光电混载基板及其制造方法与流程

本发明涉及将电路基板和光波导路层叠而成的光电混载基板及其制造方法。

背景技术：

在最近的电子设备等中，随着传送信息量的增加大多采用光电混载基板，光电混载基板除了电布线以外，还采用光布线，能够同时传送电信号和光信号。作为这样的光电混载基板，例如，如图11所示，公知有一种以如下方式构成的光电混载基板：将由聚酰亚胺等构成的绝缘层1作为基板，在该基板的表面设置由导电图案构成的电布线2而制成电路基板e，在该电路基板e的背面侧隔着加强用的金属加强层m设置光波导路w(例如，参照专利文献1)。此外，上述电路基板e的表面被覆盖层3绝缘保护。另外，在上述金属加强层m设有用于使安装于电路基板e的表面侧的光元件(未图示)和光波导路w光耦合的通孔5、5′。并且，上述光波导路w由下包层6、成为光路径的芯体7以及上包层8这三层构成。

由于绝缘层1的线膨胀系数和背面侧的光波导路w的线膨胀系数不同，因此，若将两者直接层叠，则周围的温度会使光波导路w产生应力、微小的弯曲，从而使光传播损失变大，上述金属加强层m是为了避免这种情况而设置的。但是，近年来，随着电子设备等的小型化、高集成化，上述光电混载基板也大多要求挠性，以便能够在小空间内使用、在铰接部等可动部处使用。因此，在上述那样隔着金属加强层m设有光波导路w的光电混载基板中，同样地，为了提高其挠性而提出如下一种方案：将金属加强层m本身局部地去除，使光波导路w的包层进入该去除部分，从而提高挠性(例如，参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-265342号公报

专利文献2：日本特开2013-195532号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，即使在相同的光电混载基板中，对布线延伸的部分要求较高的挠性，但从处理作业性方面考虑，对于安装有光元件的光耦合部分、通过安装连接器构件而与其他构件相连接的部分，还要求其尽可能地具有刚性。现状是，由于出现在这些部分处有刚性不足的倾向，因此，为了在处理作业时、重复使用时不受翘曲、热变形的影响，强烈期望进一步提高刚性。

即，为了提高光电混载基板的挠性，能够以尽可能去除金属加强层m的位于要求挠性的区域中的部分方式来进行应对。另一方面，为了在规定部位处提高刚性，还想到若使金属加强层m本身的厚度较厚则能够进行应对，但金属加强层m的厚度越厚，用于光耦合的光路径(图11所示的通孔5、5′内的移动距离)越长，因此，光耦合时的光损失变大，故而不理想。因此，在用于与其他构件相连接的部分等处，总是难以确保充分的刚性。

本发明是鉴于这样的情况而做出的，其目的在于，提供不会在光耦合时导致光损失、提高了特定区域的刚性且处理作业性优异的光电混载基板及其制造方法。

用于解决问题的方案

为了实现上述目的，本发明的第1技术方案提供一种光电混载基板，其具备：电路基板，在该电路基板的绝缘层的表面形成有电布线；金属加强层，其形成于上述电路基板的背面侧的局部；以及光波导路，其同样地以与上述电路基板的背面侧局部地重叠的配置来设置，其中，在上述电路基板的背面侧形成有第2加强层，其中第2技术方案根据所述光电混载基板，特别是，上述第2加强层是利用上述电路基板的背面侧的未形成有光波导路的部分形成的。

另外，本发明的第3技术方案根据所述光电混载基板，特别是，上述第2加强层由与光波导路的包层相同的材料形成。第4技术方案在于，所述光电混载基板的上述第2加强层由金属板或纤维强化树脂板形成。

并且，本发明的第5技术方案提供一种光电混载基板的制造方法，其是第1技术方案所述的光电混载基板的制造方法，其中，该光电混载基板的制造方法包括以下工序：在金属加强层的表面形成绝缘层，在该绝缘层的表面形成电布线，从而获得电路基板；去除上述金属加强层的不需要的部分，使电路基板的背面自该去除部局部地暴露；以与上述电路基板的背面侧局部地重叠的配置来形成光波导路；以及在上述电路基板的背面侧形成第2加强层，其中，第6技术方案根据所述光电混载基板的制造方法，特别是，利用上述电路基板的背面侧的未形成有光波导路的部分来形成上述第2加强层。

