边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板的制作方法

专利名称：边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及边缘场切换(FFS)模式的液晶显示(LCD)装置，尤其 涉及一种用于能够改进透光率和孔径比的FFS模式的LCD装置的阵列基 板和包含该阵列基板的FFS模式的LCD装置。该FFS模式的LCD装置 能够显示高质量图像。
背景技术：
本申请要求分别在2008年6月25日和2008年8月25日提交的韩 国专利申请第10-2008-0060328号和第10-2008-0082964号的优先权，在 此以引证的方式并入其全部内容，就像在此进行了完整阐述一样。
相关技术液晶显示(LCD)装置利用液晶分子的光学各向异性和极 化特性。由于液晶分子形状细而长，所以液晶分子具有确定的取向方向。 通过施加横跨液晶分子的电场控制液晶分子的取向方向。当电场的强度 或方向改变时，液晶分子的取向也发生改变。由于液晶分子光学各向异 性之缘故，入射光线基于液晶分子的取向发生折射，因此能够通过控制 光线的透射率来显示图像。
由于包含薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的LCD装置(称为有源矩阵 LCD(AM-LCD》具有高分辨率和显示运动图像的优越怜性，AM-LCD装 置已得到了广泛使用。
AM-LCD装置包括阵列基板、滤色基板和夹在阵列基板与滤色基板 之间的液晶层。阵列基板可以包括像素电极和TFT，并且滤色基板可以 包括滤色层和公共电极。AM-LCD装置由像素电极与公共电极之间的电 场驱动，从而产优良的透光率特性和孔径比特性。然而，因为AM-LCD 装置使用垂直电场，因此AM-LCD装置具有较差的视角。
利用面内切换(IPS)模式的LCD装置可解决上述限制。图1为相关技术IPS模式的LCD装置的截面图。如图1所示，阵列基板与滤色基 板互相分离并且互相面对。阵列基板包括第一基板10、公共电极17和像 素电极30。虽然未示出，阵列基板可以包括比如TFT、选通线、数据线。 滤色基板包括比如第二基板9、滤色层(未示出)。液晶层11夹在第一基 板10与第二基板9之间。因为公共电极17与像素电极30在第一基板10 上在相同的水平面上形成，因此在公共电极17与像素电极30之间产生
了水平电场为"L"。
图2A和图2B为示出相关技术IPS模式的LCD装置的开/关状态的 截面图。如图2所示，当向IPS模式的LCD装置施加电压的时候，公共 电极17和像素电极30上的液晶分子lla没有变化。但是由于水平电场
"L"的原因，公共电极17与像素电极30之间的液晶分子lib水平排列。 因为液晶分子通过水平电场排列，因此IPS模式的LCD装置具有宽视角 的特性。图2B示出了当没有向IPS模式的LCD装置施加电压时的状态。 因为公共电极17与像素电极30之间没有产生电场，因此液晶分子ll的 排列没有变化。然而，IPS模式的LCD装置具有较差的孔径比和透光率。 为了克服上述限制已经引入了边缘场切换(FFS)模式的LCD装置。 在FFS模式的LCD装置中，液晶分子通过边缘场驱动。
图3为用于相关技术FFS模式的LCD装置的阵列基板的平面图。如 图3所示，阵列基板包括基板41、选通线43、数据线51、薄膜晶体管(TFT)
"Tr"、公共电极75和像素电极60。选通线43和数据线51形成于基板 41上，并且两者互相交叉以限定像素区域"P"。选通线43由于栅绝缘层
(未示出)与数据线51绝缘。TFT "Tr"形成于各像素区域"P"内，并 且连接到选通线43和数据线51。 TFT"Tr"包括栅极45、栅绝缘层、半 导体层(未示出)、源极55和漏极58。栅极45连接到选通线43，而源 极55连接到数据线51。
像素电极60形成于各像素区域"P"内。像素电极60通过漏接触孔 59电连接到TFT "Tr"的漏极58。像素电极60为板状(plate shape), 并且包括多个开口 "op"。各开口 "op"为条状。此外，板状的公共电极 75形成于基板41的显示区域的整个表面上。公共电极75与像素电极60
9板41的显示区域的整个表面上，但是 用虚线标示对应于一个像素区域"P"的公共电极75。
在具有以上结构的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板内，当电压 施加至公共电极75与像素电极60上时，在像素电极60与公共电极75 之间产生边缘场。
在以上用于FFS模式的LCD装置的阵列基板内，像素电极60的开 口 "op"与公共电极75完全交叠。在这种情况中，在开口 "op"沿开口 "叩"长轴的两个端部不能产生均匀电场。可以将产生非均匀电场的端 部称为向错区域"DA" (disclinationarea)。也就是说，向错区域"DA" 内的液晶分子具有非均匀的排列。因为FFS模式的LCD装置在开状态下 在向错区域"DA"内的透光率比其他区域低，因此在向错区域"DA" 内具有暗的图像(dark image),如图4所示，该图示出了用于相关技术FFS 模式的LCD装置的阵列基板的像素区域。
由于向错区域的原因，FFS模式的LCD装置的透光率和显示质量较 低。 '
图5为相关技术FFS模式的LCD装置的平面图。如图5所示，FFS 模式的LCD装置40包括第一基板42、第二基板(未示出)和夹在两者 之间的液晶层(未示出)。
第一基板42上形成有选通线44、数据线52、薄膜晶体管(TFT)"Tr"、 公共电极76和像素电极61。选通线44与数据线52形成于第一基板42 上，并且互相交叉以限定像素区域"P"。选通线44由于栅绝缘层(未示 出)与数据线52绝缘。TFT "Tr"形成于各像素区域"P"内，并且连接 到选通线44和数据线52。 TFT "Tr"包括栅极46、栅绝缘层、半导体层 (未示出)、源极56和漏极59。栅极46连接到选通线44，而源极56连 接到数据线52。
像素电极61形成于各像素区域"P"内。像素电极61电连接到TFT "Tr"的漏极59。像素电极61为板状并且包括多个开口 "op"。各开口 "op"为条状。像素电极61设置在像素区域"P"的内部。也就是说， 像素电极61与选通线44和数据线52不交叠，而且与选通线44和数据线52隔开预定距离。像素电极与选通线44和数据线52不交叠的原因在 于当像素电极与选通线44和数据线52交叠并且两者之间设置有栅绝 缘层(未示出)时，选通线44与像素电极61之间以及数据线52与像素 电极61之间存在寄生电容，从而在电场内产生失真。因此，为了避免这 些问题，像素电极与选通线44和数据线52不交叠。
此外，板状的公共电极76形成于第一基板42的显示区域的整个表 面上。公共电极76与像素电极61交叠。虽然公共电极76形成于第一基 板42的显示区域的整个表面上，但是用虚线标示对应于一个像素区域"P" 的公共电极76。可以将在其上形成有选通线44、数据线52、 TFT"Tr"、 像素电极61和公共电极76的第一基板42称为阵列基板。
在具有上述结构的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板内，当电压 施加至公共电极76和像素电极61时，在像素电极61与公共电极76之 间产生边缘场。
在面对第一基板42的第二基板(未示出)上形成有滤色层(未示出) 和黑底85。滤色层包括红色、绿色和蓝色的滤色器图案。滤色器图案对 应于像素区域"P"。黑底85设置为对应于像素区域"P"的边界。也就 是说，黑底85对应于选通线44、数据线52和TFT "Tr"。
