专利名称：一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术：
液晶显示器包括以矩阵形式设计的像素单元，以及驱动这些像素单元的驱动电路，通过液晶盒内电场的变化来实现液晶分子的偏转，来达到显示效果。对于市场最常见、价格最低的TN显示模式产品，视角窄一直是需要改进的课题。多畴显示是解决视角的主要方法。所谓多畴显示，就是在一个亚像素内再分成不同的区域，不同区域的液晶的偏转程度不同，从不同角度观看液晶屏时，都是看到的各个区域的液晶偏转的综合效果，从而降低了因为像素内所有液晶偏转相同带来的不同角度上的对比度差异，进而降低色偏，增大视角。参照图1所示的阵列基板的结构，每一亚像素单元包括公共电极10、栅线20、数据线30、TFT源极40、TFT漏极50、有源层60、过孔70和像素电极80。其中，像素电极通过过孔与漏极连接，以接收数据信号产生电场，进而进行显示。过孔位置的细节图如图2所示的透视图，其中不同线型表示不同的区域。从图2中看出，图中的TFT为仅驱动一个亚像素单元，即一个亚像素单元中仅形成一种形式的电场，因而只能驱动液晶向一个方向的偏转，导致最终显示中存在色偏。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以降低液晶显示的色偏，增大视角。本发明实施例提供的一种阵列基板，包括多条异面相交的栅线和数据线，以及多个矩阵排列的亚像素单元，所述亚像素单元包括公共电极、像素电极和薄膜晶体管TFT，所述像素电极所在层与TFT所在层之间设置有像素绝缘层，其中，每一亚像素单元被相互交叉的栅线和数据线划分为四个子像素单元，其中四个子像素单元中的像素电极方向至少包括两种不同的方向；所述薄膜晶体管位于每一栅线和数据线的交叉区域，用于同时驱动四个所述子像
素单元。本发明实施例提供的一种液晶显示面板，包括彩膜基板和液晶材料，以及上述的阵列基板。本发明实施例提供的一种显示装置，包括上述的液晶显示面板。本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过将一个亚像素单元分为四个子像素单元，将TFT设计在每一栅线与数据线的交叉处，用来同时驱动四个子像素单元，来实现多畴显示，降低了液晶显示的色偏，增大了视角。
图1为现有技术中一个亚像素单元的结构示意图；图2图1所示的结构中TFT单元的具体结构示意图；图3为本发明实施例提供的TFT阵列基板的多个亚像素单元的布局示意图；图4为图3中一个亚像素单元A的具体结构示意图；图5为图4中TFT区域的详细结构示意图；图6为本发明实施例提供的阵列基板的另一种亚像素单元的结构示意图；图7为制造本发明实施例阵列基板的步骤中，完成栅线和公共电极线的制备的结构示意图；图8为在图7所示的结构基础上，制备出的TFT结构以及数据线的结构示意图；图9为在图8所示结构的基础上，制备出PVX及过孔的结构示意图；图10为图4和图6所示结构中a-a’位置的剖面图。
具体实施例方式本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以降低液晶显示的色偏，增大视角。本发明实施例提供的一种阵列基板，包括多条异面相交的栅线和数据线，以及多个矩阵排列的亚像素单元，所述亚像素单元包括公共电极、像素电极和薄膜晶体管TFT，所述像素电极所在层与TFT所在层之间设置有像素绝缘层PVX，其中，每一亚像素单元被相互交叉的栅线和数据线划分为四个子像素单元，其中四个子像素单元中的像素电极方向至少包括两种不同的方向；例如，以两种方向为例，异面相交的栅线和数据线形成的四个象限中，位于一、三象限的两个子像素单元中像素电极的方向均为第一方向，位于二和四象限的两个子像素单元中像素电极的方向均为第二方向，并且，第一方向与第二方向不同。所述薄膜晶体管位于每一栅线和数据线的交叉区域，用于同时驱动四个所述子像