另外，本发明的第7技术方案根据所述光电混载基板的制造方法，特别是，形成上述光波导路的工序是按照顺序依次层叠下包层、芯体层、上包层的工序，在形成上述下包层时，使用与下包层相同的材料在上述电路基板的背面侧形成第2加强层的下部，在形成上包层时，使用与上包层相同的材料在上述第2加强层的下部上形成第2加强层的上部，从而获得第2加强层。

并且，本发明的第8技术方案根据所述光电混载基板，特别是，在形成上述光波导路的工序结束后，在上述电路基板的背面侧粘贴金属板或纤维强化树脂板，从而获得第2加强层。

发明的效果

即，在本发明的光电混载基板中，在以往使用的金属加强层之外，在电路基板的背面侧的欲提高刚性的规定区域另行设置新的第2加强层。。

采用该结构，在考虑到所要求的挠性和刚性之间的平衡且在光耦合时的光损失不成为问题的范围内设定金属加强层的厚度，并可在无法利用该金属加强层来使刚性达到充分的部分进一步设置第2加强层而提高该部分的刚性。因而，不必使金属加强层的厚度较高以提高刚性，光耦合时的光损失不会变大。并且，由于在需要较高的刚性的特定的部分设有第2加强层，因此，虽然光电混载基板在整体上具有挠性，但光耦合部分、连接器连接部分的刚性较高，能够放心地向电子设备安装光电混载基板、对光电混载基板进行连接器连接作业。另外，由于芯片等的安装部分、连接器连接部分的刚性较高，因此，即使长期在被施加有载荷、温度负担那样的环境下使用，也不易受到翘曲、热变形的影响，能够维持稳定的品质。

另外，在本发明中，尤其是在上述第2加强层利用上述电路基板的背面侧的未形成有光波导路的部分形成的光电混载基板中，能够在不对光波导路造成影响的前提下提高光波导路周边部的刚性，故此优选。

并且，在本发明中，尤其是在上述第2加强层由与光波导路的包层相同的材料形成的光电混载基板中，不必另外准备第2加强层并安装该第2加强层，能够在电路基板的背面侧形成光波导路的过程中同时获得第2加强层，因此，即使是纤细的形状，也能够简单地形成第2加强层，从而具有制造效率良好这样的优点。

并且，在本发明中，尤其是在上述第2加强层由金属板或纤维强化树脂板形成的光电混载基板中，能够根据所要求的刚性而相应地选择并使用适当的材质的第2加强层、适当的厚度的第2加强层，从而具有易于设计刚性的程度这样的优点。

并且，采用本发明的光电混载基板的制造方法，能够高效地制造本发明的光电混载基板。

附图说明

图1的(a)是示意性表示本发明的光电混载基板的一实施方式的局部的纵剖视图，图1的(b)是其a－a′向视图。

图2的(a)～图2的(d)均是表示上述光电混载基板的制造方法中的电路基板的制作工序的说明图。

图3的(a)～图3的(d)均是表示上述光电混载基板的制造方法中的光波导路的制作工序的说明图。

图4是本发明的光电混载基板的另一个例子的说明图。

图5的(a)、(b)均是上述光电混载基板的第2加强层的变形例的说明图。

图6的(a)～图6的(c)均是上述第2加强层的变形例的说明图。

图7的(a)、(b)均是上述第2加强层的变形例的说明图。

图8的(a)～图8的(c)均是上述第2加强层的变形例的说明图。

图9是上述光电混载基板的第2加强层的另一个变形例的说明图。

图10的(a)～图10的(c)均是上述第2加强层的变形例的说明图。

图11是表示以往的光电混载基板的一个例子的示意性的纵剖视图。

具体实施方式

接着，根据附图来详细说明本发明的实施方式。但是，本发明并不限于该实施方式。

图1的(a)是示意性表示本发明的光电混载基板的一实施方式的局部的纵剖视图，图1的(b)是其a－a′向视图。即，该光电混载基板10包括在上述绝缘层1的表面设有电布线2的电路基板e以及设于上述绝缘层1的背面侧的光波导路w。

上述电路基板e成为如下结构：在由聚酰亚胺等构成的绝缘层1的表面上形成有包括光元件安装用的焊盘2a、连接器安装用的焊盘2b、其他各种元件安装用的焊盘、以及接地用电极等(未图示)在内的电布线2，其中，电布线2的除了上述焊盘2a等以外的部分被由聚酰亚胺等构成的覆盖层3绝缘保护起来。此外，未被覆盖层3保护的焊盘2a等的表面被由金、镍等构成的电解镀层4覆盖。

