专利名称：Ffs型tft-lcd阵列基板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示器技术，尤其涉及一种边缘场效应(Fringe Field Switching，简称 FFS)型薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)阵列基板。
背景技术：
为了扩大IXD的视角，在IXD领域发展出了平面控制模式(In Plane Switching, 简称IPS) LCD。与扭曲向列(Twisted Nematic，简称TN)型LCD相比，IPS型LCD消除了扭 曲排列，具有极好的视角特性。然而，IPS型IXD的公共电极和像素电极设置在同一块基板上，而且像素电极是梳 状结构，公共电极和像素电极上加电时，部分液晶分子不发生旋转，开口率较低。为了提高 开口率，又发展出了 FFS型IXD。FFS型IXD中，将像素电极设置成平面电极，像素电极和公共电极之间形成的电 场，既有水平分量又有垂直分量，使得大多数液晶分子能够发生扭转，而且增加了像素电极 和公共电极之间的存储电容，从而提高了开口率。然而，目前FFS型IXD中，在一个子像素区域内，不同位置液晶分子受到的电场作 用大小不同，液晶分子偏转的角度大小也就不同，但是各个液晶分子都是以同一种方式在 偏转，不利于抵消液晶分子的光程差，从而不利于有效地消除颜色漂移(颜色漂移是指从 不同视角观察到的颜色不一致)。
实用新型内容本实用新型提供一种FFS型TFT-IXD阵列基板，用以解决现有的FFS型IXD无法 有效消除颜色漂移的问题。本实用新型提供了一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线 和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述像素电极和 /或公共电极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环 形槽。其中，所述半环形槽可以开设在像素电极上，像素电极上的数个半环形槽包括开 口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一 半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，所述半环形槽可以开设在公共电极上，公共电极上的数个半环形槽包括开 口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三 半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，所述半环形槽可以开设在像素电极和公共电极上； 开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。 或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形 槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一例。或者，开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形 槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个 第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽 或开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧， 数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。或者，开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽 和开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧， 数个第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽或开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。开设在所述像素电极上的半环形槽和开设在所述公共电极上的半环形槽可以相 互错开。其中，所述第一方向为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板顶端的方向；所 述第二方向为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板底端的方向。本实用新型提供的FFS型TFT-IXD阵列基板，通过将像素电极和/或公共电极设 置成包括数个半环形槽的图形，像素电极与公共电极之间能够形成多个方向的水平电场， 例如，在像素电极形成有半环形槽的部分，与数据线平行的部分能够与公共电极形成一种 方向的电场，与栅线平行的部分能够与公共电极形成另一种方向的电场，与数据线和栅线 成一定夹角的部分还能与公共电极形成其他方向的电场，这样就能够提供多畴液晶工作模 式，扩大视角，消除颜色漂移。
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例 或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是 本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图Ia为本实用新型FFS型TFT -IXD阵列基板第一实施例的平面图；图Ib为图Ia中Al-Al向剖面图；图2a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平 面图；图2b为图2a中A2-A2向剖面图；图3a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平 面图；图3b为图3a中A3-A3向剖面图；图4a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平 