液晶显示装置的制作方法

本发明涉及显示装置，特别涉及高精细的液晶显示装置。

背景技术：

在液晶显示装置中，配置有TFT衬底和与TFT衬底对置的对置衬底，在TFT衬底与对置衬底之间夹持有液晶，TFT衬底呈矩阵状形成有具有像素电极和薄膜晶体管(TFT)等的像素。而且，通过对各像素控制利用液晶分子的光的透射率而形成图像。

液晶显示装置的视角特性是一个问题。IPS(In Plane Swiching)方式的液晶显示装置利用与衬底平行的方向的电场使液晶分子旋转，从而控制液晶的光透射率，具有优异的视角特性。另一方面，在液晶显示装置，特别是中小型液晶显示装置中，正在推进高精细化。

当推进高精细化时，形成于TFT衬底侧的、用于使像素电极与TFT的源电极接触的通孔的直径的面积在像素内占据的面积的比例变大。在专利文献1中，记载了IPS方式的液晶显示装置中的通孔的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-146039号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

使用于智能手机或平板电脑等的液晶显示面板要求高精细。在这样的产品中，每一个像素的水平方向间距为30μm以下。此外，一 个像素有时也指示红像素、绿像素、蓝像素等的组，但在本说明书中，将红像素、绿像素、蓝像素等分别称为像素。

另一方面，为了使视角特性提高，使用了IPS方式的液晶显示装置。IPS方式最多使用如下构造：在形成为平面状的公共电极之上隔着绝缘膜配置带状或梳齿状的像素电极。在这样的IPS中，为了按像素连接TFT与像素电极，需要在膜厚较大的绝缘膜上形成通孔，所以该通孔的直径变大。

另一方面，需要向形成为平面状的公共电极施加各像素共用的电位。当像素间距变小时，各像素中的通孔占据的比例变大。另一方面，公共电极需要避开通孔而形成，在水平方向上相邻的通孔间，公共电极成为桥状。由于该桥和通孔的存在，像素间距的缩小化产生极限。并且，虽然公共电极利用ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)形成，但由于ITO的电阻率比较大，所以随着大画面化，公共电极的电阻会成为问题。

本发明的问题是实现一种大画面的液晶显示装置，其能够应对高精细的像素间距，另外，抑制了公共电极的电阻的增加。

用于解决问题的手段

(1)一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和与所述TFT衬底对置的对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底为扫描线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域形成有像素电极，经由绝缘膜相对于所述像素电极形成有公共电极而成，其特征在于，第一公共电极在第一扫描线与第二扫描线之间沿所述第一方向延伸，第二公共电极在第二扫描线与第三扫描线之间沿所述第一方向延伸，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥而电连接，所述桥在俯视时覆盖第一图像信号线，所述桥在俯视时不覆盖第二图像信号线。

(2)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由金属布线形成。

(3)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第一图像信号线与所述第二图像信号线之间形成第一像素，在所述第一图像信号线与所述第一图像信号线之间形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的宽度比所述第二像素的所述第一方向上的宽度大。

(4)根据(1)所述的液晶显示装置，其特征在于，柱状间隔物形成于所述对置衬底，所述柱状间隔物在所述第二图像信号线的上方与所述TFT衬底侧接触。

(5)一种液晶显示装置，配置有TFT衬底和对置衬底，在所述TFT衬底与所述对置衬底之间夹持有液晶，所述TFT衬底中，扫描线沿第一方向延伸并沿第二方向排列，图像信号线沿第二方向延伸并沿第一方向排列，在由所述扫描线和所述图像信号线包围而成的区域形成有像素电极，隔着第二绝缘膜相对于所述像素电极形成有公共电极，所述对置衬底与所述TFT衬底对置并具有柱状间隔物，其特征在于，第一公共电极在第一扫描线与第二扫描线之间沿所述第一方向延伸，第二公共电极在第二扫描线与第三扫描线之间沿所述第一方向延伸，所述第一公共电极与所述第二公共电极通过桥电连接，所述桥在俯视时覆盖第一图像信号线，所述桥在俯视时不覆盖第二图像信号线，所述公共电极形成于第一绝缘膜之上，在所述第一绝缘膜之下形成有第一电极，在所述第一绝缘膜上，在与所述第一电极对应的部分形成有第一通孔，与所述公共电极同时形成的连接ITO覆盖所述第一通孔，且形成为与所述公共电极绝缘，与所述连接ITO对应地在所述第二绝缘膜上形成有第二通孔，所述像素电极与所述第一电极电连接，所述连接ITO在所述第一方向上具有宽度，所述连接ITO的所述第一方向上的中心存在于比所述第一图像信号线与所述第二图像信号线的间隔的中心靠所述第二图像信号线侧。

