专利名称：像素结构以及像素结构的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种像素结构的制作方法，且特别是有关于一种以喷墨
印刷(Ink-Jet Printing)将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array, COA)来制作具有彩色滤光层的像素结构的制作方法。
背景技术：
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及 应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube, CRT)成为新一 代显示器的主流。传统的液晶显示面板是由一具有彩色滤光层的彩色滤光基 板、 一薄膜晶体管阵列基板(TFT Army Substrate)以及配置于此两基板间的 一液晶层所构成。为了提升面板的解析度与像素的开口率，并且避免彩色滤 光基板与薄膜晶体管阵列基板接合时的对位误差，现今更提出了将彩色滤光 层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array, COA)上的技术。
目前将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板的制作方法是先于基 板上形成主动元件以及电容电极线之后，再于基板上形成覆盖主动元件以及 电容电极线的第一保护层。接着，形成遮光图案层以及彩色滤光层之后，再 形成覆盖遮光图案层以及彩色滤光层的第二保护层。之后，利用光刻刻蚀程 序定义出暴露出主动元件的接触窗开口以及对应电容电极线处的开口，然后 才形成像素电极。
因此，目前将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板的像素结构的 制作方法由于仍需要多道制作程序，因此仍有许多改进的空间。
另外，新一代的液晶显示面板为了更进一步节省成本，除了将彩色滤光
8层直接整合于薄膜晶体管阵列基板之外，更使用了成本较低的喷墨印刷程序， 来取代以往制作彩色滤光层的方式。然而为了使用喷墨印刷程序来制作彩色 滤光层，因此需在像素结构中预定形成接触窗开口处以及对应电容电极线处 的周围形成遮光图案层来防止喷墨印刷程序的墨水流入。但是，在上述这些 位置所形成的遮光图案层将使得像素结构的开口率降低。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种像素结构的制作方法，其可增加像素结构的 开口率。
本发明又提出一种像素结构的制作方法，其可简化制作程序及降低制作 成本。
为达上述或是其他目的，本发明提出一种像素结构的制作方法。首先， 提供基板，基板上已形成有主动元件以及电容电极线。接着，在基板上形成 保护层，覆盖主动元件。接着，在保护层上形成遮光图案层，以定义出单元 区域，其中在遮光图案层内的电容电极线上方未覆盖有遮光图案层。然后， 进行喷墨程序，以在遮光图案层所围出的单元区域内形成彩色滤光图案。再 来，移除部分的彩色滤光图案，以于主动元件上方的彩色滤光图案中形成第 一开口。接着，移除第一开口所暴露出的保护层，以形成接触窗开口。然后， 在彩色滤光图案上形成像素电极，其填入接触窗开口以与主动元件电连接。
本发明提出一种像素结构，包括主动元件、电容电极线、保护层、遮光 图案层、彩色滤光图案、以及像素电极。主动元件以及电容电极线位于基板 上，且保护层覆盖主动元件。遮光图案层位于保护层上以定义出单元区域， 其中在遮光图案层内的电容电极线上方未覆盖有遮光图案层。彩色滤光图案 位在遮光图案层所围出的单元区域内，其中于主动元件上方的彩色滤光图案 具有第一开口，且第一开口下方的保护层中具有接触窗开口。像素电极位在 彩色滤光图案上，其中像素电极通过接触窗开口与主动元件电连接。本发明提出一种像素结构的制作方法，包括首先，提供基板，基板上 已形成有主动元件以及电容电极线。然后，形成保护层，覆盖主动元件与电 容电极线。接着，在所述保护层上形成遮光层。接着，图案化遮光层以定义 出单元区域，且于主动元件的上方的遮光层中形成第一开口，暴露出保护层， 其中单元区域内除了第一开口所在之处皆覆盖有遮光薄层。再来，移除第一 开口所暴露出的保护层，以形成接触窗开口，并且移除遮光薄层。接着，进 行喷墨程序，以在单元区域内形成彩色滤光图案，其中彩色滤光图案未填入 接触窗开口。然后，在彩色滤光层上形成像素电极时，像素电极更包括填入 接触窗开口，以与主动元件电连接。
本发明提出一种像素结构的制作方法，包括首先，提供基板，基板上 已形成有主动元件以及电容电极线。接着，在基板上形成遮光层，其中遮光 层的介电常数小于6。然后，图案化遮光层以定义出单元区域，且于主动元件 的上方的遮光层中形成接触窗开口，暴露出主动元件。接着，进行喷墨程序， 以在单元区域内形成彩色滤光图案，其中彩色滤光图案的介电常数小于6，且 彩色滤光图案未填入接触窗开口。再来，在彩色滤光层上形成像素电极，像 素电极填入接触窗开口，以与主动元件电连接。
本发明又提出一种像素结构，包括主动元件、电容电极线、遮光层、彩 色滤光图案以及像素电极。主动元件以及电容电极线位于基板上。遮光层位 于基板上，其中遮光层的介电常数小于6。遮光层于基板上定义出单元区域， 且于主动元件的上方的遮光层中形成接触窗开口。彩色滤光图案位于单元区
域内，其中彩色滤光图案的介电常数小于6，且彩色滤光图案未填入接触窗开
口。像素电极位于彩色滤光层上，其中像素电极填入接触窗开口，以与主动
元件电连接。
基于上述，本发明所提出的像素结构的制作方法相较于已知的像素结构 的制作方法因可以不需于接触窗开口处形成遮光层，因此可达到增加开口率 的效果。此外，本发明又提出一种像素结构的制作方法，其可以减少保护层
10或缓冲层的使用，因而达到简化制作程序和降低成本的功效。
图1A 图ll为本发明第一实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图1J为第一实施例的像素结构局部上视图。 图1J'为漏极的局部放大示意图。
图1K为以背面曝光程序BE对彩色滤光图案170进行图案化的剖面示意 图，其对应于图U中T-T'位置。
图2A 图2D为本发明第一实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成 储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。
图3A 图3G为本发明第二实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图4为本发明第二实施例的另一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图5A 图5C为本发明第二实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成 储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。
图6为本发明第二实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容 器的像素结构示意图。
图7为本发明第二实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容 器的像素结构示意图。
图8A 图8H为本发明第三实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图9A 图9C为本发明第三实施例的另一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图10A 图10D为本发明第三实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形 成储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。图11A 图IIF为本发明第四实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图12A 图12E为本发明第四实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形