另一方面，设于上述绝缘层1的背面侧的光波导路w由下包层6、以规定图案形成于下包层6的表面(在图1中为下表面)的芯体7、以覆盖该芯体7的状态与上述下包层6的表面一体化的上包层8构成。

并且，芯体7的与上述电路基板e的光元件安装用的焊盘2a相对应的部分形成为相对于芯体7延伸的方向倾斜45°的倾斜面。该倾斜面成为光的反射面7a，该反射面7a发挥以下作用：将在芯体7内传播过来的光的朝向改变90°后使其入射到光元件的光接收部，或者相反地将自光元件的发光部射出的光的朝向改变90°后使其入射到芯体7内。

另外，在上述电路基板e与光波导路w之间设有用于加强该光电混载基板10的金属加强层9，该金属加强层9图案形成于除了要求挠性的部分以外的部位。并且，在该金属加强层9上形成有用于确保芯体7与光元件之间的光路的通孔5，在该通孔5内还有上述下包层6进入。此外，在图1的(b)中，省略了上述通孔5的图示，以间隔较大的朝右下斜线示出形成有金属加强层9的部分(在以下的图中也是同样的)。

并且，在该金属加强层9的背面侧的未形成有光波导路w的部分，如图1的(b)所示，以自三个方向包围光波导路w的形式形成有第2加强层20。利用间隔较小的朝右上斜线示出了该第2加强层20的形成部分(在以下的图中也是同样的)。与仅形成有金属加强层9的部分相比，能够利用该第2加强层20使光电混载基板10的未形成有光波导路w的部分的刚性大幅提高，在该部分，尤其能够抑制翘曲、抑制因热产生的变形。这是本发明的一大特征。

上述第2加强层20只要是能够提高形成有该第2加强层20的部分的刚性的材质即可，无论是树脂、金属等任意的材质均可，在该例子中，上述第2加强层20由与光波导路w的下包层6和上包层8相同的形成材料形成，并如下所述与光波导路w的形成同时形成。

接着，说明上述光电混载基板的制造方法(参照图2、图3)。

首先，准备平板状的金属加强层9，在金属加强层9的表面涂覆由聚酰亚胺等构成的感光性绝缘树脂，利用光刻法形成规定图案的绝缘层1(参照图2的(a))。上述绝缘层1的厚度设定在例如3μm～50μm的范围内。另外，作为上述金属加强层9的形成材料，可列举出不锈钢、铜、银、铝、镍、铬、钛、铂、金等，其中，从刚性等观点考虑，优选为不锈钢。另外，上述金属加强层9的厚度还取决于其材质，在使用不锈钢的情况下，例如设定在10μm～70μm的范围内。即，其原因在于，当金属加强层9的厚度小于10μm时，有可能不能充分地获得加强效果，相反地，当金属加强层9的厚度大于70μm时，光在金属加强层9的通孔5(参照图1的(a))内移动的距离变长，光损失有可能变大。

接着，如图2的(b)所示，在上述绝缘层1的表面利用例如半添加法形成电布线2(包括光元件安装用的焊盘2a、连接器用焊盘2b、其他焊盘、接地用电极等，以下是同样的)。在该方法中，首先，利用溅射或非电解镀等在上述绝缘层1的表面上形成由铜、铬等构成的金属膜(未图示)。该金属膜成为进行之后的电解镀时的晶种层(成为供电解镀层形成的基底的层)。然后，在由上述金属加强层9、绝缘层1以及晶种层构成的层叠体的两面上层压感光性抗蚀剂(未图示)，之后利用光刻法在形成有上述晶种层的一侧的感光性抗蚀剂上形成上述电布线2的图案的孔部，使上述晶种层的表面部分暴露于该孔部的底部。接着，利用电解镀，在上述晶种层的暴露于上述孔部的底部的表面部分层叠形成由铜等构成的电解镀层。然后，利用氢氧化钠水溶液等将上述感光性抗蚀剂剥离。之后，利用软蚀刻将晶种层的未形成有上述电解镀层的部分去除。由残留下来的晶种层和电解镀层构成的层叠部分成为上述电布线2。

接着，如图2的(c)所示，在电布线2的除了光元件安装用的焊盘2a、连接器用焊盘2b等以外的部分上涂覆由聚酰亚胺等构成的感光性绝缘树脂，并利用光刻法来形成覆盖层3。

