等离子体显示装置和制造等离子体显示面板的方法

专利名称：等离子体显示装置和制造等离子体显示面板的方法
技术领域：
本发明的示例性实施方式的方法和装置涉及制造等离子体显示装置的等离子体 显示面板，更具体地，涉及根据减少面板的界面的工艺来制造等离子体显示装置的等离子 体显示面板。
背景技术：
平面型显示装置已经被广泛使用，主要用于便携器件中。然而，由于技术的发展， 在大型显示装置的领域中，平面型显示装置已经日益替代阴极射线管(CRT)显示器。在该平面型显示装置中，等离子体显示面板(在以下文中，称为“PDP”)利用从等 离子体发射的光来显示文本或图形，其中该等离子体在气体放电期间产生。与其它类型的 平面型显示装置相比，PDP具有高亮度、高发光效率和宽视角的优点。因此，近年来PDP已 经被广泛使用。然而，PDP的缺点之一是当驱动等离子体显示装置时产生电磁波噪声，其导致电磁 干扰(EMI)。S卩，由于大约200V的高电平电压和2A或更高的均方根(RMS)电流被施加到构 成PDP的电极，所以引起气体放电的驱动波的能量使该面板的该电极通过天线发射EMI。EMI产生电磁波噪声干扰，使得期望的电磁信号的接收受阻，因而引起电子器件的 故障。此外，EMI以电子能量的形式被吸收到活体内，增加了活体的温度，从而破坏活体的 组织或功能。因此，已经提出了用于减少在驱动PDP期间所产生的EMI的不同方法。用于减少 EMI的方法包括将EMI屏蔽膜附接到面板的上部分的方法。如果在EMI到达面板之前使用屏蔽EMI的方法，则需要更容易且更简单地制造面 板的工艺，替代根据现有技术的工艺制造面板。

发明内容
示例性实施方式解决以上缺点和以上没有描述的其它缺点。另外，并不要求示范 性实施例克服上述缺点，示范性实施例可以不克服上述问题的任一个。示例性实施方式提供一种根据更容易且更简单地制造工艺而制成的等离子体显 示装置以及制造等离子体显示面板的方法。根据示例性实施方式的方面，一种等离子体显示装置包括面板，包括涂覆有功能 材料的上面板和与上面板的涂覆有功能材料的表面相反设置的下面板，其中功能材料包括 校正颜色的材料和吸收近红外线的材料的至少一种；驱动电路，驱动面板；以及底架，驱动 电路安装在其上。 功能材料可以被涂覆在上面板上，形成单一层。功能材料可包括防止表面反射的材料，其中防止表面反射的材料可包括Si02、ZrO 和Ti02的至少一种。校正颜色的材料可包括吸收580nm至590nm波长的光的颜料。
当面板进行放电时，Ne产生580nm至590nm波长的光，以及其中Ne被注入在上面 板与下面板之间。吸收近红外线的材料可包括Ag和吸收800nm至1200nm波长的光的颜料的其中之
o当面板进行放电时，Xe产生800nm至1200nm的波长的光，以及其中Xe被注入在 上面板与下面板之间。功能材料被混合且存储在单一存储罐中，且被喷射在上面板的上部分上以涂覆上 面板的上部分。功能材料不包括用于屏蔽EMI的材料。底架可包括多条缝，该多条缝形成为在驱动电路连接到的部分周围提供电通路， 其中形成多条缝，使得从驱动电路传输的电流的第一部分从包括驱动电路连接到部分的区 域传输到包括驱动电路未连接到的部分的区域，以及其中从驱动电路传输的电流的第二部 分在包括驱动电路未连接到的部分的区域中环绕以消减EMI。等离子体显示装置可进一步包括设置在驱动电路与底架之间的导电板，其中由驱 动电路产生且被传输到导电板的电流的第一部分被传输到底架，以及其中被传输到导电板 的电流的第二剩余部分在导电板中环绕以消减EMI。等离子体显示装置可进一步包括散热片，释放从底架传输的热；以及导电衬垫， 连接底架和散热片以允许底架和散热片通过至少一个电通道电传导，其中由驱动电路产生 且被传输到底架的电流的第一部分被传输到散热片；以及传输到底架的电流的第二剩余部 分在底架中环绕以消减EMI。等离子体显示装置可进一步包括后盖，该后盖覆盖驱动电路、连接到驱动电路的 单元以及底架。根据示例性实施方式的另一方面，一种用于制造等离子体显示面板的方法包括 制造上面板；制造下面板；结合上面板和下面板；以及在上面板的上部分上涂覆功能材料， 该功能材料包括校正颜色的材料和吸收近红外线的材料的至少一种。示例性实施方式的额外方面和优点将以详细描述阐述，将通过详细描述变得显 然，或者可通过实践本发明了解。


通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，示例性实施方式的以上和/或 其它方面将更清楚，在附图中图1是示出根据示例性实施方式的等离子体显示装置的侧截面图；图2是示出涂覆有功能材料的上面板的视图；图3是用于参考波长解释功能材料的作用的视图；图4是示出制造上面板的工艺的视图；图5是示出制造下面板的工艺的视图；图6是示出涂覆功能材料的工艺的流程图；图7是示出涂覆有功能材料的面板的视图；图8是示出在TSS与底架之间的耦接结构的视5
