C2对其进行卷取，或直接废弃等，受到适当处理。
在如上述那样将偏振膜片2冲裁成偏振膜4后，再次驱动冲裁刀装置7的驱动部，使冲裁刀装置7上升，到达离开位置X。由这样的各驱动部的间歇动作依次冲裁偏振膜片2，从而依次制造偏振膜4。然后，冲裁的偏振膜4可例如重叠起来进行保管。
在偏振膜4的制造过程中，当冲裁刀16进入到偏振膜片2的合成树脂层时，容易由两者的摩擦发生偏振膜片2带电的状态，但由于在垫6上将导电处理层11设于上侧的基材10的下表面，所以，由该导电处理层11防止偏振膜4带电。另一方面，当对偏振膜片2进行冲裁将其切断时，主要从切断面、垫6的基材10产生合成树脂的粉尘，但如上述那样，在垫6上将导电处理层11设于上侧的基材10的下表面，防止粉尘的附着，所以，粉尘不附着到制造的偏振膜4，因此，可制造高质量的偏振膜4。
特别是当冲裁偏振膜4时，如冲裁刀16的刀尖17成为从垫6的上面6a进入到基材10的冲裁位置Y，则容易从基材10发生粉尘，但在如上述那样将垫6的基材10的表面变平滑的情况，即使冲裁刀16的刀尖17进入到基材10，与基材10的表面粗糙度较粗的已有技术的情况相比，其粉尘产生量也较低。即，与以前相比，可减少粉尘的产生量，而且可防止偏振膜4带电，所以，可比以前减少粉尘的产生量，而且由导电处理层11防止偏振膜4带电，所以，可确实地防止粉尘附着于偏振膜4。
另外，在该实施方式中，用金属制成卷绕垫6的辊3、3，而对其施加带电防止功能，或在表面施加带电防止功能，而且，将垫6卷绕到辊3、3的一侧为导电处理层11，垫6的导电处理层11与辊3、3时常接触，相应地提高除电能力，所以，可确实地防止粉尘的附着，制造高质量的偏振膜4。
可是，在制造偏振膜4时，即使如上述那样驱动垫6，使载置于上表面6a的偏振膜片2同步移动，可以认为在垫6与偏振膜片2的接触面也产生微小的位置偏移。换言之，发生驱动侧的垫6的上面6a与从动侧的偏振膜片2的下表面2a摩擦的状态，成为偏振膜片2容易带电的状态，但由于在垫6设有用于防止偏振膜4带电的导电处理层11，所以，可防止垫6与偏振膜片2的位置偏移带来的偏振膜片2的带电，因此，即使如上述那样在垫6与偏振膜片2的接触面产生位置偏移，也可同样地防止粉尘的附着，获得高质量的偏振膜4。
另外，虽然通常当从辊2A拉出偏振膜片2时成为容易发生剥离带电的状态，但由于在垫6设有导电处理层11，所以，如将偏振膜片2载置于垫6上，则剥离带电被除去，这一点也可防止粉尘的附着，所以，可制造高质量的偏振膜4。另外，如上述那样，偏振膜片2不限于预先形成为卷筒状，有时也将构成偏振膜片2的多个膜分别形成为独立的卷筒体，一边载置于后述的垫5上，一边形成为偏振膜片2的层叠体。然而，即使在从各卷筒体拉出薄膜时产生剥离带电的状态，如在垫6上相互重叠薄膜，则由垫6的导电处理层11除电，结果可制造高质量的偏振膜4。
由于垫6的基材10的表面粗糙度形成为平滑面，所以，当冲裁刀16的刀尖17从垫6的上面6a进入到基材10而形成偏振膜4时，可有效地防止空气进入到粘接剂层24与分离膜25间，因此，可有效地防止漏光，可制造高质量的偏振膜4。
偏振膜片2从上依次层叠防护膜23、微粘接剂层22、保护膜20、偏振膜18、保护膜21、粘接剂层24、及分离膜25。当从下侧使冲裁刀16进入到这样的偏振膜片2时，则形成粘接剂层24的浆料附着于冲裁刀16，难以获得平整的切断面。然而，在该实施方式中，使冲裁刀16从偏振膜片2的上方即防护膜23侧进入到偏振膜片2，通过微粘接剂层22切断偏振膜片2。该微粘接剂层22比粘接剂层24的厚度小，而且粘接力小，所以，与冲裁刀16从粘接剂层24侧进入的情况相比，可平整地进行偏振膜片2的切断(切断面平整)。