在用于FFS模式的LCD装置的上述阵列基板内，像素电极60的开 口 "op"与公共电极75完全交叠。在这种情况中，在幵口 "op"沿开口 "op"长轴的两个端部无法产生均匀电场。将产生非均匀电场的端部称 为向错区域"DA"。也就是说，液晶分子在向错区域"DA"内具有非均 匀排列。因为FFS模式的LCD装置在开状态下在向错区域"DA"的透 光率比其他区域低，因此在向错区域"DA"内具有暗的图像。
因为光线在向错区域内异常透射，因此显示质量降低。因此，将黑 底85进行延伸以遮蔽向错区域"DA"。当黑底85具有较宽区域时，孔 径比和透射率降低。

发明内容
因此，本发明涉及用于FFS模式的LCD装置的阵列基板和包括该阵列基板的FFS模式的LCD装置，其基本上消除了由相关技术的限制和缺 点所导致的一个或者多个问题。
本发明的其它特征和优点将在下面的描述阐述中，并且从该说明部 分地变得清楚，或者可通过本发明的实施而获知。通过在文字说明及其 权利要求以及附图中具体指出的结构可以认识并实现本发明的这些目的 和其他优点。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如在此具体 实施和广泛描述的， 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基 板包括位于基板上的多条选通线；位于多条选通线上的栅绝缘层；多 条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上，并且与多条选通线交叉以限 定多个像素区域；电连接到选通线和数据线并且位于各像素区域内的薄 膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，像素电极连接到薄 膜晶体管的一部分；位于像素电极上并且位于薄膜晶体管上方的第一钝 化层；以及公共电极，该公共电极位于第一钝化层上，并且具有位于各 像素区域内的条状的多个开口，各开口具有沿数据线的长轴和沿选通线 的短轴，其中各开口的中部与像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的两 个端部突出到像素电极之外。
在本发明的另一方面中， 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置 的阵列基板包括位于基板上的多条选通线；位于多条选通线上的栅绝 缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上，并且与多条选通线 交叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线并且位于各像素区 域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，该像素电 极连接到薄膜晶体管的一部分；位于像素电极上并且位于薄膜晶体管上 方的钝化层；位于钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开 口的公共电极，各开口具有沿数据线的长轴和沿选通线的短轴，其中各 开口的中部与像素电极交叠，并且多个开口中最外端的开口的沿短轴的 端部突出到像素电极之外。
在本发明另一方面中， 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的 阵列基板包括位于基板上的多条选通线；位于多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上，并且与多条选通线交
叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线并且位于各像素区域 内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，该像素电极 连接到薄膜晶体管的一部分，并且与选通线的一部分交叠；位于像素电 极上并且位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化层上并且具有位于各 像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各开口具有沿数据线的长轴 和沿选通线的短轴，其中各开口的中部与像素电极交叠，并且各开口的 沿长轴的两个端部与选通线交叠。
在本发明另一方面中， 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的 阵列基板包括位于基板上的多条选通线；位于多条选通线上的栅绝缘层； 多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上，并且与多条选通线交叉以 限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线并且位于各像素区域内的 薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，该像素电极连接 到薄膜晶体管的一部分，并且与选通线的一部分交叠；位于像素电极上
并且位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化层上并且具有位于各像素 区域内的条状的多个幵口的公共电极，各开口沿各数据线穿过像素区域。
在本发明另一方面中， 一种边缘场切换模式的液晶显示装置包括彼 此面对的第一基板和第二基板；位于第一基板上的多条选通线；位于多 条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上， 并且与多条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线 并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像 素电极，该像素电极连接到薄膜晶体管的一部分；位于像素电极上并且 位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化层上并且具有位于各像素区域 内的条状的多个开口的公共电极，各开口具有沿数据线的长轴和沿选通 线的短轴，其中各开口的中部与像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的 两个端部突出到像素电极之外；位于第二基板上并且围绕各像素区域的 黑底；位于第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层；和位于第一基 板与第二基板之间的液晶层。
在本发明另一方面中， 一种边缘场切换模式的液晶显示装置包括彼此面对的第一基板和第二基板；位于第一基板上的多条选通线；位于 多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上， 并且与多条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线 并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像 素电极，该像素电极连接到薄膜晶体管的一部分；位于像素电极上并且 位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化层上并且具有位于各像素区域 内的条状的多个开口的公共电极，各开口具有沿数据线的长轴和沿选通 线的短轴，其中各开口的中部与像素电极交叠，并且多个开口中最外端 的开口的沿短轴的端部突出到像素电极之外；位于第二基板上并且围绕 各像素区域的黑底；位于第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层； 和位于第一基板与第二基板之间的液晶层。
