一种tft阵列基板及液晶显示器的制作方法

文档序号:2678909阅读:254来源:国知局
专利名称:一种tft阵列基板及液晶显示器的制作方法
技术领域
本实用新型涉及液晶面板制造领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及液晶显示器。
背景技术
TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜场效应晶体管液晶显示器)是利用设置在液晶层上电场强度的变化,改变液晶分子的旋转的程度,从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲,一块完整的液晶显示面板包括对盒成型的彩膜基板和TFT阵列基板以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层。TFT阵列基板上形成有横纵交叉的数据线和栅线,数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元。TFT阵列基板的制造过程非常复杂,对工艺要求非常高。但是不可避免的会因为工艺误差出现各种缺陷,其中的线缺陷是最能影响品质的一种缺陷。例如由于数据线相对较细而导致的数据线断开的发生率较高。目前,对数据线断开不良进行维修时,首先需要用激光打穿保护层(PVX),然后通过化学气象沉积方法,在数据线断开处沉积一层钨金属,将数据线引出来通过架桥来达到修复线缺陷的目的,最后对架桥修复区域周围的ITOandium Tin Oxides,铟锡金属氧化物)像素电极层进行切割。这种修复方法虽然可以将数据线的断裂进行修复,但是整个维修过程难度大,成功率低,耗费时间长。

实用新型内容本实用新型提供一种TFT阵列基板及液晶显示器,能够降低数据线的维修工作量,提高了生产效率。为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案一方面,提供一种TFT阵列基板,包括基板;所述基板上形成有横纵交叉的多条栅线和数据线;所述栅线和数据线围设形成像素单元,每个所述像素单元包括TFT开关;其中,所述TFT开关包括栅极、源极、漏极和半导体有源层,所述数据线包括位于同一像素单元两侧的第一数据线和第二数据线;所述第一数据线和第二数据线针对所述同一像素单元分别具有受同一条栅线控制的TFT开关;所述第一数据线和第二数据线在所述TFT阵列基板的集线区连接在一起。在像素区域内,所述第一数据线和第二数据线之间具有至少一条电连通线。所述第一数据线和第二数据线针对位于其中间的每个所述像素单元分别具有一条电连通线。所述电连通线位于栅线上方。另一方面,提供一种液晶显示器,所述液晶显示器包括上述任意一个TFT阵列基板。本实用新型提供的TFT阵列基板及液晶显示器,TFT阵列基板中的数据线包括位于同一像素单元两侧的第一数据线和第二数据线;第一数据线和第二数据线针对同一像素单元分别具有受同一条栅线控制的TFT开关,且两条数据线在TFT阵列基板的集线区连接在一起。第一数据线与第二数据线具有相同功能,因此,当两条数据线中的一条出现断开不良时,另一条数据线可以替代使用,减少了数据线的维修工作量,提高了生产效率。