垫6成为环形，在冲裁偏振膜4时冲裁刀16的刀尖17进入的位置随机变化，所以，不需要在垫6的一圈对其进行更换，可连续地反复使用。然而，若反复使用垫6，使冲裁刀16的刀尖17多次进入到同一位置或接近其的部分，则该部分脆弱化，变得不能顺利地进行偏振膜4的冲裁，所以，最好每隔预定时间或预定回转数更换垫6。
本发明不限于上述实施方式。例如在上述实施方式中，偏振膜4为从偏振膜片2每次1列地进行冲裁的情况，但不限于此，也可相应于垫6的宽度使用比上述实施方式的偏振膜片2宽的偏振膜4，或减小冲裁刀16的外径，同时地从偏振膜片2冲裁多列偏振膜4。
在这样的情况，冲裁的偏振膜4的数量变多，可以认为粉尘的量也相应地变多，但在本发明的实施方式中，由于在垫6处对与冲裁刀16接触的面相反侧的面进行了导电处理，所以，即使粉尘的量变多，也可有效地防止其粉尘附着于偏振膜4，获得高质量的偏振膜4。
在上述实施方式的冲裁装置1中，垫6为环形，将偏振膜片2载置于其上，但不限于此。例如也可作为冲裁装置，设置垫6之外的卷绕于辊3、3的环形皮带，将长条的垫6供给并进行载置到该环形皮带上，将偏振膜片2载置到垫6上，使用冲裁刀装置7对偏振膜片2进行冲裁。在这样的冲裁装置中，通过使用与上述实施方式同样的垫6，从而可防止粉尘附着于偏振膜4，可制造高质量的偏振膜4。
在这里，示出实施例1～实施例4。作为在这些实施例中示出的除电评价方法，使用表面电阻值表面电阻测定器(三菱化学(制)的Hiresta MCP-HT450)按外加电压500V测定导电处理层11的表面电阻值Ω/□(单位欧姆每方)。
实施例1
(将有机溶剂可溶性聚苯胺用于导电处理层11的聚丙烯膜的情况)在具有搅拌装置、温度计、及直管接头的101(10升)容量的可分离烧瓶中依次加入蒸馏水6000g、36％盐酸360ml、及苯胺400g(4.295摩尔)，使苯胺溶解。另外，一边用冰水冷却，一边将97％浓硫酸434g(4.295摩尔)加入到烧杯中的蒸馏水1493g中并进行混合，调制硫酸水溶液。将该硫酸水溶液加入到上述可分离烧瓶中，用低温恒温槽将烧瓶整体冷却到-4℃。
然后，在烧杯中将过二硫酸铵980g(4.295摩尔)加入到蒸馏水2293g使其溶解，调制氧化剂水溶液。在低温恒温槽中对烧瓶整体进行冷却，将反应混合物的温度保持在-3℃以下，同时，在搅拌下使用管泵从直管接头将上述过二硫酸铵水溶液按1ml/分以下的比例慢慢地滴下到苯胺盐的酸性水溶液中。最初，无色透明的溶液随着聚合的进行，从铜绿色变成墨绿色，接着，析出墨绿色的粉末。将反应系内的温度调整到0℃以下。这样，需要7小时，结束过二硫酸铵水溶液的滴下后，在-3℃以下的温度继续搅拌1小时。
过滤分选获得的聚合物粉末，进行水洗、丙酮清洗，在室温下进行真空干燥，获得墨绿色的聚合物粉末430g。将其加压成形为直径13mm、厚700μm的圆盘，由范德堡法(van derPauw)测定其导电度，得知为14S/cm。
另外，将上述添加的导电性有机聚合物粉末350g加到2N氨水41中，用自动均相混合机按转速5000rpm搅拌5小时。混合物从墨绿色变成蓝紫色。
由平底漏斗对粉末进行过滤分选，在烧杯中一边搅拌，一边用蒸馏水反复清洗，直到滤液成为中性，然后，用丙酮进行清洗，直到滤液变成无色。
此后，在室温下对粉末进行10小时的真空干燥，获得黑褐色的去杂了的聚合物粉末280g。将获得的聚苯胺溶解到N-甲基-2-吡咯，调制0.5重量％的溶液。然后，混合该溶液100重量份、丙二酸200份、及异丙醇900份，获得涂覆液。
将该涂覆液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的单面，在80℃的热风干燥机中干燥2分钟，形成厚0.07μm的导电处理层11。
获得的薄膜的表面电阻为7×107Ω/□。与聚丙烯膜的导电处理层11相反侧的面的表面粗糙度的Ra为0.063μm，Rz为0.275μm。