在本发明另一方面中， 一种边缘场切换模式的液晶显示装置包括-彼此面对的第一基板和第二基板；位于第一基板上的多条选通线；位于 多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上， 并且与多条个选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据 线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的 像素电极，该像素电极连接到薄膜晶体管的一部分并且与选通线的一部 分重叠；位于像素电极上并且位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化 层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各开口 具有沿数据线的长轴和沿选通线的短轴，其中各开口的中部与像素电极 交叠，并且各开口的沿长轴的两个端部与选通线交叠；位于第二基板上 并且遮蔽数据线和薄膜晶体管但不遮蔽选通线的黑底；位于第二基板上 并且对应于各像素区域的滤色层；和位于第一基板与第二基板之间的液 晶层。
在本发明另一方面中， 一种边缘场切换模式的液晶显示装置包括 彼此面对的第一基板和第二基板；位于第一基板上的多条选通线；位于 多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上， 并且与多条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线 并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像
14素电极，该像素电极连接到薄膜晶体管的一部分并且与选通线的一部分
交叠；位于像素电极上并且位于薄膜晶体管上方的钝化层；位于钝化层 上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各开口沿 各数据线穿过像素区域；位于第二基板上并且遮蔽数据线和薄膜晶体管 而不遮蔽选通线的黑底；位于第二基板上并且对应于各像素区域的滤色 层；和位于第一基板与第二基板之间的液晶层。
应当理解以上概述性描述及接下来的详细描述都是示例性和解释 性的，并用于以所要求保护的发明作进一步解释。


附图被包括进来以提供对本发明的进一步理解，并且被并入并构成 本申请的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并与说明书一起用于 解释本发明的原理。
在附图中
图1为相关技术FFS模式的LCD装置的截面图； 图2A和图2 B为示出相关技术FFS模式的LCD装置的开/关状态的 截面图3为用于相关技术FFS模式的LCD装置的阵列基板的平面图； 图4示出了相关技术FFS模式的LCD装置的阵列基板的像素区域； 图5为相关技术FFS模式的LCD装置的平面图； 图6为根据本发明第一实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列 基板的平面图7为沿图6中的线VI-VI提取的截面图； 图8为沿图6中的线VII-VII提取的截面图9为沿图6中的线vni-vm提取的截面图10为根据本发明第一实施方式的改进实施方式的用于FFS模式的 LCD装置的阵列基板的平面图11为根据本发明第二实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵 列基板的平面图；图12为根据本发明第二实施方式的改进实施方式的用于FFS模式的
LCD装置的阵列基板的平面图13为根据本发明第三个施方式的FFS模式的LCD装置的平面图； 图14为沿着图13中的线XIV-XIV提取的截面图； 图15为沿着图13中的线XV-XV提取的截面图；以及 图16为根据本发明第三实施方式的改进实施方式的FFS模式的LCD
装置的平面图。
具体实施例方式
现在详细地描述本发明的优选实施方式，附图示出了其实例。 图6为根据本发明第一实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列 基板的平面图，而图7为沿着图6中的线VI-VI提取的截面图。图8为 沿着图6中的线VII-VII提取的截面图，而图9为沿着图6中的线VIII-VIII 提取的截面图。在阵列基板上限定了形成有多个像素区域的显示区域、 形成有焊盘区域的非显示区域和形成有作为开关元件的TFT的开关区 域。非显示区域设置在显示区域的外围，而开关区域则设置在像素区域 内。
在图6中，选通线105沿着第一方向形成于基板101上。数据线130 沿着第二方向与选通线105交叉，从而限定像素区域"P"。
在像素区域"P"内，形成有连接到选通线105和数据线130的TFT "Tr"。 TFT "Tr"包括栅极108、栅绝缘层(未示出)、包括本征非晶硅 的有源层(未示出)和掺杂非晶硅的欧姆接触层(未示出)的半导体层 (未示出)、源极133和漏极136。源极133与漏极136隔开。在图6中， 为了提高孔径比，栅极108为选通线105的一部分，从而使TFT "Tr" 形成在选通线105上。然而，栅极108可以从选通线105突出并且进入 到像素区域"P"内。
板状的像素电极155设置在像素区域"P"内。像素电极155通过漏 接触孔150连接到TFT"Tr"的漏极136。此外，具有多个开口 "op"的 公共电极170形成于显示区域的整个表面上。各开口 "op"具有条状。
1用虚线标示出对应于一个像素区域"P"的公共电极170。
开口 "(Dp"位于像素区域"P"内，以与像素电极"5交叠。各开口
"op"具有沿数据线130的长轴和沿选通线105的短轴。开口 "op"的 中部与像素电极155交叠，而开口 "op"的沿长轴的两个端部则突出到 像素电极155之外。也就是说，开口 "op"的沿长轴的两个端部被示出 为位于像素电极155的外部，而开口 "op"的其它部分被示为位于像素 电极155的内部。公共电极170的各开口 "op"具有大于像素电极155 的主长度(major length),从而使开口 "op"的沿长轴的两个端部与像素电 极155不交叠。对于上述结构来说，开口 "op"应该形成于公共电极上， 而不是形成于像素电极上。在图6中，公共电极170覆盖了 TFT "Tr"。 然而，公共电极170上对应于TFT "Tr"的部分可以去掉，从而露出第 二钝化层160的一部分。
在开口 "op"的沿长轴的两个端部中，在开口 "op"的短边表面没 有产生电场或者具有非常弱的电场。位于开口 "op"的沿长轴的两个端 部的液晶分子是由在开口 "op"的长边表面产生的电场驱动的，从而具 有均匀的排列。结果，在相关技术FFS模式的LCD装置中所示出的向错 区域"DA"可能不会在根据本发明的FFS模式的LCD装置中产生。或者， 即使在FFS模式的LCD装置中存在向错区域，因为向错区域与选通线 105交叠，所以也不会降低孔径比。因此，FFS模式的LCD装置具有提 高的孔径比和透光率。
