专利名称：阵列基板及其制造方法和液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术，特别涉及一种阵列基板及其制造方法和液晶显示面板。
背景技术：
高级超维场转换(ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS)技术是一种重要的宽视角显示技术，其通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-IXD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。 ADS型阵列基板是上述液晶显示面板的重要部件。图6为现有技术中ADS型阵列基板的结构不意图，如图6所不，该ADS型阵列基板包括衬底基板10和位于衬底基板10上方的栅线和数据线12，栅线和数据线12限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极13 (相当于板状电极)和与像素电极13形成多维电场的公共电极14(相当于狭缝电极)。其中，薄膜晶体管可包括有源层图形16、栅极17、源极18和漏极19，栅极17与栅线同层设置，源极18、漏极19与数据线12同层设置。栅线和栅极17形成于衬底基板10上，栅线上形成有栅绝缘层20，有源层图形16形成于栅绝缘层20上且位于栅极17的上方，数据线12形成于栅绝缘层20上；源极18的一端形成于有源层图形16上，源极18的另一端形成于栅绝缘层20上且与数据线12连接；漏极19的一端形成于源层图形16上，漏极19的另一端形成于栅绝缘层20上。像素电极13形成于栅绝缘层20上，且像素电极13的一端形成于漏极19上。像素电极13上形成有钝化层21，钝化层21覆盖衬底基板10。钝化层21上形成有树脂层22，树脂层22覆盖衬底基板10。公共电极14形成于树脂层22上。上述阵列基板上设置了树脂层22，树脂层22位于数据线12和公共电极14之间，可减小数据线12和公共电极14之间的寄生电容，从而达到提高像素区域透光率的目的。但是，由于树脂层22增大了像素电极13和公共电极14之间的距离，从而降低了像素电极13和公共电极14之间的电场效率。
发明内容
本发明提供一种阵列基板及其制造方法和液晶显示面板，用以提高像素电极和公共电极之间的电场效率。为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极和与所述像素电极形成多维电场的公共电极，所述数据线上方形成有覆盖所述数据线的树脂图形。进一步地，所述薄膜晶体管包括有源层图形、栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线同层设置，所述源极、所述漏极与所述数据线同层设置；所述栅线和所述栅极形成于所述衬底基板上，所述栅线上形成有栅绝缘层，所述有源层图形形成于所述栅绝缘层上且位于所述栅极的上方，所述数据线形成于所述栅绝缘层上；所述源极的一端形成于所述有源层图形上，所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上且与所述数据线连接；所述漏极的一端形成于所述有源层图形上，所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上。进一步地，所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上，所述像素电极上形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底基板，所述树脂图形形成于所述钝化层上。 进一步地，所述公共电极部分形成于所述钝化层上，部分形成于所述树脂图形上。进一步地，所述树脂图形的宽度大于所述数据线的宽度。进一步地，所述树脂图形的横截面的形状为半圆形。为实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示面板，包括对盒设置的彩膜基板和上述阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层。为实现上述目的，本发明提供了一种阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极，所述栅线和所述数据线限定出像素区域，所述薄膜晶体管、所述像素电极和所述公共电极位于所述像素区域内，所述树脂图形位于所述数据线上方并覆盖所述数据线。