(6)根据(5)所述的液晶显示装置，其特征在于，所述桥由金属布线形成。

(7)根据(5)所述的液晶显示装置，其特征在于，在所述第一图像信号线与所述第二图像信号线之间形成第一像素，在所述第一图像信号线与所述第一图像信号线之间形成第二像素，所述第一像素的所述第一方向上的宽度比所述第二像素的所述第一方向上的宽度大。

附图说明

图1是应用了本发明的液晶显示装置的俯视图。

图2是图1的A-A剖视图。

图3是图1的通孔部附近的俯视图。

图4是实施例1的液晶显示装置的俯视图。

图5是图4的B-B剖视图。

图6是表示实施例1的特征的俯视图。

图7是表示实施例1的另一形态的剖视图。

图8是表示实施例2的特征的俯视图。

图9是图8的C-C剖视图。

图10是表示实施例2的特征的另一俯视图。

图11是表示实施例3的特征的俯视图。

图12是实施例4的剖视图。

图13是表示取向膜削减的发生原因的例子的示意剖视图。

图14是表示实施例4的特征的俯视图。

标号说明

10…扫描线，10、20…图像信号线，30…共用金属布线，40…连接ITO，50…柱状间隔物，100…TFT衬底，101…第一底层膜，102…第二底层膜，103…半导体层，104…栅极绝缘膜，105…栅电极，106…层间绝缘膜，107…接触电极，108…有机钝化膜，109…公共电极，110…电容绝缘膜，111…像素电极，112…取向膜，115…取向轴，120…通孔，130…有机钝化膜的通孔，131…电容绝缘膜的通孔，140…通孔，200…对置衬底，201…滤色片，202…黑矩阵， 203…保护膜，300…液晶层，301…液晶分子，1091…公共电极桥，D…漏极部，S…源极部

具体实施方式

以下，使用实施例详细说明本发明。

[实施例1]

图1是表示在本发明中使用的IPS方式的液晶显示装置的像素结构的俯视图。虽然IPS方式也存在多种，但由于将公共电极形成为平面状，在其上隔着绝缘膜配置梳齿状的像素电极，利用在像素电极与公共电极之间产生的电场使液晶分子旋转的方式能够相对地加大透射率，所以当前正成为主流。

在图1中，扫描线10沿横向延伸，并沿纵向以预定间距排列。扫描线10的纵向间距成为像素的纵向上的大小。另外，图像信号线20沿纵向延伸，并沿横向以预定间距排列。图像信号线20的横向间距成为像素的横向上的大小。

在像素内，带状的像素电极111沿纵向延伸。由于图1的像素间距小至30μm以下，所以虽然像素成为一条带状，但是如果像素间距变大，则像素电极成为具有缝隙的梳齿状电极。

从图像信号线20经由通孔和TFT向像素电极111供给影像信号。在图1中，经由通孔120连接图像信号线与半导体层103。半导体层103在图像信号线20之下延伸并通过扫描线10之下，弯曲并再次通过扫描线10之下，并经由通孔140与接触电极107连接。接触电极107经由通孔130和131与像素电极连接。半导体层103在通过扫描线10之下时形成TFT。在该情况下，扫描线10兼用作栅电极。因此，在图1中，从图像信号线20到像素电极111形成两个TFT，成为所谓的双栅方式。

在图1中，形成于取向膜的取向轴115的方向与像素电极111的延伸方向形成角度θ。形成角度θ的理由是由于在向像素电极111施加了电场时规定液晶分子的旋转方向。θ为5度至15度左右，优 选的是7度至10度。此外，有时也将取向轴115的方向设为图1的纵向，并使像素电极111的延伸方向倾斜θ。图1是液晶分子的介电常数各向异性为正的情况。液晶的介电常数各向异性为负的情况下的取向轴的角度成为从图1旋转了90度而成的方向。

