专利名称：显影工艺改善方法
技术领域：
本发明涉及一种显影工艺改善方法，特别涉及一种降低喷嘴具有残余污染物的显影工艺 改善方法。
背景技术：
现有半导体工业的显影工艺是利用一显影液喷洒臂的成排的喷嘴加注显影液于芯片上， 故可以一次大面积的喷洒方式进行显影液覆盖芯片，如图1所示。
然而，如图1所示，显示在显影工艺中，喷嘴10对第一片芯片12沿着Line-l的方向 喷洒显影液14，并推着显影液14前进，就可能会发生有反应产生的副产物溅到喷嘴10上， 且由于喷嘴IO在喷洒方向Line-l上的显影液面高度逐渐上升，故喷嘴10自身遭受的污染的 面积亦会增加。所以，假若受污染的喷嘴没有进行清洁而继续操作的话，则将会对第二片芯 片及之后的芯片造成影响。
如图2A所示，利用已经遭受污染的喷嘴10对第二片芯片16喷洒显影液，第二片芯 片16的切口 18(notch)大约于八点钟方向，且喷嘴10的喷洒方向是沿着Line-1方向喷洒， 则发现完成后的产品会如图2B所示，具有沿着Line-l方向的污染物20;另外，如图3A所示， 当第二片芯片16的切口 18大约于六点钟方向，且喷嘴10的喷洒方向是沿着Line-2方向， 则发现完成后的产品会如图3B所示，具有沿着Line-2方向的污染物22。
有鉴于此，本发明针对上述技术问题，提供一种显影工艺改善方法，以克服上述缺点。
发&内容
本发明的一目的在于，提供一种显影工艺改善方法，通过在显影工艺中，随着显影液的 上升而控制喷嘴与显影液液面之间有适当距离，以避免显影液接触喷嘴，进而降低喷嘴遭受 污染的机率。
本发明的另一目在于，提供一种显影工艺改善方法，通过延长去离子水清洗喷嘴的时间， 以保持喷嘴的清洁。
为达上述目的，本发明采用如下技术方案
一种显影工艺改善方法，先提供一显影液喷洒臂，其上具至少一喷嘴以喷洒一显影液于 一芯片上，且随着显影液的上升，需上移喷嘴的高度以使喷嘴与显影液之液面间的距离在1 毫米至2毫米之间，最后利用一去离子水清洗喷嘴至少5秒，例如5至10秒或甚至更长。以下结合附图及实施例进一步说明本发明。
图1为现有喷嘴喷洒显影液的示意图。
图2A为现有喷嘴喷洒显影液的示意图。
图2B为现有污染物于芯片上的分布示意图。
图3A为现有喷嘴喷洒显影液的示意图。
图3B为现有污染物于芯片上的分布示意图。
图4为本发明步骤流程图。
图5为本发明喷嘴喷洒显影液的示意图。
标号说明
10喷嘴
12第一片芯片
14显影液
16第二片芯片
18切口
20污染物
22污染物
24喷嘴
26芯片
28显影液
具体实施例方式
本发明提供一种显影工艺改善方法，主要是针对喷嘴在喷洒显影液时的过程以及喷洒完 毕后处理喷嘴的清洁方式，提出一套更完善的改善方法。
图4为本发明的步骤流程图。如图所示，本发明的显影工艺改善方法为先进行步骤S1， 将芯片固设于涂布机上，之后如步骤S2所示，提供一显影液喷洒臂，其上设有多个喷嘴以对 芯片喷洒显影液，其中显影液是强碱溶液，如四甲基氢氧化铵(TMAH)，且喷嘴以每秒70-80 毫米(mm)的移动速度于芯片上方喷洒显影液，接着进行步骤S3,由于随着显影液的液面逐 渐上升，显影液很容易溅到喷嘴，故如图5所示，喷嘴24对芯片26喷洒显影液28时，要适 当上移喷嘴24，以使喷嘴24与显影液28之液面间的距离H保持在1毫米(mm)至2毫米(mm)之间，然后于满足工艺可进行显影作业的条件下，尽量减少喷嘴对芯片的喷洒次数，使喷嘴 的喷洒次数可为l次、2次或是3次，如步骤S4所示，喷洒完毕后，进行步骤S5，利用去离 子水清洗喷嘴至少5秒，甚至于满足工艺的前提下，可以延长清洗时间5至10秒，或甚至更 长。
由此可知，本发明所揭示的显影工艺改善方法通过抬高喷嘴使喷嘴与显影液的液面间的 距离随时保持在1毫米至2毫米之间，以避免喷嘴接触到显影液而遭受污染，使之后的芯片 产生具有污染物残留。
以上所述的实施例仅用于说明本发明的技术思想及特点，其目的在使本领域内的技术人 员能够了解本发明的内容并据以实施，当不能仅以本实施例来限定本发明的专利范围，即凡 依本发明所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍落在本发明的专利范围内。
权利要求
1、 一种显影工艺改善方法，其特征在于包括下列步骤(a)提供一显影液喷洒臂，其上具至少一喷嘴以喷洒一显影液于一芯片上；(b)随着该显影液的上升，控制该喷嘴上移以与该显影液的液面间的距离在1毫米至2毫米之间；(c)利用一去离子水清洗该喷嘴。
2、 根据权利要求l所述的显影工艺改善方法，其特征在于该喷嘴以每秒70-80毫米的移动速 度于该芯片上方喷洒该显影液。
3、 根据权利要求l所述的显影工艺改善方法，其特征在于该喷嘴对于该芯片的喷洒的次数 为1次或2次或3次。
4、 根据权利要求l所述的显影工艺改善方法，其特征在于所述步骤(c)的去离子水清洗该喷 嘴的时间至少5秒。
5、 根据权利要求1所述的显影工艺改善方法，其特征在于该显影液是强碱溶液。
全文摘要
本发明提供一种显影工艺改善方法，主要是在喷嘴喷洒显影液于芯片上时，要控制喷嘴与显影液的液面间的距离随时保持在1毫米至2毫米之间，之后并利用去离子水清洗喷嘴，且清洗时间需长达至少5秒，如此即可降低喷嘴遭受显影液污染的机率，进而避免后续的芯片具有显影工艺成品率下降的问题发生。
文档编号G03F7/30GK101286014SQ200710039420
公开日2008年10月15日 申请日期2007年4月12日 优先权日2007年4月12日
发明者蒙 程, 进 陈 申请人:上海宏力半导体制造有限公司