专利名称：：透明导电性薄膜、其制造方法以及具备其的触摸面板的制作方法
技术领域：
：本发明涉及在可见光线中具有透明性，且在薄膜基材上经由底涂层而设置有透明导电体层的透明导电性薄膜及其制造方法。进而，涉及具备该透明导电性薄膜的触摸面板。本发明的透明导电性薄膜除了用于液晶显示、电致发光显示等显示方式和触摸面板等中的透明电极，还用于透明物品的带电防止或屏蔽电磁波。本发明的透明导电性薄膜尤其适合用于触摸面板用途。其中，适合于阻抗膜方式的触摸面板用途。
背景技术：
：触摸面板根据位置检测的方法具有光学方式、超声波方式、静电容量方式、阻抗膜方式等。阻抗膜方式的触摸面板形成如以下的构造，即一对透明导电性薄膜隔着间隔件相对配置，向上侧的透明导电性薄膜流入电流，并测量下侧的透明导电性薄膜中的电压。如果通过利用手指或笔等的按压操作而使上侧的透明导电性薄膜与下侧的透明导电性薄膜接触，则该接触部分通电，由此检测该接触部分的位置。因而，透明导电性薄膜需要笔输入耐久性。作为此种透明导电性薄膜，近年来，除可弯性、加工性以外，从耐沖击性优良、轻量等优点出发，使用以聚对苯二甲酸乙酯薄膜为首的各种薄膜作为基材的透明导电性薄膜。使用此种透明导电性薄膜的触摸面板多用在屋外。因而，透明导电性薄膜需要笔输入耐久性，并且需要高温高湿可靠性。然而，作为透明导电性薄膜提出了将透明导电体层的膜厚形成为122nrn，最大表面粗糙度控制为l-20nm，平均表面粗糙度控制为0.110nm的方案(专利文献1)。此外，作为透明导电性薄膜提出了设置两层透明导电体层，表面粗糙度Ra控制为0.52.0nm，最大高度Ry控制为820nm的方案(专利文献2)。此外，作为透明导电性薄膜提出了将透明导电体层的中心线平均表面粗糙度Ra研磨到lnm以下，将10点平均粗糙度Rz研磨到10nm以下，将最大高度Ry研磨到10nm以下的方案(专利文献3)。在专利文献l中记载得到极薄膜的连续膜的透明导电体层，在专利文献2中记载了透明导电体层为低阻抗且表面平坦性优良，在专利文献3中记载了透明导电体层的表面平滑性优良，但专利文献1至3所述的透明导电体层并不提供笔输入耐久性和高温高湿可靠性优良的透明导电体层。专利文献1:国际公开2004/105055号宣传册专利文献2:特开2005-268616号公报专利文献3:特开2005-93318号公报
发明内容本发明的目的在于提供一种具有笔输入耐久性和高温高湿可靠性优良的透明导电体层的透明导电性薄膜及其制造方法。此外，目的在于提供一种具备该透明导电性薄膜的触摸面板。本发明者们为解决上述问题而锐意研究的结果，发现利用下述的透明导电性薄膜能够达到所述目的，而完成本发明。艮P，本发明关于一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面隔着至少一层底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层的厚度d为1535nrn，平均表面粗糙度为0.37~lnm。在所述透明导电性薄膜中，所述透明导电体层的平均表面粗糙度Ra除以厚度d后的值(Ra/d)优选为0.017~0.045。在所述透明导电性薄膜中，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry优选为7.515nm。在所述透明导电性薄膜中，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry除以厚度d后的值(Ry/d)优选为0.34~1。在所述透明导电性薄膜中，从所述透明的薄膜基材侧起第一层的底涂层优选由有机物形成。在所述透明导电性薄膜中，在底涂层至少有两层的情况下，至少距离透明的薄膜基材最远的底涂层优选由无机物形成。作为由无机物形成的底涂层优选是SiOj莫。作为本发明的透明导电性薄膜，在所述透明的薄膜基材的另一方的面上隔着透明的粘结剂层而贴合透明基体。所述透明导电性薄膜适合用于触摸面板。作为触摸面板适合是阻抗膜方式的触摸面板。