阵列基板、显示面板及显示装置制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，有效提高液晶显示器的显示视角。阵列基板，包括：多条数据线和多条栅线，相邻的数据线定义的一列像素单元，每一像素单元包括第一像素电极、第二像素电极，以及位于第一像素电极、第二像素电极之间的栅线与至少三个薄膜晶体管，像素单元还包括：充放电元件，充放电元件与薄膜晶体管对像素单元进行充放电，使得该像素单元形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区。
【专利说明】阵列基板、显示面板及显示装置
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
【背景技术】
[0002]液晶显示器因其具有体积小、重量轻、功耗低、驱动电压低以及无辐射等优点，已广泛应用于电视、手机及公共信息显示，是目前使用最为广泛的显示技术。液晶显示器，特别是大尺寸液晶电视的应用，要求液晶显示器具有宽阔的视角范围。
[0003]传统的液晶显示器中，主要是像素电极和公共电极之间的垂直电场驱动液晶分子偏转，如果在大的偏向角度下观看，就会存在对比度低、色彩失真的问题，即存在可视角度(简称视角)狭窄的问题。
[0004]为此现有技术中提出了多种显示模式以克服视角过窄缺陷，多种显示模式包括:90°扭曲向列型液晶加补偿膜模式、像素电极图形化垂直排列模式以及利用边缘场的平面驱动模式等。
[0005]虽然上述显示模式先后被提出并逐渐实现产业化，但实际使用表明，上述显示模式仍然存在相应缺陷。例如:90°扭曲向列型液晶加补偿膜模式对视角的改善十分有限，一般只应用于笔记本电脑和台式机监视器；像素电极图形化垂直排列模式需要将像素电极制作成复杂的狭缝结构，影响了光利用效率；而利用边缘场的平面驱动模式要求工艺控制精度高，制造工艺难度大，且影响对比度。
[0006]综上所述，现有技术中虽然存在克服液晶显示视角过窄缺陷的多种显示模式，但均存在相应的缺陷，无法有效的提高液晶显示器的显示视角。
实用新型内容
[0007]本实用新型实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，有效提高液晶显示器的显示视角。
[0008]本实用新型实施例提供的一种阵列基板，包括:多条数据线和多条栅线，相邻的数据线定义的一列像素单元，每一像素单元包括第一像素电极、第二像素电极，以及位于第一像素电极、第二像素电极之间的栅线与至少三个薄膜晶体管，所述数据线作为所述薄膜晶体管的源极，所述栅线作为所述薄膜晶体管的栅极，所述至少三个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与所述第一像素电极电性连接，所述至少三个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的漏极通过第二过孔与所述第二像素电极电性连接，所述像素单元还包括:充放电元件，所述充放电元件与所述薄膜晶体管对所述像素单元进行充放电，使得该像素单元形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区。
[0009]本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，通过在阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0010]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述像素单元还包括公共电极，所述充放电元件为电容，所述至少三个薄膜晶体管为三个薄膜晶体管，所述三个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第一过孔与第一像素电极电性连接，所述三个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第二过孔与第二像素电极电性连接，所述三个薄膜晶体管中第三薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极设置在钝化层和栅极绝缘层之间；所述电容的一极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，设置在所述栅极绝缘层和所述钝化层之间；所述电容的另一极为与所述第三薄膜晶体管的栅极同时形成的公共电极，所述公共电极设置在所述栅极绝缘层和衬底之间。
[0011]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述充放电元件为二极管，所述至少三个薄膜晶体管为四个薄膜晶体管，所述四个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第一过孔与第一像素电极电性连接，所述四个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第二过孔与第二像素电极电性连接，所述四个薄膜晶体管中第三薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极设置在钝化层和栅极绝缘层之间；所述阵列基板还包括:设置在所述钝化层上的第三过孔和第四过孔，所述第三过孔穿透所述钝化层，露出所述四个薄膜晶体管中第四薄膜晶体管的栅极，所述第四过孔穿透所述钝化层和所述栅极绝缘层，露出所述第四薄膜晶体管的源极；填充所述第三过孔和所述第四过孔，使得所述第四薄膜晶体管的栅极和源极相连的补搭层与所述第四薄膜晶体管的漏极形成所述二极管，其中，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述阵列基板的栅线同步形成。
