专利名称：等离子体显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及等离子体显示装置。
背景技术：
等离子体显示装置是大型的平面型显示器，虽然作为家用的平面电视市场正在扩大，要求与CRT同等程度的消耗电力、显示质量、成本。
在下述的专利文献1中，记载有在覆盖排列在基板上的电极X、Y，具有在显示区域的整个区域扩展的介电体层的玻璃放电显示器件的制造中，在结束电极X、Y的排列的阶段以后的基板结构体的表面上，作为介电体层通过等离子体气相生长法形成各向同性地覆盖成膜的基底面的层的制造方法。
此外，在下述的专利文献2中，记载有放电气体的组成比为Xe 2％～20％，He 15％～50％，He组成比大于Xe组成比，放电气体的全压力为400Torr～550Torr，而且施加在地址电极上的电压脉冲的宽度为2μs以下的等离子体显示面板。
日本专利特开2000-21304号公报[专利文献2]日本专利特开2003-346660号公报发明内容此外，HDTV(高精细电视机)的开发正在进行中。因为HDTV像素数多，故存在每一个像素的发光面积减小，亮度降低的问题。
本发明的目的在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。
本发明的等离子体显示装置包括第一和第二基板；用于在上述第一基板上进行维持放电而在上述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与上述第二电极之间进行地址放电而在上述第二基板上形成的第三电极；在上述第一基板上以覆盖上述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于上述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中上述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
在本发明的一种优选方式中，施加在上述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。
此外，在本发明的另一种优选方式中，还包括以由上述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与上述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，上述行距为380μm以上。
而且，在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层通过等离子体CVD法形成。
在本发明的又一种优选方式中，还包括将极性不同的两个规定的电压交互地供给到上述第一和第二电极的开关元件。
此外，在本发明的另一种优选方式中，还包括经由线圈将电压供给到上述第一和第二电极的电力回收电路。
而且，在本发明的另一种优选方式中，供给到上述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成显示单元，用于复位上述显示单元而施加在上述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在上述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在上述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于上述地址脉冲，施加在上述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。
在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为32μm以下。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为10μm以下。
在本发明的又一种优选方式中，第一和第二基板；用于在上述第一基板上进行维持放电而在上述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与上述第二电极之间进行地址放电而在上述第二基板上形成的第三电极；以及在上述第一基板上以覆盖上述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成，厚度为10μm±2.5μm以内的介电体层。
而且，在本发明的另一种优选方式中，施加在上述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