进一步地，所述在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极包括在所述衬底基板上形成所述栅线和所述栅极，所述栅极和所述栅线连接；在所述衬底基板上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述衬底基板；在所述栅绝缘层上形成所述有源层图形，所述有源层图形位于所述栅极的上方；在所述衬底基板上形成所述数据线、所述源极和所述漏极，所述源极的一端形成于有源层图形上，所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上且与所述数据线连接，所述漏极的一端形成于所述有源层图形上，所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上；在所述衬底基板上形成所述像素电极，所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上；在所述衬底基板上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底基板；在所述钝化层上形成所述树脂图形；在所述衬底基板上形成所述公共电极。进一步地，所述公共电极部分形成于所述钝化层上，部分形成于所述树脂图形上。本发明具有以下有益效果本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示面板的技术方案中，树脂图形仅形成于数据线上方，在像素电极和公共电极之间未形成树脂图形，因此与现有技术相比减小了像素电极和公共电极之间的距离，从而提高了像素电极和公共电极之间的电场效率。
图I为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图；图2为图I中A-A向剖视图；图3为图2中B-B向剖视图；图4为本发明实施例三提供的一种阵列基板的制造方法的流程图；图5a为实施例三中形成栅极的示意图；图5b为实施例三中形成栅绝缘层的示意图；图5c为实施例三中形成有源层图形的示意图； 图5d为实施例三中形成源漏极图形的示意图；图5e为实施例三形成像素电极的示意图；图5f为实施例三中形成钝化层的示意图；图5g为实施例三中形成树脂图形的示意图；图6为现有技术中ADS型阵列基板的结构示意图；附图标记说明10-衬底基板； 11-栅线；12-数据线；13-像素电极； 14-公共电极； 15-树脂图形；16-有源层图形；17-栅极；18-源极；19-漏极；20-栅绝缘层； 21-钝化层；22-树脂层。
具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的阵列基板及其制造方法和液晶显示面板进行详细描述。图I为本发明实施例一提供的一种阵列基板的结构示意图，图2为图I中A-A向首1J视图，图3为图2中B-B向首I]视图，如图I、图2和图3所不，该阵列基板包括衬底基板10和形成于衬底基板10上的栅线11和数据线12，栅线11和数据线12限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极13和与像素电极13形成多维电场的公共电极14，数据线12上方形成有覆盖数据线12的树脂图形15。其中，薄膜晶体管可包括有源层图形16、栅极17、源极18和漏极19，栅极17与栅线11同层设置，源极18、漏极19与数据线12同层设置。栅线11和栅极17形成于衬底基板10上，栅线11上形成有栅绝缘层20，有源层图形16形成于栅绝缘层20上且位于栅极17的上方，数据线12形成于栅绝缘层20上；源极18的一端形成于有源层图形16上，源极18的另一端形成于栅绝缘层20上且与数据线12连接；漏极19的一端形成于源层图形16上，漏极19的另一端形成于栅绝缘层20上。像素电极13形成于栅绝缘层20上，且像素电极13的一端形成于漏极19上，从而实现了漏极19与像素电极13连接。像素电极13上形成有钝化层21，钝化层21覆盖衬底基板10，树脂图形15形成于钝化层21上。公共电极14部分形成于钝化层21上，部分形成于树脂图形15上。本实施例中，优选地，像素电极13为平面结构，公共电极14为开设有条状通孔的平面结构。树脂图形15形成于钝化层21和公共电极14之间。公共电极14形成于钝化层21上。本实施例中，树脂图形15仅形成于数据线12的上方，该树脂图形15的宽度可大于或者等于数据线12的宽度，以达到覆盖数据线12的目的。优选地，树脂图形15的宽度大于数据线12的宽度，以保证树脂图形15可完全覆盖数据线12。树脂图形15的横截面的形状可以为半圆形、方形或者三角形，本实施例中树脂图形15的横截面的形状优选为半圆形，在实际应用中树脂图形15的横截面还可以采用其它形状，此处不再一一列举。优选地，树脂图形15的材料包括丙烯酸树脂(acrylic resin)或者酹醒尸树脂(novolak resin)。