然后，如图2的(d)所示，在未被覆盖层3覆盖的光元件安装用的焊盘2a、连接器用焊盘2b等的表面形成电解镀层4。通过上述方式形成电路基板e。

接着，在由上述金属加强层9和电路基板e构成的层叠体的两面上层压感光性抗蚀剂，之后，在上述金属加强层9的背面侧(与形成有电路基板e的面相反的那一侧的面侧)的感光性抗蚀剂中的、不需要金属加强层9的部分和与光路用的通孔预定形成部相对应的部分，利用光刻法形成孔部，使上述金属加强层9的背面局部地暴露。

然后，通过使用与该金属加强层9的金属材料相应的蚀刻用水溶液(例如，在金属加强层9为不锈钢层的情况下，蚀刻用水溶液使用氯化铁水溶液)进行蚀刻来将上述金属加强层9的暴露部分去除，从而使绝缘层1从该去除痕迹暴露出来，之后，利用氢氧化纳水溶液等剥离上述感光性抗蚀剂。由此，如图3的(a)所示，仅在需要加强的区域中形成有金属加强层9，还同时形成有光路用的通孔5。

接着，为了在上述绝缘层1的背面(在形成有金属加强层9的部分则是金属加强层9的背面)形成光波导路w(参照图1的(a))，首先，如图3的(b)所示，在上述绝缘层1和金属加强层9的背面(在图中为下表面)涂覆作为下包层6的形成材料的感光性树脂，之后利用辐射线对该涂覆层进行曝光而使其固化，从而形成下包层6。另外，此时，使用上述下包层6的形成材料来同时形成成为第2加强层20(参照图1)的下部的部分20a(以下，称作“下部20a”)。上述下包层6和第2加强层20的下部20a能够通过光刻法形成为规定的图案状。并且，下包层6以进入并埋入到上述金属加强层9的光路用的通孔5中的状态形成。通常，上述下包层6的厚度(距绝缘层1的背面的厚度)设定得大于金属加强层9的厚度。另外，当然，第2加强层20的下部20a还能够形成为与下包层6的厚度相同的厚度。此外，用于形成光波导路w的一系列的作业是在使绝缘层1的形成有上述金属加强层9的背面朝上的状态下进行的，但在附图中，示出了绝缘层1的形成有上述金属加强层9的背面朝下的状态。

接着，如图3的(c)所示，在上述下包层6的表面(在图中为下表面)上，利用光刻法形成规定图案的芯体7。芯体7的厚度设定在3μm～100μm的范围内，宽度设定在3μm～100μm的范围内。作为上述芯体7的形成材料，可列举出例如与上述下包层6相同的感光性树脂，并使用折射率比上述下包层6和后述的上包层8的形成材料的折射率大的材料。例如，能够通过选择下包层6、芯体7、上包层8的各形成材料的种类、调整组成比例来调整该折射率。

接着，如图3的(d)所示，以覆盖上述芯体7的方式，利用光刻法与下包层6的表面(在图中为下表面)重叠地形成上包层8。此时，使用上包层8的形成材料同时在第2加强层20的下部20a上形成成为下部20a的上部的部分20b(以下，称作“上部20b”)。通过上述方式，在形成光波导路w的同时形成第2加强层20。此外，上述上包层8的厚度(距下包层6的表面的厚度)例如设定为上述芯体7的厚度以上且为300μm以下。另外，当然，第2加强层20的上部20b还能够形成为与上包层8的厚度相同。作为上述上包层8和第2加强层20的上部20b的形成材料，可列举出例如与上述下包层6相同的感光性树脂。

此外，以下示出上述光波导路w的形成材料的具体的组成例。

<下包层6、上包层8、第2加强层20(下部20a+上部20b)的形成材料>

具有脂环骨架的环氧树脂(日本大赛璐化学工业公司制造、ehpe3150)20重量份

液状长链二官能半脂肪族环氧树脂(dic公司制造、exa-4816)80重量份

光产酸剂(adeka公司制造、sp170)2重量份

乳酸乙基(武藏野化学研究所公司制造)40重量份

<芯体7的形成材料>

邻甲酚酚醛清漆缩水甘油基醚(新日铁住金化学公司制造、ydcn－700－10)50重量份

双苯氧基乙醇芴二缩水甘油基醚(大阪燃气化学公司制造、オグゾールeg)50重量份

光产酸剂(adeka公司制造、sp170)1重量份

乳酸乙基(武藏野化学研究所公司制造)50重量份

在如此形成的光波导路w的规定部分上，利用激光加工、切削加工等形成相对于芯体7延伸的方向倾斜了45°的倾斜面，将该倾斜面作为用于与安装于电路基板e的表面侧的光元件进行光耦合的反射面7a(参照图1的(a))。然后，将光元件安装于在电路基板e的表面侧设置的电布线2的焊盘2a上等，进行所需构件的安装。