在本发明的又一种优选方式中，还包括以由上述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与上述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，上述行距为380μm以上。
而且，在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层通过等离子体CVD法形成。
此外，在本发明的另一种优选方式中，供给到上述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。
在本发明的又一种优选方式中，上述第一～第三电极构成显示单元，用于复位上述显示单元而施加在上述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在上述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在上述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于上述地址脉冲，施加在上述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为32μm以下。
而且，在本发明的另一种优选方式中，上述介电体层的厚度为10μm以下。
此外，在本发明的另一种优选方式中，上述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
通过使用氧化硅膜的介电体层，可以增加放电气体的Xe浓度。由此，发光效率提高，可以实现高亮度。
图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。
图2是表示第一实施方式的等离子体显示面板的结构例的分解斜视图。
图3是表示X电极驱动电路和Y电极驱动电路内的各维持电路的构成例的电路图。
图4是表示由图3的维持电路发生的X电极的维持放电脉冲的例子的示意图。
图5是表示第一实施方式的一帧图像的构成例的示意图。
图6是表示放电气体的Xe浓度与维持放电电压的关系的曲线图。
图7是表示介电体层的厚度与维持放电电压的关系的曲线图。
图8是表示介电体层的厚度与气体放电电流的关系的曲线图。
图9是表示用于生成图10的维持放电脉冲的维持电路的构成例的电路图。
图10是表示本发明的第二实施方式的一帧图像的构成例的示意图。
图11(A)～(C)是表示本发明的第三实施方式的肋、X电极、Y电极和地址电极的构成例的示意图。
图12是表示总线电极、透明电极、肋的构成例的俯视图。
标号的说明1 前面玻璃基板2 背面玻璃基板3 等离子体显示面板4 X电极驱动电路5 Y电极驱动电路6 地址电极驱动电路7 驱动控制电路8 扫描电路9 隔壁(肋)11 总线电极12 透明电极13、16 介电体层14 保护层15 地址电极
18～20 荧光体21 信号处理电路具体实施方式
(第一实施方式)图1是表示本发明的第一实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。信号处理电路21处理从输入端子IN输入的信号，输出至驱动控制电路7。驱动控制电路7控制X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5、扫描电路8和地址电极驱动电路6。X电极驱动电路4将规定的电压供给到多个X电极X1、X2、……。以下将各个X电极X1、X2、……或其总称称为X电极Xi，i表示附加字。Y电极驱动电路5通过扫描电路8将规定电压供给到多个Y电极Y1、Y2、……。以下将各个Y电极Y1、Y2、……或其总称称为Y电极Yi，i表示附加字。地址电极驱动电路6将规定电压供给到多个地址电极A1、A2、……。以下，将各个地址电极A1、A2、……或其总称称为地址电极Aj，j表示附加字。
在等离子体显示面板3中，X电极Xi和Y电极Yi形成为与水平方向并行延伸的行，地址电极Aj形成为在垂直方向上延伸的列。Y电极Yi和X电极Xi在垂直方向交互地配置。Y电极Yi和地址电极Aj形成i行j列的二维矩阵。显示单元Cij由Y电极Yi和地址电极Aj的交点和与它对应并相邻的X电极Xi形成。该显示单元Cij与像素对应，等离子体显示面板3可以显示二维图像。在全标准HDTV中具有1920(水平方向)×1080(垂直方向)个像素。
图2为表示本实施方式的等离子体显示面板3的结构例的分解斜视图。总线电极11在透明电极12上形成。电极11和12的组成与图1的X电极Xi或Y电极Yi对应。X电极Xi和Y电极Yi在前面玻璃基板1上交互形成。在其上覆盖有与放电空间绝缘的介电体层13。介电体13是通过等离子体CVD(化学气相堆积)法形成的氧化硅膜(SiO2)，厚度为10μm。另外，再在其上面覆盖有MgO(氧化镁)保护层14。另一方面，地址电极15与图1的地址电极Aj对应，形成在与前面玻璃基板1相对配置的背面玻璃基板2上。在其上覆盖有介电体层16。再在其上覆盖有红色荧光体层18、绿色荧光层19和蓝色荧光体层20。在隔壁(肋)9的内面上，以带状对各种色中的每一个色配置涂布红、青、绿色荧光层18～20。利用X电极Xi和Y电极Yi之间的放电，激励荧光体层18～20，发出各色光。在前面玻璃基板1和背面玻璃基板2之间的放电空间中封入有Ne+Xe的阴极(Penning)气体等放电气体。放电气体中Xe浓度为10％。