面图；图4b为图4a中A4-A4向剖面图；图5a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第四次构图工艺后的平 面图；图5b为图5a中A5-A5向剖面图；图6为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例的平面示意图；图7为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的平面 图；图8为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的平面 图；图9为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第四次构图工艺后的平面 图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新 型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描 述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施 例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于 本实用新型保护的范围。图Ia为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例的平面图，图Ib为图Ia 中Al-Al向剖面图。该实施例FFS型TFT-IXD阵列基板的结构包括栅线3a和数据线7c， 栅线3a和数据线7c限定的子像素区域内形成有像素电极9a、公共电极2a和TFT，TFT包 括栅电极3b、源电极7a、和漏电极7b，栅电极3b形成在基板1，并与栅线3a连接；栅绝缘层 4形成在栅电极3b上并覆盖整个基板1 ；由半导体层5和掺杂半导体层6组成的有源层形 成在栅绝缘层4上并位于栅电极3b的上方；源电极7a形成在掺杂半导体层6上，一端位于 栅电极3b的上方，另一端与数据线7c连接，漏电极7b形成在掺杂半导体层6上，一端位于 栅电极3b的上方，另一端与像素电极9a连接，源电极7a与漏电极7b之间形成TFT沟道区 域，TFT沟道区域的掺杂半导体层6被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层5，使TFT 沟道区域的半导体层5暴露出来；钝化层8形成在源电极7a、漏电极7b以及TFT沟道区域上并覆盖整个基板1，在漏电极7b位置开设有使像素电极9a与漏电极7b连接的钝化层过 孔8a。当栅电极3b上施加电压时，可以使源电极7a和漏电极7b导通。像素电极9a上开设有数个半环形槽，使设置有半环形槽的像素电极9a和公共电 极2a之间形成具有多个方向的水平电场。
本实用新型的各实施例中，半环形可以是截取自圆形或椭圆形中的一部分形状， 不一定是圆形或椭圆形的一半。具体地，数个半环形槽包括开口朝向第一方向的第一半环形槽IOa和数个开口朝 向第二方向的第二半环形槽10b，其中数个第一半环形槽IOa设置在子像素区域的一侧(如 上侧)，数个第二半环形槽IOb设置在子像素区域的另一侧(如下侧)。图2a 图5b为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例制备过程的示意 图，下面通过该实施例的制备过程进一步说明本实施例的技术方案，在以下说明中，本实用 新型所称的构图工艺包括光刻胶涂覆、掩模、曝光、刻蚀、光刻胶剥离等工艺，其中光刻胶以 正性光刻胶为例。图2a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第一次构图工艺后的平 面图，图2b为图2a中A2-A2向剖面图。采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法，在基板1上 沉积一层透明导电薄膜，基板1可以采用玻璃基板或石英基板，透明导电薄膜的材料可以 使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或其它高分子透明材料。使用普通掩模板通过构图 工艺对透明导电薄膜进行构图，在基板上形成包括公共电极2a的图形，如图2a和图2b所
7J\ ο图3a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第二次构图工艺后的平 面图，图3b为图3a中A3-A3向剖面图。在完成图2a所示图形的基板上，采用磁控溅射、 热蒸发或其它成膜方法，在基板1上沉积一层栅金属薄膜，栅金属薄膜的材料可以使用钼、 铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属，或以上金属组成的多层薄膜。使用普通掩模板通过构图工 艺对栅金属薄膜进行构图，在基板1上形成包括栅线3a和栅电极3b的图形，如图3a和图 3b所示。图4a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第三次构图工艺后的平 面图，图4b为图4a中A4-A4向剖面图。在完成图3a所示图形的基板上，采用化学气相沉积 或其它成膜方法依次沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和掺杂半导体层薄膜。然后采用磁 控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层源漏金属薄膜，源漏金属薄膜的材料可以使用钼、 铝、铝钕合金、钨、铬、铜等金属，或以上金属组成的多层薄膜。采用半色调或灰色调掩模板 通过构图工艺对半导体层薄膜、掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜进行构图，形成包括数 据线7c、源电极7a、漏电极7b和TFT沟道区域图形，其中，栅绝缘层4形成在栅电极3b上 并覆盖整个基板1 ；由半导体层5和掺杂半导体层6组成的有源层形成在栅绝缘层4上并 位于栅电极3b的上方；源电极7a形成在掺杂半导体层6上，一端位于栅电极3b的上方，另 一端与数据线7c连接，漏电极7b形成在掺杂半导体层6上，一端位于栅电极3b的上方，与 源电极7a相对设置，源电极7a与漏电极7b之间形成TFT沟道区域，TFT沟道区域的掺杂 半导体层6被完全刻蚀掉，并刻蚀掉部分厚度的半导体层5，使TFT沟道区域的半导体层5 暴露出来，如图4a和图4b所示。