专利名称：准位转换电路的制作方法
准位转换电路
技术领域：
本发明是有关于一种准位转换电路，且特别是有关于一种应用于低温多晶硅面 板的准位转换电路。
背景技术：
低温多晶硅(Low temperature poly-silicon, LTPS)面板具有反应时间短、亮 度高与高解析度的优点。因此，越来越多厂商投资更多资源于低温多晶硅的研发。随 着技术快速发展，低温多晶硅将可能取代薄膜晶体管(thin film transistor liquid crystal, TFT-LCD)于面板显示器(FPD， flat panel display)中的地位。
图1系绘示习知的一准位转换电路。此准位转换电路具有一第一 PMOS晶体管 140、 一第二 PMOS晶体管130、 一第一 NM0S晶体管110与一第二丽0S晶体管120。
第一 PMOS晶体管140的一源极耦接一电源端(VDDA)190，第一 PMOS晶体管140 的一栅极耦接一第二输出端135，第一 PMOS晶体管140的一漏极耦接一第一输出端 145。第二 PMOS晶体管130的一源极耦接电源端(VDDA)190,第二 PMOS晶体管130的 一栅极耦接第一输出端145，第二 PMOS晶体管130的一漏极耦接第二输出端135。第 一 NM0S晶体管110的一漏极耦接第二输出端135，第一 醒0S晶体管110的一栅极耦 接一第一输入端115，第一醒0S晶体管110的一源极耦接一接地端(VSSA)180。第二 麵0S晶体管120的一漏极耦接第一输出端145,第二丽0S晶体管120的一栅极耦接 一第二输入端125，第二腦OS晶体管120的一源极耦接接地端(VSSA) 180。
其中第一 PMOS晶体管140的一栅极耦接第一 画0S晶体管110的一漏极，第二 PMOS晶体管130的一栅极耦接第二醒0S晶体管120的一漏极。因此当第一输入端115 的输入电压导通第一 画0S晶体管110时，第一PMOS晶体管140亦导通且产生一输出 电压于第一输出端145。当第二输入端125的输入电压导通第二 NM0S晶体管120时， 第二 PMOS晶体管130亦导通且产生一输出电压于第二输出端135。
此准位转换电路使用CMOS晶体管(包含PMOS与丽0S晶体管)，而CMOS晶体管
中的PM0S晶体管比画OS晶体管大很多。因此当晶片使用到PMOS晶体管时，此晶片 会相当大。此外，CMOS晶体管的设计与制造成本比醒OS或PMOS晶体管高很多。故 需要一种新设计的准位转换电路来减少电路面积与成本。
发明内容
因此本发明一方面是在提供一种具有较小尺寸与较低成本的准位转换电路。 本发明另一方面是在提供一种具有一个画OS晶体管于源极驱动器内，与多个 PM0S晶体管于低温多晶硅面板上的准位转换电路。
根据本发明的一实施例，此准位转换电路用以接收一低电位信号以产生相应的 一高电位信号。此准位转换电路具有第一型态的一第一晶体管、第二型态的一第二晶 体管、第二型态的一第三晶体管与第二型态的一第四晶体管。第一晶体管具有一栅极 接收低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压。第二晶体管具有一源极接收一第 二供应电压，与一漏极耦接第一晶体管的一漏极。第三晶体管具有一源极接收第二供 应电压、 一漏极输出高电位信号，与一栅极耦接第二晶体管的一栅极。第四晶体管具 有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压，与一漏极耦接第三晶体管的漏 极。
值的注意的是，以上的概略叙述以及以下的详细叙述，皆用以对本发明的申请 专利范围提供进一步的说明。
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，所附图式
的详细说明如下
图1系绘示习知的一准位转换电路。
图2系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路。
图3系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路中的薩0S晶体管剖面图。具体实施方式
本发明提供一准位转换电路用于一低温多晶硅面板。为了縮减准位转换电路的 尺寸与降低制造成本，此准位转换电路分成两个部分。 一部份是由至少一个醒0S晶 体管组成，另一部份是由多个PMOS晶体管组成。此NM0S晶体管配置于一源极驱动器
内，而这些PM0S晶体管配置于一低温多晶硅面板上。此外，为了使用由低输入电压 驱动的低成本源极驱动器，源极驱动器内的陋0S晶体管需要做一些设计上的修正。
本发明一较佳实施例的准位转换电路是用以接收一低电位信号以产生相应的一 高电位信号。此准位转换电路具有第一型态的一第一晶体管、第二型态的一第二晶体 管、第二型态的一第三晶体管与第二型态的一第四晶体管。第一晶体管具有一栅极接 收低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压(VSSA)。第二晶体管具有一源极接收 一第二供应电压(VDDA)，与一漏极耦接第一晶体管的一漏极。第三晶体管具有一源极 接收第二供应电压(VDM)、 一漏极输出高电位信号，与一栅极耦接第二晶体管的一栅 极。第四晶体管具有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压(低电位)，与一 漏极耦接第三晶体管的漏极。