图9是用于解释使用衬垫屏蔽EMI的方法的视图；图10是示出根据示例性实施方式的底架的视图；图11是用于解释驱动等离子体显示装置的方法的视图；图12是示出根据另一示例性实施方式的底架的视图；图13是示出根据另一示例性实施方式的底架的视图；图14是示出根据另一示例性实施方式的底架的视图；图15是图14的底架的透视图；图16是示出根据另一示例性实施方式的底架的视图；以及图17是示出底架的视图，其中隔离IC添加到该底架上。
具体实施例方式在以下文中，将参考附图更详细地描述示例性实施方式。在以下的描述中，当相同的附图标记在不同的附图中示出时，它们被用于相同的 元件。在描述中限定的事物，诸如具体的构造和元件，被提供以帮助对示例性实施方式的全 面理解。因而，显然本发明的示范性实施方式能在没有这些特别定义的事物的情况下被实 施。另外，因为不必要的细节将使示例性实施方式不明显，所以没有详细描述在现有领域中 已知的功能或元件。图1是示出根据示例性实施方式的等离子体显示装置100的侧截面图。等离子体 显示装置100满足对于EMI的适当的电磁波标准且提供能被使用者看到的图像。等离子体显示装置100包括面板110、散热片(TSS) 120、衬垫130、底架140、驱动 电路150和后盖160。面板110利用由内部气体放电引起的真空紫外线激发荧光材料，从而实现图像。 面板110包括上面板111和下面板113。上面板111和下面板113通过利用密封材料112 诸如玻璃料粘接它们的边缘而构成单一面板110。上面板111与下面板113的边缘被密封 材料112密封，在上面板111与下面板113之间的内部空间中布置多个放电单元且每个放 电单元填充有Ne和Xe的混合物。功能材料114被直接涂覆在上面板111的上部分，以实现防止表面反射、校正颜色 和吸收近红外线。这将参考图2至图7更详细地解释。图2是示出涂覆有功能材料114的上面板111的视图。在图2中，下面板113与 上面板111和功能材料114 一起示出，但是为了便于解释，没有示出密封材料112。如在图2中所示，功能材料114被涂覆在上面板111的上侧，即，被涂覆在即将被 使用者看到的一侧，上面板111与下面板113相对。功能层材料114被分为防止表面反射 的材料①、校正颜色并改善颜色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③。具有防止光学反射特性的Si02、ZrO或Ti02用作防止表面反射的材料①。通过涂 覆该材料，防止了对观看者的亮光、在表面上的划线和静电。吸收580nm至590nm波长的光的颜料用作校正颜色并改善颜色纯度的材料②。通 过涂覆该材料，防止580nm至590nm波长的光发射到使用者，并因而改善颜色再现性和对白 色偏差的校正(correct white deviation)。诱导多层膜的光干涉的kg或吸收具有近红外线带宽(从800nm到1200nm)的波
6长的的光的颜料用作吸收近红外线的材料③。通过涂覆该材料，防止800nm至1200nm波长 的光发射到使用者，并因而防止由于对遥控器的波长带宽的干扰而引起的等离子体显示装 置100的故障。涂覆用于校正颜色并改善颜色纯度的功能材料114，使得放电单元填充有如上所 述的Ne。另外，涂覆用于吸收近红外线的功能材料114，使得放电单元填充有如上所述的 Xe。即，在放电操作期间，Ne产生580nm至590nm的波长的光，Xe产生近红外线带宽的波 长，但是由Ne和Xe产生的波长使等离子体显示装置100的颜色品质恶化，且当干扰遥控器 时导致故障。通过在上面板111的上部分上涂覆能解决以上问题的功能材料114，等离子体显 示装置100过滤掉580nm至590nm波长的光以及800nm至1200nm波长的光。图3是用于 参考波长解释功能材料114的作用的视图。因此，使用者能观看高品质的图像，而不会有故障。根据示例性实施方式的等离子体显示装置100在上面板111的上部分上，即，在等 离子体显示装置100的前表面上，没有用于屏蔽EMI的额外配置或材料。这是因为使用衬 垫130和底架140的结构能屏蔽EMI。以下提供其详细描述。在以下文中，将参考图4至图7描述在上面板111上涂覆功能材料114的工艺。图4是示出制造上面板111的工艺的视图。为了制造上面板111，提供上玻璃400 且在上玻璃400的上部分上图案化铟锡氧化物(IT0)电极410。IT0电极410是透明电极， 其用于防止在X电极与Y电极之间产生的光由于不透明的X和Y电极而变得不可见，其将 在以下描述。在图案化IT0电极410之后，在IT0电极410的上部分上图案化总线电极(X电极 和Y电极)420。X电极和Y电极交替地接收维持电压，并关于所选的像素进行维持放电。在图案化总线电极420之后，在上玻璃400的上部分上图案化黑条430。黑条430 形成在像素之间，用于保持像素彼此间隔开。在图案化黑条430之后，涂覆介电层440和MgO保护层450。