参照图10，该图示出了根据本发明第一实施方式的改进实施方式的 用于FFS模式的LCD装置的阵列基板的平面图，在像素区域内沿着数据 线130彼此相邻的开口 "op"彼此连接在一起。也就是说，在沿着数据 线130彼此相邻的像素区域内的开口 "op"穿过选通线105。开口 "op" 形成为以单条形状的方式贯穿沿单条数据线130的像素区域"P"。根据 第一实施方式的改进实施方式的FFS模式的LCD装置也具有提高的孔径 比和透光率。
因为在除显示区域边缘的像素区域"P"之外的像素区域"P"中的 开口 "op"没有端部，因此不存在由开口 "op"的短边表面产生的电场。因此，像素区域"P"所有表面上的液晶分子都具有均匀的排列。此外，
在最外端像素区域(未示出)内开口 "op"的沿长轴的端部突出到像素
电极之外，从而可以防止产生向错区域或使产生的向错区域减至最小。
参照图7到图9，解释根据本发明第一实施方式的用于FFS模式的 LCD装置的阵列基板的截面结构。与根据第一实施方式的用于FFS模式 的LCD装置的阵列基板相比，用于FFS模式的LCD装置的阵列基板在
沿着线vm-vni提取的截面结构上具有不同之处。
在图7到图9中，根据本发明第一实施方式的用于FFS模式的LCD 装置的阵列基板包括位于基板101上的选通线105和栅极108。基板101 可以为透明的。选通线105和栅极108中的每个是由具有较低电阻特性 的金属材料形成的。比如，该金属材料可以包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、 铜(Cu)、铜合金、铬(Cr)和钼(Mo)其中之一。栅极108连接到选 通线105，并且设置在开关区域"TrA"内。
虽然在图7和图9中选通线105和栅极108中的每个具有单层结构， 但是选通线105和栅极108中的每个可具有双层结构。在这种情况中， 双层结构的下层可以由具有低电阻特性的金属材料形成，比如铝、铝合 金、铜和铜合金，而双层结构的上层可以由钼形成。
在选通线105和栅极108上形成有由诸如氧化硅(Si02)和氮化硅 (SiNx)的无机绝缘材料的栅绝缘层115。包括本征非晶硅的有源层120a 和掺杂非晶硅的欧姆接触层120b的半导体层120形成于栅绝缘层115上 且在开关区域"TrA"内。彼此分开的源极133和漏极136形成于半导体 层120上。欧姆接触层120b的一部分被蚀刻掉，从而使有源层120a的 一部分露在源极133与漏极136之间。
此外，与选通线105交叉以限定像素区域"P"的数据线130形成于 栅绝缘层115上。TFT "Tr"的源极133连接到数据线130。
包括第一图案121a和第二图案121b的半导体图案121设置在数据 线130与栅绝缘层115之间。半导体图案121是由与半导体层120相同 的材料形成的。是否形成半导体图案121是根据制造方法确定的。
也就是说，当通过单掩模工序形成半导体层120、数据线130、源极133和漏极136时，数据线130的下方存在半导体图案121，如图8所示。 然而，如果半导体层120是通过与用于数据线130、源极133和漏极136 的掩模工艺不同的掩模工艺形成的，则数据线130的下方不存在半导体 图案121。
覆盖数据线130和TFT "Tr"的第一钝化层140是由无机绝缘材料 和有机绝缘材料中的其中一种材料形成的。无机绝缘材料包括氧化硅 (Si02)和氮化硅(SiNx)中的其中一种材料，而有机绝缘材料包括苯并 环丁烯和感光压克力(photoacryl)中的其中一种材料。在图7到图9中， 因为第一钝化层140是由无机绝缘材料形成的，因此第一钝化层140具 有台阶差(step difference)。然而当第一钝化层140是由有机绝缘材料形 成的时候，第一钝化层140具有平坦的顶表面。第一钝化层140具有露 出TFT "Tr"的漏极136的一部分的漏接触孔150。
板状的像素电极155形成于各像素区域"P"内，并且形成于具有漏 接触孔150的第一钝化层140上。像素电极155通过漏接触孔150与漏 极136接触，并且像素电极155是由诸如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化 物(IZO)的透明导电材料形成的。
另一方面，像素电极155可以直接接触TFT"Tr"的漏极136,并且 直接设置在栅绝缘层115上。在这种情况中，可以省略掉具有漏接触孔 150的第一钝化层140。
第二钝化层160形成于像素电极155上。第二钝化层160由无机绝 缘材料和有机绝缘材料中的其中一种材料形成的。透明导电材料的公共 电极170形成于第二钝化层160上并且在基板101的显示区域的整个表 面上。公共电极170为板状并且在各像素区域"P"内具有彼此分开的多 个开口 "op"。各开口 "op"具有条状，并且具有沿数据线130的长轴。 开口 "op"的主长度大于像素电极155的长度。因此，开口 "叩"的中 部与像素电极155交叠，而开口 "op"沿长轴的两个端部则突出到像素 电极155之外。换句话说，开口 "op"沿长轴的各端部比像素电极155 更加靠近选通线105。
在根据第一实施方式的改进实施方式的用于FFS模 的LCD装置的阵列基板内，开口"op"延伸以沿数据线130穿过相邻的像素区域"P"。 也就是说，开口 "op"在整个显示区域具有单条形状。因此在图8中没 有示出公共电极。在这种情况中，因为在最外端像素区域(未示出)内 存在开口沿长轴的端部，因此在最外端像素区域(未示出)内开口沿长 轴的端部突出到像素电极之外。
在各像素区域"P"内有三个开口 "op"。此外，开口 "op"之间彼 此分开相同的距离。然而，为了获得高效的边缘场，公共电极170可具 有2 10个开口 "op"。
在位于显示区域外围的非显示区域内具有栅焊盘区域(未示出)和 数据焊盘区域(未示出)。在栅焊盘区域内设置有连接到选通线105的栅 焊盘电极(未示出)。在数据焊盘区域内设置有连接到数据线130的数据 焊盘电极(未示出)。此外，非显示区域内形成有连接到公共电极170以 将公共电压施加至公共电极170的公共焊盘电极(未示出)。
将栅焊盘电极上的栅绝缘层115和第一钝化层140及第二钝化层160 去除，从而形成露出栅焊盘电极的栅焊盘接触孔(未示出)。数据焊盘电 极上的第一、第二钝化层140、 160去除，从而形成露出数据焊盘电极的 数据焊盘接触孔(未示出)。
此外，通过栅焊盘接触孔与栅焊盘电极接触的栅辅助焊盘电极(未 示出)形成于第二钝化层160上且在栅焊盘区域内。通过数据焊盘接触 孔与数据焊盘电极接触的数据辅助焊盘电极(未示出)形成于第二钝化 层160上且在数据焊盘区域内。栅辅助焊盘电极和数据辅助焊盘电极中 的每个是由与公共电极170相同的材料形成的。公共焊盘电极设置在栅 焊盘区域和数据焊盘区域中的其中一个区域内。公共焊盘电极从公共电 极170以直线形状的方式延伸。
在根据本发明第二实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板 内，唯一的区别在于公共电极内的开口与像素电极之间的位置关系。因 此主要描述区别之处。