在图1中，除了通孔的周围，公共电极形成在整个面上。在图1中，夹着扫描线而位于上方和下方的公共电极109经由公共电极桥1091连接。当高精细化而想要减小像素间距时，公共电极桥1091的存在会成为问题。

图2是图1的A-A剖视图。图2中的TFT是所谓的顶栅型TFT，作为使用的半导体，使用了LTPS(Low Temperature Poli-Si)。另一方面，使用了a-Si半导体的情况下，较多使用所谓的底栅方式的TFT。在以后的说明中，以使用了顶栅方式的TFT的情况为例进行说明，但对于使用了底栅方式的TFT的情况，也能够应用本发明。

在图2中，在玻璃衬底100之上，通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)形成由SiN构成的第一底层膜101和由SiO₂构成的第二底层膜102。第一底层膜101和第二底层膜102的作用是防止来自玻璃衬底100的杂质污染半导体层103。

在第二底层膜102之上形成半导体层103。该半导体层103是在第二底层膜102上通过CVD形成a-Si膜，并对其进行激光退火而转换成多晶硅膜的半导体层。通过光刻而对该多晶硅膜进行图案化。

在半导体膜103之上形成栅极绝缘膜104。该栅极绝缘膜104是基于TEOS(四乙氧基硅烷)的SiO₂膜。该膜也通过CVD形成。在其上形成栅电极105。栅电极105兼用作扫描线10。栅电极105例如由MoW膜形成。在需要减小栅电极105或扫描线10的电阻时，使用Al合金。

之后，覆盖栅电极105而利用SiO₂或SiN形成层间绝缘膜106。层间绝缘膜106用于将栅极布线105与接触电极107绝缘。半导体层103经由形成于栅极绝缘膜104与层间绝缘膜106的通孔120而与图像信号线20连接。另外，在层间绝缘膜106和栅极绝缘膜104 上，形成用于将TFT的源部S与接触电极107连接的接触孔140。形成于层间绝缘膜106和栅极绝缘膜104的接触孔120和接触孔140同时形成。

在层间绝缘膜106之上形成接触电极107。半导体层103在图像信号线20之下延伸，如图1和图2所示，在扫描线10即栅电极105之下通过两次。此时，形成TFT。即，在俯视时，夹着栅电极105形成有TFT的源极S和漏极D。接触电极107经由形成于层间绝缘膜106和栅极绝缘膜104的通孔140与半导体层103连接。

接触电极107和图像信号线20同时形成在同一层上。为了减小电阻，接触电极107和图像信号线20例如使用AlSi合金。由于AlSi合金会发生小丘(hillock)、Al会扩散到其他层，所以例如采用了如下构造：利用基于MoW的屏障层和覆盖层夹持AlSi。

覆盖接触电极107、图像信号线20以及层间绝缘膜106而形成有机钝化膜108。有机钝化膜108由感光性的丙烯酸树脂形成。除了丙烯酸树脂，有机钝化膜108也能够由有机硅树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等形成。由于有机钝化膜108具有作为平坦化膜的作用，所以形成得较厚。有机钝化膜108的膜厚为1～4μm，但是很多情况下是2～3μm左右。

为了取得像素电极111与接触电极107的导通，在有机钝化膜108上形成接触孔130，并且在后述的电容绝缘膜110上形成接触孔131。有机钝化膜108使用感光性树脂。涂敷感光性树脂后，如果对该树脂曝光，仅光照射的部分溶解到特定的显影液中。即，通过使用感光性树脂，能省略光致抗蚀剂的形成。在有机钝化膜108上形成接触孔130后，通过在230℃左右烧结而有机钝化膜108完成。

之后，通过溅射形成成为公共电极109的透明导电膜例如ITO(Indium Tin Oxide：氧化铟锡)，以从接触孔130及其周围除去ITO的方式进行图案化。公共电极109能够各像素共用地形成为平面状。但是，由于需要避开通孔130而形成，在减小像素间距的情况下，图1中的公共电极桥1091会成为问题。