成储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。
图13A 图13D为本发明第四实施例中，另一种以金属层/绝缘层/金属层 型态，形成储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。
图14A 图14F为本发明第五实施例的一种像素结构的制作方法的流程示 意图。
图15A 图15E为本发明第五实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形
成储存电容器的像素结构制作方法流程示意图。
图16A 图16E为本发明第六实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图17为第六实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的
像素结构示意图。
图18A 图18G为本发明第七实施例的一种像素结构的制作方法的流程示
二a二 n^i
尼、图。
图19为第七实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的 像素结构示意图。
图20A 图20F为本发明第八实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
图21为第八实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的 像素结构示意图。 附图标号
200a、 200b、 300a、 300b、 400a、 400b、 500a、 500b、 600a、 600b、 700a、 700b、 800a、 800b、 900a、 900b:像素结构
102:单元区110:基板
120:主动元件
120a:主动元件一
120b:主动元件二
121:栅极
122:源极
123:漏极
130:电容电极线
135:上电极图案
140:保护层
150:遮光层
152:遮光薄层
160:缓冲层
170:彩色滤光图案
180:图案化光刻胶层
C:储存电容器
DL:数据线
BE:背面曝光程序
E:曝光程序
G:栅绝缘层
HI:第一开口
H2:第一开口
I:喷墨程序
II:喷墨头
12:墨水
L:激光移除程序OP:开口图案 Pl:像素电极 S:拨水层 SI:拨水薄层 SL:扫描线 U:凹槽
Wl:接触窗开口、第一接触窗开口 W2:第二接触窗开口
具体实施例方式
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合 所附附图作详细说明如下。
第一实施例
图1A 图ll为本发明第一实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意
图。请参照图1A，首先提供一基板110，基板110的材质例如为玻璃、塑胶 等硬质或软质材料。基板110上已形成有主动元件120以及电容电极线130。 主动元件120例如是薄膜晶体管，其包括栅极121、源极122、漏极123以及 半导体层124及欧姆接触层125，且主动元件120与扫描线以及数据线(未绘 示)电连接。另外，电容电极线130例如是扫描线平行设置。
在形成主动元件120及电容电极线130后，在基板110上形成保护层140， 覆盖主动元件120。保护层140的材质可以是丙烯酸树脂、感光性树脂等有机 介电材料所组成，保护层140也可以是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等无机介 电材料所组成。更详细地说，当保护层140选用有机介电材料时，其形成的 方法通常是通过旋转涂布法进行制作，当保护层140选用无机介电材料时， 其形成的方法通常可以利用物理汽相沉积法或化学汽相沉积法全面性地沉积 在基板110上。
14接着，请参照图1B，在保护层140上形成遮光图案层150，以定义出单 元区域102。其中遮光图案层150的材质例如为黑色树脂、金属、多层彩色滤
光层的堆迭，如红色滤光材料、绿色滤光材料与蓝色滤光材料的堆迭，或
其他适合得到遮光效果的材料。更详细而言，遮光图案层150的形成方法例 如先于保护层150上形成一遮光材料层，再图案化此遮光材料层，其中此遮 光材料层的形成方法例如是以旋转涂布法、喷嘴/旋转涂布法(slit/spin coating) 或非旋转涂布法(spin-less coating)将材料层涂布于保护层140上，而图案化此 遮光材料层的步骤包括对此材料层进行软烤、曝光、显影及硬烤。
接下来图1C至图II仅绘示一个单元区域102内的结构。请参照图1C， 通过喷墨印刷程序进行喷墨程序I，以在单元区域102内形成彩色滤光图案 170。在本实施例中，彩色滤光图案170例如为一种负型光刻胶材料，因此， 此光刻胶材料被曝光光线照射的部分将不会被后续的显影程序所移除，而此 光刻胶材料被遮蔽的部分将会被后续的显影程序所移除。彩色滤光层170可 以是红色滤光图案、绿色滤光图案、蓝色滤光图案或其他颜色的滤光图案。
接着，请参照图iD，从基板iio的背面对彩色滤光图案no进行背面曝
光(backside exposure)程序BE。此背面曝光程序BE是通过基板110上的主 动元件120以及电容电极线130当作曝光掩膜。
接着，请参照图1E，进行显影程序移除部分的彩色滤光图案170。也就 是，在上述图1D的步骤中，彩色滤光图案170中未被曝光的区域此时将会被 移除。如此一来，将可在主动元件120上方的彩色滤光图案170中将形成第一 开口 Hl，且于电容电极线130上方的彩色滤光图案170中形成第二开口 H2。
接着，请参照图1F，形成缓冲层160，其覆盖遮光图案层150以及彩色 滤光图案170。缓冲层160的材质可以是丙烯酸树脂、感光性树脂等有机介电 材料所组成，而形成缓冲层160的方法可以利用旋转涂布法。缓冲层160亦 可以由无机介电材料所形成，例如是通过化学汽相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)或其他合适的薄膜沉积技术所形成，材质例如是氧化硅、氮化硅或氮氧化硅等介电材料。
接着，请参照图1G，于缓冲层160上形成图案化光刻胶层180，其暴露 出第一开口 Hl上方的缓冲层160。接着，以图案化光刻胶层180作为掩膜， 移除被暴露出的缓冲层160以及缓冲层160下方的保护层140，以形成接触窗 开口W1，如图1H所示。接触窗开口 Wl暴露出主动元件120的一部分。之 后，移除图案化光刻胶层180。
接着，请参照图ll，在彩色滤光图案170上形成像素电极P1，其填入第 一接触窗开口 Wl以与主动元件120电连接，且像素电极Pl填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C是由电容电极线 130、像素电极P1以及夹于电容电极线130与像素电极P1之间作为电容介电 层的缓冲层160、保护层140与栅绝缘层G所构成。
经由上述图1A 图II的步骤，可制得像素结构200a。这里要特别注意 的是，根据另一实施例，当以上述背面曝光方式制作像素结构时，漏极123 可特别作设计，以下将以图示辅助说明。
图1J为第一实施例的像素结构局部上视图，图1J，为漏极的局部放大示意 图。请同时参照图II及图1J，第一实施例的像素结构200a中，其主动元件 120包括栅极121、源极122以及漏极123。其中，栅极121为扫描线SL的 一部分，而数据线DL与源极122电连接。接触窗开口 Wl暴露出漏极123， 且漏极123包括有多个开口图案OP，如图1J，所示。在图1J，中绘示出三种不 同的漏极123开口图案OP的设计，在实际使用时，当可依需要设计不同的开 口图案OP。
这里要说明的是，在漏极123制作开口图案OP的原因是，当以背面曝光 方式对彩色滤光图案170进行图案化时，若漏极123的局部部位有较为细窄 的设计时，将使得漏极123上方的彩色滤光图案170，因光学邻近作用将形成 凹槽U，如图1K所示，造成曝光不完全，其中图1K为以背面曝光程序BE 对彩色滤光图案170进行图案化的剖面示意图，其对应于图1J中T-T'位置。因此，本实施例在漏极123设计多个开口图案0P，可使得于进行背面曝光
BE及显影程序时，避免上述的光学邻近效应而导致凹槽U的形成，以利背面 曝光的完成。