[0012]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述补搭层通过第三过孔与所述第四薄膜晶体管的栅极电气连接，通过第四过孔与所述第四薄膜晶体管的源极电极连接。
[0013]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述栅线为单层结构或多层结构。
[0014]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述栅极绝缘层为单层结构或多层结构。
[0015]本实用新型实施例提供的一种显示面板，包括:本实用新型上述实施例中任一项所述的阵列基板。
[0016]本实用新型实施例提供的上述显示面板中，通过在阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0017]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述显示面板中，所述显示面板为液晶显示面板。
[0018]本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括:本实用新型上述实施例中任一项所述的显示面板。
[0019]本实用新型实施例提供的上述显示装置中，通过在显示面板中阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0020]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的上述显示装置中，所述显示装置为液晶显示装置。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本实用新型实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0022]图2为本实用新型实施例提供的图1所示阵列基板结构的沿A-A’剖面结构示意图；
[0023]图3为本实用新型实施例提供的图1所示阵列基板结构的沿B-B’剖面结构示意图；
[0024]图4为本实用新型实施例提供的另一阵列基板的结构示意图；
[0025]图5为本实用新型实施例提供的图4所示阵列基板结构的沿C-C’剖面结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图，对本实用新型实施例提供的阵列基板、显示面板及显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。
[0027]附图中各膜层的厚度和区域的大小形状不反映阵列基板各部件的真实比例，目的只是示意说明本实用新型的内容。
[0028]本实用新型实施例提供的一种阵列基板，包括:多条数据线和多条栅线，相邻的数据线定义的一列像素单元，每一像素单元包括第一像素电极、第二像素电极，以及位于第一像素电极、第二像素电极之间的栅线与至少三个薄膜晶体管，数据线作为薄膜晶体管的源极，第一像素电极和第二像素电极之间的栅线作为薄膜晶体管的共用栅极，至少三个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与第一像素电极电性连接，至少三个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的漏极通过第二过孔与第二像素电极电性连接，像素单元还包括:充放电元件，该充放电元件与薄膜晶体管对像素单元进行充放电，使得该像素单元形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区。
[0029]其中，第一电压畴区和第二电压畴区可以是电压不同的高电压畴区和低电压畴区，当然，第一电压畴区是高电压畴区时，第二电压畴区为低电压畴区；第一电压畴区为低电压畴区时，第二电压畴区为高电压畴区。
[0030]本实用新型实施例提供的阵列基板中，通过在阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的高电压畴区和低电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0031]具体来说，像素单元中的充放电元件可以是电容，也可以是二极管，下面结合具体的实施例对本实用新型的阵列基板结构进行说明。
[0032]实施例一
[0033]本实用新型实施例提供的一种阵列基板，如图1所示，像素单元包括第一像素电极41、第二像素电极42以及位于第一像素电极41、第二像素电极42之间的栅线10与至少三个薄膜晶体管，至少三个薄膜晶体管以三个薄膜晶体管为例，数据线30作为薄膜晶体管的源极31，第一像素电极41和第二像素电极42之间的栅线10作为薄膜晶体管的共用栅极11，第一薄膜晶体管的漏极321通过第一过孔361与第一像素电极41电性连接，第二薄膜晶体管的漏极322通过第二过孔362与第二像素电极42电性连接，三个薄膜晶体管的连接关系具体为:
[0034]第一薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极31为数据线30，漏极321通过第一过孔361与第一像素电极41电性连接，第二薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极31为数据线30，漏极322通过第二过孔362与第二像素电极42电性连接，第三薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极为数据线30，漏极323设置在钝化层和栅极绝缘层之间。