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板的结构示意图;图2为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板第一种维修情况示意图;图3为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板第二种维修情况示意图;图4为本实用新型实施例提供的TFT阵列基板第三种维修情况示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。实施例一图1为本实用新型实施例一提供的TFT阵列基板的结构示意图。TFT阵列基板100 包括基板(图1中未表示);基板上形成有横纵交叉的多条栅线10和数据线11 ;栅线10 和数据线11围设形成像素单元12,每个像素单元12包括TFT开关,其中,TFT开关包括栅极23、源极21、漏极22和半导体有源层(图1中未表示),数据线11包括位于同一像素单元12两侧的第一数据线111和第二数据线112 ;第一数据线111和第二数据线112针对同一像素单元12分别具有受同一条栅线10控制的TFT开关;第一数据线111和第二数据线 112在TFT阵列基板100的集线区连接在一起。第一数据线111与第二数据线112具有相同功能,当两条数据线中的一条出现断开不良时,另一条数据线可以替代使用,减少了数据线的维修工作量,提高了生产效率。同时,由于两条数据线针对同一像素单元的两个TFT开关受同一条栅线控制,因此能够同时开启,可以降低该像素单元像素电极的充电时间,提高响应速度。再有,由于第一数据线111和第二数据线112在TFT阵列基板100的集线区连接在一起,第一数据线111与第二数据线112相当于并联,减小了数据线的电阻,解决了大尺寸屏幕因数据线过长、电阻过大导致的信号衰减问题。进一步的,如图2所示,在像素区域内,第一数据线111和第二数据线112之间可以有至少一条电连通线14。这样一来,例如图2中第一数据线111和第二数据线112上位于不同像素电极上的点A与点B同时出现断线不良,由于电连通线14的存在,没有断开的数据线可以互补传送数据信号,再加上第一数据线111和第二数据线112均具有针对同一像素电极的TFT开关,因此不会影响各个像素单元的充电,此时的TFT阵列基板数据线不需要维修。优选的,第一数据线和第二数据线针对位于其中间的每个像素单元可以分别具有一条电连通线。这样,第一数据线和第二数据线可以承受更多处断开不良,只要能够经由电连通线保证数据信号的传输,则不会影响到该第一数据线和第二数据线之间的像素电极的充电,也不用对TFT阵列基板的数据线进行维修。另外,在一些TFT阵列基板中,由于布线方式不同,电连通线的位置也不同,例如当栅线不在最底层时,数据线可以位于栅线下层。示例的,图2中电连通线14可以位于栅线10上方,这样不会影响像素单元的开口率。如图3所示,例如当处于同一像素单元两侧的第一数据线111和第二数据线112 上的点C和点D同时断开,此时,可以同时对两条线进行维修,也可以选择便于维修的线进行维修。如图4所示,例如当第一数据线111与栅层的公共电极线15出现短路,如图4中的E点,只需要用激光刀将出现问题的线路上的点E点周围的不良部分切开即可。或者,例如当第二数据线112与栅线10出现短路,如图4中的F点,则也只需要用激光刀将出现问题的线路上的F点周围不良部分切开即可。实施例二本实用新型实施例二提供的液晶显示器,包括实施例一中提供的TFT阵列基板, 且该TFT阵列基板的结构与实施例一中的TFT阵列基板结构相同,在此不再赘述。以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式
,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求1.一种TFT阵列基板,包括基板;所述基板上形成有横纵交叉的多条栅线和数据线;所述栅线和数据线围设形成像素单元,每个所述像素单元包括TFT开关;其中,所述TFT开关包括栅极、源极、漏极和半导体有源层,其特征在于,所述数据线包括位于同一像素单元两侧的第一数据线和第二数据线;所述第一数据线和第二数据线针对同一像素单元分别具有受同一条栅线控制的TFT开关;所述第一数据线和第二数据线在所述TFT阵列基板的集线区连接在一起。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板,其特征在于,在像素区域内,所述第一数据线和第二数据线之间具有至少一条电连通线。
3.根据权利要求1或2所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述第一数据线和第二数据线针对位于其中间的每个所述像素单元分别具有一条电连通线。
4.根据权利要求3所述的TFT阵列基板,其特征在于,所述电连通线位于栅线上方。
5.一种液晶显示器,其特征在于,所述液晶显示器包括上述权利要求1-4任意一个所述的TFT阵列基板。
专利摘要本实用新型提供一种TFT阵列基板及液晶显示器,涉及液晶面板制造领域,能够降低数据线的维修工作量,提高生产效率。所述TFT阵列基板,包括基板;基板上形成的横纵交叉的多条栅线和数据线;栅线和数据线围设形成像素单元,每个像素单元设有TFT开关;其中,数据线包括位于同一像素单元两侧的第一数据线和第二数据线;第一数据线和第二数据线针对同一像素单元分别具有受同一条栅线控制的TFT开关;第一数据线和第二数据线在TFT阵列基板的集线区连接在一起。所述液晶显示器包括上述TFT阵列基板。本实用新型用于制造TFT阵列基板和液晶显示器。
文档编号G02F1/1368GK202196246SQ201120352588
公开日2012年4月18日 申请日期2011年9月20日 优先权日2011年9月20日
发明者唐涛, 覃耿 申请人:北京京东方光电科技有限公司
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