此外，本发明关于一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，包括在透明的薄膜基材的单面形成至少一层底涂层的工序；以及在所述底涂层上，在放电输出47W/CI^的条件下，对靶进行溅射而形成透明导电体层的工序。在所述制造方法中，在形成透明导电体层的工序后，包括以120-160匸进行退火处理，并使透明导电体层结晶化的工序。此外，本发明涉及一种触摸面板，其特征在于具备所述透明导电性薄膜。本发明的透明导电性薄膜将透明导电体层的厚度d、平均表面粗糙度Ra控制在规定的范围。根据所述的透明导电体层的控制，在本发明中，得到笔耐久性及高温高湿可靠性优良的透明导电性薄膜。此外，在本发明中，关于透明导电性薄膜的制造，将放电输出控制在规定的范围，并利用溅射而形成透明导电体层，由此发现与放电输出低的情况相比，平均表面粗糙度Ra相对于厚度d容易成长。根据所述的制造方法，能够有效地形成可满足本发明的厚度d、平均表面粗糙度Ra的透明导电体层。所述透明导电性薄膜适于用在触摸面板。尤其是适合用于阻抗膜式的触摸面板。图1是表示本发明的一实施方式涉及的透明导电性薄膜的剖视图。图2是表示本发明的一实施方式涉及的透明导电性薄膜的剖视图。图3是表示本发明的一实施方式涉及的透明导电性薄膜的剖视图。图4是表示线性的测定的概略的说明图。图中，l一薄膜基材；2—底涂层；3—透明导电体层；4一粘结剂层；5—透明基体；6—硬涂层。具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。图l是表示本发明的透明导电性薄膜的一例的剖面图。图1的透明导电性薄膜在透明的薄膜基材1的单面上经由底涂层2而具有透明导电体层3。图2是底涂层2具有两层的情况。图2中，从透明的薄膜基材1侧起依次设有底涂层21、22。此外，在所述透明导电性薄膜的透明的薄膜基材l的另一面(未设有透明导电体层3)上，如图3所示，能够经由透明的粘结剂层4而贴合透明基体5。透明基体5可以由一片的基体薄膜构成，也可是两片以上的基体薄膜的层叠体(经由透明的粘结剂层而叠层的)。此外，图3是在透明基体5的外表面设有硬涂层(树脂层)6的情况。作为所述膜基材1，没有特别的限定，可使用具有透明性的各种塑料膜。例如，作为该材料，可以举出聚酯系树脂、醋酸酯系树脂、聚醚砜系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酰胺系树脂、聚酰亚胺系树脂、聚烯烃系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、聚氯化乙烯系树脂、聚偏氯乙烯树脂、聚苯乙烯系树脂、聚乙烯醇系树脂、聚芳酯系树脂、聚苯硫醚系树脂等。其中，特别优选聚酯系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚烯烃系树脂。另外，也可以举出在特开2001-343529号公报(WO01/37007)中记载的高分子膜，例如含有(A)侧链上具有取代和/或未取代的亚氨基的热塑性树脂、和(B)侧链上具有取代和/或未取代的苯基以及腈基的热塑性树脂的树脂组合物。具体而言，可以使用含有由异丁烯和N—甲基马来酰亚胺所形成的交替共聚物、和丙烯腈'苯乙烯共聚物的树脂组合物的高分子膜。所述薄膜基材1的厚度优选在2200jam的范围内，更优选在2~100|am的范围内。如果薄膜基材1的厚度不足2pm，则薄膜基材1的机械强度不够，存在难以进行将该薄膜基材1形成辊状而连续地形成底涂层2、透明导电体层3的操作的情况。另一方面，如果厚度超过200^im，则存在无法实现透明导电体层3的耐擦伤性和作为触摸面板用的打点特性的提高。所述薄膜基材1也可在表面上预先实施溅射、电晕放电、火焰、紫外线照射、电子线照射、合成、氧化等蚀刻处理或底涂处理，从而使在其上设置的底涂层2相对于所述薄膜基材1的密接性提高。此外，在设置底涂层2之前，也可根据需要利用溶剂清洗或超声波清洗等进行除尘、清洗化。底涂层2能够利用无机物、有机物或无机物和有机物的混合物形成。而且，底涂层2的折射率通常优选1.3~2.5，更优选1.38~2.3，最优选1.4~2.3。