另外要说明的是，上述第一实施例的储存电容器C为一种金属层/绝缘层 /铟锡氧化物(Metal/Insulator/ITO， Mil)型态的储存电容。当然，像素结构中的 储存电容器亦可以是其他种型态，例如金属层/绝缘层/金属层 (Metal/Insulator/Metal， MIM)型态，本发明并不以此为限。
当储存电容器C为金属层/绝缘层/金属层结构时，其制作方法大致和上述 第一实施例的像素结构相同，不同之处在于，如图2A所示，在形成保护层 140前，电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135。
之后，进行图1B至图1F的相同步骤后，接着请参照图2B，在形成图案 化光刻胶层180，其同时暴露第一开口 Hl与第二开口 H2上方的缓冲层160。
接着请参照图2C，以图案化光刻胶层180作为掩膜，移除被暴露出的缓 冲层160以及缓冲层160下方的保护层140，以形成第一接触窗开口 Wl及第 二接触窗开口 W2。第一接触窗开口 Wl暴露出主动元件120的一部分，而第 二接触窗开口 W2暴露出上电极图案135的一部分。
接着请参照图2D，在彩色滤光图案170及缓冲层160上形成像素电极Pl ， 其填入第一接触窗开口 Wl以与主动元件120电连接，且像素电极P1填入第 二接触窗开口 W2以与上电极图案135电连接。因此，电容电极线130、栅绝 缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。经由上述的步骤，即可制得储 存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的像素结构200b。
在其他的实施例中，上述图2B至图2D的步骤中，亦可以省略第一开口 Hl或第二开口 H2，或第一接触窗开口 Wl或第二接触窗开口 W2的形成，也 就是仅形成第一接触窗开口 Wl或第二接触窗开口 W2，其中主动元件120的 漏极与上电极图案135连接在一起，也就是可将上电极图案135视为主动元 件120的漏极的一部分。因此，当于形成像素电极Pl之后(如图2D所示)，像素电极Pl通过第一接触窗开口 Wl或第二接触窗开口 W2便可与主动元件
120的漏极以及上电极图案135电连接。
此外，在此要特别说明的是，上述的数个实施例中，是以在彩色滤光层
170上形成缓冲层160为例来说明，然本发明不限于此。在其他的实施例中， 亦可以不形成缓冲层，也就是于形成彩色滤光层170且于形成开口H1、 H2以 及接触窗开口 W1、W2之后，即于彩色滤光层170的表面上形成像素电极P1。
第二实施例
图3A 图3G为本发明第二实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意 图。其中图3A、图3B至图3C的步骤与第一实施例的图1A、图1B至图1C
制作方式相同，在此不再赘述。
请直接参考图3D，在形成彩色滤光图案170后，形成缓冲层160，且缓 冲层160覆盖遮光图案层150及彩色滤光层170。
接着，请参照图3E，于缓冲层160上形成图案化光刻胶层180，其暴露 出部分的缓冲层160。
接着，请参照图3E，以图案化光刻胶层180作为掩膜，例如以干式刻蚀 程序移除被暴露出的缓冲层160、彩色滤光层170以及保护层140，以于彩色 滤光层170中形成第一开口 Hl与第二开口 H2，并且同时于第一开口 Hl下 方的保护层140中形成第一接触窗开口 Wl，如图3F所示，以暴露出主动元 件120的一部分。此处要说明的是，第二开口 H2下方的保护层140亦可在此 干式刻蚀程序中被移除，图3E仅为举例，并非用以限定本发明。
接着，请参照图3G，在彩色滤光图案170以及缓冲层160上形成像素电 极P1，其填入第一接触窗开口W1以与主动元件120电连接，且像素电极P1 填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C包括 像素电极P1、保护层140、栅绝缘层G及电容电极线130。由上述图3A 图 3G的步骤，可制得像素结构300a。在其他实施例中，如图4所示的像素结构300b，亦可在第二开口H2下 方的保护层140中形成第二接触窗开口 W2，以暴露出部分的栅绝缘层G，而 此时储存电容器C则包括像素电极P1、栅绝缘层G及电容电极线130。
在第二实施例中，上述像素结构300a的储存电容器C为一种金属层/绝缘 层/铟锡氧化物(Metal/Insulator/ITO， Mil)型态的储存电容。类似地，本实施例 亦可以适用于储存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的结构，其制作方法大致 和上述第二实施例的像素结构300a相同，不同之处在于，请参照图5A，在 形成保护层140前，电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135。
接着，在进行如上述图3A 图3E的步骤后，请参照图5B。以图案化光 刻胶层180作为掩膜，移除被暴露出的缓冲层160以及缓冲层160下方的彩 色滤光图案170及保护层140，以形成第一接触窗开口 Wl及第二接触窗开口 W2。第一接触窗开口 Wl暴露出主动元件120的一部分，而第二接触窗开口 W2暴露出上电极图案135的一部分。
接着请参照图5C，在彩色滤光图案170上形成像素电极P1，其填入第一 接触窗开口 Wl以与主动元件120电连接，且像素电极P1填入第二接触窗开 口 W2以与上电极图案135电连接。电容电极线130、栅绝缘层G及上电极 图案135形成储存电容器C。经由上述的步骤，可制得储存电容器C为金属 层/绝缘层/金属层的像素结构300c。
类似地，上述的实施例中，是以在彩色滤光层170上形成缓冲层160为 例来说明，然本发明不限于此。在其他的实施例中，亦可以不形成缓冲层， 也就是于形成彩色滤光层170且于形成开口 Hl、 H2以及接触窗开口 Wl、 W2之后，即于彩色滤光层170的表面上形成像素电极P1。
在图6所示另一实施例的像素结构300d中，可通过像素结构中的布局设 计令上电极图案135与漏极123连接，也就是可将上电极图案135视为主动 元件120的漏极的一部分。如此，可不需形成如图5C所示的第二接触窗开口 W2，而像素电极P1是通过第一接触开口 Wl与薄膜晶体管120的漏极123(以及上电极图案135)电连接。
另外，亦可如图7所示的像素结构300e，在此实施例中，上电极图案135 与漏极123连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123 的一部分。因此，像素电极Pl通过第二接触窗开口 W2与薄膜晶体管120的 漏极123(以及上电极图案135)电连接。
第三实施例
图8A 图8H为本发明第三实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意 图。其中图8A、图8B至图8C与第一实施例的图1A、图1B至图1C制作方 式相同，在此不再赘述。
请直接参照图8D，进行激光移除程序L，以移除部分彩色滤光图案170， 而形成第一开口 Hl与第二开口 H2，第一开口 Hl与第二开口 H2露出部分的 保护层140。激光移除程序，例如可使用波长为248纳米的激光光源。
接着，请参照图8E，形成缓冲层160，其覆盖遮光图案层150、彩色滤光 图案170以及第一开口 Hl与第二开口 H2所露出的部分保护层140。
接着，请参照图8F，于缓冲层160上形成图案化光刻胶层180，其暴露 出第一开口 Hl与第二开口 H2上方的缓冲层160。
接着，以图8F的图案化光刻胶层180作为掩膜，例如以干刻蚀的方式， 移除被暴露出的缓冲层160以及缓冲层160下方的保护层140，形成第一接触 窗开口 Wl与第二接触窗开口 W2，如图8G所示。
接着请参照图8H，在彩色滤光图案170上形成像素电极P1，其填入第一 接触窗开口 Wl以与主动元件120电连接，且像素电极P1填入第二接触窗开 口 W2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C包括像素电 极P1、栅绝缘层G及电容电极线130。经由上述图8A 图8H的步骤，可制 得像素结构400a。