此外，在本发明的实施例2中，与公共电极109的形成同时地，如图9所示，覆盖通孔130而形成连接ITO40。这是为了取得用于使接触电极107与像素电极接触的余量。在该情况下，连接ITO40与公共电极109需要绝缘。

返回图2，通过CVD将成为电容绝缘膜110的SiN形成在整个面上。之后，在接触孔130内，在电容绝缘膜110上形成用于取得接触电极107与像素电极111的导通的接触孔131。

之后，通过溅射形成ITO，进行图案化而形成像素电极111。在图1中示出像素电极111的平面形状的例子。通过苯胺印刷(flexographic printing)或喷墨等在像素电极111之上涂布取向膜材料，烧结而形成取向膜112。在取向膜112的取向处理中，除了摩擦法外，使用了利用偏振紫外线的光取向。

当在像素电极111与公共电极109之间施加电压时，产生图2所示的电力线。通过利用该电场使液晶分子301旋转，并按每个像素控制通过液晶层300的光的量，从而形成图像。

在图2中，夹持液晶层300而配置有对置衬底200。在对置衬底200的内侧形成有滤色片201。滤色片201按每个像素形成有红色、绿色、蓝色的滤色片，由此形成彩色图像。在滤色片201和滤色片201之间形成黑矩阵202，以提高图像的对比度。另外，黑矩阵202还具有作为TFT的遮光膜的作用，防止光电流流经TFT。

覆盖滤色片201和黑矩阵202而形成有保护膜203。由于滤色片201和黑矩阵202的表面形成为凹凸状，所以利用保护膜203使表面平坦。在保护膜203之上，形成有用于确定液晶的初始取向的取向膜112。与TFT衬底100侧的取向膜112同样地，取向膜112的取向处理使用摩擦法或光取向法。

此外，以上结构为例子，例如，根据品种，也有如下情况：在TFT衬底100上，在接触电极107或图像信号线20之间形成有利用SiN等的无机钝化膜。

图3是图1的通孔130附近的放大俯视图。在图3中，省略了 像素电极。在图3中，在通孔130的周围，在不形成公共电极109的区域成四方形的孔状存在，结果，夹着通孔130位于上侧的公共电极109与位于下侧的公共电极109利用公共电极桥1091连接。在想要减小像素间距的情况下，该公共电极桥1091的存在会成为问题。即，由于构成公共电极109的ITO的电阻率较大，所以公共电极桥1091的宽度需要比图像信号线20、半导体层103的宽度大，所以特别是在想要减小水平方向的像素间距的情况下会成为问题。

图4是应用了本实施例的情况下的像素的俯视图。图4与图1的不同点在于图4的上侧的公共电极109与下侧的公共电极109的连接方法。在图4中，公共电极109在通孔130的上侧和下侧沿横向呈带状延伸。在公共电极109之上，共用金属布线30以覆盖图像信号线20的方式沿纵向延伸。共用金属布线30用于减小公共电极109的电阻。

在图4中，上侧的公共电极109与下侧的公共电极109通过共用金属布线30电连接。即，共用金属布线30成为上侧公共电极109与下侧公共电极109的桥1091。由于共用金属布线30用MoCr、MoW或Al合金等金属形成，所以电阻比ITO小，能够减小布线宽度。也就是说，能够利用宽度小的共用金属布线30来连接上侧的公共电极109与下侧的共用电极109。图4中的更大的特征是如下点：用于桥1091的共用金属布线30隔一条图像信号线20而形成。由此，能够进一步减小像素的水平方向上的间距。由于图4的其他结构与图1相同，所以省略说明。

图5是图4的B-B剖视图，在图4中，包括有共用金属布线30作为公共电极109间的桥1091而具有作用的部分的剖视图。图5与图2的不同点在于：在左侧的有机钝化膜108之上，共用金属布线30延伸经过覆盖图像信号线20的部分，并与公共电极109连接。由于图5的其他点与图2相同，所以省略说明。