虽然未示出，但是上述阵列基板与包括黑底和滤色层的滤色基板粘 接从而获得FFS模式的LCD装置。图11为根据本发明第二实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵 列基板的平面图。虽然在图6中仅公共电极内开口 "op"的沿长轴的两 个端部示出为位于像素电极的外部，但是在图11中不仅公共电极270内 开口 "op"沿长轴的两个端部而且在各像素区域"P"内最外端开口 的沿短轴的端部也示出为位于像素电极255的外部。也就是说，沿着各 像素区域"P"内最外端开口 "叩l"的沿短轴的端部突出到像素电极255 之外。像素区域"P"中部的其他开口 "op2"的短轴的端部没有突出到 像素电极255之外，而是与像素电极255交叠。
像素区域"P"内最外端开口 "opl"的沿短轴的端部突出到像素电 极255之外的原因是在最外端开口 "opl"处产生沿像素区域"P"中 部的均匀边缘场。结果，在最外端的开口 "opl"电场处没有产生呈边缘 场的电场，或者呈边缘场的电场非常弱。
另一方面，参考图12，该图为根据本发明第二实施方式的改进实施 方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板的平面图，各像素区域"P" 内开口 "opl"和"叩2"的沿长轴的两个端部与像素电极255交叠，而 最外端开口"opl"的沿短轴的端部则定位成设置在像素电极255的外部。 也就是说，开口 "叩l"和"op2"各具有小于像素电极的主轴向长度。 结果，中部开口"op2"与像素电极255完全交叠。然而，最外端开口"opl" 的沿短轴的端部突出到像素电极255之外。
与图IO所示的第一实施方式的改进实施方式类似，在根据第二实施 方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板和根据第二实施方式的改进 实施方式的用于FFS模式的LCD装置的阵列基板内，开口"opl"和"op" 可以沿各数据线230穿过像素区域。
虽然未示出，但是上述阵列基板粘接到包括黑底和滤色层的滤色基 板，从而得到FFS模式的LCD装置。
下面参照图6到图9简要地解释根据第一实施方式的用于FFS模式 的LCD装置的阵列基板的制造方法。第二实施方式和第二实施方式的改 进实施方式的不同之处在于公共电极的开口与像素电极之间的位置关 系。因此，将重点放在解释第一实施方式的制造过程。在各像素区域"P"内限定了形成有TFT "Tr"的开关区域"TrA"。
首先，将具有低电阻特性的第一金属材料设置在基板101上，以形 成第一金属层(未示出)。比如，第一金属层包括铝(Al)、铝合金(AlNd)、 铜(Cu)、铜合金、铬(Cr)和钼(Mo)中的其中之一。通过掩模工艺 对第一金属层进行构图，从而形成沿第一方向的选通线105以及在开关 区域"TrA"内的栅极108。栅极108连接到选通线105。掩模工艺包括 将光刻胶(PR)层涂覆在第一金属层上的步骤；使用掩模对PR层进行 曝光的步骤；对曝光后的PR层进行显影以形成PR图案的步骤；使用PR 图案作为蚀刻掩模对第一金属层进行蚀刻并且剥离剩余的光阻图案的步 骤。同时，在栅焊盘区域(未示出)内形成连接到选通线105 —个端部 的栅焊盘电极(未示出)。
虽然示出了具有单层结构的选通线105和栅极108，但是选通线105 和栅极108中的每一个可具有双层结构。比如，双层结构的下层可以由 铝合金形成，而双层结构的上层可以由钼形成。
接下来通过沉积比如氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材 料而在选通线105和栅极108上形成栅绝缘层115。接下来，在栅绝缘层 115上顺序层叠本征非晶硅层(未示出)、掺杂非晶硅层(未示出)和第 二金属层(未示出)叠压。通过沉积铝(Al)、铝合金(AlNd)、铜(Cu) 和铜合金中的其中之一形成第二金属层。然后，在第二金属层上形成光 刻胶层(未示出)，并且通过半色调曝光法或者折射曝光法对PR层进行 曝光，以便形成厚度不同的第一PR图案和第二PR图案(未示出)。
接下来，对通过第一PR图案和第二PR图案露出的第二金属层以及 位于露出的第二金属层下方的掺杂非晶硅层和本征非晶硅层进行顺序蚀 刻，以形成沿第二方向的数据线130。数据线130与选通线105交叉，以 限定像素区域"P"。同时，在栅绝缘层115上且开关区域"TrA"层叠有 有源层120a、欧姆接触图案(未示出)和源-漏图案(未示出)。此外， 数据焊盘区域(未示出)内形成有连接到数据线130 —个端部的数据焊 盘电极(未示出)。
接下来，执行灰化工艺，以将厚度小于第一PR图案的第二PR图案去除。通过去除第二PR图案露出源-漏图案的中部。对源-漏图案的中部
和位于源-漏图案中部下方的欧姆接触图案进行蚀刻，以便形成源极133
和漏极136，以及位于源极133和漏极136下方的欧姆接触层120b。有 源层120a的一部分露出来。栅极108、栅绝缘层115、包括有源层120a 和欧姆接触层120b的半导体层120、源极133和漏极136构成了开关区 域"TrA"内的TFT "Tr"。因为半导体层120与源极133和漏极136是 通过单一掩模工艺形成的，因此在数据线130的下方具有包括第一图案 121a和第二图案121b的半导体图案121，第一图案121a和第二图案121b 分别由与有源层120a和欧姆接触层120b相同的材料形成，而数据线130 由与源极133和漏极136相同的材料形成，并且与源极133和漏极136 位于相同的层上。
另一方面，可以通过与源极133和漏极136的掩模工艺不同的掩模 工艺形成半导体层20。也就是说，可以通过两个掩模工艺形成半导体层 120和源极133与漏极136。在这种情况中，通过一个掩模工艺对层叠在 栅绝缘层上的本征非晶硅层和掺杂非晶硅层进行蚀刻，以便形成有源层 120a和欧姆接触图案。然后，在欧姆接触图案上形成第二金属层。接下 来，通过另一个掩模工艺对第二金属层上进行构图，以便形成数据线130、 源极133和漏极136，并且去除欧姆接触图案中在源极133与漏极136之 间露出的部分，以便露出有源层120a的一部分并且形成欧姆接触层120b。 在这种情况中，数据线130的下方不存在半导体图案。
接下来，在TFT "Tr"和数据线130上沉积比如氧化硅(Si02)和 氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料，或者在TFT "Tr"和数据线130上涂覆 比如苯并环丁烯(BCB)和感光压克力(photoacryl)的有机绝缘材料， 以便形成第一钝化层140。然后，对第一钝化层140进行构图，从而形成 露出部分漏极136的漏接触孔150。如上所述，可以省略掉第一钝化层 140。
接下来，在包括漏接触孔150的第一钝化层140上沉积比如ITO和 IZO的透明导电材料，从而形成第一透明导电材料层。通过掩模工艺对 第一透明导电材料层进行构图，以便形成像素电极155，该像素电极155为板状并且通过漏接触孔150连接到漏极136。如果省略掉第一钝化层
140，则像素电极155直接设置在栅绝缘层115上，并且与漏极136直接 接触。
接下来，在像素电极155上沉积比如氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx) 的无机绝缘材料，或者在像素电极155上涂覆比如苯并环丁烯(BCB) 和感光压克力(photoacryl)，以便形成第二钝化层160。
去除栅焊盘区域内的第二钝化层160、第一钝化层140和栅绝缘层 115，从而形成露出栅焊盘电极的栅焊盘接触孔(未示出)。此外，去除 数据焊盘区域内的第二钝化层160和第一钝化层140，以便形成露出数据 焊盘电极的数据焊盘接触孔(未示出)。