在另一实施例中，可在经过上述图8A 图8E的步骤后，进行图9A所示的步骤。在此实施例中，于缓冲层160上形成图案化光刻胶层180时，仅暴 露出第一开口H1。接着，如图9B所示，以图案化光刻胶层180作为掩膜， 例如以干刻蚀的方式，移除被暴露出的缓冲层160以及缓冲层160下方的保 护层140，形成接触窗开口W1。然后，如图9C所示，形成像素电极P1以完 成像素结构400b的制作。此时，储存电容器C包括像素电极P1、缓冲层160、 保护层140、栅绝缘层G及电容电极线130。
类似地，上述像素结构中的储存电容器C亦可为金属层/绝缘层/金属层结 构，其制作方法大致和上述第三实施例的像素结构400a相同，不同之处在于， 请参照图IOA，在形成保护层140前，电容电极线130上方更包括设置有上 电极图案135。接着在进行如图8B至图8E的步骤后，请参照图IOB，图案 化光刻胶层180同时暴露第一开口 Hl与第二开口 H2上方的缓冲层160。
接着，以图案化光刻胶层180作为掩膜，移除被暴露出的缓冲层160以 及缓冲层160下方的保护层140，形成第一接触窗开口 Wl及第二接触窗开口 W2，如图IOC所示。第一接触窗开口 Wl暴露出主动元件120的一部分，而 第二接触窗开口 W2暴露出上电极图案135的一部分。
接着请参照图10D，在彩色滤光图案170以及缓冲层160上形成像素电 极P1，其填入第一接触窗开口W1以与主动元件120电连接，且像素电极P1 填入第二接触窗开口 W2以与上电极图案135电连接。电容电极线130、栅绝 缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。经由上述的步骤，即可制得储 存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的像素结构400c。
值得一提的是，在其他实施例中，亦可通过像素结构中的布局设计令上 电极图案135与薄膜晶体管120的漏极123连接，也就是可将上电极图案135 视为主动元件120的漏极123的一部分。如此，仅需形成第一接触窗Wl或 第二接触窗W2即可使像素电极P1与漏极123(以及上电极图案135)电连接。 请参考上述图6或图7所说明的金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此不再 赘述。
21在上述的实施例中，是以在彩色滤光层170上形成有缓冲层160为例来
说明，然本发明不限于此。在其他的实施例中，亦可以不形成缓冲层，也就
是于形成彩色滤光层170且于形成开口 Hl、 H2以及接触窗开口 Wl、 W2之 后，即于彩色滤光层170的表面上形成像素电极P1。
以上所述的第一至第三实施例，说明本发明所提出的像素结构制作方法， 可通过背面曝光、千刻蚀以及激光等方式，可达成减少遮光图案层的面积的 目的，进而增加像素结构的开口率。
第四实施例
图11A 图IIF为本发明第四实施例的一种像素结构的制作方法的流程示 意图。请参照图11A，首先提供一基板110，基板110的材质例如为玻璃、塑 胶等硬质或软质材料。基板110上已形成有主动元件120以及电容电极线130。 接着形成保护层140，覆盖主动元件110与电容电极线130。然后，在基板110 上形成遮光层150。遮光层150的介电常数小于6，且例如为一种感光材料， 其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以负型光刻胶为例 来说明。
请参照图11B，于遮光层150上方设置一掩膜202，其例如是半调式掩膜 或是灰阶掩膜。更详细而言，掩膜202具有透光区2()2a、不透光区202b以及 半透光区202c。接着，对遮光层150进行曝光程序E。然后，再进行显影程 序，以图案化遮光层150，而定义出单元区域102，如图11C所示。此时，更 同时于主动元件120的上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容电 极线130的上方的遮光层150中形成第二开口 H2。第一开口 Hl暴露出主动 元件120上方的保护层140，且单元区域102内除了第一开口 Hl所在之处， 其余对应图11B的掩膜202的半透光区202c之处皆覆盖有遮光薄层152，请 参照图11C 。
接着，进行刻蚀程序，其例如以干刻蚀的方式，移除第一开口H1所暴露
22出的保护层140，以形成接触窗开口W1，如图11D所示。而在进行上述的干
式刻蚀程序时，更包括移除遮光薄层152。在此要说明的是，遮光薄层152除 了可在形成接触窗开口 Wl的同时被刻蚀程序移除，另外，亦可在此干式刻 蚀程序后以灰化(ashing)程序移除。在本实施例中，遮光薄层152的作用为， 在移除第一幵口 Hl下方的保护层140时，可避免其他部分的保护层140受到 刻蚀程序的损害。另外，遮光薄层152所与遮光层150可以是相同或不相同 的材料。
接着，请参照图IIE，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域 102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成 彩色滤光图案170，其中因接触窗开口 Wl以及第二开口 H2的周围有遮光层 150存在，因此墨水I2不会流入接触窗开口 Wl以及第二开口H2。在本实施 例中，彩色滤光图案170的介电常数小于6。
接着，请参照图IIF，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极 Pl更包括填入接触窗开口 Wl，以与主动元件120电连接。另外，像素电极 Pl更填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C 包括像素电极P1、保护层140、栅绝缘层G及电容电极线130。经由上述 图11A 图11F的步骤，可制得像素结构500a。
上述的储存电容器C亦可为金属层/绝缘层/金属层结构，其制作方法大致 和上述第四实施例的像素结构500a相同。不同之处在于，请参照图12A，在 形成保护层140前，电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135。在形 成遮光层150的步骤后，图案化遮光层150，以定义出单元区域102，且于主 动元件120的上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容电极线130 的上方的遮光层150中形成第二开口H2，如图12B所示。此处要注意的是， 第一开口 H2与第二开口 Hl均暴露出保护层140，且单元区域102内除了第 一开口 Hl及第二开口 H2所在之处皆覆盖有遮光薄层152。
接着，请参照图12C,进行刻蚀程序，其例如是干刻蚀程序，移除第一开口 HI以及第二开口 H2所暴露出的保护层140，藉以形成第一接触窗开口 Wl与第二接触窗开口 W2。而在进行上述的干式刻蚀程序时，更包括移除遮 光薄层152。同样地，遮光薄层152除了可在形成接触窗开口 Wl的同时被刻 蚀程序移除，另外，亦可在此干式刻蚀程序后以灰化(ashing)程序移除。
接着，请参照图12D，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域 102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成 彩色滤光图案170，其中因第一接触窗开口 Wl以及第二接触窗开口周围有遮 光层150，因而墨水I2不会流入第一接触窗开口 Wl以及第二接触窗开口 W2。
接着，请参照图12E，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极 Pl更包括填入第一接触窗开口 Wl，以与主动元件120电连接。另外，像素 电极P1填入第二接触窗开口 W2以与上电极图案135电连接。电容电极线130、 栅绝缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。经由上述的步骤，即可制 得储存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的像素结构500b。