图6是放大了图4的通孔130附近而成的俯视图。在图6中，省略了像素电极。在图6中，通孔130的上侧的公共电极109与通 孔130的下侧的公共电极109通过共用金属布线30连接。另外，共用金属布线30形成为隔一条图像信号线20而覆盖图像信号线20。结果，图6中的像素的间距d2变得比图3中的像素的间距d1小。也就是说，在图6的结构中，能够应对更高精细的画面。

图7是表示本发明的其他方案的剖视图。图7是与图4的B-B剖面对应的剖视图。图7与图5的不同点在于：在覆盖图像信号线20的部分，连接公共电极109间的桥1091成为形成公共电极的ITO109与共用金属布线30的层叠构造。由于成为层叠，能够使桥1091的电阻比图5的情况稍小。另外，由于是层叠构造，能够使相对于桥1091的断线的余量提高。此外，由于公共电极109的图案化用光刻进行，所以不会成为工序负担。

在以上的本实施例中，公共电极109的桥1091为通过共用金属布线30连接，且与隔一条的图像信号线20对应地形成的结构。但是，在公共电极109的电阻不会成为大的问题的品种中，也可以不使用共用金属布线30，而利用隔一条图像信号线20形成公共电极109的ITO来形成桥1091。在该情况下，由于没有桥1091的部分存在，也能够缩小像素间距。

[实施例2]

图8是应用了本发明的、像素的通孔130附近的俯视图。在图8中，省略了像素电极。本实施例的像素整体的俯视图与图1相同，剖视图与图2相同。图8与图3的不同点在于：在通孔130的部分形成了连接ITO40，以及形成于电容绝缘膜110的通孔131的直径和位置。

当仅想在形成于有机钝化膜108的通孔130的底部形成电容绝缘膜110的通孔131时，需要加大通孔130的直径，不利于像素间距的缩小化。在本实施例中，通过使用与公共电极109同时形成的连接ITO40，使形成于电容绝缘膜110的通孔131的位置和形状具有自由度，由此，能够减小形成于有机钝化膜108的通孔130的直径。

在图8中，覆盖通孔130而形成连接ITO40。连接ITO40与公共电极109同时形成。因此，不会产生工序负担。但是，连接ITO40必须与公共电极109绝缘。这是由于连接ITO40与像素电极连接。覆盖连接ITO40和公共电极109而形成利用SiN的电容绝缘膜110，并在电容绝缘膜110上形成通孔131。在图8中，通孔131不是仅形成在通孔130的底部，也形成于通孔130的侧面和周围上表面的一部分。因此，在通孔130较小的情况下，也能够容易地形成通孔131。

图9是图8的C-C剖视图。在图8中，连接ITO40覆盖有机钝化膜108的通孔130而形成。覆盖连接ITO40而形成电容绝缘膜110，在电容绝缘膜110上形成通孔131。在该通孔131中，连接ITO40露出，并与像素电极连接。如图9所示，在本实施例中，由于即使形成于有机钝化膜108的通孔130较小，也能够将电容绝缘膜110的通孔131形成为较大，所以能够提高连接的可靠性。

但是，连接ITO40必须与公共电极109绝缘。由于连接ITO40与公共电极109形成在同一层中，所以，当用与公共电极109相同的ITO形成图8所示的、连结上侧的公共电极109与下侧的公共电极109的桥1091时，由于需要取足够的连接ITO40与公共电极109的间隔g1，所以像素间距的缩小化存在极限。

在本实施例中，如图10所示，上侧公共电极109与下侧公共电极109的连接用共用金属布线30来进行。而且，共用金属布线30隔一条图像信号线而形成。在不存在共用金属布线30的一侧，连接ITO40与公共电极109或共用金属布线30的绝缘的问题消失。因此，在图10中，在这一侧，仅注意间隔g2即可。

另一方面，在图10中，在存在共用金属布线30的一侧，需要确保连接ITO40与共用金属布线30的间隔g1。因此，通过将连接ITO40的水平方向上的中心位置相对于像素的中心位置向没有共用金属布线30的一侧偏移，能够减小像素的横向上的直径，因此，能够减小像素间距。

也就是说，在本实施例中，在能够减小形成于有机钝化膜108 的通孔130的直径的基础上，通过将连接ITO40的中心从像素的中心即图像信号线20间的中心偏移，能够进一步减小像素间距。