通过上述方式，能够获得在电路基板e的背面侧形成有第2加强层20的、图1所示的光电混载基板10。该光电混载基板10的金属加强层9的厚度是考虑到光电混载基板10的挠性与刚性之间的平衡且在光耦合时的光损失不成为问题的范围内设定的。并且，在仅形成上述金属加强层9刚性不足而需要更高刚性的部分设有第2加强层20。因而，虽然该光电混载基板10在整体上具有挠性，但光耦合部分、连接器连接部分的刚性较高，能够放心地向电子设备安装光电混载基板10、对光电混载基板10进行连接器连接作业。另外，由于芯片等的安装部分、连接器连接部分的刚性较高，因此，即使长期在被施加有载荷、温度负担那样的环境下使用，也不易受到翘曲、热变形的影响，能够维持稳定的品质。

并且，由于上述第2加强层20由与光波导路w的包层相同的材料形成，因此，即使的俯视形状为复杂且纤细的形状，也能够在形成下包层6和上包层8的图案的同时形成第2加强层20，因此，具有制造效率良好这样的优点。

此外，在上述例子中，在形成光波导路w的下包层6和上包层8的同时形成了第2加强层20，但第2加强层20的形成方法并不限于此。例如，也可以是，在不形成第2加强层20的前提下形成光电混载基板10，之后，如图4所示，将额外准备好的第2加强层20用的板材借助粘接剂层21粘贴在电路基板e的背面上。此外，上述第2加强层20的粘贴既可以在电路基板e的表面侧安装光元件之前进行也可以在电路基板e的表面侧安装光元件之后进行。

采用上述方法，作为第2加强层20的形成材料，不必使用与光波导路w的包层用材料相同的材料，而能够使用各种树脂材料、金属材料。其中，优选为能够以较薄的厚度成形为板状且能发挥较高刚性的材料，可列举出例如不锈钢、铜、银、铝、镍、铬、钛、铂、金等金属材料、玻璃纤维强化树脂、碳纤维强化树脂等纤维强化树脂。其中，尤其是使用不锈钢板、玻璃环氧板等最优选。此外，对于用于将上述第2加强层20粘贴于电路基板e的背面侧的粘接剂层21的材料，能够根据第2加强层20的材质而选择适当的材料。

上述第2加强层20的厚度由所要求的刚性和其材料的种类决定，在第2加强层20为不锈钢板的情况下，第2加强层20的厚度能够设定为例如20μm～2000μm。另外，在第2加强层20为玻璃环氧板的情况下，第2加强层20的厚度能够设定为例如100μm～3000μm。并且，对于上述第2加强层20在电路基板e上的粘贴，较理想的是通过例如以下方式来进行：在剥离片上形成粘接剂层21，在粘接剂层21上层叠金属层、纤维强化树脂层等，将其冲切成规定形状而成的构件在去除剥离片后粘贴在电路基板e的背面的规定位置上。

此外，在本发明中，设于电路基板e的背面侧的第2加强层20的形成区域并限于上述例子，能够根据要求刚性的区域而相应地以各种配置方式设置第2加强层20的形成区域。即，在上述例子中，如图1的(b)所示，以设于电路基板e的背面侧的金属加强层9的外形和第2加强层20的外形相一致的形状在光波导路w的周围形成了第2加强层20，但可以是，例如，如图5的(a)所示，在电路基板e的背面侧，以比金属加强层9小一圈的方式形成第2加强层20，以提高光波导路w的周围的中心侧的刚性。

另外，也可以是，不从三个方向包围光波导路w，如图5的(b)所示，仅在光波导路w的长度方向上的前端缘与电路基板e的端缘之间的部分处形成第2加强层20，以提高该部分的刚性。

并且，如图6的(a)所示，能够沿着电路基板e的前端缘呈带状形成第2加强层20。或者可以是，如图6的(b)所示，沿着电路基板e的、沿光波导路w的长度方向延伸的两侧缘分别呈带状形成第2加强层20，或如图6的(c)所示，沿着电路基板e的、沿光波导路w的长度方向延伸的两侧缘中的一侧的侧缘呈带状形成第2加强层20，以提高所要求的方向上的侧缘部的刚性，由此提高其处理性。