而在另一实施例中，如图13A所示，进行形成遮光层150的步骤，其中 在遮光层150具有第一开口 Hl，且在第-一开口 Hl以外的区域覆盖有一薄遮 光层152。特别是，在此实施例中，上电极图案135与薄膜晶体管120的漏极 连接在一起。
接着，如图13B所示，进行刻蚀程序，其例如是干刻蚀程序，移除第一 开口 Hl所暴露出的保护层140，藉以形成第一接触窗开口 Wl。
接着，如图13C所示，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域 102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成 彩色滤光图案170，其中因第一接触窗开口 Wl周围有遮光层150，因而墨水 12不会流入第一接触窗开口 Wl。
接着，请参照图13D，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极 Pl更包括填入第一接触窗开口 Wl，以与主动元件120电连接。经由上述的 步骤，即可制得储存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的像素结构500c。其中，上电极图案B5与漏极123电连接(未绘示)，也就是可将上电极图案135 视为主动元件120的漏极123的一部分。
类似地，在另一实施例中，其上电极图案135与薄膜晶体管120的漏极 连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123的一部分， 并且在上电极图案135上形成一接触窗开口以取代第一接触窗W1，通过上电 极图案135上的接触窗开口与薄膜晶体管120的漏极电连接。请参考上述图6 或图7所示金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此不在赘述。
在第四实施例中，是直接使用遮光层170作为图案化保护层140的掩膜， 因此可省去使用光刻胶当作掩膜的程序。另外，由于遮光层150及彩色滤光 图案170为低介电常数的材料(介电常数小于6)，因此可以不需在彩色滤光层 170上另外形成缓冲层或介电层，因而可以更进一步简化制作程序并节省成本。
第五实施例
图14A 图14F为本发明第五实施例的一种像素结构的制作方法的流程示 意图。图14A与第四实施例的图IIA制作方式相同，其中遮光层150的介电 常数小于6，且例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。 在本实施例中，是以负型光刻胶为例来说明。请参考图IIA的说明，在此不 再赘述。
接着，请参照图14B，于遮光层150上方设置一掩膜202，其例如是半调 式掩膜或是灰阶掩膜。更详细而言，掩膜202具有透光区202a、不透光区202b 以及半透光区202c。接着，对遮光层150进行曝光程序E。然后，再进行显 影程序，以图案化遮光层150，而定义出单元区域102，如图14C所示。此时， 更同时于主动元件120的上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容 电极线130的上方的遮光层150中形成一遮光薄层152，其对应于图14B的 掩膜202的半透光区202c处。
接着，请参照图14D，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在 元区域102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成 彩色滤光图案170，其中因第一开口H1周围以及电容电极线130上方，有遮 光层150存在，因此墨水12不会流入第一开口 Hl与电容电极线130上方的 第二开口H2。在此，要说明的是，本实施例的彩色滤光图案170，其介电常 数小于6。
接着，请继续参照图14D，进行刻蚀程序，其例如以干刻蚀的方式，移 除第一开口 Hl所暴露出的保护层140以形成接触窗开口 Wl，如图14E所示。 而在进行上述的干式刻蚀程序时，更包括移除遮光薄层152，以形成第二开口 H2。同样地，遮光薄层152除了可在形成接触窗开口 Wl的同时被刻蚀程序 移除，另外，亦可在此干式刻蚀程序后以灰化(ashing)程序移除。
这里要说明的是，第五实施例与第四实施例，其不同之处在于，除了遮 光薄层152之外，亦可使用彩色滤光图案170来避免部分的保护层140受到 刻蚀程序的损害。
接着，请参照图14F，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极 Pl更包括填入第一接触窗开口 Wl，以与主动元件120电连接。另外，像素 电极P1更填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电 容器C包括像素电极P1、保护层140、栅绝缘层G及电容电极线130。经 由上述图14A 图14F的步骤，可制得像素结构600a。
上述的储存电容器C亦可为金属层/绝缘层/金属层结构时，其制作方法大 致和上述第五实施例的像素结构600a相同。不同之处在于，请参照图15A， 在形成保护层140前，电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135。在 形成遮光层150的步骤后，于遮光层150上方设置一掩膜202。更详细而言， 掩膜202具有透光区202a及不透光区202b。接着，对遮光层150进行曝光程 序E。然后，再进行显影程序，以图案化遮光层150，而定义出单元区域102， 且于主动元件120的上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容电极 线130的上方的遮光层150中形成第二开口 H2，如图15B所示。第一开口HI及第二开口 H2均暴露出保护层140。
接着，请参照图15C，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成彩色滤光图案170，其中因第一开口 Hl以及第二开口 H2周围，有遮光层150存在，因此墨水I2不会流入第一开口H1与第二开口H2。
接着，请参照图15D,进行刻蚀程序，其例如以干刻蚀的方式移除第一开口 Hl及第二开口 H2所暴露出的保护层140，以形成第一接触窗开口 Wl与第二接触窗开口 W2。
接着，请参照图15E，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极Pl更包括填入第一接触窗W1以与主动元件120电连接。另外，像素电极P1填入第二接触窗开口 W2以与上电极图案135电连接。电容电极线130、栅绝缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。经由上述的步骤，即可制得储存电容器C为金属层/绝缘层/金属层的像素结构600b。
在第五实施例中，除了使用遮光层150当作保护层140的掩膜外，更进一步说明了以彩色滤光图案170作为掩膜的例子。
另外，在其他实施例中，亦可通过像素结构中的布局设计使上电极图案135与漏极123电连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123的一部分。如此，仅需形成第一接触窗W1或第二接触窗W2即可使像素电极Pl与漏极123(以及上电极图案135)电连接。请参考上述图6或图7所说明的金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此不再赘述。
第六实施例
图16A 图16E为本发明第六实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
请参照图16A，首先提供一基板110，基板110的材质例如为玻璃、塑胶等硬质或软质材料。基板110上已形成有主动元件120以及电容电极线130。然后，在基板110上形成遮光层150。遮光层150的介电常数小于6，且例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以负型光刻胶为例来说明。这里要特别说明的是，本实施例与上述其他实施例，主要不同之处在于，主动元件120与遮光层150之间并没有保护层的存在。