本实施例第三次构图工艺是一种多步刻蚀工艺，与现有技术四次构图工艺中形成有源层、数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域图形的过程相同，工艺过程具体为首先在 源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻 胶形成包括完全曝光区域、未曝光区域和半曝光区域，其中未曝光区域对应于包括数据线、 源电极、漏电极的图形所在的区域，半曝光区域对应于包括TFT沟道区域的图形所在的区 域，完全曝光区域对应于上述图形以外的区域。显影处理后，未曝光区域的光刻胶厚度没有 变化，形成光刻胶完全保留区域，完全曝光区域的光刻胶被完全去除，形成光刻胶完全去除 区域，半曝光区域的光刻胶厚度变薄，形成光刻胶半保留区域。通过第一次刻蚀工艺完全刻 蚀掉完全曝光区域的源漏金属薄膜、掺杂半导体层薄膜和半导体层薄膜，形成包括有源层 和数据线的图形。通过灰化工艺，去除半曝光区域的光刻胶，暴露出该区域的源漏金属薄 膜。通过第二次刻蚀工艺完全刻蚀掉半曝光区域的源漏金属薄膜和掺杂半导体层薄膜，并 刻蚀掉部分厚度的半导体层薄膜，暴露出半导体层薄膜，形成包括源电极、漏电极和TFT沟 道区域的图形。最后剥离剩余的光刻胶，完成本实施例第三次构图工艺。图5a为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第一实施例第四次构图工艺后的平 面图，图5b为图5a中A5-A5向剖面图。在完成图4a所示图形的基板上，采用化学气相沉 积或其它成膜方法沉积一层钝化层8，钝化层薄膜的材料可以为氮化硅(SiNx)等。使用普 通掩模板通过构图工艺对钝化层薄膜进行构图，在漏电极7b位置形成包括钝化层过孔8a 的图形，如图5a和图5b所示。最后，在完成图5a所示图形的基板上，采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉 积一层透明导电薄膜，透明导电薄膜的材料可以使用氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，或 其它高分子透明材料。使用普通掩模板通过构图工艺在子像素区域形成包括像素电极9a 图形，像素电极9a通过钝化层过孔8a与漏电极7b连接，且像素电极9a上开设有数个半环 形槽，半环形槽内的像素电极被刻蚀掉，暴露出像素电极下方的公共电极2a，如图Ia和Ib 所示。具体地，数个半环形槽包括数个开口朝向第一方向的第一半环形槽IOa和数个开 口朝向第二方向的第二半环形槽10b，其中数个第一半环形槽IOa设置在子像素区域的一 侧(如上侧)，数个第二半环形槽IOb设置在子像素区域的另一侧(如下侧)。数个第一半 环形槽IOa和数个第二半环形槽IOb的布局可以关于子像素区域的中线0对称(中线0如 图Ia中所示)，中线0把子像素区域纵向分成两部分。本实用新型第一实施例提供了一种FFS型TFT-IXD阵列基板，通过在像素电极上 开设数个半环形槽，使像素电极与公共电极之间形成包括多个方向的水平电场，能够提供 多畴液晶工作模式，扩大视角，消除颜色漂移。此外，对于常黑模式的液晶显示器，在不加电时，像素电极与公共电极之间多个方 向的电场相互影响，使得液晶分子不致于发生较大角度的偏转，因此本实施例能够有效消 除漏光现象。本发明实施例中，公共电极和像素电极的结构，除了可以像图Ia所示的那样，将 公共电极设置在像素电极的下方，还可以将公共电极设置在像素电极上方。例如，可以在基 板上先形成像素电极，再在基板上形成公共电极，这样，在垂直于基板的方向上，公共电极 位于像素电极的上方。图6为本实用新型FFS型TFT-LCD阵列基板第二实施例的平面示意图，本实施例与第一实施例所示的FFS型TFT-LCD阵列基板的区别之处在于第二实施例中，公共电极 2a上也开设有数个阶梯形状的半环形槽。公共电极上的数个半环形槽包括开口朝向第一方 向的第三半环形槽IOc和开口朝向第二方向的第四半环形槽IOb。本实 用新型的各个实施例中，第一方向可以为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵 列基板顶端的方向；第二方向可以为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板底端的方 向。图7为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第二次构图工艺后的平面 图。在基板1上沉积一层栅金属薄膜，使用普通掩模板通过第一次构图工艺对栅金属薄膜 进行构图，在基板1上形成包括栅线3a和栅电极3b的图形。再在基板1上沉积一层透明 导电薄膜，使用普通掩膜板通过第二次构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在基板1上形 成包括公共电极2a的图形。公共电极2a上也开设有数个半环形槽，具体地，包括第三半环 形槽IOc和第四半环形槽10d，其中数个第三半环形槽IOc设置在子像素区域的一侧(如上 侧)，数个第四半环形槽IOd设置在子像素区域的另一侧(如下侧)。图8为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第三次构图工艺后的平面 图。在完成图7所示图形的基板上，依次沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜、掺杂半导体层 薄膜和源漏金属薄膜。采用半色调或灰色调掩模板通过第三次构图工艺对半导体层薄膜、 掺杂半导体层薄膜和源漏金属薄膜进行构图，在基板上形成包括数据线7c、源电极7a、漏 电极7b和TFT沟道区域图形，其中源电极7a和漏电极7b之间的掺杂半导体层薄膜被完全 刻蚀掉，暴露出半导体层薄膜。图9为本实用新型FFS型TFT-IXD阵列基板第二实施例第四次构图工艺后的平面 图。在完成图8所示图形的基板上，沉积一层钝化层薄膜，使用普通掩模板通过第四次构图 工艺对钝化层薄膜进行构图，在漏电极7b位置形成包括钝化层过孔8a的图形。