实施例2(将有机溶剂可溶性聚苯胺与粘接剂聚合物的混合物用于导电处理层11的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的情况)调制由实施例1获得的聚苯胺100重量份、丙二酸200份、东洋纺织株式会社制的线状饱和聚酯树脂“バイロンRV-290”100份的、1.0重量％的N-甲基-2-吡咯溶液而做成涂覆液。
将该涂覆液涂覆到厚480μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面，在80℃的热风干燥机中干燥2分钟，形成厚0.1μm的导电处理层11。
获得的薄膜的表面电阻为9×107Ω/□。与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的导电处理层11相反侧的面的表面粗糙度的Ra为0.067μm，Rz为0.351μm。
实施例3(将聚3、4-二氧噻吩用于导电处理层11的聚丙烯膜的情况)将3、4-二氧噻吩100份和p-甲苯磺酸铁500份的、5重量％的异丙醇溶液涂覆到厚500μm的聚丙烯膜的单面，在室温下放置。进行聚合反应而在基材上形成薄膜。用流水对其进行清洗，干燥后，形成厚0.05μm的导电处理层11。
获得的薄膜的表面电阻为3×108Ω/□。与聚丙烯膜的导电处理层11相反侧的面的表面粗糙度与实施例1、实施例2同样地为非导电处理面的表面粗糙度。
实施例4(将聚3、4-二氧噻吩用于导电处理层11的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的情况)用水/异丙醇(50/50重量比)的混合溶剂稀释聚噻吩系导电聚合物(ナガセケムテツク公司制，商品名デナトロンP502RG)，调制1.0重量％的涂覆液。
将该涂覆液涂覆到厚480μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的单面，在80℃的热风干燥机中干燥2分钟，形成厚0.03μm的导电处理层11。
获得的薄膜的表面电阻为7×107Ω/□。聚对苯二甲酸乙二醇酯与的导电处理层11相反侧的面的表面粗糙度的Ra为0.06μm，Rz为0.30μm。
由这些实施例1～实施例4所示导电处理层11可获得充分的除电效果，可基本消除随着偏振膜4的冲裁作业发生的粉尘在偏振膜4上的附着。另外，通过将导电处理层11形成为这些实施例1～实施例4所示的表面粗糙度，从而可使得当冲裁刀16进入到垫6时发生的合成树脂的粉尘的量比以前大幅度减少，获得高质量的偏振膜4。
权利要求
1.一种光学膜片的冲裁装置，可相对自由接触离开地设置用于载置光学膜片的垫和冲裁刀，对载置于垫上的光学膜片进行冲裁；其特征在于，在上述垫处对与冲裁刀接触的面相反侧的面实施了导电处理。
2.根据权利要求1所述的光学膜片的冲裁装置，其特征在于，在垫处冲裁刀接触的面为平滑面。
3.一种光学膜片的冲裁方法，将光学膜片载置于垫上进行冲裁；其特征在于，使用对与冲裁刀接触的面相反侧的面实施了导电处理的垫，使上述垫与冲裁刀相对接触离开。
4.根据权利要求3所述的光学膜片的冲裁方法，其特征在于，使用冲裁刀接触的面为平滑面的垫。
5.根据权利要求3或4所述的光学膜片的冲裁方法，其特征在于，光学膜片为卷筒体，从该卷筒体拉出光学膜片，将其载置于垫上。
全文摘要
本发明提供一种光学膜片的冲裁装置及光学膜片的冲裁方法，该冲裁装置通过抑制冲裁光学膜片时发生静电，从而可防止粉尘附着在光学膜片上。光学膜片的冲裁装置，可相对自由接触离开地设置用于载置光学膜片的垫和冲裁刀，对载置于垫上的光学膜片进行冲裁；其中在上述垫处对与冲裁刀接触的面相反侧的面进行导电处理。
文档编号B26D7/08GK101077586SQ20071010797
公开日2007年11月28日 申请日期2007年5月22日 优先权日2006年5月22日
发明者金子铁夫, 大谷彰, 重松崇之 申请人:日东电工株式会社