介电层440和MgO保 护层450保持随后将描述的寻址电极510与上述总线电极420之间的电绝缘，以稳定地产 生等离子体并防止电极被等离子体侵蚀。因而，上面板111在上述示例性工艺中制成。图5是示出制造下面板113的工艺的视图。为了制造下面板113，提供下玻璃500， 在下玻璃500的上部分上图案化寻址电极510。寻址电极510用于传输数据信号以选择即 将被显示的像素。在图案化寻址电极510之后，涂覆介电层520。通过保持寻址电极510与总线电 极420之间的电绝缘，介电层520用于稳定地产生等离子体，且防止电极被等离子体侵蚀， 如上所述。间隔物530形成在介电层520的上部分上。间隔物530用于阻挡荧光材料以彼此 分隔，其将在随后描述，从而区别R像素、G像素和B像素。在形成间隔物530之后，在间隔物530之间涂覆荧光材料540。因而，在上述示例性工艺中制成下面板113。如果完全制成了上面板111和上面板113，则通过对上面板111和下面板113的诸如组装、密封、气体注入、时效(aging)和发光测试的工艺完成了面板110，并开始了在面 板110的上面板111的上部分上涂覆功能材料114的工艺。在以下文中，将参考图6描述 涂覆功能材料114的工艺。图6是涂覆功能材料114的工艺的流程图。为了涂覆功能材料114，制备面板110(S610)，面板110的上面板111经受表面清 洁(S620)。如果完成表面清洗(S620)，则在上面板111的被清洁的表面上涂覆功能材料 114(S630)。更具体地，在构成上面板111的上玻璃400上直接涂覆功能材料114。之后，对其上图案化总线电极420和寻址电极510的端子进行清洁(S640)。如果完成端子清洗(S640)，则确定是否适当地涂覆了功能材料114(S650)。如果 没有异常的涂覆功能材料114(S650-Y)，则进行热处理(S660)和发光测试(S670)，从而完 成功能材料114的涂覆。图7是示出涂覆有功能材料114的面板110的视图。上述功能材料114(其能包括 防止表面反射的材料①、校正颜色并改善颜色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③) 被混合并作为一种材料储存在存储罐710中。功能材料114以功能材料114通过喷射孔 720被喷射的方式被涂覆在上面板111上。通过以喷射的方式涂覆功能材料114，有可能防止形成气泡的问题，且由于相应于 每种功能的膜不需要单独涂覆、干燥和切割，所以降低了复杂性。另外，有可能防止在等离子体显示装置100的前表面上产生EMI，而不用增加额外 的配置或材料以屏蔽对于面板110的EMI。通过利用衬垫130和底架140的结构能实现屏 蔽在前表面上的EMI。另外，通过在一个存储罐710中存储防止表面反射的功能材料114、校正颜色并改 善颜色纯度的材料以及吸收近红外线的材料并且一次涂覆这些材料，而不是分别涂覆这些 材料，能减少在上面板111上的界面，随着界面数量减少，透光度的损失也减少，从而能改 善等离子体显示装置100的效率。当然，每种功能材料114可分开存储在每个存储罐中且分别涂覆在面板110上，而 不是被混合并作为一种材料存储在存储罐710中。返回参考图1，TSS 120附接到面板110的后表面，面板110的前表面涂覆有上述 的功能材料114。TSS 120用于防止由于等离子体显示装置100中产生并仅被传输到部分屏幕的热 而引起的图像品质恶化。即，通过附接TSS 120，等离子体显示装置100中产生的热变得平 稳且被均勻地传输到整个屏幕。另外，TSS 120通过衬垫130耦接到底架140，该衬垫130将被用于屏蔽EMI。这 将参考图8和图9详细描述。图8是用于解释在TSS 120与底架140之间的耦接结构的视图。如在图8中所示， TSS 120和底架140彼此不直接连接，而是通过衬垫130彼此耦接。衬垫130由具有粘性的材料制成，以耦接TSS 120和底架140。另外，衬垫130可 由导电材料制成，诸如金属织物，以通过衬垫130将底架140中产生的电流传输到TSS 120。TSS 120和底架140彼此不直接连接或附接，原因在于它们通过衬垫130彼此耦接。因此，更有效地减少或屏蔽了在等离子体显示装置100的前表面上产生的EMI。这将参 考图9更详细地描述。图9是用于解释使用衬垫130屏蔽EMI的方法的视图。TSS 120和底架140彼此 不直接连接，而是通过衬垫130彼此耦接。即，底架140通过衬垫130接地到TSS 120。由于衬垫130附接到底架140的部分表面而不是整个表面，所以从底架140流 动的电流分为第一电流和第二电流，该第一电流经过衬垫130附接到的表面被引导到TSS 120，该第二电流在底架140中环绕，其中TSS 120是接地。第一电流经过衬垫130附接到的表面而流到TSS 120中并在TSS 120处接地，在 底架140中环绕的第二电流消减(offset) EMI。通过经由衬垫130耦接TSS 120和底架140而不是直接连接它们，能消减底架140 中发射的EMI，从而与TSS 120和底架140彼此直接连接的情况相比，能进一步减少EMI发