例如，作为无机物列具有NaF(1.3)、Na3AlF6(1.35)、LiF(1.36)、MgF2(1.38)、CaF2(1.4)、BaF2(1.3)、Si02(1.46)、LaF3(1.55)、CeF3(1.63)、AI203(1.63)等无机物(上述各材料()内的数值为光的折射率)。其中，优选使用Si02、MgF2、八1203等。尤其是Si02适合。除此以外，能够使用对于氧化铟含有1040重量部左右的氧化铈、020重量部左右的氧化锡的复合氧化物。作为有机物列举有丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、密胺树脂、醇酸树脂、硅氧垸系树脂、有机硅垸縮合物等。这些有机物至少使用一种。尤其是，作为有机物期望使用由密胺树脂、醇酸树脂和有机硅垸缩合物的混合物构成的热固化型树脂。底涂层2设置在透明的薄膜基材1和透明导电体层3之间，不具有作为导电体层的功能。即，底涂层2作为电介体层而设置。从而，通常底涂层2的表面阻抗为lxl06Q/口以上，优选1x1()7Q/口以上，更优选^1080/口以上。而且，底涂层2的表面阻抗的上限没有特别限定。通常，底涂层2的表面阻抗的上限为测定上限即lxlO"Q/口左右，但也可超过lxlO"Q/口。从生产率及弯曲性的观点出发，从透明的薄膜基材1侧起第一层的底涂层优选由有机物形成。因而，在底涂层2为一层的情况下，底涂层2优选由有机物形成。此外，底涂层2至少具有两层的情况下，从笔输入耐久性的观点出发，至少从透明的薄膜基材1侧最远的底涂层优选由无机物形成。在底涂层2为三层以上的情况下，从透明的薄膜基材l侧起，对于第二层以上的底涂层优选由无机物形成。由无机物形成的底涂层能够通过作为真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法等干法工艺，或湿法(涂装法)等形成。作为形成底涂层的无机物如上所述优选Si02。在湿法中，能够通过涂装硅溶胶而形成Si02膜。由上可知，在设置两层底涂层2的情况下，优选利用有机物形成第一底涂层21，利用无机物形成底涂层22。底涂层2的厚度没有特别限制，但从光学设计、从所述薄膜基材1的防止低聚物产生效果的观点出发，通常在1300nm左右，优选5300nm。而且，在设置两层以上底涂层2的情况下，各层的厚度在5250nm左右，优选10250nm。作为所述透明导电体层3的构成材料没有特别限定，使用从铟、锡、锌、镓、锑、钛、硅、锆、镁、铝、金、银、铜、钯、钨构成的组中选择的至少一种金属的金属氧化物。该金属氧化物根据需要也可进一步含有上述组中所示的金属原子。例如，优选使用含有氧化锡的氧化铟、含有锑的氧化锡等。透明导电体层3的折射率通常在1.95~2.05左右。透明导电体层3的厚度d为15~35nm。通过将厚度d控制在所述范围内，能够满足笔输入耐久性及高温高湿可靠性，此外，能够形成将其表面阻抗形成为lxl()SQ/口以下的具有良好的导电性的连续被膜。厚度d不足15nm，则不能满足笔输入耐久性及高温高湿可靠性。另一方面，在厚度d超过35nm的情况下，膜厚过厚，有导致透明性降低之虞，此外，易形成裂纹，笔耐久性降低，因此，不太优选。所述膜厚d优选1735nm，更优选1730nm。此外，透明导电体层3的平均表面粗糙度Ra为0.37lnm。通过将平均表面粗糙度Ra控制在所述范围，能够满足笔输入耐久性。平均表面粗糙度Ra不满足0.37nm，即使厚度d满足所述范围，也无法满足笔输入耐久性。另一方面，在平均表面粗糙度Ra超过lnm的情况下，即使厚度d满足所述范围，也无法满足高温高湿可靠性，因此不优选。所述平均表面粗糙度Ra优选0.370.95nrn，更优选0.370.9nm。此外，本发明者们关于所述透明导电体层的厚度d及平均表面粗糙度Ra的关系，发现如下关系，即通过将平均表面粗糙度Ra除以厚度d后的值(Ra/d)控制在规定的范围内，能够实现笔输入耐久性及高温高湿可靠性两方面。即，所述透明导电体层的平均表面粗糙度Ra除以厚度d后的值(Ra/d)为0.0170.045，满足笔输入耐久性及高温高湿可靠性，故而优选。