液晶显示像素结构及其制作方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示像素结构及其制作方法。该液晶显示像素结构包括：下基板(1)、设于下基板(1)上表面的钝化层(2)、设于钝化层(2)上的像素电极(3)、上基板(4)、及设于上基板(4)下表面的公共电极(5)；每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层(2)包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极(3)连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角。本发明的液晶显示像素结构，能够显著改善大视角下的色偏现象，并使驱动控制电路简单，像素开口率高。
【专利说明】液晶显示像素结构及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种液晶显示像素结构及其制作方法。
【背景技术】
[0002]液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无福射等众多优点，得到了广泛的应用。如:液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等，在平板显示领域中占主导地位。
[0003]现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组。液晶显示面板是液晶显示器的主要组件，但液晶显示面板本身不发光，需要借由背光模组提供的光源来正常显示影像。
[0004]通常液晶显示面板由两片玻璃基板贴合而成，且在两片玻璃基板之间灌入液晶，分别在两片玻璃基板的相对内侧设置像素电极、公共电极，通过通电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0005]现有的IXD中，大视角下会发生严重的色偏(color washout)现象，尽管现有技术已经通过采用多畴(multi domain)显示的像素设计，来改善IXD大视角下的色偏程度，但是色偏现象仍较严重，这种状况在垂直配向(Vertical Alignment, VA)型的IXD中更为明显。而且现有的改善大视角下色偏的像素设计需要将像素设置为主(Main)区和次(Sub)区，分别通过不同的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)来控制Main区和Sub区，并分别给Main区和Sub区提供不同的驱动电压，使Main区和Sub区的液晶产生不同的转动行为，从而对大视角下的伽马(Ga_a)特性进行混合补偿，来达到改善色偏的目的，但是更多的TFT意味着更复杂的控制电路及像素开口率的降低。
[0006]请同时参阅图1、图2、图3，现有液晶显示像素结构包括下基板100、覆盖下基板100上表面的钝化层200、设于钝化层200上的像素电极300、上基板400、及覆盖上基板400下表面的公共电极500，每一像素设置为四畴。像素电极300采用类似于光栅的以等间距间隔排列的条状(line/space)结构，需通过黄光制程进行图案化处理；钝化层200直接沉积于下基板100上，除了过孔(Via hole)以外，其它区域均不需要通过黄光制程进行图案化处理；即，钝化层200基本是平坦的，像素电极300具有条状图案。如图4、图5所示，上述液晶显示像素结构在同一驱动电压下，每一像素内液晶的转动行为只有一种，从而液晶偏转角Θ是相同的，虽然每一像素设置为四畴对大视角下的色偏有一定改善，但是效果不佳，色偏仍较严重。
【发明内容】
[0007]本发明的目的在于提供一种液晶显示像素结构，能够显著改善大视角下的色偏现象，并使驱动控制电路简单，像素开口率高。
[0008]本发明的目的还在于提供一种液晶显示像素结构的制作方法，其对黄光设备和制程工艺的要求较低，通过该方法制得的液晶显示像素结构在大视角下的色偏现象有显著改口 O
[0009]为实现上述目的，本发明提供一种液晶显示像素结构，包括:下基板、设于下基板上表面的钝化层、设于钝化层上的像素电极、上基板、及设于上基板下表面的公共电极；每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角。
[0010]所述沟槽结构包括凹陷部、及与所述凹陷部相邻的凸起部，所述凹陷部的深度小于或等于钝化层的厚度。
[0011]所述沟槽结构的凹陷部的深度值不固定，根据所述钝化层的厚度和设计需求进行优化调整；