[0035]该像素单元还包括公共电极13，充放电元件为电容，电容的一极与第三薄膜晶体管的漏极323连接，也即电容的一极与第三薄膜晶体管的漏极323同步形成，设置在栅极绝缘层和钝化层之间；电容的另一极为与第三薄膜晶体管的栅极11同时形成的公共电极13，公共电极13设置在栅极绝缘层和衬底之间。
[0036]下面以图1所示的阵列基板结构为例，结合图2和图3对其制备过程进行详细说明，其制备过程包括:
[0037]步骤一、在阵列基板衬底I上进行溅射(sputter)沉积金属层，该金属层例如:铝(Al)，并分别进行涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成栅线，栅极11和公共电极线13的图形，参见图3所示，栅极11与公共电极13同步形成；
[0038]步骤二、采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposit1n, PEVCD)沉积栅极绝缘层21,所用材料例如是氮化娃；
[0039]步骤三、沉积半导体层,例如PECVD沉积非晶娃(a-Si)或sputter沉积铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO);涂覆光刻胶,曝光显影,刻蚀,形成有源层22的图形；
[0040]步骤四、sputter ?贱射沉积金属层，该金属层例如:招(Al),涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成数据线、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极311、第三薄膜晶体管的源极312、第一薄膜晶体管的漏极321、第二薄膜晶体管的漏极322和第三薄膜晶体管的漏极323的图形，形成三个薄膜晶体管，同时，第三薄膜晶体管的漏极323作为电容的一极，与公共电极13形成电容；其中，有源层22位于第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极311、第三薄膜晶体管的漏极321和第二薄膜晶体管的漏极322的下方，位于栅极绝缘层21的上方；
[0041]步骤五、沉积钝化层23，例如PECVD沉积氮化硅或涂覆树脂层；涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成第一过孔361和第二过孔362 ;第一过孔361暴露出第一薄膜晶体管的漏极321，第二过孔362暴露出第二薄膜晶体管的漏极322 ；
[0042]步骤六、Sputter ?贱射透明金属氧化物导电材料层,例如:Ν型氧化物半导体氧化铟锌(Indium Tin Oxides, ITO),涂覆光刻胶,曝光显影,刻蚀,形成第一像素电极41和第二像素电极42 ;其中，第一像素电极41通过第一过孔361与第一薄膜晶体管的漏极321电性连接，第二像素电极42通过第二过孔362与第二薄膜晶体管的漏极322电性连接。
[0043]值得注意的是，本实用新型的实施例中，栅线、数据线可以采用铜(Cu)，铝(Al)，钥(Mo)，钛(Ti)，铬(Cr)，钨(W)等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，栅线可以是单层结构，也可以采用多层结构，例如Mo\Al\Mo，Ti\Cu\Ti, MoTi\Cu。栅极绝缘层21可以采用氮化硅或氧化硅；栅极绝缘层21可以是单层结构，栅极绝缘层21也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅。有源层22可以采用非晶硅，或氧化物半导体。钝化层23可以采用无机物例如氮化硅，也可以采用有机物例如树脂；第一像素电极41和第二像素电极42采用透明导电的氧化物氧化铟锌(IZO)、ITO或其他透明金属氧化物导电材料制备。
[0044]需要说明的是，电容的一极为第三薄膜晶体管的漏极323，另一极为公共电极13，该电容作为存储电容，可为像素单元的一个畴区起一定的分压作用，在对该畴区进行充电时，充电期间需要额外对一个存储电容进行充电，能间接减小该畴区的电压大小，而当栅线电压为低电压时，第三薄膜晶体管关闭，不会对畴区电压产生影响，从而形成电压不同的高电压畴区和低电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角。
[0045]实施例二
[0046]本实用新型实施例提供的另一种阵列基板，如图4所示，像素单元包括第一像素电极41、第二像素电极42以及位于第一像素电极41、第二像素电极42之间的栅线10与至少三个薄膜晶体管，至少三个薄膜晶体管以四个薄膜晶体管为例，数据线30作为薄膜晶体管的源极31，第一像素电极41和第二像素电极42之间的栅线10作为薄膜晶体管的共用栅极11，第一薄膜晶体管的漏极321通过第一过孔361与第一像素电极41电性连接，第二薄膜晶体管的漏极322通过第二过孔362与第二像素电极42电性连接，四个薄膜晶体管的连接关系具体为:
[0047]第一薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极31为数据线30，漏极321通过第一过孔361与第一像素电极41电性连接，第二薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极31为数据线30，漏极322通过第二过孔362与第二像素电极42电性连接，第三薄膜晶体管的栅极11为栅线10，源极31为数据线30，漏极设置在钝化层和栅极绝缘层之间。