图5是表示本实施方式的一帧图像fk的构成例的示意图。图像由多个帧fk-1、fk、fk+1等构成。一帧fk例如由第一子帧sf1、第二子帧sf2、…、第8子帧sf8形成。以下，将子帧sf1、sf2等各个或其总称称为子帧sf。各子帧sf具有相当于灰度二进制位数的权重。
各个子帧sf由复位期间TR、地址期间TA和维持(sustain)放电期间TS构成。在复位期间TR中进行显示单元Cij的初始化。在Y电极Yi上施加正的钝波(具有正的倾斜的波形)Pr1和负的钝波(具有负的倾斜的波形)Pr2。用于复位显示单元Cij而施加在Y电极Yi上的复位脉冲Pr1的振幅绝对值V1为180～200V。
在地址期间TA中，利用地址电极Aj与Y电极Yi之间的地址放电，可以选择各个显示单元Cij的发光或不发光。具体而言，通过依次将扫描脉冲Py施加在Y电极Y1、Y2、Y3、Y4、……等之上，与该扫描脉冲Py对应，将地址脉冲Pa施加在地址电极Aj上，由此可以选择期望的显示元件Cij的发光或不发光。
用于在Y电极Yi与地址电极Aj之间进行地址放电的、施加在地址电极Aj上的地址脉冲Pa的振幅绝对值V3为60～70V。对应于地址脉冲Pa，施加在Y电极Yi上的扫描脉冲Py的振幅绝对值V2为110～130V。
在维持期间TS中，在选择的显示单元Cij的X电极Xi与Y电极Yi之间进行维持放电，进行发光。在各个子帧sf中，由X电极Xi与Y电极Yi之间的维持放电脉冲Ps产生的发光次数(维持期间TS的长度)不同。这样，可以决定灰度值。维持放电脉冲Ps为0V和电压Vs的脉冲。
图3是表示图1的X电极驱动电路4和Y电极驱动电路5内的各维持电路的构成例的电路图。维持电路是用于生成图5的维持放电脉冲Pa的电路。面板电容Cp是X电极Xi与Y电极Yi之间的电容。作为例子，说明X电极驱动电路4内的维持电路的构成例。Y电极驱动电路5内的维持电路的构成也是同样的。以下，将MOS电场效应晶体管简称为晶体管。
N沟道晶体管Q1的漏极连接到电压Vs，源极连接到面板电容Cp的X电极Xi。N沟道晶体管Q2的漏极连接到面板电容Cp的X电极Xi，源极接地。线圈L1连接到X电极Xi与二极管D1的阴极之间。N沟道晶体管Q3的源极连接到二极管D1的阳极。线圈L2连接到X电极Xi与二极管D2的阳极之间。N沟道晶体管Q4的源极连接到二极管D2的阴极。电容C1连接到晶体管Q3和Q4的漏极的相互连接点与地线之间。该维持电路具有电力回收电路301。电力回收电路301包括线圈L1、L2，二极管D1、D2和晶体管Q3、Q4。
图4是表示由图3的维持电路生成的X电极Xi的维持放电脉冲Ps的例子的示意图。在时刻t1使晶体管Q3接通(ON)。于是，充电到电容C1中的电荷通过LC谐振，供给到面板电容Cp。X电极Xi的电压从地电平上升。也就是说，释放回收的电力。接着，在时刻t2，晶体管Q3断开(OFF)，晶体管Q1接通。于是，X电极Xi被箝位于电压Vs。在时刻t3以后，X电极Xi维持电压Vs。接着，在时刻t4，晶体管Q1断开，晶体管Q4接通。于是，充电到面板电容Cp中的电荷通过LC谐振，供给到电容C1。X电极Xi的电压从电压Vs降低。也就是说，电容C1回收面板电容Cp的电力。接着，在时刻t5，晶体管Q4断开，晶体管Q2接通。于是，X电极Xi被箝位于地电平。在时刻t6以后，X电极Xi维持地电平。然后，重复时刻t1～t6的动作。
图6是表示放电气体的Xe浓度与维持放电电压的关系的曲线图。横轴表示放电气体的Xe浓度。纵轴表示维持放电电压。在维持放电期间TS中，维持放电电压Vs施加在X电极Xi与Y电极Yi之间，发生放电。电压Vs为例如180V。
特性601是本实施方式的特性。图2的介电体层13是通过等离子体CVD法形成的氧化硅膜。放电气体是除Xe以外其余由Ne构成。
特性602是比较例的特性。图2的介电体层13是在高温下烧制铅玻璃(70％是PbO，其余是SiO2)。放电气体是除Xe以外是30％的He，其余是Ne。
放电气体中的Xe浓度越高，则等离子体显示装置的发光效率越高。在维持放电电压为Vs的情况下，在本实施方式的特性601中Xe的浓度为10％，在比较例的特性602中Xe的浓度为5％。在维持放电电压相同的情况下，本实施方式的特性601与比较例的特性602相比，Xe浓度提高，发光效率提高。特别是在HDTV的情况下，由于像素数多达1920×1080像素，所以一个像素的发光面积减小。因而，发光效率提高，亮度提高的效果是有效的。