图I中提供的阵列基板的具体结构仅为本发明的一种实施例，在实际应用中，根据需要可变更各个结构的位置和层次关系，此处不再一一列举。本实施例提供的阵列基板包括衬底基板和形成于衬底基板上的栅线和数据线， 栅线和数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极和与像素电极形成多维电场的公共电极，数据线上方形成有覆盖数据线的树脂图形。本实施例中树脂图形仅形成于数据线上方，在像素电极和公共电极之间未形成树脂图形，因此与现有技术相比减小了像素电极和公共电极之间的距离，从而提高了像素电极和公共电极之间的电场效率。本实施例中，数据线和公共电极之间形成有树脂图形，减小了数据线和公共电极之间的寄生电容，从而提高了像素区域的透光率。并且本实施例中，覆盖于数据线上方的公共电极可屏蔽来自于数据线的不利电场。本发明实施例二提供了一种液晶显示面板，该液晶显示面板包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板之间填充有液晶层。其中，阵列基板可采用上述实施例一提供的阵列基板，此处不再赘述。本发明实施例三提供了一种阵列基板的制造方法，该方法可包括在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与像素电极形成多维电场的公共电极，栅线和数据线限定出像素区域，薄膜晶体管、像素电极和公共电极位于像素区域内，树脂图形位于数据线上方并覆盖数据线。下面以一个具体的例子对本实施例提供的阵列基板的制造方法进行详细描述。图4为本发明实施例三提供的一种阵列基板的制造方法的流程图，如图4所示，该方法包括步骤101、在衬底基板上形成栅线和栅极，栅极和栅线连接。图5a为实施例三中形成栅极的示意图，如图5a所示，通过构图工艺在衬底基板10上同步形成栅线11和栅极17，栅极17与栅线11连接。其中，栅线11可参见图I中所示。步骤102、在完成步骤101的衬底基板上形成栅绝缘层，栅绝缘层覆盖衬底基板。图5b为实施例三中形成栅绝缘层的示意图，如图5b所示,在完成步骤101的衬底基板10上涂布栅绝缘层20，该栅绝缘层20覆盖整个衬底基板10上。步骤103、在栅绝缘层上形成有源层图形，有源层图形位于栅极的上方。图5c为实施例三中形成有源层图形的示意图，如图5c所示,通过构图工艺在衬底基板10上形成有源层图形16，该有源层图形16位于栅极17的上方。步骤104、在完成步骤103的衬底基板上形成数据线、源极和漏极，源极的一端形成于有源层图形上，源极的另一端形成于栅绝缘层上且与数据线连接，漏极的一端形成于有源层图形上，漏极的另一端形成于栅绝缘层上。
图5d为实施例三中形成源漏极图形的示意图，如图5d所示，通过构图工艺在完成步骤103的衬底基板10上形成数据线12、源极18和漏极19，源极18的一端形成于有源层图形16上，源极18的另一端形成于栅绝缘层20上且与数据线12连接，漏极19的一端形成于有源层图形16上，漏极19的另一端形成于栅绝缘层20上。步骤105、在完成步骤104的衬底基板上形成像素电极，像素电极形成于栅绝缘层上且像素电极的一端形成于漏极上。图5e为实施例三形成像素电极的示意图，如图5e所示，通过构图工艺在完成步骤104的衬底基板10上形成像素电极13，像素电极13形成于栅绝缘层20上且像素电极13的一端形成于漏极19上。步骤106、在完成步骤105的衬底基板上形成钝化层，钝化层覆盖衬底基板。
图5f为实施例三中形成钝化层的示意图，如图5f所示，在完成步骤105的衬底基板10上涂布钝化层21，该钝化层21覆盖整个衬底基板10上。步骤107、在钝化层上形成树脂图形。图5g为实施例三中形成树脂图形的示意图，如图5g所示,通过构图工艺在钝化层21上形成树脂图形15，树脂图形15位于数据线12的上方。例如，步骤107可包括在钝化层上涂布树脂层以及在树脂层上涂布光刻胶；通过对光刻胶进行掩膜板掩膜和曝光工艺，将部分光刻胶曝光；通过显影工艺将已曝光的光刻胶去除；通过刻蚀工艺将未被光刻胶覆盖的树脂层去除，形成树脂图形；剥离树脂图形上的未曝光的光刻胶。其中，树脂图形15形成于数据线12的上方并覆盖数据线12，优选地，树脂图形15的宽度大于数据线12的宽度。步骤108、在完成步骤107的衬底基板上形成公共电极。如图2所示，通过构图工艺在完成步骤107的衬底基板10上形成公共电极14。公共电极14部分形成于钝化层21上，部分形成于树脂图形15上。本实施例提供的阵列基板的制造方法可用于制造上述实施例一中所述的阵列基板。本实施例提供的阵列基板的制造方法的技术方案中，仅在数据线上方形成树脂图形，在像素电极和公共电极之间未形成树脂图形，因此与现有技术相比减小了像素电极和公共电极之间的距离，从而提高了像素电极和公共电极之间的电场效率。本实施例中，数据线和公共电极之间形成有树脂图形，减小了数据线和公共电极之间的寄生电容，从而提高了像素区域的透光率。并且本实施例中，覆盖于数据线上方的公共电极可屏蔽来自于数据线的不利电场。可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种阵列基板，包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极和与所述像素电极形成多维电场的公共电极，其特征在于，所述数据线上方形成有覆盖所述数据线的树脂图形。