所述值(Ra/d)更优选0.017-0.043，最优选0.017-0.04。此夕卜，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry为7.515nm，满足笔输入耐久性及高温高湿可靠性，故而优选。最大表面粗糙度Ry更优选7.514nm，最优选7.513nrn。此外，本发明者们关于所述透明导电体层的厚度d及最大表面粗糙度Ry的关系，发现如下关系，即通过将最大表面粗糙度Ry除以厚度d后的值(Ry/d)控制在规定的范围内，能够实现笔输入耐久性及高温高湿可靠性两方面。即，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry除以厚度d后的值(Ry/d)为0.34~1，满足笔输入耐久性及高温高湿可靠性，故而优选。所述值(Ry/d)更优选0.34-0.9，最优选0.34~0.8。作为透明导电体层3的形成方法，只要能够满足所述厚度d、平均表面粗糙度Ra的范围的方法即可，具体地，可以举例真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法。其中，溅射法的生产率及均匀性良好而优选。在溅射法中，对靶进行溅射，在所述底涂层2上形成透明导电体层3。所述靶可以适用金属氧化物靶、金属靶的任一个，但在本发明中，适合金属氧化物靶。金属氧化物靶适合使用烧结体。而且，在透明导电体层的构成材料为含有氧化锡的氧化铟的情况下，作为金属氧化物靶使用氧化锡-氧化铟，作为金属靶使用锡-铟的合金。而且，金属氧化物靶即氧化锡-氧化铟优选使用烧结体。所述溅射可以采用在以氩气为主气体的氩气气氛下进行溅射的方法、在含有氧气的氩气气氛下进行溅射、进行反应性溅射的方法的任一个。在前者的溅射的方法的情况下，使用金属氧化物靶。另一方面，在后者的反应性溅射方法的情况下，使用金属氧化物靶、金属靶。在本发明中，优选采用反应性溅射方法，尤其是优选使用金属氧化物靶(优选烧结体)而采用反应性溅射方法。而且，在反应性溅射方法中，氩气气氛中的氧气的含有量相对于氩气以容量比为0.2~5%左右，优选0.2~3%。所述溅射在放电输出47W/ci^的条件下进行，所形成的透明导电体层3满足所述厚度d、平均表面粗糙度Ra的范围，故而优选。当放电输出不足4W/cm2时，存在未充分形成凹凸的情况，在超过7W/cn^的情况下，靶表面产生小结，存在不能稳定地放电的情况。所述放电输出更优选4~6.8W/cm2，最优选4~6.5W/cm2。此外，所述溅射将透明的薄膜基材1加热到温度80160'C而进行，所形成的透明导电体层3满足所述厚度d、平均表面粗糙度Ra的范围，故而优选。作为透明的薄膜基材的加热机构，例如列举有加热辊、IR加热器等。当所述透明的薄膜基材的温度不足8(TC时，未充分形成凹凸，有时耐久性不好。而且，所述温度的上限160°C由透明的薄膜基材可承受的上限温度来确定。所述透明的薄膜基材1的加热温度优选80150。C，更优选90150。C。此外，溅射在常压或减压下进行。通常为0.01~lPa左右，优选0.卜0.6Pa。此外，形成有透明导电体层3后，根据需要在120160。C的范围内能够实施退火处理而结晶化。优选所述退火温度为130155°C。因此，薄膜基材1优选具有IO(TC以上，进而15(TC以上的耐热性。此外，所述结晶化的处理时间为0.5~5小时，更优选0.5~4小时。此外，在薄膜基材1的未设置透明导电体层3的一侧能够经由透明的粘结剂层4而贴合透明基体5。透明基体5也可是利用透明的粘结剂层将至少两片的透明的基体薄膜贴合的复合构造。透明基体5的厚度通常优选90~300pm，更优选控制在100250|im。此外，在利用多个基体薄膜形成透明基体5的情况下，各基体薄膜的厚度在1020(^m，进而在20150(im，作为在这些基体薄膜包含有透明的粘结剂的透明基体5的总厚度控制在所述范围内。作为基体薄膜举出与所述薄膜基材l同样的。薄膜基材1与透明基体5的贴合可以在透明基体5侧设置所述粘结剂层4，并在其上贴合所述薄膜基材1，也可相反在薄膜基材1侧设置所述粘结剂层4，并在其上贴合透明基体5。