射噪声。在以上解释中，底架140中产生的电流被传输到TSS 120。然而，底架140自身不 产生电流，电流由附接到底架140背表面的驱动电路150产生，且被传输到底架140。S卩，底 架140可被当作接地从而将驱动电路150产生的电流接地，经过衬垫130耦接到底架140 的TSS 120可被当作接地从而将驱动电路150产生的电流接地。另外，根据示例性实施方式的等离子体显示装置100使用双接地以实现去除EMI 发射噪声的效果，双接地在其局部部分而不是整个部分彼此耦接，从而能更有效地去除EMI 发射噪声。另外，驱动电路150连接到底架140的背表面，底架140的背表面与衬垫130附接 到的前表面相反。因此，为了使驱动电路150产生的电流更有效地接地，衬垫130可以位于 关于底架140而与驱动电路150相应的表面上。即，如果驱动电路150连接到底架140的 特定部分，则衬垫130可附接到底架140的与底架140的特定部分相反的部分，其中驱动电 路150连接到底架140的该特定部分。随后，由驱动电路150产生的电流能经过底架140 更有效地传输到衬垫130。虽然在示例性实施方式中等离子体显示装置100使用包括底架140和TSS 120的 双接地，但是底架140可使用自身的双接地。在以下文中，将参考图10至图13描述底架 140利用自身的双接地的方法。图10是示出根据示例性实施方式的底架140的视图。如上所述，衬垫130附接到底架140的一个侧表面，而驱动电路150通过导电材料 的螺钉1060连接到底架140的另一侧表面。驱动电路150包括X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单 元1040和控制器1050。电源单元1040供应电能到X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030 和控制器1050。控制器1050分别将X电极驱动控制信号、Y电极驱动控制信号和寻址电极驱动控 制信号传输到x驱动电路1010、Y驱动电路1020和寻址驱动电路1030，使得X驱动电路 1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030操作面板110。在以下文中，将参考图11描述具有X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动
9电路1030的等离子体显示装置100的操作。图11是用于解释操作等离子体显示装置100的方法的视图。X驱动电路1010连接到上述总线电极420的X电极，以基于从控制器1050接收的 X电极驱动控制信号来操作面板110，Y驱动电路1020连接到总线电极420的Y电极，以基 于从控制器1050接收的Y电极驱动控制信号来操作面板110。X驱动电路1010从控制器1050接收X电极驱动控制信号并施加驱动电压到X电 极，Y驱动电路1020从控制器1050接收Y电极驱动控制信号并施加驱动电压到Y电极。特 别地，X驱动电路1010和Y驱动电路1020交替地输入维持电压到X电极和Y电极，以关于 所选的像素进行维持放电。寻址驱动电路1030施加数据信号到寻址电极510以选择将被显示的像素。总线 电极(X电极和Y电极)420和寻址电极510布置成十字形图案，X电极和Y电极彼此面对， X电极与Y电极间存在放电空间。在寻址电极420、X电极和Y电极中形成为十字形截面的 放电空间形成放电单元。面板110包括布置成矩阵图案的多个像素。X电极、Y电极和寻址电极420布置在 每个像素上。因此，面板110以寻址显示分离(address displays印arate，ADS)驱动方法 操作，其中电压被施加到每个电极使得像素发光。ADS驱动方法指其中面板110的每个子域 (sub-field)以分开的重置部分、寻址部分和维持放电部分来驱动的方法。重置部分用于去除壁电荷的先前状态并设立壁电荷以稳定地执行下一次寻址放 电。寻址部分选择在面板中发光的单元以及不发光的单元，并在发光的单元(被寻址的单 元)执行堆积壁电荷。维持放电部分将维持电压交替地施加到X电极和Y电极，并执行放 电以在被寻址的单元上显示实际图像。如上所述，面板110利用施加到X电极的电压与施加到Y电极的电压之间的差引 起放电，利用由放电获得的等离子体发光。返回参考图10，在底架140上安装X驱动电路1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电 路1030、电源单元1040和控制器1050，且底架140使X驱动电路1010、Y驱动电路1020、 寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050产生的电流接地。