专利名称：半导体制造中光刻套刻图形的版图结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体制造工艺中的版图结构，特别涉及划片槽区域的光刻套刻图形的版图结构。
背景技术：
芯片的版图设计是用于芯片制造中的。芯片版图数据用于生产制造之前，将根据生产制造中的曝光范围，按照该芯片尺寸大小进行重复排布。在芯片区域和芯片区域之间是划片槽区域，该区域通常需放置光刻对准图形(Alignment Mark)和光刻套刻测量图形 (Overlay Mark，见
图1)等制造过程中所需要用到的图形。划片槽区域的版图设计可称之为框架结构(Frame)设计。划片槽图形连同芯片版图的排列(Array)排布组成了最终光刻掩模版上的有效曝光数据。根据光刻工艺的测量需求，光刻套刻测量图形的最小有效图形宽度为 40 μ mX40 μ m,且必须都放置在四周边缘的划片槽上。普通的划片槽宽度在80 μ m及以上的Frame设计，光刻套刻测量标记可任意放置在边缘划片槽(只有内部划片槽的一半宽度) 上没有问题。但随着芯片尺寸的缩小，划片槽宽度对于整体芯片面积有较明显的影响，划片槽宽度会希望缩小到50 μ m或60 μ m。边缘的划片槽有效宽度只有25 μ m或30 μ m。因此，原先将光刻套刻标记任意放置在边缘划片槽的放置方法，就会导致光刻套刻图形超出划片槽区域(见图2)，造成图形失效。因此，要实现小划片槽的结构设计，必需解决光刻标记的放置问题。
发明内容本发明要解决的技术问题是提供一种在半导体制造工艺中划片槽区域的版图结构，其解决了边缘光刻标记的放置问题。为解决上述技术问题，本发明的半导体制造中光刻套刻图形的版图结构，其中光刻套刻图形垂直放置在所述边缘划片槽和内部划片槽的交叉区域，且所述光刻套刻图形的下边紧靠所述边缘划片槽的下边。本实用新型的光刻套刻图形的版图结构，通过将光刻套刻标记分别放置于边缘划片槽与中间划片槽交叉的位置上，解决了上述问题，实现了缩小划片槽的Frame设计，适应芯片面积的缩小应用。
以下结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明
图1为光刻套刻图形的示意图；图2为原有的光刻套刻标记放置示意图；图3为本实用新型的光刻套刻标记版图示意图。
具体实施方式
在半导体制造工艺中光刻套刻图形的版图结构，为将光刻套刻图形垂直设置在边缘划片槽和内部划片槽的交叉区域，且光刻套刻图形的下边紧靠边缘划片槽的下方。上述光刻套刻图形包括标识光刻套刻层次的图形区域和光刻套刻标记区域(见图3)，例如图3 中的“A”至“D”表示光刻套刻层次。在具体实施中，光刻套刻图形的最小有效图形为40 μ mX40 μ m，而划片槽的宽度为50 μ m或60um，边缘划片槽的宽度为25 μ m或30um。本实用新型的版图结构，可在软件中自动生成。在划片槽结构和自动放置标记单元的结构设计中的规则文件里，在标记种类的放置优先顺序中，将光刻套刻图形的优先级别调至最高，同时将光刻套刻图形之间的放置距离设置一较大数值(可为一个芯片加一个内部划片槽的距离)，并且光刻套刻图形的放置方式设置成内部的，从而实现每一种光刻套刻图形在运行了制定(Frame)执行命令后能自动放置于四周边缘划片槽与内部划片槽交叉的区域内。
权利要求1.一种半导体制造中光刻套刻图形的版图结构，其特征在于光刻套刻图形垂直放置在所述边缘划片槽和内部划片槽的交叉区域，且所述光刻套刻图形的下方紧靠所述边缘划片槽的下方。
2.按照权利要求1所述的版图结构，其特征在于所述光刻套刻图形包括标识光刻套刻层次的图形区域和光刻套刻标记区域。
3.按照权利要求1或2所述的版图结构，其特征在于所述光刻套刻图形的最小有效图形为40 μ mX 40 μ m，所述划片槽的宽度为50 μ m或60um。
专利摘要本实用新型公开了一种半导体制造中光刻套刻图形的版图结构，其为将光刻套刻图形垂直放置在所述边缘划片槽和内部划片槽的交叉区域，且所述光刻套刻图形的下方紧靠所述边缘划片槽的下方。本实用新型解决了划片槽变窄后的光刻套刻图形的放置问题。
文档编号G03F7/20GK201955619SQ20102062979
公开日2011年8月31日 申请日期2010年11月29日 优先权日2010年11月29日
发明者周京英, 孙长江, 张喆, 陆佳琳 申请人:上海华虹Nec电子有限公司