专利名称：光致抗蚀剂组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光致抗蚀剂组合物。
背景技术：
光致抗蚀剂组合物用于采用光刻工艺的半导体微制造。光致抗蚀剂组合物通常包含酸生成剂。在光致抗蚀剂组合物中，由归因于后曝光 延迟而发生的酸失活所致的性能劣化可以通过加入猝灭剂而减小。US 2006/0194982A1公开了一种包含2，6_ 二异丙基苯胺作为猝灭剂的光致抗蚀 剂组合物。US 2003/001741541公开了一种包含1，5-二氮杂双环^.3.0]壬-5-烯或2，6-二 异丙基苯胺作为猝灭剂的光致抗蚀剂组合物。
发明内容
本发明提供一种光致抗蚀剂组合物。本发明涉及如下方面<1> 一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，酸生成剂和由式 (Cl)表示的化合物
权利要求
1.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，酸生成剂和由式(Cl)表 示的化合物
2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述化合物(Cl)是由式(Cl-I)表 示的化合物
3.根据权利要求2的光致抗蚀剂组合物，其中所述由式(Cl-I)表示的化合物是由式 (C1-1-1)或(C1-1-2)表示的化合物
4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中按100重量份的所述树脂计，所述由 式(Cl)表示的化合物在所述光致抗蚀剂组合物中的含量为0. 01至5重量份。
5.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述酸生成剂是含有一个或多个氟 原子的酸生成剂。
6.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述酸生成剂是由式(Bi)表示的
7.根据权利要求6所述的光致抗蚀剂组合物，其中Z+为三芳基锍阳离子。
8.根据权利要求6所述的光致抗蚀剂组合物，其中Y为可以具有一个或多个取代基的 金刚烷基或可以具有一个或多个取代基的氧代金刚烷基。
9.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中按100重量份的所述树脂计，所述酸 生成剂在所述光致抗蚀剂组合物中的含量为1至20重量份。
10.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述树脂通过酸的作用变得可溶 于碱水溶液。
11.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物还含有2，6_二 异丙基苯胺。
12.一种用于制造光致抗蚀剂图案的方法，所述方法包括下面的步骤(1)至(5)(1)将根据权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物涂覆在衬底上的步骤，(2)通过进行干燥而形成光致抗蚀剂膜的步骤，(3)将所述光致抗蚀剂膜对辐射曝光的步骤，(4)将已曝光的光致抗蚀剂膜烘焙的步骤，以及(5)使用碱性显影剂将已烘焙的光致抗蚀剂膜显影，由此形成光致抗蚀剂图案的步骤。
全文摘要
本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含树脂，酸生成剂和由式(C1)表示的化合物，其中Rc1表示可以具有一个或多个取代基的芳族基团，Rc2和Rc3各自独立地表示氢原子，可以具有一个或多个取代基的脂族烃基，或可以具有一个或多个取代基的芳族基团，Rc4和Rc6各自独立地表示氢原子或可以具有一个或多个取代基的脂族烃基，或Rc4和Rc6彼此结合以形成烷烃二基，Rc5表示可以具有一个或多个取代基的脂族烃基，或可以具有一个或两个取代基的氨基，Rc7表示氢原子或可以具有一个或多个取代基的脂族烃基，或Rc5和Rc7彼此结合以形成烷烃二基。
文档编号G03F7/00GK102081303SQ20101055904
公开日2011年6月1日 申请日期2010年11月23日 优先权日2009年11月26日
发明者宫川贵行, 市川幸司, 畑光宏 申请人:住友化学株式会社