本实施方式的等离子体显示装置，维持放电电压在Vs-5％至Vs+5％之间可以保证动作。维持放电电压为Vs-5％时Xe浓度为7.5％，维持放电电压为Vs+5％时Xe浓度为12.5％。本实施方式可以使用Xe浓度7.5～12.5％的高浓度范围603。
在全标准HDTV对应的等离子体显示装置中，由于像素数多，故一个像素的开口率小，亮度降低。在比较例的特性602中，在介电体层13中使用铅玻璃(比介电率13～14)，封入5％的Xe，在将维持放电电压取为Vs(180V)的情况下，全白亮度为115cd/m2(300W)，全黑时的无效电力也超过200W。
优选全白亮度为150cd/m2(300W)以上，全黑时的无效电力为150W以下。但是，在比较例的特性602中，在进一步提高5％的Xe浓度，谋求高亮度化的情况下，不得不使维持放电电压高于Vs(180V)，在该情况下，无效电力进一步增加。如果提高维持放电电压，则产生电路元件的高耐压化的问题。
与此相反，在本实施方式的特性601中，通过在介电体层13中使用比介电率大约低于4的氧化硅膜，可以既将维持放电电压取为Vs(180V)，且将Xe浓度增加到10％，又使全黑的无效电力为150W以下。此外，由于提高了Xe浓度，所以发光效率提高，全白亮度超过150cd/m2。根据本实施方式，可以适应高分辨率的全标准HDTV，可以兼顾亮度的提高和无效电力的削减。
如果在特性602中将Xe浓度取为5％，在特性601中将Xe浓度取为10％，则可以同时使用相同的维持放电电压Vs，图1的相同电路4～8，和图5的相同电压波形。
在本实施方式中，优选存在于前面玻璃基板1与背面玻璃基板2之间的放电气体的Xe浓度为10％±2.5％以内。此外，优选施加在X电极Xi与Y电极Yi之间的维持放电电压为180V±5％以内。此外，优选本实施方式的等离子体显示装置可显示1920×1080像素。
图7是表示介电体层13的厚度与维持放电电压的关系的曲线图。横轴表示介电体层13的厚度。纵轴表示维持放电电压。特性701表示图6的本实施方式的特性601的Xe浓度10％的特性。特性702表示图6的比较例的特性602的Xe浓度10％的特性。特性703表示图6的比较例的特性602的Xe浓度5％的特性。如图6中所说明的那样，特性701和703可以将维持放电电压取为相同电压Vs。电压Vs为例如180V。此时，在特性701中，介电体层13的厚度薄为10μm，在特性703中，介电体层13的厚度厚为30μm。在特性701中，维持放电电压为Vs-5％和Vs+5％时，介电体层13的厚度分别为5μm和15μm，成为范围704。特性702与特性703相比，如果介电体层13的厚度相同，则维持放电电压提高。优选本实施方式的介电体层13的厚度在10μm±2.5μm％以内。此外，优选施加在X电极Xi与Y电极Yi之间的维持放电电压为180V±5％以内。
图8是表示介电体层13的厚度与气体放电电流Ig的关系的曲线图。横轴表示介电体层13的厚度。纵轴表示维持放电期间TS中的维持放电时的气体放电电流Ig。特性801对应于图6的本实施方式的特性601，介电体层13的介电率小。特性802对应于图6的比较例的特性602，介电率大。本实施方式的特性801与比较例的特性802相比，介电体层13的厚度相同时，气体放电电流Ig减小。由此，本实施方式可以减小消耗电力，抑制发热量。如图7中所示，通过在特性701中将介电体层13的厚度取为10μm，在特性703中将介电体层13的厚度取为30μm，可以实现相同维持放电电压Vs。同样，通过在特性801中将介电体层13的厚度取为10μm，在特性802中将介电体层13的厚度取为30μm，可以实现相同气体放电电流Ig。也就是说，两者可以使用图1的相同电路4～8，和图5的相同电压波形。
像以上这样，根据本实施方式，通过使用氧化硅膜的介电体层13，可以增加放电气体的Xe浓度。由此，发光效率提高，可以实现高亮度。此外，可以抑制无效电力。
(第二实施方式)图10是表示本发明的第二实施方式的一帧图像fk的构成例的示意图。图10与图5，仅维持放电期间TS的维持放电脉冲Ps不同，其他方面两者是相同的。以下，说明第二实施方式与第一实施方式不同之处。X电极Xi和Y电极Yi的维持放电脉冲Ps交互地形成Vs/2的脉冲与-Vs/2的脉冲。也就是说，供给到X电极Xi和Y电极Yi的维持放电脉冲Ps的最大值Vs/2和最小值-Vs/2的绝对值是相同的，而且极性是相反的。本实施方式与第一实施方式同样，电位差Vs施加在X电极Xi与Y电极Yi之间，发生维持放电。
图9是表示用于生成图10的维持放电脉冲Ps的维持电路的构成例的电路图。该维持电路是TERES(Technology of Reciprocal Sustainer倒易维持技术)电路。说明图9与图3的不同之处。晶体管Q1的漏极连接到电压+Vs/2。晶体管Q2的源极连接到电压-Vs/2。晶体管Q3和Q4的漏极的相互连接点接地。该维持电路的动作与图3的电路是同样的，开关元件Q1～Q4将极性不同的两个规定的电压(Vs/2和-Vs/2)交互地供给到X电极Xi和Y电极Yi。此外，该维持电路与图3的电路同样，具有电力回收电路301。由于本实施方式的维持电路，各电路元件的耐压不是Vs，而可以是Vs/2的低电压，所以可以降低成本。