接下来在包括栅焊盘接触孔和数据焊盘接触孔的第二钝化层160上 沉积比如ITO和IZO的透明导电材料，以便形成第二透明导电材料层。 通过掩模工艺对第二透明导电材料层进行构图，以便在显示区域的整个 表面内形成公共电极170。公共电极170为板状。同时，在栅焊盘区域内 形成通过栅焊盘接触孔与栅焊盘电极接触的栅辅助焊盘电极(未示出)， 并且在数据焊盘区域内形成通过数据焊盘接触孔与数据焊盘电极接触的 数据辅助焊盘电极(未示出)。公共电极170具有如图5、 9、 10和11所 示的开口。
图13为根据本发明第三实施方式的FFS模式的LCD装置的平面图， 图14为沿着图13中的线XIV-XIV提取的截面图，而图15为沿着图13 中的线XV-XV提取的截面图。为方便解释，将具有多个像素区域的区域 定义为显示区域。
在图13中，FFS模式的LCD装置300包括第一基板301、面对第一 基板301的第二基板(未示出)和设置在第一基板与第二基板之间的液 晶层(未示出)。
在第一基板301上，选通线305沿第一方向形成。沿第二方向的数 据线330与选通线305交叉，从而限定像素区域"P"。
在像素区域"P"内，形成有连接到选通线305和数据线330的TFT "Tr"。 TFT "Tr"包括栅极308、栅绝缘层(未示出)、包括本征非晶硅的有源层(未示出)和掺杂非晶硅的欧姆接触层(未示出)的半导体层
(未示出)、源极333和漏极336。源极333与漏极336分开。在图13中， 为了提高孔径比，栅极308为选通线305的一部分，从而TFT "TY"形 成于选通线305上。然而，栅极305可以从选通线305突出到并且进入 像素区域"P"。
板状的像素电极355设置在像素区域"P"内。像素电极355连接到 TFT "Tr"的漏极336。像素电极355与前一选通线305的一部分交叠。 当选通线305具有第二宽度"t2"时，像素电极355与前一选通线305之间 交叠的部分具有第一宽度"tl"，该第一宽度"tl"的范围小于第二宽度"t2" 的大约50°/。。也就是说，第一宽度"tl"等于或者小于第二宽度"t2"的一半。 选通线305的第二宽度"t2"可以为大约8微米至大约12微米，而像素电 极355与前一选通线305之间的交叠部分的第一宽度"tl"可以为大约4微 米至大约6微米。第一宽度"tl"等于或者小于第二宽度"t2"的一半的原因 是能够防止由相邻像素电极305间的耦合问题引起的电场失真。在相 关技术FFS模式的LCD装置中，像素电极设置在像素区域的内部，以便 防止由相邻像素电极间的耦合问题引起的电场失真。然而通过仿真可以 知道很少产生由交叠的像素电极355与交叠的前一选通线305之间的 寄生电容或者由相邻像素电极355间的耦合问题引起的电场失真。考虑 到仿真结果，在根据本发明的FFS模式的LCD装置中，像素电极355与 选通线305之间的交叠部分的第一宽度"tl"等于或者小于选通线305的第 二宽度"t2"的一半。
此外，在第一基板301的整个表面上形成了具有多个位于各像素区 域内的开口 "叩"的公共电极370。开口 "op"与像素电极355交叠，并 且具有条状。通过虚线标示对应于一个像素区域"P"的公共电极370。
开口 "op"具有沿数据线330的长轴和沿选通线305的短轴。开口 "op"的沿长轴的两个端部与选通线305的一部分交叠。各开口 "op" 具有相对较大的主轴向长度，从而使FFS模式的LCD装置具有提高的透 光率。
因为开口 "op"的沿长轴的两个端部与选通线305的一部分交叠，因此光线无法通过两个端部。因此，即使在开口 "op"的沿长轴的端部 产生了向错区域，由于选通线305遮蔽向错区域，因此也不会降低显示
质量o
另一方面，参照图16，该图为根据本发明第三实施方式的改进实施 方式的FFS模式LCD装置的平面图，各开口 "op"沿数据线330穿过像 素区域"P"。也就是说，公共电极370内的各开口 "op"在沿数据线330 的整个显示区域上具有单条形状。
在图16中的FFS模式的LCD装置中，在显示区域的最外端像素区 域(未示出)内，开口 "op"沿长轴仅具有一个端部。因此，在中部像 素区域"P"(除了最外端像素区域)内，沿开口 "op"长轴不存在由短 边产生的电场。中部像素区域"P"内的液晶分子是由沿着开口 "op"长 轴的长边产生的电场驱动的，从而液晶分子具有所需要的均匀排列。
结果，因为没有产生向错区域，因此FFS模式的LCD装置的透光率 和孔径比得到提高。即使产生了向错区域，与向错区域交叠的选通线305 也遮蔽向错区域，从而使FFS模式的LCD装置的透光率和孔径比得到提 高。
再次参照图13，虽然包括条状开口 "叩"的公共电极370覆盖了整 个显示区域，但是公共电极370也可以具有对应于TFT "Tr"的其它开 口 (未示出)，以便防止当公共电极370与TFT "Tr"交叠时在TFT "Tr" 的栅极308与公共电极370之间产生寄生电容。寄生电容对TFT "Tr" 的开关操作具有不良影响。
上述包括选通线305、数据线330、 TFT"Tr"、像素电极355和公共 电极370的第一基板301可称为阵列基板。
在面对第一基板301的第二基板(未示出)上形成有滤色层(未示 出)、黑底384和保护层(未示出)。滤色层包括红色、绿色和蓝色滤色 器图案，并且对应于第一基板301的各像素区域"P"。黑底384对应于 TFT"Tr"的数据线330。保护层形成于滤色层上。此外，液晶层设置在 第一基板301与第二基板之间。
相关技术FFS模式的LCD装置中的黑底对应于选通线、数据线和TFT。也就是说，黑底围绕各像素区域。然而，因为根据本发明的FFS 模式的LCD装置中的黑底384对应于数据线330和TFT "Tr"，而不对 应于选通线305，因此进一步提高了 FFS模式的LCD装置的孔径比。
在根据本发明的FFS模式的LCD装置，像素电极335以预定宽度与 前一选通线305交叠。此外，如图13所示，在公共电极370中开口 "op" 的沿长轴的端部也与选通线305交叠。或者，如图16所示，单条形状的 开口 "op"沿数据线330穿过像素区域"P"。结果，在开口 "op"的沿 长轴的端部没有产生向错区域或者使向错区域减至最小。因此，即使黑 底384不遮蔽选通线305，也不存在显示质量问题。
参照图14和图15解释根据本发明第三实施方式的FFS模式的LCD 装置的截面结构。因为根据本发明第三实施方式的改进实施方式的FFS 模式的LCD装置的区别仅在于公共电极中的开口与选通线之间的位置 关系，因此将重点解释根据第三实施方式的FFS模式的LCD装置。为方 便解释，形成有TFT的区域定义为像素区域中的开关区域。
在图14和图15中，用于FFS模式的LCD装置300的阵列基板包括 第一基板301。第一基板301可以为透明的。选通线305和栅极308形成 于第一基板301上。选通线305和栅极308中的每一个是由具有低电阻 特性的金属材料形成的。比如，该金属材料可以包括铝(Al)、铝合金 (AlNd)、铜(Cu)和铜合金中的其中之一。栅极308连接到选通线305 并且设置在开关区域"TrA"内。
虽然选通线305和栅极308中的每一个在图14和图15中具有单层 结构，但是选通线305和栅极308中的每一个可具有双层结构。在这种 情况中，双层结构的下层可以由比如铝、铝合金、铜和铜合金的具有低 电阻特性的金属材料形成，而双层结构的上层可以由钼形成。