最后，在完成图9所示图形的基板上，沉积一层透明导电薄膜，使用普通掩模板通 过第五次构图工艺在子像素区域形成包括像素电极9a图形，像素电极9a通过钝化层过孔 8a与漏电极7b连接如图6所示。其中，像素电极9a的图形包括数个半环形槽。具体地，包 括数个第一半环形槽IOa和数个第二半环形槽10b。第三实施例中公共电极和像素电极的 图形均包括数个半环形槽，公共电极上的第三半环形槽IOc和第四半环形槽10d，与像素电 极上的第一半环形槽IOa和第二半环形槽IOb间隔设置，相互错开，以保证公共电极和像素 电极之间能够形成水平电场。对于本发明提供的FFS型TFT-IXD，还可以将公共电极上设置成包括数个半环形 槽的图形，而像素电极上不设置半环形槽，这样，公共电极和像素电极之间也能够形成多个 方向的水平电场，提供多畴液晶工作模式。如果像素电极和公共电极上均设置半环形槽，那么除了可以是如10所示的结构， 还可以是半环形槽开设在像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开 口朝向第一方向的数个第一半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设 在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第四半环形槽 设置在子像素区域的另一侧。这种结构中，在像素电极上设置有开口朝向第一方向的第一 半环形槽，而没有设置开口朝向第二方向的第二半环形槽。在公共电极上设置有开口朝向 第二方向的第四半环形槽，而没有设置开口朝向第一方向的第三半环形槽。[0063]或者，可以将半 环形槽开设在像素电极和公共电极上；开设在公共电极上的半环 形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的 一侧；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第 二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。这种结构中，在公共电极上设置有开口朝向第一 方向的第三半环形槽，而没有设置开口朝向第二方向的第四半环形槽；在像素电极上设置 有开口朝向第二方向的第二半环形槽，而没有设置开口朝向第一方向的第一半环形槽。或者，可以将半环形槽开设在像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环 形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽或开口朝向第二方向的数个第二半环形 槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的 另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口 朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第 四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。在这种结构中，在像素电极上设置有第一半环形 槽和第二半环形槽中的一种，在公共电极上则设置了第三半环形槽和第四半环形槽。或者，可以将半环形槽开设在像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环 形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝向第二方向的数个第二半环形 槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二半环形槽设置在子像素区域的 另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽或开口 朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第 四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。在这种结构中，在像素电极上设置了第一半环形 槽和第二半环形槽，在公共电极上则设置了第三半环形槽和第四半环形槽中的一种。上述的各个实施例FFS型TFT-IXD阵列基板的制备过程中，其中有源层、源电极、 漏电极和TFT沟道区域图形制备工艺采用了多步刻蚀工艺。在实际使用中，前述实施例中 的第三次构图工艺也可以采用普通掩模板通过二次构图工艺完成，即通过一次采用普通掩 模板的构图工艺形成包括有源层的图形，通过另一次采用普通掩模板的构图工艺形成包括 数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。具体地，首先采用化学气相沉积或其它成 膜方法依次沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和掺杂半导体层薄膜，使用普通掩模板对半 导体层薄膜和掺杂半导体层薄膜进行构图，形成包括有源层的图形。之后采用磁控溅射、热 蒸发或其它成膜方法沉积一层源漏金属薄膜，使用普通掩模板对源漏金属薄膜进行构图， 形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的图形。此外，前述的实施例中形成公共电极、栅线和栅电极图形的过程也可以采用一次 构图工艺。具体地，首先采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法在基板上依次沉积透明导电 薄膜和栅金属薄膜，然后采用半色调或灰色调掩模板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成包 括完全曝光区域、半曝光区域和未曝光区域，其中未曝光区域包括对应于栅线和栅电极图 形所在的区域，半曝光区域包括对应于公共电极图形所在的区域，完全曝光区域对应于上 述图形以外区域；显影处理后，完全曝光区域的光刻胶被完全去除，未曝光区域的光刻胶完 全保留，半曝光区域光刻胶的厚度变薄；通过第一次刻蚀工艺刻蚀掉完全曝光区域的栅金 属薄膜和透明导电薄膜，形成包括栅线和栅电极的图形；通过灰化工艺去除半曝光区域的 光刻胶，包括出该区域的栅金属薄膜；通过第二次刻蚀工艺刻蚀掉栅金属薄膜，形成包括公 共电极的图形，其中栅线和栅电极下方保留有透明导电薄膜。