素单元。较佳地，所述薄膜晶体管为闭合型TFT，该闭合型TFT的形状包括多种，如圆形或正方形等多边形；例如若为圆形，则该TFT的有源层为圆形，漏极为圆形，源极为环形。较佳地，如前所述，所述薄膜晶体管包括有源极、漏极、栅极和有源层，所述像素绝缘层PVX中设置有过孔，该过孔用于连接所述像素电极和所述TFT漏极；同时，该过孔的截面积小于漏极的的面积，因此在透光方向上，将完全被漏极对应的黑矩阵遮挡，因此不会影响开口率。较佳地，所述过孔位于每一栅线与数据线的交叉区域；例如，若TFT漏极为圆形，则过孔位于该圆形漏极区域中。较佳地，所述栅线和数据线异面垂直，包括所述栅线纵向排列，数据线横向排列；或者，所述栅线为横向排列，数据线纵向排列。另外，栅线和数据线也可以交叉形成其他角度的夹角，例如，夹角为60度，如此栅线和数据线形成矩阵排列的多个菱形区域，每一菱形区域包括分别属于四个亚像素单元的子像素单元。
较佳地，位于所述子像素单元区域的像素电极为单畴结构的像素电极，当每一子像素单元的像素电极方向均不同时，一个亚像素单元对应四畴像素结构；若四个子像素单元中的像素电极方向两两相同时，一个亚像素单元对应双畴结构，也就是说，本发明提供的技术方案能够形成至少为双畴的像素结构。较佳地，位于所述子像素单元区域的像素电极为双畴结构的像素电极，因此一个亚像素单元最多可以对应八畴像素结构。较佳地，所述像素电极所在层位于所述公共电极所在层之上。另外，公共电极所在层也可以位于像素电极所在层之上，同时，公共电极所在层与像素电极所在层之间设置有绝缘层。下面结合附图和具体实施例，对本发明进行说明。本实施例提供的一种阵列基板，包括如图3所示的多条异面相交的栅线20和数据线30，其中栅线横向排列，数据线纵向排列，以及多个矩阵排列的亚像素单元A ;其中，栅线20和数据线30异面垂直。针对每一亚像素单元A,具体地,参见图4。所述亚像素单元A包括公共电极10、像素电极80和薄膜晶体管TFT，所述像素电极80所在层与TFT漏极所在层之间设置有像素绝缘层PVX (图中未示出)，同时，图示中所示像素电极所在层位于TFT的漏极所在层之上，其中，每一亚像素单元对应一栅线20和数据线30的交叉区域；每一亚像素单元被异面垂直的栅线和数据线分为四个子像素单元，其中四个子像素单元中的像素电极方向至少包括两种不同的方向；四个子像素单元中的像素电极的结构可以为单畴，也可以为双畴。图4中所示是以每一子像素单元均为单畴像素结构为例，同时四个子像素单元中的像素电极方向包括两种像素电极方向为例，异面垂直的栅线和数据线形成的四个象限中，位于一、三象限的两个子像素单元中像素电极的方向均为第一方向，位于二和四象限的两个子像素单元中像素电极的方向均为第二方向，并且，第一方向与第二方向不同。所述薄膜晶体管位于每一栅线和数据线的交叉区域，用于同时驱动四个所述子像素单元。该TFT为闭合型TFT,具体地,参照图5所示的细节示意图，该TFT包括源极40、漏极50、有源层60，在漏极60对应的区域，PVX层中设置有过孔70，用于连接像素电极80 (图中未示出)和漏极50。较佳地，每一子像素单元中的像素电极也可以为双畴结构，如图6所示。其中，每一子像素单元中的像素电极的方向包括两种不同的方向，位于一、三象限的子像素单元中的像素电极的结构相同，位于二、四象限的子像素单元中的像素电极的结构相同。需要说明的是，上述针对像素电极结构的描述仅是为了更好的说明本发明，但不限制本发明。下面结合附图，说明本发明实施例提供的阵列基板的制造方法。本发明实施例提供的阵列基板的制造方法，包括在基板上形成包括公共电极10的图案；在形成上述图案的基板上形成包括栅线20的图案，如图7所示；在形成上述图案的基板上形成栅绝缘层GI ；