在选通线305和栅极308上形成有由比如氧化硅(Si02)和氮化硅 (SiNx)的无机绝缘材料的栅绝缘层315。
包括本征非晶硅的有源层320a和掺杂非晶硅的欧姆接触层320b的 半导体层320形成于栅绝缘层315上且在开关区域"TrA"内。彼此分开 的源极333和漏极336形成于半导体层320上。欧姆接触层320b的一部分被蚀刻掉，从而使有源层320a的一部分露在源极333与漏极336之间。 源极333与漏极336中的每一个可以由金属材料形成，该金属材料为比 如钼(Mo)、铬(Cr)、铝(Al)、铝合金(A腿)、铜(Cu)和铜合金。 栅极308、栅绝缘层315、半导体层320、源极333和漏极336构成了在 开关区域"TrA"内的TFT "Tr"。
此外，与选通线305交叉以限定像素区域"P"的数据线330形成于 栅绝缘层315上。TFT"Tr"的源极333连接到数据线330。数据线330、 源极333和漏极336中的每一个可具有双层结构。
包括第一图案321a和第二图案321b的半导体图案321设置在数据 线330与栅绝缘层315之间。半导体图案321是由与半导体层320相同 的材料形成的。是否形成半导体图案321是由制造方法确定的。
也就是说，如图14所示，当半导体层320、数据线330和源极333 与漏极336是由单个掩模工艺形成时，在数据线330的下方存在半导体 图案321。然而，如果半导体层320是通过与用于数据线330、源极333 和漏极336的掩模工艺不同的掩模工艺形成的，则在数据线330的下方 不存在半导体图案321。
板状的像素电极355形成于各像素区域"P"内并且在栅绝缘层315 上。像素电极355是由比如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的 透明导电材料形成的。像素电极355与漏极336直接接触，并且以预定 宽度与前一选通线305交叠。像素电极335与选通线305之间交叠的部 分的宽度可以小于选通线305宽度的大约50%。
钝化层160形成于数据线330、 TFT "Tr"和像素电极355上。钝化 层160由比如氧化硅(Si02)和氮化硅(SiNx)的无机绝缘材料形成或者 由比如苯并环丁烯(BCB)和感光压克力(photoacryl)的有机绝缘材料 形成。在图14和图15中，因为钝化层160是由无机绝缘材料形成的， 因此钝化层160具有台阶差。然而，当钝化层160是由有机绝缘材料形 成时，钝化层160具有平坦的顶表面。
比如ITO和IZO的透明导电材料的公共电极370形成于钝化层360 上且在基板301的显示区域的整个表面上。公共电极370为板状并且具有在各像素区域"P"内彼此分开的多个开口 "op"。各开口 "叩"具有 条状并且具有沿数据线330的长轴。各像素区敏(P"内具有三个开口"op"。
此外，开口 "叩"彼此分开相同距离。然而，为了获得有效的边缘场，
公共电极370可具有2到IO个开口 "op"。
在图14中，公共电极370覆盖TFT "Tr"。然而，可以将公共电极 370中对应于TFT "Tr"的部分去除，从而露出钝化层360的一部分。
在面对第一基板301的第二基板381上形成有对应于第一基板301 上的数据线330和TFT "Tr"的黑底384。在第二基板381上形成有包括 红滤色器图案386a、绿滤色器图案386b和蓝滤色器图案(未示出)并且 对应于第一基板301的各像素区域"P"的滤色层386。在滤色层386上 形成由透明无机绝缘材料的保护层388。保护层388具有平坦的顶表面。 可以省略掉保护层388。
此外，液晶层391设置在第一基板301与第二基板381之间。
本领域技术人员应当明白在不脱离本发明精神或范围的情况下，
在本发明中可以做出许多改进和变型。因此，本发明旨在落入所附权利 及其等同范围之内的本发明的改进和变型。
权利要求
1、一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括位于基板上的多条选通线；位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上并且与所述多条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于所述各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的第一钝化层；以及公共电极，所述公共电极位于所述第一钝化层上，并且具有位于所述各像素区域内的条状的多个开口，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴，其中各所述开口的中部与所述像素电极交叠，而各所述开口的沿长轴的两个端部突出到所述像素电极之外。
2、 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述多个开口中最外端的 开口的沿短轴的端部突出到所述像素电极之外。
3、 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述像素电极直接设置在 所述栅绝缘层上，并且与所述薄膜晶体管的所述一部分直接接触。
4、 根据权利要求1所述的阵列基板，所述阵列基板还包括第二钝化 层，所述第二钝化层位于所述栅绝缘层与所述像素电极之间，并且所述 第二钝化层具有露出所述薄膜晶体管的所述一部分的接触孔，其中位于 所述第二栅绝缘层上的所述像素电极通过所述接触孔连接到所述薄膜晶 体管的所述一部分。
5、 根据权利要求1所述的阵列基板，其中各所述开口沿各条数据线 穿过所述像素区域。
6、 根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述公共电极进一步包括 对应于所述薄膜晶体管的另一开口。
7、 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板，该阵列基板包括位于基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上并且与所述多条 选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；以及 位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴，其中各所述开口的中部与所述像素电极交叠，而所述多个开口中最外端的开口的沿短轴的端部突出到所述像素电极之外。
8、 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板，该阵列基 板包括位于基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上，并且与所述多 条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述 薄膜晶体管的一部分，并且与所述选通线的一部分交叠；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；以及 位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴， 其中各开口的中部与所述像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的两个端 部与所述选通线交叠。