(第三实施方式)图11(B)是表示本发明的第三实施方式的肋1122的结构例的俯视图，图11(C)是其剖视图，图11(A)是肋1122、X电极Xi、Y电极Yi和地址电极Aj的俯视图。在图2的第一实施方式中，肋9是与地址电极15平行地配置的条纹型肋。本实施方式具有梯形肋1122。梯形肋1122以由X电极Xi、Y电极Yi和地址电极Aj构成的显示单元Cij单位划分，具有排气通道1123。以下，说明本实施方式与第一实施方式不同之处。
在图11(B)中，肋1122例如垂直方向开口1111是390μm，水平方向开口1112是160μm。排气通道1123例如宽度1113是140μm。经由排气通道1123的肋1122的垂直方向的整个宽度1114例如是240μm。肋1122例如垂直方向顶部宽度1115和水平方向顶部宽度1116都是50μm。
在图11(C)中，肋高度1120例如是120μm。肋底宽度1117例如是100μm。肋间距离1118例如是110μm。显示单元Cij之间的间距例如是0.63mm×0.21mm。
在图11(A)中，X电极Xi和Y电极Yi与图2同样，具有透明电极12和总线电极11。透明电极12是梯形透明电极。透明电极12的头部垂直方向宽度1103例如是95μm。Y电极Y1和Y2间的距离1101例如是80μm。总线电极11的宽度1102例如是60μm。X电极X2的透明电极12的头部和与之邻接的Y电极Y1的透明电极12的头部之间的窄缝(放电间隙)1104例如是80μm。
对排气通道1123进行说明。图2的前面玻璃基板1与背面玻璃基板2之间的空间经由排气通道1123进行真空排气。然后，经由排气通道1123，在前面玻璃基板1与背面玻璃基板2之间的空间中封入放电气体。
图12与图11(A)同样，是表示总线电极11、透明电极12、肋1122的构成例的俯视图。1201是肋1122的顶部宽度。1202是放电间隙1203的边缘与肋1122的边缘的间隔(边缘间隙)。1203是X电极Xi和Y电极Yi的放电间隙。1204是排气通道1123的宽度。1205是显示单元的间距。
在现有的肋的加工精度下，排气通道宽度1204为100μm以上，肋的顶部宽度1201为50μm以上是必要的。此外，由于如果放电间隙1203过窄，则线间电容加大，所以优选放电间隙1203为80μm以上。进而，如果考虑到图2的前面玻璃基板1和背面玻璃基板2的对位精度，则放电间隙1203的边缘与肋1122的边缘的间隔(边缘间隙)1202为50μm以上是必要的。因而，优选显示单元间距1205至少为380μm以上。
本实施方式的等离子体显示装置可以适应1920×1080像素的全标准HDTV。在该情况下，优选在与排气通道1123平行方向上延伸的行数为1080以上，其行距1205为380μm以上。此外，优选图2的介电体层13厚度为32μm以下，更优选10μm以下。
此外，上述实施方式全都只不过是表示实施本发明时的具体化的例子，不能由此解释成本发明的技术范围的限定。也就是说，本发明只要不脱离其技术思想，或者其主要特征，可以以各种的方式实施。本发明的实施方式，例如可以有各种运用。
权利要求
1.一种等离子体显示装置，其特征在于，包括第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层；以及存在于所述第一与第二基板之间的Xe浓度为10％±2.5％以内的放电气体，其中所述介电体层厚度为10μm±2.5μm以内，所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
2.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于施加在所述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。
3.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括以由所述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与所述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，所述行距为380μm以上。
4.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层通过等离子体CVD法形成。
5.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括将极性不同的两个规定的电压交互地供给到所述第一和第二电极的开关元件。
