专利名称：Tft阵列基板、显示屏及显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示技术领域，特别涉及TFT阵列基板、显示屏及显示装置。
背景技术：
近几年，随着数字化电视的普及，TFT (Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)因其体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等特点，被大量使用并成为主流产品。现有技术中，TFT阵列基板包括基板、形成在基板上的公共电极层和栅电极、形成在基板上的栅绝缘层、形成在栅电极上的有源层、形成在栅绝缘层上的数据线和形成在有源层上的源电极和漏电极、形成在整个基板上的钝化层、在漏电极位置形成钝化层过孔以及依次排列的像素电极，该像素电极通过钝化层过孔与漏极连接。TFT阵列基板的工艺技术是产品保障的关键技术之一，在工艺不良的维修中像素结构空间对工艺不良的维修有着至关重要的作用。现有技术中，整个像素空间中可以进行刻蚀的部分组成了该像素空间的维修空间，如图1所示，刻蚀留下的公共电极层11、数据线 12和栅电极13之间的空闲空间14为非维修空间。若A位置发生故障，先架桥沉积连接故障区域两段的数据线，确保数据线正常使用，然后通过刻除各层故障区域内各层等技术手段进行维修。该空闲空间14占用了较大的空间，从而导致维修空间不足。
实用新型内容本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板、显示屏及显示装置，可以增大维修空间，达到提高维修成功率等效果。本实用新型实施例提供的一种TFT阵列基板，包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。较佳的，所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为正四边形。较佳的，所述空闲空间中所述数据线和所述公共电极层之间的间距为Ium至2um。较佳的，该TFT阵列基板，还包括像素电极层，形成在所述钝化层上并通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。较佳的，所述栅电极下方具有公共电极层。较佳的，所述数据线下方具有栅线。本实用新型实施例提供了一种显示屏，包括彩膜、TFT阵列基板以及位于所述彩膜和TFT阵列基板之间的液晶；
3[0018]所述TFT阵列基板，包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。较佳的，所述空闲空间中所述数据线和所述公共电极层之间的间距为Ium至2um。较佳的，所述栅电极下方具有公共电极层。本实用新型实施例还提供了一种显示装置，包括所述显示屏。由于本实用新型实施例提供的TFT阵列基板、显示屏及显示装置，减小公共电极层、数据线和栅电极构成的空闲空间，而且该空闲空间的空间大小满足确保数据线和公共电极层不产生电耦合。这样可使得数据线和栅线的距离减小，从而增大了钝化层过孔与数据线的距离，即增大了数据线和钝化层过孔之间区域的公共电极层的面积，增大了进行架桥沉积的实际维修空间。同时，数据线和该公共电极层之间也具有一定的间距，防止两者产生电耦合影响基板的正常使用。公共电极做成四边形，可以增大公共电极层的电容，使其充电更充分，减少因为充电不够带来光学特性的影响，如对比度不达标等不良。此外，由于数据线下方具有栅线，也可以在一定程度上增大维修空间。
图1为现有技术中TFT阵列基板的空闲空间结构示意图；图2为本实用新型实施例中TFT阵列基板的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本实用新型实施例作进一步详细描述。如图2所示，为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板，其具体包括基板底层1，具有公共电极层2、栅电极3、数据线4、源电极5和漏电极6 ；钝化层7，覆盖在基板底层1上，在所述漏电极6的位置处形成钝化层过孔8 ；位于所述数据线4和所述钝化层过孔8之间的公共电极层2，与所述数据线4、栅电极3构成空闲空间9 ；所述空闲空间9的空间平行于所述基板底层1的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线4和所述公共电极层2不产生电耦合，且所述公共电极层2对应在该四边形的边与所述钝化层过孔8的间距满足刻蚀要求。较佳的，所述空闲空间9平行于所述基板底层的截面为正四边形。较佳的，所述空闲空间9中所述数据线4和所述公共电极层2之间的间距为Ium 至 2um0较佳的，该TFT阵列基板，还包括像素电极层，形成在所述钝化层7上并通过所述钝化层过孔8与所述漏电极6连接。较佳的，所述栅电极3下方具有公共电极层2。较佳的，数据线4下方具有栅线。下面通过具体实施例对本实用新型提供的TFT阵列基板进行详细描述。以21. 5 英寸薄膜场效应晶体管像素结构为例，如图1所示，虚线框中公共电极层11与数据线12以及栅电极13组成的空闲空间14为不规则形状，其横向宽度设计为7um，然而在实际发生故障进行维修时，并不会使用到该空闲空间14，导致该处正常维修的空间不足。因此，该空闲空间14设计存在不合理。如图2所示，本实用新型提供的TFT阵列基板，减小了不必要的空闲空间，使维修结构更加合理。数据线4和钝化层过孔8之间区域的公共电极层2，与数据线4、栅电极3构成该空闲空间9，并且该空闲空间9平行于所述基板底层的截面为四边形，该四边形的宽度满足确保数据线4和公共电极层2不产生电耦合，且公共电极层2对应在该四边形的边与钝化层过孔8的间距满足刻蚀要求。