在后者的方法中，能够将薄膜基材1形成辊状而连续地形成，因此在生产率方面更有利。此外，在薄膜基材1上利用粘结剂层依次贴合多个基体薄膜，由此能够层叠透明基体5。而且，基体薄膜的叠层使用的透明的粘结剂层可以使用与下述透明的粘结剂层4相同的粘结剂层。此外，在透明导电性薄膜之间的贴合时，也能够适宜地选择层叠粘结剂层4的透明导电性薄膜，并将透明导电性薄膜彼此贴合。作为粘结剂层4，只要是具有透明性的物质可以没有特别限制地使用。具体而言，可以适当选择使用例如以丙烯酸系聚合物、硅酮系聚合物、聚酯、聚氨酯、聚酰胺、聚乙烯醚、醋酸乙烯/氯化乙烯共聚物、改性聚烯烃、环氧系、氟系、天然橡胶、合成橡胶等橡胶系等的聚合物作为基础聚合物的物质。从光学透明性优良，显示适宜的湿润性、凝聚性以及粘合性等粘合特性，耐候性、耐热性等也优良的方面出发，特别优选使用丙烯酸系粘结剂。根据粘结剂层4的构成材料即粘结剂的种类使用适当的粘结剂底涂剂，由此能够使锚固力提高。因而，在使用此种粘结剂的情况下，优选使用粘结用底涂剂。作为所述粘结剂用底涂剂，只要是可提高粘结剂的锚固力的层即可，没有特别的限定。具体而言，可使用下述列举的具有有机反应性基团的树脂，例如有在同一个分子内具有氨基、乙烯基、环氧基、巯基、氯基等反应性官能基和加水分解性的垸氧基甲硅烷基的硅烷系交联剂；在同一个分子内具有含钛的加水分解性的亲水性基团和有机官能性基的钛酸酯系偶联剂；以及在同一个分子内具有含铝的加水分解性的亲水性基团和有机官能性基的铝酸酯系偶联剂等的所谓偶联剂、环氧系树脂、异氰酸酯树脂、聚氨酯树脂、酯聚氨酯树脂等。从工业上容易操作的观点出发，特别优选含有硅烷系偶联剂的层。此外，能够在所述粘结剂层4中含有与基底聚合物相应的交联剂。此外，粘结剂层4中根据需要也能够配合例如由天然物或合成物的树脂类、玻璃纤维或玻璃珠、金属粉或其他的无机粉末构成的填充剂、颜料、着色剂、氧化防止剂等适宜的添加剂。此外，也能够形成含有透明微粒子而给予光扩散性的粘结剂层4。另外，对于上述的透明微粒而言，可以使用下述适宜的微粒中的一种或两种以上，即，例如平均粒径为0.52(Hrni的二氧化硅、氧化钙、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化锡、氧化铟、氧化镉、氧化锑等导电性的无机系微粒；由聚甲基丙烯酸甲酯、聚氨酯之类的适合的聚合物所构成的交联或未交联的有机系微粒等。通常，所述粘结剂层4通过使基底聚合物或其组合物溶解并分散到溶剂中的固态成分浓度为10~50重量％左右的粘结剂溶液形成。作为所述溶剂能够适宜选择甲苯、醋酸乙酯等有机溶剂或与水等粘结剂的种类相对应的溶剂。该粘结剂层4例如在透明基体5的接合后，利用其缓冲效果，具有使设置在薄膜基材1的一方的面上的透明导电体层的耐擦伤性或作为触摸面板的打点特性、所谓笔输入耐久性及面压耐久性提高的功能。从更好地发挥该功能的观点出发，粘结剂层4的弹性系数设定在1100N/cn^的范围，厚度设定在lpm以上，通常期望设定在5100pm的范围。如果具有所述厚度，则上述效果充分发挥，透明基体5与薄膜基材1的密接力也足够。如果比上述范围薄，则不能足够确保上述耐久力和密接力，如果比上述范围厚，则存在透明性等外观产生不良情况之虞。而且，透明导电性薄膜所适用的粘结剂层4的弹性系数、厚度在其他的方式中也与上述相同。如果所述弹性系数为不足1N/cm2，则粘结剂层4变得非弹性，因此由于加压而容易变形，在薄膜基材l以及透明导电体层3产生凹凸。此外，粘结剂容易产生从加工切断面的溢出，因此降低透明导电体层3的耐擦伤性和作为触摸面板的打点特性的效果提高。另一方面，如果弹性系数超过100N/cm2，则粘结剂层4变硬，无法期待其缓冲效果，因此存在难以使透明导电体层3的耐擦伤性和作为触摸面板的笔输入耐久性及面压耐久性提高的倾向。此外，如果粘结剂层4的厚度不足lpim，则无法期待其缓冲特性，因此，存在难以使透明导电体层3的耐擦伤性和作为触摸面板的笔输入耐久性及面压耐久性提高的倾向。另一方面，如果厚度过厚，则损害透明性，或者在粘结剂层4的形成或透明基体5的贴合作业性，进而在成本的方面难以获得好的结果。