为了实现该目的，底架140经过导电材料制成的螺钉1060连接到X驱动电路 1010、Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050，底架140也由导 电材料制成。底架140具有第一缝1070和第二缝1080，使得底架140能自身用作双接地。通过围绕底架140的X驱动电路1010连接到的部分切割而以长凹槽的形式形成 第一缝1070。具体地，第一缝1070分为两条分离的缝而不是一条缝，形成为提供电通路以 允许电流在两条缝之间流动。因此，由X驱动电路1010产生的电流经过连接X驱动电路1010和底架140的螺 钉1060被传输到底架140，并且被一次接地。具体地，电流经过螺钉1060被传输到由第一 缝1070划分的底架140的区域中底架140的位于X驱动电路1010下面的区域，并且被接 地。已经被传输到底架140的位于X驱动电路1010下面的区域并且在该区域处接地 的电流经过形成在第一缝1070的两条分离的缝之间的通路被传输到底架140的另一区域，并且被二次接地，Y驱动电路1020、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050位于底架140的该另一区域。由X驱动电路1010产生的电流在底架140的位于X驱动电路1010下面的区域一次接地，在底架140的另一区域二次接地，从而能去除EMI发射噪声。另外，通过经由第一 缝1070部分地连接双接地，能更有效地去除EMI发射噪声。第二缝1080的作用与第一缝1070的作用相同。即，通过围绕底架140的Y驱动 电路1020连接到的部分切割而以长凹槽的形式形成第二缝1080，该第二缝1080被分为两 条分离的缝以提供允许电流在两条缝之间流动的通路。因此，由Y驱动电流1020产生的电流经过螺钉1060被传输到底架140，其中该螺 钉1060连接Y驱动电路1020和底架140，并且被一次接地。具体地，电流经过螺钉1060被 传输到由第二缝1080划分的底架140的区域中底架140的位于Y驱动电路1020下面的区 域，并且被接地。另外，已经被传输到底架140的位于Y驱动电路1010下面的区域并且在该区域处 接地的电流经过形成在第二缝1080的两条分离的缝之间的通路被传输到底架140的另一 区域并且被二次接地，X驱动电路1010、寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050 位于底架140的该另一区域。如上所述，由Y驱动电路1020产生的电流在底架140的位于Y驱动电路1020下 面的区域一次接地，在底架140的另一区域二次接地，从而能去除EMI发射噪声。另外，通 过经由第二缝1080部分地连接双接地，能更有效地去除EMI发射噪声。在以上解释中，通过围绕底架140的X驱动电路1010和Y驱动电路1020连接到 的部分而以长凹槽的形式形成缝。然而，这仅仅是为了便于解释的实例，且围绕X驱动电路 1010和Y驱动电路1020之一可以形成缝，或者围绕其它电路，即，寻址电路1030、电源单元 1040和控制器1050可以形成缝。另外，在以上解释中，第一缝1070和第二缝1080的每一个均具有两条缝，使得 一个电通路由该两条缝形成。其中电流经过单一电通路接地的方法被称为一点接地法 (one-point ground method)。然而，形成一个电通路仅仅是为了便于解释的实例。因此，第一缝1070或第二缝1080可具有两条或更多的缝。例如，如果第一缝1070 由三条缝构成，则用于传输电流的两个通路形成在一次接地和二次接地之间。在形成两个电通路的情形下，适当的理解是在两个场所(spot)使用一点接地 法，而不理解为没有使用一点接地法。另外，在图10中示出的第一缝1070和第二缝1080的每一个的形状仅是实例，第 一缝1070和第二缝1080可形成为具有不同于图10的缝的其它形式，如在图12中所示的。图12是示出根据另一示例性实施方式的底架140的视图。在图12中，为了便于 解释，省略了寻址驱动电路1030、电源单元1040和控制器1050。如果两条第一缝1070和两条第二缝1080形成如在图12中所示的通路，则电流能 经过一次接地和二次接地之间的通路传输，使得能更有效地去除EMI。在以上解释中，虽然在底架140上设置缝并且电流以点接地法在底架140处接地， 在一点接地法中电流经过形成在两条缝之间的一个通路传输，但是示例性实施方式能适用 于电流以一点接地法在底架140处接地而不使用缝的情形。这将参考图13来解释。