[0068]本实用新型提供的FFS型TFT-IXD阵列基板，通过将像素电极和/或公共电极设 置成包括数个半环形槽的图形，像素电极与公共电极之间能够形成多个方向的水平电场， 例如，在像素电极形成有半环形槽的部分，与数据线平行的部分能够与公共电极形成一种 方向的电场，与栅线平行的部分能够与公共电极形成另一种方向的电场，与数据线和栅线 成一定夹角的部分还能与公共电极形成其他方向的电场，这样就能够提供多畴液晶工作模 式，扩大视角，消除颜色漂移。 最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其进行限 制，尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理 解其依然可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换，而这些修改或者等同替 换亦不能使修改后的技术方案脱离本实用新型技术方案的精神和范围。
权利要求1.一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的子像素 区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述像素电极和/或公共电 极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环形槽。
2.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极上，像素电极上的数个半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第二半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
3.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 公共电极上，公共电极上的数个半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开 口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个 第四半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
4.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二 半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
5.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽，数个第一 半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第四半环形槽，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
6.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽，数个第三 半环形槽设置在子像素区域的一侧；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第二方向的数个第二半环形槽，数个第二 半环形槽设置在子像素区域的另一例。
7.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽或开口朝 向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二 半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
8.根据权利要求1所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述半环形槽开设在 像素电极和公共电极上；开设在像素电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第一半环形槽和开口朝 向第二方向的数个第二半环形槽，数个第一半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第二 半环形槽设置在子像素区域的另一侧；开设在公共电极上的半环形槽包括开口朝向第一方向的数个第三半环形槽或开口朝 向第二方向的数个第四半环形槽，数个第三半环形槽设置在子像素区域的一侧，数个第四 半环形槽设置在子像素区域的另一侧。
9.根据权利要求4-8中任一权利要求所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于，开 设在所述像素电极上的半环形槽和开设在所述公共电极上的半环形槽相互错开。
10.根据权利要求2-8中任一权利要求所述的FFS型TFT-LCD阵列基板，其特征在于， 所述第一方向为与阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板顶端的方向；所述第二方向为与 阵列基板的垂直线平行且朝向阵列基板底端的方向。
专利摘要本实用新型提供一种FFS型TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的子像素区域内形成有像素电极、公共电极和薄膜晶体管，所述像素电极和/或公共电极上开设有使像素电极与公共电极之间形成具有多个方向水平电场的数个半环形槽。本实用新型提供的FFS型TFT-LCD阵列基板，通过将像素电极和/或公共电极设置成包括数个半环形槽的图形，像素电极与公共电极之间能够形成多个方向的水平电场，这样就能够提供多畴液晶工作模式，扩大视角，消除颜色漂移。
文档编号G02F1/1368GK201853033SQ20102059216
公开日2011年6月1日 申请日期2010年10月29日 优先权日2010年10月29日
发明者李文兵 申请人:京东方科技集团股份有限公司