[0048]该像素单元中的充放电元件为二极管，该像素单元还包括:设置在钝化层上的第三过孔363和第四过孔364，第三过孔363穿透钝化层，露出第四薄膜晶体管的栅极，第四过孔364穿透钝化层和栅极绝缘层，露出所述第四薄膜晶体管的源极15 ;填充第三过孔363和第四过孔364，使得第四薄膜晶体管的栅极和源极15相连的补搭层43与第四薄膜晶体管的漏极14形成二极管，其中，第四薄膜晶体管的漏极14与阵列基板的栅线同步形成。
[0049]下面以图4所示的阵列基板结构为例，结合图5对其制备过程进行详细说明，其制备过程包括:
[0050]步骤一、在阵列基板衬底I上进行溅射(sputter)沉积金属层，该金属层例如:招(Al)，并分别进行涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成栅线，栅极11、第四薄膜晶体管的漏极14以及第四薄膜晶体管的源极15的图形，参见图5所示，栅极11、第四薄膜晶体管的漏极14以及第四薄膜晶体管的源极15同步形成；
[0051]步骤二、采用PEV⑶沉积栅极绝缘层21，所用材料例如是氮化硅；
[0052]步骤三、沉积半导体层,例如PECVD沉积非晶娃(a-Si)或sputter沉积铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide, IGZO);涂覆光刻胶,曝光显影,刻蚀,形成有源层22的图形；
[0053]步骤四、sputter ?贱射沉积金属层，该金属层例如:招(Al),涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成数据线、第三薄膜晶体管的源极312、第三薄膜晶体管的漏极323和第四薄膜晶体管的栅极324的图形，形成四个薄膜晶体管，其中，有源层22位于第三薄膜晶体管的源极312、第三薄膜晶体管的漏极323和第四薄膜晶体管栅极324的下方，位于栅极绝缘层21的上方；
[0054]步骤五、沉积钝化层23，例如PECVD沉积氮化硅或涂覆树脂层；涂覆光刻胶，曝光显影，刻蚀，形成第一过孔和第二过孔；第一过孔暴露出第一薄膜晶体管的漏极，第二过孔暴露出第二薄膜晶体管的漏极；同时形成第三过孔363和第四过孔364，其中，第三过孔363穿透钝化层23，露出第四薄膜晶体管的栅极323，第四过孔364穿透钝化层23和栅极绝缘层21，露出第四薄膜晶体管的源极15 ；
[0055]步骤六、Sputter溅射透明金属氧化物导电材料层，例如:N型氧化物半导体氧化铟锌(Indium Tin Oxides, ITO),涂覆光刻胶,曝光显影,刻蚀,形成第一像素电极41和第二像素电极42 ;其中，第一像素电极41通过第一过孔与第一薄膜晶体管的漏极电性连接，第二像素电极42通过第二过孔与第二薄膜晶体管的漏极电性连接，同时，形成补搭层43，该补搭层43填充第三过孔363和第四过孔364，使得第四薄膜晶体管的栅极324和第四薄膜晶体管的源极15相连，作为第四薄膜晶体管的一极与第四薄膜晶体管的漏极14形成二极管。
[0056]值得注意的是，本实用新型的实施例中，栅线、数据线可以采用铜(Cu)，铝(Al)，钥(Mo)，钛(Ti)，铬(Cr)，钨(W)等金属材料制备，也可以采用这些材料的合金制备，栅线可以是单层结构，也可以采用多层结构，例如Mo\Al\Mo，Ti\Cu\Ti, MoTi\Cu。栅极绝缘层21可以采用氮化硅或氧化硅；栅极绝缘层21可以是单层结构，栅极绝缘层21也可以是多层结构，例如氧化硅\氮化硅。有源层22可以采用非晶硅，或氧化物半导体。钝化层23可以采用无机物例如氮化硅，也可以采用有机物例如树脂；第一像素电极41和第二像素电极42采用透明导电的氧化物氧化铟锌(IZO)、ITO或其他透明金属氧化物导电材料制备。
[0057]需要说明的是，通过第三过孔和第四过孔将第四薄膜晶体管的源极和第四薄膜晶体管的栅极相连作为二极管的一极，第四薄膜晶体管的漏极作为二极管的另一极，该二极管与三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，例如:一个畴区用一个薄膜晶体管来进行充放电，用第二个薄膜晶体管及二极管对该畴区进行单向放电，从而形成电压不同的高电压畴区和低电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角。
[0058]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的阵列基板中，补搭层通过第三过孔与第四薄膜晶体管的栅极电气连接，通过第四过孔与第四薄膜晶体管的源极电极连接。
[0059]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的阵列基板中，栅线为单层结构或多层结构。
[0060]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的阵列基板中，栅极绝缘层为单层结构或多层结构。
[0061]本实用新型实施例提供的一种显示面板，包括:本实用新型实施例提供的阵列基板。
[0062]本实用新型实施例提供的显示面板中，通过在阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的高电压畴区和低电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0063]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的显示面板中，显示面板为液晶显示面板。