图13是示出根据另一示例性实施方式的底架140的视图。如在图13中所示，X驱 动电路1010经过单个螺钉1060而不是多个螺钉连接到底架140，还经过四个非导电连接元 件1310连接到底架140。另外，Y驱动电路1020经过单一螺钉1060而不是多个螺钉连接 到底架140，还经过四个非导电连接元件1310连接到底架140。在图13中，标为“〇”的部分表示用于连接底架140与X驱动电路1010或Y驱动 电路1020的螺钉1060所处的位置，标为“◎”的部分表示用于连接底架140与X驱动电路 1010或Y驱动电路1020的非导电连接元件1310所处的位置。在此，非导电连接元件1310不具有将由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生 的电流传输到底架140的功能，而是简单地用于克服当底架140与X驱动电路1010或Y驱 动电路1020仅通过螺钉1060彼此连接时它们之间的弱连接。因此，X驱动电路1010和Y 驱动电路1020每个都经过螺钉1060连接到底架140，该螺钉1060是单个导电介质。由于如上所述，X驱动电路1010和Y驱动电路1020以一点接地法接地到底架140， 所以由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流被传输到底架140的仅一点处且在 该点处接地。因此，由X驱动电路1010和Y驱动电路1020的每一个所产生的部分电流被 传输到底架140，剩余的电流在X驱动电路1010和Y驱动电路1020中环绕且消减EMI。当然，使用四个非导电连接元件1310仅是解释性的实例，可使用五个或更多的、 或者三个或更少的非导电连接元件。另外，如果仅使用螺钉1060连接底架140与X驱动电 路1010或Y驱动电路1020不存在问题，则不需要使用非导电连接元件1310。虽然在以上示例性实施方式中一个螺钉1060用作导电连接元件，但是如果需要 可以使用两个或更多的螺钉1060。然而，随着螺钉1060的数量增加，减少EMI的效果会降 低。在图13中，X驱动电路1010和Y驱动电路1020以一点接地而接地到底架140。 在图13中，使用一点接地而不使用双接地。然而，示例性实施方式能应用于使用一点接地 和双接地二者的情况。在以下文中，将参考图14至图16解释在双接地法中形成一点接地 的方法。在图14至图16的示例性实施方式中，可使用必要数量的非导电连接元件1310。 然而，为了便于简明，省略了非导电连接元件1310的图示和描述。图14是示出根据另一示例性实施方式的底架140的视图。如在图14中所示，X 驱动电路1010经过多个螺钉1060连接到导电板1410，导电板1410经过单一螺钉1430连 接到底架140。另外，Y驱动电路1020经过多个螺钉1060连接到导电板1420，导电板1420 经过单一螺钉1430连接到底架140。在图14中，标为“〇”的部分表示用于连接X驱动电路1010或Y驱动电路1020与 导电板1410或导电板1420的螺钉1060所处的位置，标为“ ”的部分表示用于连接底架 140与导电板1410或导电板1420的螺钉1430所处的位置。另外，图15进一步示出了螺钉1060和1430的定位。图15是示出图14的底架140的透视图。如在图15中所示，因为X驱动电路1010 经过多个螺钉1060连接到导电板1410，所以由X驱动电路1010产生的电流经过多个螺钉 1060被传输到导电板1410，在导电板1410处一次接地。另外，因为导电板1410经过单一 螺钉1430连接到底架140，所以在导电板1410处产生的电流经过单一螺钉1430被传输到
12底架140，且在底架140处二次接地。类似地，因为Y驱动电路1020经过多个螺钉1060连接到导电板1420，所以由Y驱 动电路1020产生的电流经过多个螺钉1060被传输到导电板1420，且在导电板1420处一次 接地。另外，因为导电板1420经过单一螺钉1430连接到底架140，所以在导电板1420处产 生的电流经过单一螺钉1430被传输到底架140，且在底架140处二次接地。因为X驱动电路1010或Y驱动电路1020以一点接地法接地到底架140，所以由X 驱动电路1010或Y驱动电路1020的每一个产生的电流均被传输到底架140的一点处，且最 终在底架140处接地。因此，最初传输到导电板1410和导电板1420的电流在导电板1410 和导电板1420中环绕，从而消减EMI。虽然在以上实施方式中连接到X驱动电路1010的导电板1410和连接到Y驱动电 流1020的导电板1420分离地设置，但是这仅是实例。示例性实施方式能应用到如在图16 中所示的设置单一导电板1610的情况。图16是示出根据另一示例性实施方式的底架140的视图。如在图16中所示，X驱 动电路1010和Y驱动电路1020经过多个螺钉1060连接到单一导电板1610。即，X驱动电 路1010和Y驱动电路1020布置在单一导电板1610上。导电板1610经过单一螺钉1620连接到底架140。