2.根据权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括有源层图形、栅极、源极和漏极，所述栅极与所述栅线同层设置，所述源极、所述漏极与所述数据线同层设置； 所述栅线和所述栅极形成于所述衬底基板上，所述栅线上形成有栅绝缘层，所述有源层图形形成于所述栅绝缘层上且位于所述栅极的上方，所述数据线形成于所述栅绝缘层上； 所述源极的一端形成于所述有源层图形上，所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上 且与所述数据线连接； 所述漏极的一端形成于所述有源层图形上，所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上，所述像素电极上形成有钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底基板，所述树脂图形形成于所述钝化层上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极部分形成于所述钝化层上，部分形成于所述树脂图形上。
5.根据权利要求I至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂图形的宽度大于所述数据线的宽度。
6.根据权利要求I至4任一所述的阵列基板，其特征在于，所述树脂图形的横截面的形状为半圆形。
7.一种液晶显示面板，其特征在于，包括对盒设置的彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板之间填充有液晶层； 所述阵列基板采用上述权利要求I至6任一所述的阵列基板。
8.—种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括 在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极，所述栅线和所述数据线限定出像素区域，所述薄膜晶体管、所述像素电极和所述公共电极位于所述像素区域内，所述树脂图形位于所述数据线上方并覆盖所述数据线。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管、像素电极、树脂图形和与所述像素电极形成多维电场的公共电极包括 在所述衬底基板上形成所述栅线和所述栅极，所述栅极和所述栅线连接； 在所述衬底基板上形成栅绝缘层，所述栅绝缘层覆盖所述衬底基板； 在所述栅绝缘层上形成所述有源层图形，所述有源层图形位于所述栅极的上方； 在所述衬底基板上形成所述数据线、所述源极和所述漏极，所述源极的一端形成于有源层图形上，所述源极的另一端形成于所述栅绝缘层上且与所述数据线连接，所述漏极的一端形成于所述有源层图形上，所述漏极的另一端形成于所述栅绝缘层上；在所述衬底基板上形成所述像素电极，所述像素电极形成于所述栅绝缘层上且所述像素电极的一端形成于所述漏极上； 在所述衬底基板上形成钝化层，所述钝化层覆盖所述衬底基板； 在所述钝化层上形成所述树脂图形； 在所述衬底基板上形成所述公共电极。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述公共电极部分形成于所述钝化层上，部分形成于所述树脂图形上。
全文摘要
本发明公开了一种阵列基板及其制造方法和液晶显示面板。其中，阵列基板包括衬底基板和形成于所述衬底基板上的栅线和数据线，所述栅线和所述数据线限定的像素区域内形成有薄膜晶体管、像素电极和与所述像素电极形成多维电场的公共电极，所述数据线上方形成有覆盖所述数据线的树脂图形。本发明中树脂图形仅形成于数据线上方，在像素电极和公共电极之间未形成树脂图形，因此与现有技术相比减小了像素电极和公共电极之间的距离，从而提高了像素电极和公共电极之间的电场效率。
文档编号G02F1/1362GK102681277SQ20121011175
公开日2012年9月19日 申请日期2012年4月16日 优先权日2012年4月16日
发明者铃木照晃 申请人:京东方科技集团股份有限公司