另外，在电路基板e的背面侧，在金属加强层9的外形形成得小于电路基板e的外形的情况下，第2加强层20能够如图7的(a)所示那样跨越金属加强层9和电路基板e的绝缘层1地形成或如图7的(b)所示那样以完全不与金属加强层9重叠的配置方式直接形成于绝缘层1的背面。

并且，在如上述那样使第2加强层20直接形成于绝缘层1的背面的情况下，与图6的(a)～图6的(c)所示的例子同样地，也能够沿着电路基板e的端缘、侧缘呈带状形成第2加强层20(参照图8的(a)～图8的(c))。

另外，对于与图1的例子同样地以包围光波导路w的周围的方式形成的第2加强层20，如图9所示，也可以延伸设置自与该光波导路w对峙的面的上部朝向侧方(与光波导路w重叠的一侧)延伸的覆盖部22。延伸设置有覆盖部22的第2加强层20如作为其俯视图的图10的(a)所示那样不仅包围光波导路w的周围，而且还呈袋状完全覆盖光波导路w的光耦合部周边，因此能够进一步提高光耦合部周边的刚性。此外，在图10中，利用沿左右方向延伸的间隔狭窄的平行线来表示第2加强层20同金属加强层9或绝缘层1相接合的部分(除了覆盖部22以外的部分)。因而，该光电混载基板10成为处理性进一步提高且具有更优异的品质稳定性的基板。并且，由于能够利用上述覆盖部22来保持光波导路w侧的反射面7a(参照图9)和反射面7a的周边部的清洁，因此能够进一步抑制光损失。

此外，上述覆盖部22既可以如图10的(b)所示那样自设于光波导路w的前端侧的一个部位的第2加强层20以单侧支承状态延伸设置，也可以如图10的(c)所示那样以跨越夹着光波导路w地设于光波导路w的两侧的第2加强层20的配置方式延伸设置。

并且，为了获得上述带覆盖部22的第2加强层20，例如，如上所述那样在形成光波导路w时利用相同的包层材料同时形成比图9中的单点划线p所示的部位靠下(在图中为靠上)的根部侧的部分、或者利用借助粘接剂层21来粘贴板状的加强层材的方法来形成比图9中的单点划线p所示的部位靠下的根部侧的部分，之后，在该根部侧的部分上(在图中为之下)粘贴成为覆盖部22的板材，由此能够获得作为目标的带覆盖部22的第2加强层20。

当然，也可以是，准备利用激光加工等成形为延伸设置有覆盖部22的第2辅助层20的形状的板材，将该板材直接借助粘接剂层21粘贴于电路基板e的背侧。

此外，对于上述覆盖部22的厚度，能够考虑到与第2加强层20的整体厚度之间的平衡和形状保持性能而设定为适当的厚度。例如，能够使第2加强层20的整体厚度为100μm～3000μm且使覆盖部22的厚度为50μm～2950μm。

另外，在上述一系列的例子中，第2加强层20(在带覆盖部22的第2加强层20中为覆盖部22以外的部分)是利用电路基板e的背面侧的未形成有光波导路w的部分形成的，但第2加强层20的配置未必限于未形成有光波导路w的部分。例如，可以在电路基板e的背面侧跨越未形成有光波导路w的部分和光波导路w的形成面地设置第2加强层20，或者能够在光波导路w的形成面上重叠地形成第2加强层20。但是，在光波导路w上重叠地形成第2加强层20的情况下，期望使光波导路w的芯体7和第2加强层20配置为俯视时不重叠。

并且，在图1所示的例子中，光波导路w的外形由下包层6和上包层8这两者形成，但光波导路w的外形既可以仅由上包层8形成，也可以仅由芯体7形成。并且，在与光波导路w同时形成第2加强层20的情况下，第2加强层20能够与上包层8同时形成或与芯体7同时形成。

此外，在上述实施方式中，示出了本发明的具体的形态，但上述实施方式仅仅是例示，并不能作为限定性的解释。意图在于对于本领域技术人员而言明显的各种变形均在本发明的范围内。

产业上的可利用性

本发明能够应用于提供一种电路基板部分不易受到翘曲、热变形的影响且处理性优异、具有稳定的品质的光电混载基板。

附图标记说明

e、电路基板；w、光波导路；1、绝缘层；、2、电布线；9、金属加强层；10、光电混载基板；20、第2加强层。