图2系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路。此准位转换电路用于一低温 多晶硅面板200。此准位转换电路具有一 NMOS晶体管220、 一第一 PMOS晶体管230、 一第二 PMOS晶体管240、 一第三PMOS晶体管250。 NMOS晶体管220配置于一源极驱 动器205内，而这些PMOS晶体管230、 240与250配置于低温多晶硅面板200上。画OS 晶体管220的一栅极于一输入端215接收一输入电压。NMOS晶体管220的一源极耦 接一接地端280以接收一第一供应电压(VSSA)。第一 PMOS晶体管230的一源极耦接 —电源端290以接收一第二供应电压(VDDA)。第一 PM0S晶体管230的一漏极耦接NM0S 晶体管220的一漏极。第二 PM0S晶体管240的一源极耦接一电源端290以接收第二 供应电压(VDDA)。第二 PMOS晶体管240的一漏极于一输出端245输出一高电位电压。 第二 PM0S晶体管240的一栅极耦接第一 PMOS晶体管230的栅极与漏极，以及耦接 NM0S晶体管220的漏极。第三PM0S晶体管250的一源极与一栅极共同耦接一低电源 端260以接收一第三供应电压(低电位)。第三PM0S晶体管250的一漏极耦接第二 PMOS 晶体管240的漏极。
上述的PM0S晶体管230、 240与250可与低温多晶硅面板200同时进行设计与 制造。藉此方法，准位转换电路与低温多晶硅面板的总制造成本将可被降低。
为了使用由低输入电压驱动的低成本源极驱动器，源极驱动器内的NMOS晶体管 需要做一些设计上的修正。图3系绘示本发明一较佳实施例的准位转换电路中的刚0S 晶体管剖面图。國0S晶体管220具有一栅极340、耦接接地端(VSSA) 280的一源极325，
以及耦接低温多晶硅面板200的一漏极320。此外，配置于一源极驱动器205内的丽0S 晶体管220，更具有一 N井310以包覆NM0S晶体管220的漏极320。 NMOS晶体管220 另外具有一场氧化层330于刚OS晶体管220的漏极320与栅极340间，而场氧化层 330被N井310包覆。当输入端215有一低输入电压输至栅极340时，将由漏极320 至栅极340间产生一可观的压降，进而可能产生漏电流。因此P型基材内的N井310 与场氧化层330，可以防止醒OS晶体管220的压降所产生的漏电流。
第二供应电压(VDDA，于电源端290施加)高于第一供应电压(VSSA，于接地端 280施加)与第三供应电压(于低电源端260施加)；而第一供应电压高于第三供应电 压。大致而言，第一供应电压(VSSA)与第二供应电压(VDDA)各自为O伏特与5~10伏 特。第三供应电压(低电位)则低于O伏特。然而于一些电路中，第一、第二与第三供 应电压可依据实际状况而设定为其他合适的电压。
上述的准位转换电路中，输入电压(即输入端215的低电位信号)的变动范围系 约介于0伏特至5伏特间。而为了省电，此输入电压具有越来越低的趋势。比如说， 2. 5伏特输入电压的电能消耗即比3. 3伏特输入电压的电能消耗少。
输出电压(即输出端245的高电位信号)的变动范围与低温多晶硅面板200的负 载与特性有关。大致而言，输出电压的变动范围约介于负20伏特至20伏特间。此外， 低电源端260的电压变动范围亦与低温多晶硅面板200的负载与特性有关；而低电源 端260的电压大致上低于0伏特。
虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习 此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明 的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。
权利要求
1.一种准位转换电路用以接收一低电位信号以产生相应的一高电位信号，该准位转换电路包括一第一晶体管属于一第一型态，具有一栅极接收该低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压；一第二晶体管属于一第二型态，具有一源极接收一第二供应电压，与一漏极耦接该第一晶体管的一漏极；一第三晶体管属于该第二型态，具有一源极接收该第二供应电压、一漏极输出该高电位信号，与一栅极耦接该第二晶体管的一栅极；以及一第四晶体管属于该第二型态，具有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压，与一漏极耦接该第三晶体管的该漏极。
2. 根据权利要求1所述的准位转换电路，其特征在于，该第一晶体管系位于一 低温多晶硅面板的一源极驱动器内，而该第二、第三与第四晶体管系位于该低温多晶 硅面板内。
3. 根据权利要求2所述的准位转换电路，其特征在于，该第一型态系N型半导 体型态，而第二型态系P型半导体型态。
4. 根据权利要求3所述的准位转换电路，其特征在于，更包含一N井以包覆该 第一晶体管的该漏极。
5. 根据权利要求4所述的准位转换电路，其特征在于，更包含一场氧化层于该 第一晶体管的该漏极与该栅极间，其中该场氧化层系被该N井包覆。
6. 根据权利要求1所述的准位转换电路，其特征在于，该第二供应电压系高于 该第一与该第三供应电压。
7. 根据权利要求6所述的准位转换电路，其特征在于，该第一供应电压系高于该第三供应电压。
8. 根据权利要求7所述的准位转换电路，其特征在于，该低电位信号的变动范 围系约介于0伏特至5伏特间。
9. 根据权利要求7所述的准位转换电路，其特征在于，该高电位信号的变动范 围系约介于负20伏特至20伏特间。
全文摘要
一种准位转换电路用以接收一低电位信号以产生相应的一高电位信号。此准位转换电路具有第一型态的一第一晶体管、第二型态的一第二晶体管、第二型态的一第三晶体管与第二型态的一第四晶体管。第一晶体管具有一栅极接收低电位信号，以及一源极接收一第一供应电压。第二晶体管具有一源极接收一第二供应电压，与一漏极耦接第一晶体管的一漏极。第三晶体管具有一源极接收第二供应电压、一漏极输出该高电位信号，与一栅极耦接该第二晶体管的一栅极。第四晶体管具有一源极与一栅极共同耦接并接收一第三供应电压，与一漏极耦接第三晶体管的该漏极。
文档编号G09G3/20GK101102105SQ200610141390
公开日2008年1月9日 申请日期2006年9月26日 优先权日2006年7月7日
发明者卜令楷, 邱郁文 申请人:奇景光电股份有限公司