经由此种粘结剂层4而贴合的透明基体5对于薄膜基材1赋予良好的机械强度，除笔输入耐久性及面压耐久性以外，尤其是有助于巻边等的产生。使用间隔件转印粘结剂层4的情况下，作为此种间隔件例如优选使用在聚酯薄膜的至少与粘结剂层4粘接的面上层叠移动防止层及/或分型层的聚酯薄膜等。所述间隔件的总厚优选在30pm以上，更优选60~100^m的范围内。这是因为在粘结剂层4形成后，以辊状保管的状态下，抑制由于进入辊间的异物等而设想产生的粘结剂层4的变形(打痕)的缘故。作为所述移动防止层能够由适合用于防止聚酯薄膜中的移动成分，尤其是聚酯的低分子量的低聚物成分的移动的材料来形成。作为移动防止层的形成材料能够使用无机物或有机物、或他们的复合材料。移动防止层的厚度能够在0.012(Him的范围内适宜地设定。作为移动防止层的形成方法没有特别限定，使用例如涂装法、喷射法、旋涂法、直列涂敷法等。此外，也能够使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、喷射热分解法、化学镀敷法、电镀法等。作为所述分型层能够形成由硅酮系、长链垸基系、氟系、硫化钼(壬'J7'f>)等适合的剥离剂构成的分型层。分型层的厚度从分型的效果考虑可以适宜地设定。通常从柔软性等处理性考虑，优选该厚度在20pm以下，更优选0.0110^im的范围内，尤其优选0.15pm的范围内。作为分型层的形成方法没有特别限定，可以采用与所述移动防止层的形成方法相同的方法。在所述涂装法、喷射法、旋涂法、直列涂装法中，可以采用丙烯酸系树脂、聚氨酯系树脂、密胺系树脂、环氧系树脂等电离放射线固化型树脂或在所述树脂中混合有氧化铝、二氧化硅、云母等。此外，在使用真空蒸镀法、溅射法、离子镀敷法、喷射热分解法、化学镀敷法或电镀法的情况下，能够使用由金、银、铂、钯、铜、铝、镍、铬、钛、铁、钴或锡或者他们的合金构成的金属氧化物、或由碘化钢构成的其他的金属化合物。此外，根据需要，也可在所述透明基体5的外表面(粘结剂层4的相反侧的面)上设置用来保护外表面的硬涂层(树脂层)6。作为硬涂层6例如优选使用由密胺系树脂、聚氨酯系树脂、醇酸系树脂、丙烯酸系树脂、硅酮系树脂等固化型树脂构成的固化被膜。作为硬涂层6的厚度优选0.130,。如果厚度不足0.1pm，则存在硬度不足的情况。此外，如果厚度超过30pm，则存在硬涂层6产生断裂，或透明基体5整体产生巻边的情况。此外，能够在本发明的透明导电性薄膜上设置以提高辨识性为目的的防眩处理层或反射防止层。在用于阻抗膜方式的触摸面板的情况下，与所述硬涂层6同样地能够在所述透明基体5的外表面(粘结剂层4的相反侧的面)上设置防眩处理层或反射防止层。此外，在所述硬涂层6上能够设置防眩处理层或反射防止层。另一方面，在静电容量方式的触摸面板的情况下，防眩处理层或反射防止层也设置在透明导电体层3上。作为防眩处理层的构成材料没有特别限定，例如能够使用电离放射线固化型树脂、热固化型树脂、热可塑性树脂等。防眩处理层的厚度优选0,1~30,。作为反射防止层使用氧化钛、氧化锆、氧化硅、氟化镁等。为进一步增大发挥反射防止层的功能，优选使用氧化钛层和氧化硅层的层叠体。所述层叠体优选在硬涂层6上形成折射率高的氧化钛层(折射率约2.35)，并在该氧化钛层上形成有折射率低的氧化硅层(折射率约1.46)的两层层叠体，更优选在该两层层叠体上依次形成有氧化钛层及氧化硅层的四层层叠体。通过设置此种两层层叠体或四层层叠体的反射防止层，能够均匀地降低可见光的波长区域(3S0780nm)的反射。本发明的透明导电性薄膜例如适用于光学方式、超声波方式、静电容量方式、阻抗膜方式等触摸面板。尤其适用于阻抗膜方式的触摸面板。(实施例)以下，使用实施例对本发明进行详细的说明，但本发明只要不超过其思想，并不限定于以下的实施例。此外，各例中，份是所有的重量基准。<折射率>各层的折射率是使用阿达高(7夕'^)公司制的阿贝折射率计，对各种测定面入射测定光，并利用该折射率计所示的规定的测定方法进行测定。<各层的厚度>对于薄膜基材、透明基体、硬涂层、粘结剂层等具有l(im以上的厚度的层，使用C乂卜3公司制的微量具式厚度计进行测定。