此外，与在实施例1说明的相同，可以将上侧的公共电极109与下侧的公共电极109的桥1091设为形成公共电极109的ITO与共用金属布线30的层叠的结构，或仅设为形成公共电极109的ITO的结构。

[实施例3]

图11是表示实施例3的像素的通孔130附近的俯视图。像素的基本结构和剖面以图1和图2的结构为标准。图11的特征在于红像素、绿像素、蓝像素中的一种颜色的水平方向的直径比其他像素的直径大。这是为了应对由顾客要求的白色画面的色调不同等情况。在图11中，蓝像素的直径比其他像素大。也就是说，在图11中，B>R＝G。但是，根据情况，红像素或绿像素有时也较大。

在图11中，夹着通孔130在上侧和下侧，公共电极109呈带状沿水平方向延伸。用共用金属布线30连接上侧的公共电极109与下侧的公共电极109的桥1091，桥1091用的共用金属布线30主要仅在像素的宽度较宽的蓝像素进行。图11的通孔130的结构与在图8至10中说明的结构相同。在图11中，在配置于共用金属布线30两侧的通孔130中，连接ITO40的水平方向上的中心存在于从共用金属布线30远离的方向。理由与在实施例2中描述的相同。

根据图11的结构，由于通过在与像素宽度较大的像素对应的部分形成桥1091的共用金属布线30，在其他部分不形成桥1091且形成连接ITO40，从而能够减小通孔130的直径，所以能够减小像素的间距。

另外，在图11中，与在实施例1说明的相同，可以将形成于像素较宽的部分的桥1091设为不是仅共用金属布线30，而是共用金属布线30和形成公共电极109的ITO的层叠。

此外，在图11中，仅在与像素宽度较大的像素对应的部分形成桥电极，但不限于此，即使在RGB的像素宽度相同的情况下，也可 以隔两条图像信号线20形成用于桥连接的共用金属布线30。在该情况下，通过形成为使连接ITO40的中心从桥1091远离，也能够进一步提高缩小像素间距的效果。

在以上的本实施例中，说明了在通孔130部分形成有连接ITO40的情况下的结构，但即使在不使用连接ITO40的结构中，本实施例也能够通过主要在宽度较宽的像素形成桥1091，从而整体上减小像素间距。

[实施例4]

在液晶显示装置中，需要规定TFT衬底与对置电极的间隔。一般来说，TFT衬底100与对置衬底200的间隔利用柱状间隔物来规定。图12是在本实施例中利用柱状间隔物50规定了TFT衬底100与对置衬底200的间隔的例子，形成于对置衬底200的柱状间隔物50规定了TFT衬底100与对置衬底200的间隔。柱状间隔物50与保护膜203同时形成在对置衬底200上。图12与图2的其他不同点在于：在TFT衬底100侧，在柱状间隔物50接触的部分，不存在公共电极109或桥1091。图12的其他结构与图2相同。

虽然柱状间隔物50的前端与形成于TFT衬底100的取向膜112接触，但由于该接触而取向膜112削减时，该切屑会成为亮点的原因。如图13所示，这样的削减在柱状间隔物50的前端接触的对置面不均匀的情况下特别容易产生。图13示出柱状间隔物50的尖端与桥1091的端部接触的情况，在存在桥1091的台阶的区域即图13的区域A中，容易产生取向膜112的削减。该桥1091有时是与公共电极109同时形成的ITO，有时是共用金属布线30。

图14是表示本实施例的特征的通孔130附近的俯视图。在图14中，省略了像素电极。在图14中，在不存在作为连结上侧的公共电极109与下侧的公共电极109的桥1091的、共用金属布线30或与公共电极109同时形成的ITO的部分，柱状间隔物50与TFT衬底100侧接触。通过设为这样的结构，由于能够在柱状间隔物50的前端排除图13所示的台阶，所以能够防止取向膜112的削减。由于图 14的其他结构与图6相同，所以说明省略。

本实施例的结构也能够应用于实施例2的图10的结构、实施例3的图11的结构等。即，柱状间隔物50的前端与TFT衬底100侧的图像信号线20之上且不形成与公共电极109同时形成的ITO或共用金属布线30的部分接触即可。