[0064]本实用新型实施例提供的一种显示装置，包括:本实用新型实施例提供的显示面板。
[0065]本实用新型实施例提供的显示装置中，通过在显示面板中阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显示，从而克服现有技术中液晶显示视角过窄的缺陷，有效提高液晶显示器的显示视角，而且制作工艺与现有制作工艺兼容，无设备成本增加。
[0066]本实用新型实施例提供的显示装置可以为:电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0067]在一种可能的实施方式中，本实用新型实施例提供的显示装置中，显示装置为液晶显示装置。
[0068]本实用新型实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在阵列基板的像素单元中增加充放电元件，使用充放电元件和至少三个薄膜晶体管对像素单元的不同畴区进行充放电，从而形成电压不同的闻电压畴区和低电压畴区，使得液晶分子存在多个取向不同的畴区，而多个畴区可实现液晶的宽视角显不，有效提闻液晶显不器的显不视角。
[0069]显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种阵列基板，包括:多条数据线和多条栅线，相邻的数据线定义的一列像素单元，每一像素单元包括第一像素电极、第二像素电极，以及位于第一像素电极、第二像素电极之间的栅线与至少三个薄膜晶体管，所述数据线作为所述薄膜晶体管的源极，所述栅线作为所述薄膜晶体管的栅极，所述至少三个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的漏极通过第一过孔与所述第一像素电极电性连接，所述至少三个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的漏极通过第二过孔与所述第二像素电极电性连接，其特征在于， 所述像素单元还包括:充放电元件，所述充放电元件与所述薄膜晶体管对所述像素单元进行充放电，使得该像素单元形成电压不同的第一电压畴区和第二电压畴区。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元还包括公共电极，所述充放电元件为电容，所述至少三个薄膜晶体管为三个薄膜晶体管，所述三个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第一过孔与第一像素电极电性连接，所述三个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第二过孔与第二像素电极电性连接，所述三个薄膜晶体管中第三薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极设置在钝化层和栅极绝缘层之间； 所述电容的一极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接，设置在所述栅极绝缘层和所述钝化层之间； 所述电容的另一极为与所述第三薄膜晶体管的栅极同时形成的公共电极，所述公共电极设置在所述栅极绝缘层和衬底之间。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述充放电元件为二极管，所述至少三个薄膜晶体管为四个薄膜晶体管，所述四个薄膜晶体管中第一薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第一过孔与第一像素电极电性连接，所述四个薄膜晶体管中第二薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极通过第二过孔与第二像素电极电性连接，所述四个薄膜晶体管中第三薄膜晶体管的栅极为所述栅线，源极为所述数据线，漏极设置在钝化层和栅极绝缘层之间； 所述阵列基板还包括: 设置在所述钝化层上的第三过孔和第四过孔，所述第三过孔穿透所述钝化层，露出所述四个薄膜晶体管中第四薄膜晶体管的栅极，所述第四过孔穿透所述钝化层和所述栅极绝缘层，露出所述第四薄膜晶体管的源极； 填充所述第三过孔和所述第四过孔，使得所述第四薄膜晶体管的栅极和源极相连的补搭层与所述第四薄膜晶体管的漏极形成所述二极管，其中，所述第四薄膜晶体管的漏极与所述阵列基板的栅线同步形成。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述补搭层通过第三过孔与所述第四薄膜晶体管的栅极电气连接，通过第四过孔与所述第四薄膜晶体管的源极电极连接。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线为单层结构或多层结构。
6.根据权利要求2-4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层为单层结构或多层结构。
7.—种显示面板，其特征在于，包括:权利要求1-6中任一项所述的阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括:权利要求7或8中所述的显示面板。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置。
【文档编号】G02F1/1368GK204065626SQ201420627934
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年10月27日 优先权日:2014年10月27日
【发明者】李文波, 吴新银, 李盼, 程鸿飞, 先建波 申请人:京东方科技集团股份有限公司