6.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括经由线圈将电压供给到所述第一和第二电极的电力回收电路。
7.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于供给到所述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。
8.如权利要求1所述的等离子体显示装置，其特征在于所述第一～第三电极构成显示单元，用于复位所述显示单元而施加在所述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在所述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在所述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于所述地址脉冲，施加在所述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。
9.如权利要求5所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层的厚度为32μm以下。
10.如权利要求5所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层的厚度为10μm以下。
11.一种等离子体显示装置，其特征在于，包括第一和第二基板；用于在所述第一基板上进行维持放电而在所述第一基板上形成的第一和第二电极；用于在与所述第二电极之间进行地址放电而在所述第二基板上形成的第三电极；以及在所述第一基板上以覆盖所述第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成，厚度为10μm±2.5μm以内的介电体层。
12.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于施加在所述第一与第二电极之间的维持放电电压为180V±5％以内。
13.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
14.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于还包括以由所述第一～第三电极构成的显示单元单位划分，具有排气通道的梯形肋，与所述排气通道平行方向上延伸的行数为1080行以上，所述行距为380μm以上。
15.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层通过等离子体CVD法形成。
16.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于供给到所述第一和第二电极的维持放电脉冲的最大值和最小值的绝对值相同且极性相反。
17.如权利要求11所述的等离子体显示装置，其特征在于所述第一～第三电极构成显示单元，用于复位所述显示单元而施加在所述第二电极上的复位脉冲的振幅绝对值为180～200V，用于在所述第二与第三电极之间进行地址放电的、施加在所述第三电极上的地址脉冲的振幅绝对值为60～70V，对应于所述地址脉冲，施加在所述第二电极上的扫描脉冲的振幅绝对值为110～130V。
18.如权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层的厚度为32μm以下。
19.如权利要求14所述的等离子体显示装置，其特征在于所述介电体层的厚度为10μm以下。
20.如权利要求12所述的等离子体显示装置，其特征在于所述第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
全文摘要
本发明的课题在于提供一种高亮度的等离子体显示装置。提供一种等离子体显示装置，包括第一和第二基板(1、2)；用于在所述第一基板上进行维持放电而在第一基板上形成的第一和第二电极(11、12)；用于在与第二电极之间进行地址放电而在第二基板上形成的第三电极(15)；在所述第一基板上以覆盖第一和第二电极的方式由氧化硅膜形成的介电体层(13)；以及存在于第一与第二基板之间的Xe浓度10％±2.5％以内的放电气体。介电体层厚度为10μm±2.5μm以内。第一～第三电极构成一个像素，可显示1920×1080像素。
文档编号G09G3/20GK1941260SQ20061014125
公开日2007年4月4日 申请日期2006年9月29日 优先权日2005年9月30日
发明者小野泽诚, 桥本康宣, 岸智胜, 柴田将之 申请人:富士通日立等离子显示器股份有限公司