接着，请参照图16B，于遮光层150上方设置一掩膜202。掩膜202具有透光区202a及不透光区202b。接着，对遮光层150进行曝光程序E。然后，再进行显影程序，以图案化遮光层150，而定义出单元区域102，如图16C所示。此时，更同时于主动元件120上方的遮光层150中形成第一开口H1，并且于电容电极线130上方的遮光层150中形成第二开口 H2。第一开口 Hl暴露出主动元件120，而第二开口 H2暴露出电容电极线130上方的栅绝缘层G。
接着，请参照图16D，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成彩色滤光图案170，其中因第一开口 Hl以及第二开口 H2的周围有遮光层150存在，因此墨水I2不会流入第一开口 Hl与第二开口 H2。在本实施例中，彩色滤光图案170的介电常数小于6。
接着，请参照图16E，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极Pl更包括填入第一开口 Hl，以与主动元件120电连接。另外，像素电极P1更填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C包括像素电极P1、栅绝缘层G及电容电极线130。经由上述图11A 图11E的步骤，可制得像素结构700a。
上述的储存电容器C亦可为金属层/绝缘层/金属层结构时，其制作方法大致和上述第六实施例的像素结构700a相同。
图17为第六实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的像素结构示意图。请参照图7E，其中电容电极线130、栅绝缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。像素结构700b与像素结构700a的差异，仅在于电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135，在此不再赘述其制作方式。
28在其他实施例中，亦可通过像素结构中的布局设计使上电极图案135与
漏极123连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123的--部分。如此，仅需形成第一开口 Hl或第二开口 H2即可使像素电极Pl与薄膜晶体管120的漏极123(以及上电极图案135)电连接。请参考上述图6或图7所说明的金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此亦不再赘述。
上述第六实施例的像素结构的制作方法中，由于减少了主动元件120与遮光层150之间的保护层140，因此，可省去后续为形成接触窗的刻蚀程序，因此可以简化程序。
第七实施例
图18A 图18G为本发明第七实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
请参照图18A，首先提供一基板110，基板110的材质例如为玻璃、塑胶等硬质或软质材料。基板110上已形成有主动元件120以及电容电极线130。接着形成保护层140，覆盖主动元件110与电容电极线130。然后，在基板110上形成遮光层150。遮光层150的介电常数小于6，且例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以负型光刻胶为例来说明。
接着，请参照图18B，在图案化遮光层150的步骤后，定义出单元区域102，此时，更同时于主动元件120上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容电极线130上方的遮光层150中形成第二开口 H2。第一开口 Hl及第二开口H2，暴露出主动元件120上方的保护层140。在第七实施例中，图案化遮光层150的步骤已于上述第五实施例的图15B说明，在此不再赘述。
接着，请参照图18C，形成拨水层S，其覆盖于图案化的遮光层150以及保护层140上。拨水层S例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以正型光刻胶为例来说明。另外要说明的是，在遮光层150上形成拨水层S，可帮助彩色滤光图案(未绘示)不易流动至遮光
层150所定义的区域外。
请继续参照图18C，于拨水层S上方设置一掩膜202，其例如是半调式掩膜或是灰阶掩膜。更详细而言，掩膜202具有透光区202a、不透光区202b以及半透光区202c。接着，对拨水层S进行曝光程序E。然后，再进行显影程序，以图案化拨水层S，如图18D所示。此时，更同时于主动元件120的上方的拨水层S中曝露出第一开口 Hl。第一开口 Hl暴露出主动元件120上方的保护层MO，且单元区域102内除了第一开口 Hl所在之处，其余对应图13C的掩膜202的半透光区202c之处皆覆盖有拨水薄层Sl 。
接着，请参照图18E，进行刻蚀程序，例如以干刻蚀的方式，移除第一开口 Hl所暴露出的保护层140，以形成接触窗开口W1。而在进行上述的干式刻蚀程序的时，更包括移除拨水薄层S1。同样地，遮光薄层152除了可在形成接触窗开口 Wl的同时被刻蚀程序移除，另外，亦可在此干式刻蚀程序后以灰化(ashing)程序移除。在本实施例中，拨水薄层S1的作用为，在移除第一开口 Hl下方的保护层140时，可避免其他部分的保护层140受到刻蚀程序的损害。
接着，请参照图18F，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成彩色滤光图案170，其中因接触窗开口 Wl以及第二开口 H2的周围有遮光层150与拨水层S存在，因此墨水12不会流入接触窗开口 Wl以及第二开口 H2。在本实施例中，彩色滤光图案170的介电常数小于6。
接着，请参照图18G，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极Pl更包括填入接触窗开口 Wl，以与主动元件120电连接。另外，像素电极Pl更填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C包括像素电极P1、保护层140、栅绝缘层G及电容电极线130。经由上述图18A 图18G的步骤，像素结构800a的制作大致完成。
30上述的储存电容器c亦可为金属层/绝缘层/金属层结构时，其制作方法大
致和上述第七实施例的像素结构800a相同。
图19为第七实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的像素结构示意图。请参照图19，其中，电容电极线130、栅绝缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。像素结构800b与像素结构800a的差异，仅在于电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135，在此不再赘述其制作方式。
在其他实施例中，亦可通过像素结构中的布局设计使上电极图案135与薄膜晶体管120的漏极123连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123的一部分。如此，仅需形成第一接触窗Wl或第二接触窗W2即可使像素电极P1与漏极123(以及上电极图案135)电连接。请参考上述图6或图7所说明的金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此亦不再赘述。
以上所述第七实施例的像素结构的制作方法中，主要是在说明，在遮光层150上方可以更进一步形成拨水层S的制作方法。
第八实施例
图20A 图20F为本发明第八实施例的一种像素结构的制作方法的流程示意图。
请参照图20A，首先提供一基板110，基板110的材质例如为玻璃、塑胶等硬质或软质材料。基板上110已形成有主动元件120以及电容电极线130。然后，在基板110上形成遮光层150。遮光层150的介电常数小于6，且例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以负型光刻胶为例来说明。此处要注意的是，第八实施例与第七实施例，不同之处在于，主动元件120与遮光层150之间并没有保护层的存在。