在硬涂层、粘结剂层等直接厚度难以测量的层的情况下，测定设有各层的基材的总厚度，再减去基材的厚度而算出各层的膜厚。硬涂层、透明导电体层的厚度使用大冢电子(股份)公司制的瞬间多测光系统即MCPD2000(商品名)。基于干涉光谱的波形而计算得出。实施例1(底涂层的形成)在厚度为25pm的由聚对苯二甲酸乙酯薄膜(以下，称为PET薄膜)构成薄膜基材的一方的面上利用密胺树脂醇酸树脂有机硅烷縮合物的重量比2:2:1的热固化型树脂(光的折射率n=1.54)，形成厚度185nm的第一层的底涂层。接下来，以乙醇将硅溶胶(〕A:n—卜(公司)制，〕》〕一卜P)稀释到固态成分浓度2重量％，并在第一层的底涂层上利用二氧化硅涂敷法进行涂敷，然后，以150。C干燥2分钟，使其固化，形成厚度33nm的第二层底涂层"102膜、光的折射率1.46)。(透明导电体层的形成)接下来，在第二层的底涂层上，在由氩气99容量％和氧气1容量％构成的0.4Pa的气氛中，以温度IO(TC的条件加热所述PET薄膜，并且利用以放电输出6.35W/cm2，使用氧化铟97重量％，氧化锡3重量％的烧结体材料的反应性溅射法来形成厚度22nm的ITO膜(光的折射率2.00)。(硬涂层的形成)作为硬涂层的形成材料，调制在丙烯酸'聚氨酯系树脂(大日本^>斧化学(株)公司制的尤尼迪库(工二fV:y夕)17-806)100份中添加作为光聚合开始剂的羟基环己基苯基酮(千/《7^、乂卞》亍<亇5力》X公司制的依鲁嘎库阿(^》力'年二7)184)5份，并稀释至30重量％的浓度而成的甲苯溶液。将该硬涂层的形成材料涂敷到厚度为125|im的由PET薄膜构成的透明基体的一方的面上，并以10(TC干燥3分钟。然后，立即由两个臭氧型高压水银灯(能量密度80W/cm2、15cm聚光型)进行紫外线照射，形成厚度5pm的硬涂层。(透明导电性薄膜的制作)接下来，在所述透明基体的硬涂层形成面的相反侧的面上形成厚度约20pm，弹性系数101^^1112的透明的丙烯酸系的粘结剂层。作为粘结剂层组合物使用在丙烯酸丁酯和丙烯酸和乙酸乙烯的重量比为100:2:5的丙烯酸系共聚合体IOO份中配合一份异氰酸酯系交联剂而成的组合物。在上述粘结剂层侧贴合上述薄膜基材(未形成透明导电体层侧的面)，从而制作透明导电性薄膜。(透明导电体层的结晶化)透明导电性薄膜的制作后，以14(TC进行加热90分ff的加热处理，将ITO膜结晶化。(触摸面板的制作)将上述透明导电性薄膜作为一方的面板，作为另一方的面板使用在玻璃板上形成有厚度为30nrn的ITO薄膜的面板，将该两个面板以ITO薄膜相对的方式，经由厚度为1(^m的垫片而相对配置，从而制作作为开关结构体的触摸面板。实施例24及比较例1~4在实施例1中，透明导电体层的形成时，除如表1所示改变PET薄膜的加热温度、放电输出及透明导电体层的厚度以外，与实施例l相同地制作透明导电性薄膜。此外，与实施例l同样，在使该透明导电薄膜的ITO膜结晶化后，制作触摸面板。对于实施例及比较例的透明导电性薄膜及触摸面板(采样)，进行下述评价。表1表示结果。<透明导电体层的表面特性>使用工只7一7一'于/亍夕/口-公司制的扫描型探针显微镜(SPI3800)进行AFM观察。测定是在接触模式、探针使用Si3N4制(弹簧系数0.09N/m)，lpm平方扫描进行，测定平均表面粗糙度(Ra)及最大高度(Ry)。<1丁0膜的表面阻抗>使用两端子法测定ITO膜的表面电阻(Q/口)。<光透过率>使用岛津制作所制的光谱分析装置UV-240，测定光波长550nm下的可见光线透过率。<笔输入耐久性〉从透明导电性薄膜构成的触摸面板侧，以由聚缩醛构成的笔(笔尖R0.8mm)，以载荷500g进行30万次的滑动。滑动后，如以下测定透明导电性薄膜的线性(％)，并评价笔输入耐久性。[线性的测定方法]向透明导电性薄膜施加5V的电压，并测定透明导电性薄膜中的施加电压的端子A(测定开始位置)及端子(测定结束位置)之间的输出电压。如果将测定开始位置A的输出电压设为EA、测定完成位置B的输出电压设为EB，各测定点X的输出电压设为Ex，理论值设为Exx，则线性能够由以下的计算求得。