这样，可以通过将该空闲空间9与现有技术中的空闲空间相比变小，增大了数据线4和钝化层过孔8之间区域的公共电极层2 的面积，增大了实际维修空间。同时，数据线4和该公共电极层2之间也具有一定的间距， 防止两者产生电耦合，确保基板的正常使用。较佳的，可以将该空闲空间9由原来的不规则形状更改为正四边形，且该正四边形的区域大小小于该原不规则形状的区域大小。当然，该空闲空间9可以为任意形状。但是更改后的空闲空间必须确保其区域大小小于原不规则形状的区域大小，且数据线4和公共电极层2不产生电耦合。较佳的情况，数据线4和公共电极层2之间的间距为Ium至2um。该薄膜场效应晶体管基板还包括像素电极层，该像素电极层形成在钝化层上并通过钝化层过孔与漏电极连接。而且，现有技术中薄膜场效应晶体管基板有较多故障无法进行维修，例如沟道层发生的故障，为了提高维修效果，可以在刻蚀公共电极层时，在栅电极下方的区域留有公共电极层，以便发生故障时，刻除各层直到该留有的部分公共电极层，对此处的公共电极层施加电压，进行维修。较佳的，还可以在数据线下方设置栅线，该栅线与该数据线部分或全部重叠，以便发生故障时，刻除各层直到该栅线进行维修，相应的达到增大维修空间的效果。通过上述描述，可以看出，本实用新型实施例提供的TFT阵列基板，减小公共电极层、数据线和栅电极构成的空闲空间，而且该空闲空间的空间大小满足确保数据线和公共电极层不产生电耦合。这样可使得数据线和栅线的距离减小，增大了进行架桥沉积的实际维修空间。同时，数据线和该公共电极层之间也具有一定的间距，防止两者产生电耦合影响基板的正常使用。公共电极做成四边形，可以增大公共电极层的电容，使其充电更充分，减少因为充电不够带来光学特性的影响，如对比度不达标等不良。此外，由于栅电极下方具有公共电极层，便于进行维修，在一定程度上节约了空闲空间。基于同一构想，本实用新型还提供了一种显示屏，包括彩膜、TFT阵列基板以及位于该彩膜和薄膜场效应晶体管基板之间的液晶；所述TFT阵列基板，包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。较佳的，所述空闲空间中所述数据线和所述公共电极层之间的间距为Ium至2um。较佳的，所述栅电极下方具有公共电极层。此外，本实用新型还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述显示屏。通过上述描述，可以看出，本实用新型实施例提供的TFT阵列基板、显示屏及显示装置，减小公共电极层、数据线和栅电极构成的空闲空间，而且该空闲空间的空间大小满足确保数据线和公共电极层不产生电耦合。这样可使得数据线和栅线的距离减小，增大了进行架桥沉积的实际维修空间。同时，数据线和该公共电极层之间也具有一定的间距，防止两者产生电耦合影响基板的正常使用。公共电极做成四边形，可以增大公共电极层的电容，使其充电更充分，减少因为充电不够带来光学特性的影响，如对比度不达标等不良。此外，由于栅电极下方具有公共电极层，便于进行维修，在一定程度上节约了空闲空间。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为正四边形。
3.如权利要求1或2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述空闲空间中所述数据线和所述公共电极层之间的间距为Ium至2um。
4.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括像素电极层，形成在所述钝化层上并通过所述钝化层过孔与所述漏电极连接。
5.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅电极下方具有公共电极层。
6.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述数据线下方具有栅线。
7.—种显示屏，其特征在于，包括彩膜、TFT阵列基板以及位于所述彩膜和TFT阵列基板之间的液晶；所述TFT阵列基板，包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。
8.如权利要求7所述的显示屏，其特征在于，所述空闲空间中所述数据线和所述公共电极层之间的间距为Ium至2um。
9.如权利要求7所述的显示屏，其特征在于，所述栅电极下方具有公共电极层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7-9中任一所述的显示屏。
专利摘要本实用新型实施例涉及液晶显示技术领域，特别涉及TFT阵列基板、显示屏及显示装置，该TFT阵列基板包括基板底层，具有公共电极层、栅电极、数据线、源电极和漏电极；钝化层，覆盖在所述基板底层上，在所述漏电极的位置处形成钝化层过孔；位于所述数据线和所述钝化层过孔之间的公共电极层，与所述数据线、栅电极构成空闲空间；所述空闲空间平行于所述基板底层的截面为四边形，所述四边形的宽度满足所述数据线和所述公共电极层不产生电耦合，且所述公共电极层对应在所述四边形的边与所述钝化层过孔的间距满足刻蚀要求。本实用新型实施例提供的TFT阵列基板、显示屏及显示装置，可以增大维修空间，达到提高维修成功率等效果。
文档编号G02F1/1362GK202042484SQ20112017442
公开日2011年11月16日 申请日期2011年5月27日 优先权日2011年5月27日
发明者刘国全, 魏广伟 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司