因此，由X驱动电路1010和Y驱动电路1020产生的电流被传输到单一导电板 1610，传输到导电板1610的电流以一点接地法在底架140处接地。因此，由X驱动电路1010 和Y驱动电路1020产生的电流被传输到底架140的一点处，且最终在底架140处接地。因 此，最初传输到导电板1610的电流在导电板1610中环绕，从而消减EMI。当然，如果需要，可以改变螺钉1060和1620的数量。在根据图10、图12、图14和图15的示例性实施方式的底架140的结构中，因为X 驱动电路1010和Y驱动电路1020接地到底架140的不同的一点，所以X驱动电路1010的 接地电势电平与Y驱动电路1020的接地电势电平之间可存在差异。如果存在接地电势电平的差异，则等离子体显示装置100会由于控制器1050传输 控制信号而不考虑不同的接地电势电平发生故障。图17是底架140的视图，其中隔离IC额外地设置到底架140从而解决以上问题。 在图17中，隔离耦合器(I-COupler)1710和1720用作隔离IC的实例。隔离耦合器1710和1720是进行DC-DC转换的数字绝缘元件。因此，隔离耦合器1710连接在X驱动电路1010与控制器1050之间，隔离耦合器 1720连接在Y驱动电路1020与控制器1050之间，因而即使X驱动电路1010的接地电势与 Y驱动电路1020的接地电势之间存在差异，等离子体显示装置也能被操作而不发生故障。即，隔离耦合器1710和1720将由控制器1050产生的控制信号转换成基于X驱动 电路1010的接地电势的控制信号，将由控制器1050产生的控制信号转换成基于Y驱动电 路1020的接地电势的控制信号，使得X驱动电路1010和Y驱动电路1020被根据X驱动电 路1010的接地电势电平和Y驱动电路1020的接地电势电平的控制信号控制。在以上示例性实施方式中，虽然描述了使用隔离耦合器1710和1720校正接地电 势电平之间的差的方法，但是这仅是实例。示例性实施方式能应用到使用隔离耦合器1710、 1720之外的元件校正接地电势电平或者通过改变底架140的形状而不使用额外的元件来校正接地电势电平的情况。该情况的实例如下在如图10和图12所示缝1070或缝1080形成在底架140上的情形下，通过调整 缝1070或缝1080的厚度或者调整缝1070或缝1080之间的间隙来校正接地电势电平。例 如，通过扩大图10中所示的缝1070或缝1080之间的间隙，扩大了允许电流从底架140的 X驱动电路1010或Y驱动电路1020所定位的区域流到其它区域的通路。因此，由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流能更平稳地流到底架140 的其它区域，X驱动电路1010或Y驱动电路1020不位于底架140的该其它区域中，因而减 小了底架140的X驱动电路1010或Y驱动电路1020所定位的区域与底架140的其它区域 之间的接地电平差。接下来，在如图14和图15所示底架140中进行使用单一螺钉的一点接地的情形 中，通过调整螺钉的数量来校正接地电势电平。例如，如果连接导电板1410和导电板1420 与底架140的螺钉(“ ”)的数量增加，则允许电流从导电板1410和导电板1420流到底 架140的通路的数量增加。因此，由X驱动电路1010或Y驱动电路1020产生的电流经过导电板1410或导电 板1420更平稳地流到底架140中，从而能减小X驱动电路1010所定位的导电板1410与Y 驱动电路1020所定位的导电板1420之间的电势电平差。如上所述，能通过改变底架140的形状能校正接地电势电平。在以上示例性解释中，能通过使用衬垫130耦接TSS 120与底架140、在底架140 上形成缝或者改变底架140与驱动电路150之间的连接条件来减少从等离子体显示装置 100的前表面发出的EMI。另外，为了减少从等离子体显示装置100的前表面发出的EMI，涂覆防止表面反射 的材料①、校正颜色并改善颜色纯度的材料②以及吸收近红外线的材料③，而不在上面板 111的上部分上设置额外配置或材料以屏蔽EMI。返回参考图1，将描述用于减少从等离子体显示装置100的后表面发出的EMI的后 盖 160。如上所述，通过使用衬垫130耦接TSS 120与底架140、在底架140上形成缝或者 改变底架140与驱动电路150之间的连接条件来减少从等离子体显示装置100的前表面发 出的EMI。后盖160不覆盖面板110的前表面、面板110的后表面和底架140的前表面。取 而代之的是，后盖160直接连接到底架140的后表面以覆盖等离子体显示装置100的后表 面，通过后盖160连接到底架140而屏蔽EMI并防止对驱动电路150的损害。为了实现此 目的，后盖160由导电材料制成。如上所述，根据各个示例性实施方式，仅利用底架140的形状而不在等离子体显 示装置的前表面上设置额外的滤波器就能够有效地减少PDP被驱动时所产生的EMI发射。另外，简化了制造PDP的工艺，并减少了面板的界面数量，从而能减少透光度的损 失并能改善光发光效率。前述示例性实施方式和优点仅是示例性的，且不应理解为限制本发明。本发明的 教导能容易地应用到其它类型的装置。另外，示例性实施方式的描述意指示例性的，且不