9、 根据权利要求8所述的阵列基板，其中各所述像素电极与所述选 通线之间交叠的部分的宽度小于所述选通线的宽度的一半。
10、 一种用于边缘场切换模式的液晶显示装置的阵列基板，该阵列 基板包括位于基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于栅绝缘层上，并且与所述多条选 通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分，并且与所述选通线的一部分交叠；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；以及 位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的 公共电极，各所述开口沿各数据线穿过所述像素区域。
11、 一种边缘场切换模式的液晶显示装置，该液晶显示装置包括 彼此面对的第一基板和第二基板； 位于所述第一基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上，并且与所述多 条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述 薄膜晶体管的一部分；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的 公共电极，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴， 其中各开口的中部与所述像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的两个端 部突出到所述像素电极之外；位于所述第二基板上并且围绕各像素区域的黑底；位于所述第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层；以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
12、 根据权利要求ll所述的液晶显示装置，其中各所述开口沿各数 据线穿过所述像素区域。
13、 一种边缘场切换模式的液晶显示装置，该液晶显示装置包括 彼此面对的第一基板和第二基板； 位于所述第一基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上，并且与所述多 条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述薄膜晶体管的一部分；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层； 位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的公共电极，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴，其中各开口的中部与所述像素电极交叠，并且所述多个开口中最外端的开口的沿短轴的端部突出到所述像素电极之外；位于所述第二基板上并且围绕各像素区域的黑底； 位于所述第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层；以及 位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
14、 一种边缘场切换模式的液晶显示装置，该液晶显示装置包括-彼此面对的第一基板和第二基板；位于所述第一基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上，并且与所述多 条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管； >板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述 薄膜晶体管的一部分并且与所述选通线的一部分交叠；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的 公共电极，各所述开口具有沿所述数据线的长轴和沿所述选通线的短轴， 其中各开口的中部与所述像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的两个端 部与所述选通线交叠；位于所述第二基板上并且遮蔽所述数据线和所述薄膜晶体管但不遮 蔽所述选通线的黑底；位于所述第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层；以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
15、 根据权利要求14所述的液晶显示装置，其中各所述像素电极与 所述选通线之间交叠的部分的宽度小于所述选通线的宽度的一半。
16、 根据权利要求14所述的液晶显示装置，其中所述公共电极进一 步包括对应于所述薄膜晶体管的另一开口。
17、 一种边缘场切换模式的液晶显示装置，该液晶显示装置包括 彼此面对的第一基板和第二基板； 位于所述第一基板上的多条选通线； 位于所述多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，所述多条数据线位于所述栅绝缘层上，并且与所述多 条选通线交叉以限定多个像素区域；电连接到所述选通线和所述数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶 体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，所述像素电极连接到所述 薄膜晶体管的一部分并且与所述选通线的一部分交叠；位于所述像素电极上并且位于所述薄膜晶体管上方的钝化层；位于所述钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口的 公共电极，各所述开口沿各数据线穿过所述像素区域；位于所述第二基板上并且遮蔽所述数据线和所述薄膜晶体管而不遮 蔽所述选通线的黑底；位于所述第二基板上并且对应于各像素区域的滤色层；以及位于所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
18、根据权利要求17所述的液晶显示装置，其中所述公共电极进一 步包括对应于所述薄膜晶体管的另一开口。
全文摘要
本发明提供了边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板。本发明的阵列基板包括位于基板上的多条选通线；位于多条选通线上的栅绝缘层；多条数据线，该多条数据线位于栅绝缘层上，并且与多条选通线交叠以限定多个像素区域；电连接到选通线和数据线并且位于各像素区域内的薄膜晶体管；板状并且位于各像素区域内的像素电极，像素电极连接到薄膜晶体管的一部分；位于像素电极上并且位于薄膜晶体管上方的第一钝化层；和公共电极，该公共电极位于第一钝化层上并且具有位于各像素区域内的条状的多个开口，各开口具有沿数据线的长轴和沿选通线的短轴，其中各开口的中部与像素电极交叠，并且各开口的沿长轴的两个端部突出到像素电极之外。
文档编号G02F1/1343GK101614915SQ20081018382
公开日2009年12月30日 申请日期2008年12月9日 优先权日2008年6月25日
发明者宋相武, 朴大林, 柳基贤, 黄仁镐 申请人:乐金显示有限公司