在形成上述图案的基板上形成包括有源层60、数据线30、TFT源极40和漏极50的图案，如图8所示；具体地，利用灰阶曝光或半曝光的工艺，经过PR涂覆、曝光、显影、刻蚀和剥离完成该步骤；或者，先沉积a-Si和N+a-Si后曝光、显影、刻蚀和剥离制备出有源层，再沉积数据线金属层，最终经过曝光、显影、刻蚀和剥离形成TFT结构以及数据线图案。在形成上述图案的基板上形成像素绝缘层PVX，并通过构图工艺，在所述第二绝缘层上形成多个过孔70，如图9所示；在形成上述图案的基板上形成包括像素电极80的图案，所述像素电极通过所述过孔与所述漏极连接。其中，该像素电极的结构，例如图4中的结构，或者，例如图6中的结构。最终制备出的阵列基板如图4或图6所示，TTF区域细节部分如图5所示。为了更清楚地说明本发明实施例，针对图4或图6中a-a’位置，其剖面图如图10所示。从图10中可以看出，由下至上依次为玻璃基板、栅线20、栅绝缘层G1、有源层60，其中有源层包括位于下层的非晶硅A-Si，和位于上层的N+A-Si ;位于有源层之上的源极40和漏极60，以及覆盖源极、漏极和有源层的像素绝缘层PVX，对应漏极50的区域，PVX中设置有过孔70，像素电极80通过该过孔70与漏极50连接。本发明实施例提供的一种液晶显示面板，包括彩膜基板、液晶材料以及上述的阵列基板。本发明实施例提供的显示装置，包括上述的液晶显示面板。综上所述，本发明实施例提供的阵列基板、液晶显示面板及显示装置，通过将一个亚像素单元分为四个子像素单元，将TFT设计在每一栅线与数据线的交叉处，用来同时驱动四个子像素单元，来实现多畴显示，降低了液晶显示的色偏，增大了视角。显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种阵列基板，包括多条异面相交的栅线和数据线，以及多个矩阵排列的亚像素单元，所述亚像素单元包括公共电极、像素电极和薄膜晶体管TFT，所述像素电极所在层与TFT的漏极所在层之间设置有像素绝缘层，其特征在于， 每一亚像素单元被相互交叉的栅线和数据线划分为四个子像素单元，其中四个子像素单元中的像素电极方向至少包括两种不同的方向； 所述薄膜晶体管位于每一栅线和数据线的交叉区域，用于同时驱动四个所述子像素单
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT为闭合型TFT。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述像素绝缘层上对应每一亚像素单元设置有过孔，所述像素电极通过该过孔与所述TFT的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述过孔位于每一栅线与数据线的交叉区域。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线横向排列，数据线纵向排列；或者，所述栅线纵向排列，数据线横向排列。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，位于所述子像素单元区域的像素电极为单畴或双畴结构的像素电极。
7.根据权利要求Γ6任一权项所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极所在层位于所述公共电极所在层之上。
8.一种液晶显示面板，包括阵列基板、彩膜基板和液晶材料，其特征在于，该阵列基板为如权利要求Γ7任一权利要求所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的液晶显示面板。
全文摘要
本发明公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以降低液晶显示的色偏，增大视角。本发明实施例提供的一种阵列基板，包括多条异面相交的栅线和数据线，以及多个矩阵排列的亚像素单元，所述亚像素单元包括公共电极、像素电极和薄膜晶体管TFT，所述像素电极所在层与TFT所在层之间设置有像素绝缘层，其中，每一亚像素单元被相互交叉的栅线和数据线划分为四个子像素单元，其中四个子像素单元中的像素电极方向至少包括两种不同的方向；所述薄膜晶体管位于每一栅线和数据线的交叉区域，用于同时驱动四个所述子像素单元。
文档编号G02F1/1368GK103018984SQ20121048499
公开日2013年4月3日 申请日期2012年11月23日 优先权日2012年11月23日
发明者郤玉生, 林鸿涛, 胡海琛, 封宾 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司