接着，请参照图20B，在图案化遮光层150的步骤后，定义出单元区域102，此时，更同时于主动元件120上方的遮光层150中形成第一开口 Hl，并且于电容电极线130上方的遮光层150中形成第二开口 H2。第一开口 Hl暴露出主动元件120的一部分。在第八实施例中，图案化遮光层i50的步骤已于第五实施例的图15B说明，在此不再赘述。
接着，请参照图20C，形成拨水层S，其覆盖于图案化的遮光层150以及栅绝缘层G上。拨水层S例如为一种感光材料，其可以是正型光刻胶或是负型光刻胶。在本实施例中，是以正型光刻胶为例来说明。
请继续参照图20C，于拨水层S上方设置一掩膜202，掩膜202具有透光区202a及不透光区202b。接着，对拨水层S进行曝光程序E。然后，再进行显影程序，以图案化拨水层S，如图20D所示。此时，更同时于主动元件120的上方的拨水层S中曝露出第一开口 Hl，并且于电容电极线130的上方的拨水层S中曝露第二开口H2。
接着，请参照图20E，进行喷墨程序I，例如通过喷墨头II在单元区域102内的透光部分注入墨水12，墨水12会在单元区域102内均匀散开而形成彩色滤光图案170，其中因第一开口 Hl以及第二开口 H2的周围有遮光层150与拨水层S存在，因此墨水12不会流入第一开口 Hl与第二开口 H2。在本实施例中，彩色滤光图案170的介电常数小于6。
接着，请参照图20F，在彩色滤光层170上形成像素电极P1，像素电极Pl更包括填入第一开口 Hl以与主动元件120电连接。另外，像素电极P1更填入第二开口 H2以与电容电极线130构成储存电容器C。储存电容器C包括像素电极P1、栅绝缘层G及电容电极线230。经由上述图20A 图20F的步骤，可制得像素结构900a。
上述的储存电容器C亦可为金属层/绝缘层/金属层结构时，其制作方法大致和上述第八实施例的像素结构900a相同。
图21为第八实施例中以金属层/绝缘层/金属层型态，形成储存电容器的像素结构示意图。请参照图16，其中电容电极线130、栅绝缘层G及上电极图案135形成储存电容器C。像素结构900b与像素结构900a的差异，仅在于电容电极线130上方更包括设置有上电极图案135，在 不再赘述其制作方式。而在其他实施例中，亦可通过像素结构中的布局设计使上电极图案135
与薄膜晶体管120的漏极123连接，也就是可将上电极图案135视为主动元件120的漏极123的一部分。如此，仅需形成第一接触窗Wl或第二接触窗W2即可使像素电极P1与漏极123(以及上电极图案135)电连接。请参考上述图6或图7所说明的金属层/绝缘层/金属层的像素结构，在此不再赘述。
以上所述的第四至第八实施例，在说明以介电常数小于6的遮光层以及彩色滤光层材料来取代缓冲层或保护层的制作方法。
综上所述，本发明所提出的像素结构的制作方法至少具有下列优点
1. 本发明的实施例所提出的像素结构的制作方法可通过背面曝光、干刻蚀或激光的方式移除漏极与储存电容器上方的彩色滤光图案，因此在此实施例中不需于漏极与储存电容器上方形成遮光层，因而可使得像素结构的开口率被提升。
2. 本发明的实施例所提出的像素结构的制作方法可利用背面曝光的方式图案化彩色滤光图案，进而减少掩膜的使用，达到简化程序并降低成本的功效。
3. 本发明的实施例所提出的像素结构的制作方法可利用遮光层及彩色滤光层取代缓冲层(介电层)，以作避免保护层受到后续刻蚀程序的损害。
4. 本发明的实施例所提出的像素结构的制作方法可利用低介电系数的遮光层及彩色滤光层取代保护层及缓冲层，因此可以更进一步简化程序的步骤，并且节省制作成本。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当以权利要求所界定范围为准。
权利要求
1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括提供一基板，所述基板上已形成有一主动元件以及一电容电极线；在所述基板上形成一保护层，覆盖所述主动元件；在所述保护层上形成一遮光图案层，以定义出一单元区域，其中在所述遮光图案层内的所述电容电极线上方未覆盖有所述遮光图案层；进行一喷墨程序，以在所述遮光图案层所围出的所述单元区域内形成一彩色滤光图案；移除部分的所述彩色滤光图案，以于所述主动元件上方的所述彩色滤光图案中形成一第一开口；移除所述第一开口所暴露出的所述保护层，以形成一接触窗开口；以及在所述彩色滤光图案上形成一像素电极，其填入所述接触窗开口以与所述主动元件电连接。
2. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法更 包括于所述电容电极线上方的所述彩色滤光图案中形成一第二开口，且所述 像素电极填入所述第二开口以与所述电容电极线构成一储存电容。
3. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除部分的 所述彩色滤光图案，以形成所述第一开口与所述第二开口的方法包括从所述基板的背面对所述彩色滤光图案进行一背面曝光程序；以及 进行一显影程序，以于所述彩色滤光图案中形成所述第一开口与所述第 二开口。
4. 如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述 第一开口与所述第二开口之后，更包括形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案； 于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出所述第一开口上方的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层以及所述 缓冲层下方的所述保护层，以形成所述接触窗开口。
5. 如权利要求3所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述主动元 件包括一栅极、 一源极以及一漏极，所述接触窗幵口暴露出所述漏极，且所 述漏极包括有多个开口图案。
6. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述第 一开口与所述第二开口的方法包括在所述彩色滤光图案上形成一图案化光刻胶层；以及 以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述彩色滤光图案， 以形成所述第一开口与所述第二开口 。
7. 如权利要求6所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述彩色滤光图案之后，更包括形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案； 于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出部分的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层、所述彩色 滤光层以及所述保护层，以于所述彩色滤光层中形成所述第一开口与所述第二 开口，并且同时于所述第一开口下方的所述保护层中形成所述接触窗开口。
8. 如权利要求7所述的像素结构的制作方法，其特征在于，移除被暴露 出的所述缓冲层、所述彩色滤光层以及所述保护层的方法包括进行一干式刻 蚀程序。
9. 如权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成所述第一开口与所述第二开口的方法包括进行一激光移除程序，以移除部分所述彩色滤光图案，而形成所述第一 开口与所述第二开口。
10. 如权利要求9所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于形成所述 第一幵口与所述第二开口之后，更包括-形成一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案；于所述缓冲层上形成一图案化光刻胶层，其暴露出所述第一开口上方的所述缓冲层；以及以所述图案化光刻胶层作为掩膜，移除被暴露出的所述缓冲层以及所述 缓冲层下方的所述保护层，以形成所述接触窗开口。
11. 如权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述电容电 极线上方更包括设置有一上电极图案，且所述上电极图案与所述主动元件电 连接。
12. 如权利要求11所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述接触 窗开口暴露出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。