[0012]所述一个像素内不同区域的面积比例不固定，根据设计需要进行变更调整；
[0013]所述凹陷部的宽度值和相邻的凸起部的宽度值不固定，根据设计需要进行变更调整。
[0014]所述不同深度的沟槽结构沿每个畴的对角线方向将一个像素划分成不同区域。
[0015]所述不同深度的沟槽结构沿水平和垂直方向将一个像素划分成不同区域。
[0016]所述不同深度的沟槽结构沿其倾斜方向将一个像素划分成不同区域。
[0017]所述像素电极为ITO电极，所述公共电极为ITO电极。
[0018]本发明还提供一种液晶显示像素结构的制作方法，包括如下步骤:
[0019]步骤1、提供一下基板，在所述下基板上沉积钝化层；
[0020]步骤2、通过黄光制程对所述钝化层进行蚀刻；
[0021]一个像素内，所述钝化层被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构；
[0022]所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域；
[0023]步骤3、在具有至少两种不同深度的沟槽结构的钝化层上沉积像素电极，使所述像素电极连续不间断的覆盖于沟槽结构上；
[0024]步骤4、提供一上基板，在所述上基板上沉积公共电极。
[0025]所述沟槽结构包括凹陷部、及与所述凹陷部相邻的凸起部，所述凹陷部的深度小于或等于钝化层的厚度。
[0026]所述沟槽结构的凹陷部的深度值不固定，根据所述钝化层的厚度和设计需求进行优化调整；
[0027]所述一个像素内不同区域的面积比例不固定，根据设计需要进行变更调整；
[0028]所述凹陷部的宽度值和相邻的凸起部的宽度值不固定，根据设计需要进行变更调整。
[0029]本发明的有益效果:本发明提供的的一种液晶显示像素结构，通过设置一个像素内的钝化层包括至少两种不同深度的沟槽结构，将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角，能够显著改善大视角下的色偏现象，与现有液晶显示像素结构相比，能够减少TFT数量，使驱动控制电路更简单，像素开口率更高；本发明提供的一种液晶显示像素结构的制作方法，对钝化层进行蚀刻，使得一个像素内的钝化层被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构，而像素电极直接沉积于沟槽结构上，无需高精细的沟槽结构即可实现高的穿透率表现，对黄光设备和制程工艺的要求较低，通过该方法制得的液晶显示像素结构在大视角下的色偏现象有显著改善。
【专利附图】
【附图说明】
[0030]下面结合附图，通过对本发明的【具体实施方式】详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
[0031]附图中，
[0032]图1为现有液晶显示像素结构的立体示意图；
[0033]图2为对应图1中C处的剖视图；
[0034]图3为现有液晶显示像素结构的平面示意图；
[0035]图4为现有液晶显不像素结构的液晶偏转不意图；
[0036]图5为现有液晶显示像素结构的色偏改善量测结果示意图；
[0037]图6为本发明液晶显示像素结构的第一实施例的立体示意图；
[0038]图7为对应图6中E处的剖视图；
[0039]图8为本发明液晶显示像素结构的第一实施例的平面示意图；
[0040]图9为本发明液晶显示像素结构的第一实施例中区域A的液晶偏转示意图；
[0041]图10为本发明液晶显示像素结构的第一实施例中区域B的液晶偏转示意图；
[0042]图11为本发明液晶显示像素结构的第一实施例的色偏改善量测结果示意图；
[0043]图12为本发明液晶显示像素结构的第二实施例的平面示意图；
[0044]图13为本发明液晶显示像素结构的第三实施例的平面示意图；
[0045]图14为本发明液晶显示像素结构的制作方法的流程图。
【具体实施方式】
[0046]为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
[0047]请同时参阅图图6、图7、图8，为本发明液晶显示像素结构的第一实施例，包括:下基板1、设于下基板I上表面的钝化层2、设于钝化层2上的像素电极3、上基板4、及设于上基板4下表面的公共电极5。