14限制权利要求书的范围，对于本领域的技术人员来说，多个替代物、修改和变化是显而易见 的。 本申请要求享有2009年8月10日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请 No. 10-2009-73120的权益，在此结合其全部内容作为参考。
权利要求
1.一种等离子体显示装置，包括面板，包括涂覆有功能材料的上面板和与所述上面板的涂覆有所述功能材料的表面相 反设置的下面板，其中所述功能材料包括校正颜色的材料和吸收近红外线的材料的至少一 种；驱动电路，驱动所述面板；以及底架，所述驱动电路安装在其上。
2.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述功能材料涂覆在所述上面板上 且在所述上面板上形成单一层。
3.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述功能材料还包括防止表面反射 的材料，其中防止表面反射的材料包括Si02、ZrO和Ti02的至少一种。
4.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中校正颜色的材料包括吸收580nm至 590nm波长的光的颜料。
5.根据权利要求4所述的等离子体显示装置，其中当所述面板进行放电时，Ne产生 580nm至590nm波长的光，以及其中所述Ne被注入在所述上面板与所述下面板之间。
6.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中吸收近红外线的材料包括Ag和吸收 800nm至1200nm波长的光的颜料的其中之一。
7.根据权利要求6所述的等离子体显示装置，其中当所述面板进行放电时，Xe产生 800nm至1200nm波长的光，以及其中所述Xe被注入在所述上面板与所述下面板之间。
8.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述功能材料被混合且储存在单一 存储罐中，且被喷射在所述上面板的上部分上以涂覆所述上面板的所述上部分。
9.根据权利要求1所述的等离子体显示装置，其中所述功能材料不包括用于屏蔽电磁 干扰的材料。
10.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，其中所述底架包括多条缝，该多条缝形 成为在所述驱动电路连接到的部分周围提供电通路，其中形成所述多条缝，使得从所述驱动电路传输的电流的第一部分从包括所述驱动电 路连接到的部分的区域传输到包括所述驱动电路未连接到的部分的区域，以及其中从所述驱动电路传输的电流的第二剩余部分在包括所述驱动电路未连接到的所 述部分的区域中环绕以消减电磁干扰。
11.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，还包括设置在所述驱动电路与所述底 架之间的导电板，其中由所述驱动电路产生且传输到所述导电板的电流的第一部分被传输到所述底架，以及其中传输到所述导电板的电流的第二剩余部分在所述导电板中环绕以消减电磁干扰。
12.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，还包括散热片，释放从所述底架传输的热；以及导电衬垫，连接所述底架和所述散热片以允许所述底架和所述散热片通过所述至少一 个电通路电传导，其中由所述驱动电路产生且被传输到所述底架的电流的第一部分被传输到所述散热 片；以及其中传输到所述底架的所述电流的第二剩余部分在所述底架中环绕以消减电磁干扰。
13.根据权利要求9所述的等离子体显示装置，进一步包括后盖，该后盖覆盖所述驱动 电路、连接到所述驱动电路的单元以及所述底架。
14.一种用于制造等离子体显示面板的方法，该方法包括 制造上面板；制造下面板；结合所述上面板和所述下面板；以及在所述上面板的上部分上涂覆功能材料，该功能材料包括校正颜色的材料和吸收近红 外线的材料的至少一种，所述功能材料被混合且被储存在单一存储罐中。
全文摘要
本发明提供一种等离子体显示装置和用于制造等离子体显示面板的方法。该等离子体显示装置包括面板，包括涂覆有功能材料的上面板，以及与上面板的涂覆有功能材料的表面相反设置的下面板；驱动面板的驱动电路；以及底架，驱动电路安装在其上。
文档编号G09F9/313GK101996567SQ20101024929
公开日2011年3月30日 申请日期2010年8月10日 优先权日2009年8月10日
发明者孙永基, 朴台淳, 林成焕 申请人:三星电子株式会社