13. —种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括 一主动元件以及一电容电极线，位于一基板上； 一保护层，覆盖所述主动元件；--遮光图案层，位于所述保护层上，以定义出一单元区域，其中在所述 遮光图案层内的所述电容电极线上方未覆盖有所述遮光图案层；一彩色滤光图案，位在所述遮光图案层所围出的所述单元区域内，其中 于所述主动元件上方的所述彩色滤光图案具有一第一开口 ，且所述第一开口 下方的所述保护层中具有一接触窗开口；以及一像素电极，位在所述彩色滤光图案上，其中所述像素电极通过所述接 触窗开口与所述主动元件电连接。
14. 如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，于所述电容电极线上 方的所述彩色滤光图案中具有一第二开口，且所述像素电极填入所述第二开 口以与所述电容电极线构成一储存电容。
15. 如权利要求14所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一缓冲层，其覆盖所述遮光图案层以及所述彩色滤光图案。
16. 如权利要求14所述的像素结构，其特征在于，所述主动元件包括一 栅极、 一源极以及一漏极，所述接触窗开口暴露出所述漏极，且所述漏极包 括有多个开口图案。
17. 如权利要求13所述的像素结构，其特征在于，所述电容电极线上方更包括设置有一上电极图案，且所述上电极图案与所述主动元件电连接。
18. 如权利要求17所述的像素结构，其特征在于，所述接触窗开口暴露 出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。
19. 一种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括 提供一基板，所述基板上己形成有一主动元件以及一电容电极线； 形成一保护层，覆盖所述主动元件与所述电容电极线； 在所述保护层上形成一遮光层；图案化所述遮光层以定义出一单元区域及一遮光薄层，且于所述主动元 件的上方的所述遮光层中形成一第一开口，暴露出所述保护层，其中所述单 元区域内除了所述第一开口所在之处皆覆盖有一遮光薄层；移除所述第一开口所暴露出的所述保护层，以形成一接触窗开口，并且 移除所述遮光薄层；进行一喷墨程序，以在所述单元区域内形成一彩色滤光图案，其中所述 彩色滤光图案未填入所述接触窗开口；以及在所述彩色滤光层上形成所述像素电极时，所述像素电极更包括填入所 述接触窗开口，以与所述主动元件电连接。
20. 如权利要求19所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法 更包括于所述电容电极线的上方的所述遮光层中形成一第二开口，所述彩色 滤光图案未填入所述第二开口，且所述像素电极填入所述第二开口以与所述 电容电极线构成一储存电容器。
21. 如权利要求20所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述第一开口暴露出所述保护层，且所述第二开口内覆盖有一遮光薄层；以及于移除所述第一开口所暴露出的所述保护层以形成所述接触窗开口时， 更包括移除所述第二开口内的所述遮光薄层。
22. 如权利要求19所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于图案化所 述遮光层之后，更包括于所述图案化的所述遮光层的顶部表面形成一拨水层。
23. 如权利要求19所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述电容电极线上方更包括设置有一上电极图案。
24. 如权利要求23所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述接触窗开口暴露出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。
25. —种像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括 提供一基板，所述基板上己形成有一主动元件以及一 电容电极线； 在所述基板上形成一遮光层，其中所述遮光层的介电常数小于6; 图案化所述遮光层以定义出一单元区域，且于所述主动元件的上方的所述遮光层中形成一接触窗开口，暴露出所述主动元件；进行一喷墨程序，以在所述单元区域内形成一彩色滤光图案，其中所述 彩色滤光图案的介电常数小于6，且所述彩色滤光图案未填入所述接触窗开 口；以及在所述彩色滤光层上形成一像素电极，所述像素电极填入所述接触窗开 口，以与所述主动元件电连接。
26. 如权利要求25所述的像素结构的制作方法，其特征在于，于图案化所 述遮光层之后，更包括于所述图案化的所述遮光层的顶部表面形成一拨水层。
27. 如权利要求25所述的像素结构的制作方法，其特征在于，在所述基 板上形成所述遮光层之前，更包括先在基板上形成一保护层。
28. 如权利要求25所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述方法 更包括于所述电容电极线的上方的所述遮光层中形成一第二开口，所述彩色 滤光图案未填入所述第二开口，且所述像素电极填入所述第二开口以与所述电容电极线构成一储存电容器。
29. 如权利要求25所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述电容 电极线上方更包括设置有一上电极图案。
30. 如权利要求29所述的像素结构的制作方法，其特征在于，所述接触 窗幵口暴露出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。
31. —种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括 一主动元件以及一电容电极线，位于一基板上；一遮光层，位于所述基板上，其中所述遮光层的介电常数小于6，所述遮 光层于所述基板上定义出一单元区域，且于所述主动元件的上方的所述遮光 层中形成一接触窗开口；一彩色滤光图案，位于所述单元区域内，其中所述彩色滤光图案的介电 常数小于6，且所述彩色滤光图案未填入所述接触窗开口；以及一像素电极，位于所述彩色滤光层上，其中所述像素电极填入所述接触 窗开口，以与所述主动元件电连接。
32. 如权利要求31所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括 一拨水层，位于所述遮光层的顶部表面。
33. 如权利要求31所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括 一保护层，位于所述遮光层的底下。
34. 如权利要求31所述的像素结构，其特征在于，于所述电容电极线的上 方的所述遮光层中具有一第二开口，所述彩色滤光图案未填入所述第二开口， 且所述像素电极填入所述第二开口以与所述电容电极线构成一储存电容器。
35. 如权利要求31所述的像素结构，其特征在于，所述电容电极线上方 更包括设置有一上电极图案。
36. 如权利要求35所述的像素结构，其特征在于，所述接触窗开口暴露 出所述上电极图案与所述主动元件其中之一。
全文摘要
本发明提供一种像素结构以及像素结构的制作方法。所述方法包括下列步骤首先，提供基板，基板上已形成有主动元件以及电容电极线。接着，在基板上形成保护层，覆盖主动元件。接着，在保护层上形成遮光图案层，以定义出单元区域，其中在电容电极线上方未覆盖有遮光图案层。然后，进行喷墨程序，以在遮光图案层所围出的单元区域内形成彩色滤光图案。再来，移除部分的彩色滤光图案，以于主动元件上方的彩色滤光图案中形成第一开口。接着，移除第一开口所暴露出的保护层，以形成接触窗开口，其暴露出主动元件的一部分。然后，在彩色滤光图案上形成像素电极，其填入接触窗开口以与主动元件电连接。
文档编号G02F1/1362GK101634789SQ20091017123
公开日2010年1月27日 申请日期2009年8月25日 优先权日2009年8月25日
发明者白佳蕙, 陈宗凯, 黄彦衡 申请人:友达光电股份有限公司