[0048]所述像素电极3为ITO电极，所述公共电极5为ITO电极。每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层2包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极3连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域。在该第一实施例中，每一像素设置四畴，分别为畴1、畴2、畴3、畴4;一个像素内，所述钝化层2包括两种不同深度的沟槽结构，该两种不同深度的沟槽结构将一个像素划分成两个不同的区域，分别为区域A、区域B，区域A内的沟槽深度DA小于区域B内的沟槽深度DB，所述钝化层2需经黄光制程进行图案化处理以得到不同深度的沟槽结构。所述像素电极3连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，其无需黄光制程，而是直接沉积于钝化层2的沟槽结构上。
[0049]具体的，如图7所示，所述沟槽结构包括凹陷部21、及与所述凹陷部21相邻的凸起部23，所述凹陷部21的深度小于或等于钝化层2的厚度。所述沟槽结构的凹陷部21的深度值不固定，可根据所述钝化层2的厚度和设计需求进行优化调整。所述凹陷部21的宽度值LI和相邻的凸起部23的宽度值L3不固定，可根据设计需要进行变更调整，所以本发明的液晶显示像素结构无需高精细的沟槽结构。
[0050]如图8所示，所述两种不同深度的沟槽结构沿每个畴的对角线方向将一个像素划分成区域A与区域B，沿畴I的对角线方向将畴I划分成1-A与1-B，沿畴2的对角线方向将畴2划分成2-A与2-B，沿畴3的对角线方向将畴3划分成3-A与3-B，沿畴4的对角线方向将畴4划分成4-A与4-B，等效于一个像素设置了八畴。如图9、图10所示，同一驱动电压下，区域A的液晶偏转角ΘΑ与区域B的液晶偏转角ΘΒ不同，由此产生的有益效果如图11所示，大视角下的色偏现象得到了显著改善。因此，本发明的液晶显示像素结构能够实现同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角，相比于现有的液晶显示像素结构既能够显著改善大视角下的色偏现象，又能够减少TFT数量，使驱动控制电路更简单，像素开口率更高。
[0051]值得一提的是，该第一实施例仅示意出了区域A与区域B的面积比例为1:1的情况，但区域A与区域B的面积比例并不局限于1:1，还可为1:2、1:3、2:3、3:5等，即一个像素内不同区域的面积比例不固定，可根据设计需要进行变更调整。
[0052]图12所示为本发明液晶显示像素结构的第二实施例。该第二实施例与第一实施例的区别在于，所述两种不同深度的沟槽结构沿水平和垂直方向将一个像素划分成区域A与区域B，可扩展为不同深度的沟槽结构沿水平和垂直方向将一个像素划分成不同区域，其它与第一实施例相同，此处不再赘述。
[0053]图13所示为本发明液晶显示像素结构的第三实施例。该第三实施例与第一实施例的区别在于，所述两种不同深度的沟槽结构沿其倾斜方向将一个像素划分成区域A与区域B，可扩展为不同深度的沟槽结构沿其倾斜方向将一个像素划分成不同区域，其它与第一实施例相同，此处不再赘述。
[0054]请参阅图14，同时参阅图6至图8，本发明还提供一种液晶显示像素结构的制作方法，包括如下步骤:
[0055]步骤1、提供一下基板1，在所述下基板I上沉积钝化层2。
[0056]步骤2、通过黄光制程对所述钝化层2进行蚀刻。
[0057]一个像素内，所述钝化层2被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构。
[0058]所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域。
[0059]步骤3、在具有至少两种不同深度的沟槽结构的钝化层2上沉积像素电极3，使所述像素电极3连续不间断的覆盖于沟槽结构上。
[0060]该步骤3中，像素电极3直接沉积于沟槽结构上，无需高精细的沟槽结构即可实现高的穿透率表现。
[0061]步骤4、提供一上基板4，在所述上基板4上沉积公共电极5。
[0062]具体的，所述沟槽结构包括凹陷部21、及与所述凹陷部21相邻的凸起部23，所述凹陷部21的深度小于或等于钝化层2的厚度。
[0063]所述沟槽结构的凹陷部21的深度值不固定，可根据所述钝化层2的厚度和设计需求进行优化调整；所述一个像素内不同区域的面积比例不固定，可根据设计需要进行变更调整；所述凹陷部21的宽度值LI和相邻的凸起部23的宽度值L3不固定，可根据设计需要进行变更调整。所述沟槽结构无需达到高精细的要求，所以该方法对黄光设备和制程工艺的要求较低，通过该方法制得的液晶显示像素结构在大视角下的色偏现象有显著改善。
