1.一种液晶装置，包括：
由第一单元壁和第二单元壁界定的液晶材料层，所述第一单元壁设置有第一电极结构并且所述第二单元壁设置有第二电极结构，并且所述第一单元壁和所述第二单元壁被分开了距离dc，其中所述液晶材料层与多个缺陷产生位点相关联。
2.根据权利要求1所述的装置，其中由缺陷产生位点产生的至少一个缺陷的宽度为wd，并且其中wd>dc。
3.根据权利要求1所述的装置，其中由缺陷产生位点产生的至少一个缺陷的宽度为wd，并且其中wd<5dc。
4.根据权利要求1所述的装置，其中由缺陷产生位点产生的至少一个缺陷的宽度为wd，并且其中wd<dc。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中由缺陷产生位点产生的至少两个相邻缺陷之间的间隔为dd，并且其中dd>dc。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中由缺陷产生位点产生的至少两个相邻缺陷之间的间隔为dd，并且其中dd>wd。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中至少第一中间层被设置在所述液晶材料层与所述第一电极结构和所述第二电极结构中的至少一种之间。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述中间层是钉扎层，并且所述钉扎层包括所述多个缺陷产生位点。
9.根据权利要求7所述的装置，其中所述中间层是介电层，并且所述介电层包括所述多个缺陷产生位点。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中所述第一电极结构和所述第二电极结构中的至少一种是多连接的，使得所述电极结构包括多个缺陷产生位点。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的装置，其中所述第一电极结构和所述第二电极结构二者都是多连接的，使得所述第一电极结构和所述第二电极结构二者都包括多个缺陷产生位点。
12.根据权利要求10或权利要求11所述的装置，其中所述多个缺陷产生位点大体上延伸跨越所述电极结构。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的装置，其中缺陷产生位点的密度遍及所述电极结构是近似恒定的。
14.根据权利要求10至13中任一项所述的装置，其中所述多个缺陷产生位点包括缺陷产生位点的阵列。
15.根据权利要求10至14中任一项所述的装置，其中，第一密度的缺陷产生位点存在于所述电极结构的第一区域中，并且第二密度的缺陷产生位点存在于所述电极结构的第二区域中，并且其中所述第一密度不同于所述第二密度。
16.根据权利要求10至15中任一项所述的装置，其中所述阵列中的每个缺陷产生位点的宽度对于所述阵列中的每个缺陷产生位点是大体上相等的。
17.根据权利要求10至16中任一项所述的装置，其中所述缺陷产生位点是在所述电极结构中的具有宽度wh的通孔。
18.根据权利要求10至16中任一项所述的装置，其中包括所述缺陷产生位点的至少所述第一电极结构或所述第二电极结构中的一种被图案化，图案包括具有不同功函数的材料的区域，使得功函数中的差异产生缺陷产生位点。
19.根据权利要求1所述的装置，其中至少第一中间层被设置在所述液晶材料层与所述第一电极结构和所述第二电极结构中的至少一种之间，并且其中所述液晶材料、所述电极结构和所述中间层由各自具有功函数的材料或表面形成，使得功函数中的差异产生缺陷产生位点。
20.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料。
21.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述液晶材料是近晶型A液晶材料与聚合物和/或着色剂的混合物。
22.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述近晶型A液晶材料是基于有机物的近晶型A液晶材料。
23.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述近晶型A液晶材料为基于硅氧烷的近晶型A液晶材料。
24.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述电极由透明的金属氧化物材料制成。
25.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述透明的金属氧化物材料是氧化铟锡(ITO)材料。
26.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述电极由碳基材料制成。
27.根据任一前述权利要求所述的装置，其中所述碳基材料是石墨烯材料。
28.根据任一前述权利要求所述的装置，其中当使用时，所述多个缺陷产生位点导致电场梯度的产生。
29.根据任一前述权利要求所述的装置，其中至少一个单元壁包括柔性材料。
30.根据任一前述权利要求所述的装置，其中至少一个单元壁包括刚性材料。
31.一种显示器，包括至少一种根据任一前述权利要求所述的装置。
32.制备液晶装置的方法，包括以下步骤：
提供具有形成第一电极结构的导电涂层的第一衬底；
提供具有形成第二电极结构的导电涂层的第二衬底；
将所述第一衬底和所述第二衬底与液晶材料组装以形成第一单元壁和第二单元壁，所述第一单元壁和所述第二单元壁被分开了距离dc并且具有界定在它们之间的液晶层；以及
将所述液晶材料层与多个缺陷产生位点相关联。
33.根据权利要求32所述的方法，其中将所述液晶材料层与所述多个缺陷产生位点相关联的步骤包括：提供中间层，其中所述中间层包括所述多个缺陷产生位点，或处理所述导电涂层以提供多个缺陷产生位点。
34.根据权利要求33所述的方法，其中处理所述导电涂层包括除去所述导电涂层的至少一部分。
35.根据权利要求33所述的方法，其中处理所述导电涂层包括除去所述导电涂层的至少一部分以产生通孔。
36.根据权利要求32至35中任一项所述的方法，其中处理所述导电涂层的步骤包括使用激光。
37.根据权利要求32至35中任一项所述的方法，其中处理所述导电涂层的步骤包括使用光刻法。
38.根据权利要求32至37中任一项所述的方法，还包括处理所述第二衬底上的所述第二导电涂层以提供多个缺陷产生位点的步骤。