Exx(理论值)={X*(EB—EA)/(B—A)}+EA线性(°/。)=[(Exx—Ex)/(EB—EA)]XIOO而且，线性测定的概略如图4所示。在使用触摸面板的图像显示装置中，通过由笔按压，由上部面板与下部面板的接触部分的阻抗值来确定显示在画面上的笔的位置。上部及下部面板表面的输出电压分布达到理论线(理想线)而确定阻抗值。如此，如果电压值偏离如图4所示的理论线，则由实际笔的位置和阻抗值确定的画面上的笔位置无法完美同步。距离理论线的偏移为线性，其值越大，实际笔的位置与画面上的笔的位置的偏移越大。<高温高湿环境下的可靠性>将由各例得到的透明导电性薄膜作为样本A。将样本A在60°C、95。/。R,R的环境下放置500小时。将该处理后的样本作为样本B。对于他们，利用与上述相同的方法测定表面电阻(Q/口)，并由样本A的阻抗(Ra)和样本B的阻抗(Rb)求得比(RB/RA)，并评价可靠性。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>权利要求1.一种透明导电性薄膜，其在透明的薄膜基材的单面隔着一层以上的底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度为0.37～1nm。2.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层的平均表面粗糙度Ra除以厚度d后的值为0.017~0.045。3.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry为7.515nm。4.根据权利要求3所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电体层的最大表面粗糙度Ry除以厚度d后的值为0.341。5.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，从所述透明的薄膜基材侧起第一层的底涂层由有机物形成。6.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述底涂层至少具有两层以上，且距离透明的薄膜基材最远的底涂层由无机物形成。7.根据权利要求6所述的透明导电性薄膜，其特征在于，由无机物形成的底涂层是Si02膜。8.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，在所述透明的薄膜基材的另一方的面上隔着透明的粘结剂层而贴合透明基体。9.根据权利要求l所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述透明导电性薄膜用于触摸面板。10.根据权利要求9所述的透明导电性薄膜，其特征在于，触摸面板是阻抗膜方式的触摸面板。11.一种透明导电性薄膜的制造方法，其是权利要求1~10中任一项所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，包括在透明的薄膜基材的单面形成一层以上的底涂层的工序；以及在所述底涂层上，在放电输出47W/cn^的条件下，对靶进行溅射而形成透明导电体层的工序。12.根据权利要求11所述的透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，在形成透明导电体层的工序后，包括以12016(TC进行退火处理，并使透明导电体层结晶化的工序。13.—种触摸面板，其特征在于，具备权利要求1~10中任一项所述的透明导电性薄膜。全文摘要本发明提供一种透明导电性薄膜，其具有笔输入耐久性及高温高湿可靠性优良的透明导电体层。在透明的薄膜基材的单面隔着至少一层底涂层而具有透明导电体层，其特征在于，所述透明导电体层的厚度d为15～35nm，平均表面粗糙度为0.37～1nm。文档编号B32B7/12GK101417517SQ2008101700公开日2009年4月29日申请日期2008年10月22日优先权日2007年10月22日发明者梨木智刚,菅原英男申请人:日东电工株式会社