[0064]综上所述，本发明的液晶显示像素结构，通过设置一个像素内的钝化层包括至少两种不同深度的沟槽结构，将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角，能够显著改善大视角下的色偏现象，与现有液晶显示像素结构相比，能够减少TFT数量，使驱动控制电路更简单，像素开口率更高；本发明提供的一种液晶显示像素结构的制作方法，对钝化层进行蚀刻，使得一个像素内的钝化层被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构，而像素电极直接沉积于沟槽结构上，无需高精细的沟槽结构即可实现高的穿透率表现，对黄光设备和制程工艺的要求较低，通过该方法制得的液晶显示像素结构在大视角下的色偏现象有显著改善。
[0065]以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
【权利要求】
1.一种液晶显示像素结构，其特征在于，包括:下基板(I)、设于下基板(I)上表面的钝化层(2)、设于钝化层(2)上的像素电极(3)、上基板(4)、及设于上基板(4)下表面的公共电极(5);每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层(2)包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极(3)连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域，实现在同一驱动电压下，一个像素内不同区域的液晶产生不同的偏转角。
2.如权利要求1所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述沟槽结构包括凹陷部(21)、及与所述凹陷部(21)相邻的凸起部(23)，所述凹陷部(21)的深度小于或等于钝化层(2)的厚度。
3.如权利要求2所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述沟槽结构的凹陷部(21)的深度值不固定，根据所述钝化层(2)的厚度和设计需求进行优化调整； 所述一个像素内不同区域的面积比例不固定，根据设计需要进行变更调整； 所述凹陷部(21)的宽度值(LI)和相邻的凸起部(23)的宽度值(L3)不固定，根据设计需要进行变更调整。
4.如权利要求3所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述不同深度的沟槽结构沿每个畴的对角线方向将一个像素划分成不同区域。
5.如权利要求3所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述不同深度的沟槽结构沿水平和垂直方向将一个像素划分成不同区域。
6.如权利要求3所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述不同深度的沟槽结构沿其倾斜方向将一个像素划分成不同区域。
7.如权利要求1所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述像素电极(3)为ITO电极，所述公共电极(5)为ITO电极。
8.一种液晶显示像素结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤: 步骤1、提供一下基板(I)，在所述下基板(I)上沉积钝化层(2); 步骤2、通过黄光制程对所述钝化层(2)进行蚀刻； 一个像素内，所述钝化层(2)被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构； 所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域； 步骤3、在具有至少两种不同深度的沟槽结构的钝化层(2)上沉积像素电极(3)，使所述像素电极(3)连续不间断的覆盖于沟槽结构上； 步骤4、提供一上基板(4)，在所述上基板(4)上沉积公共电极(5)。
9.如权利要求8所述的液晶显示像素结构的制作方法，其特征在于，所述沟槽结构包括凹陷部(21)、及与所述凹陷部(21)相邻的凸起部(23)，所述凹陷部(21)的深度小于或等于钝化层(2)的厚度。
10.如权利要求9所述的液晶显示像素结构，其特征在于，所述沟槽结构的凹陷部(21)的深度值不固定，根据所述钝化层(2)的厚度和设计需求进行优化调整； 所述一个像素内不同区域的面积比例不固定，根据设计需要进行变更调整； 所述凹陷部(21)的宽度值(LI)和相邻的凸起部(23)的宽度值(L3)不固定，根据设计需要进行变更调整。
【文档编号】G02F1/1333GK104503155SQ201410654606
【公开日】2015年4月8日 申请日期:2014年11月17日 优先权日:2014年11月17日
【发明者】赵锋, 邱钟毅 申请人:深圳市华星光电技术有限公司