1.一种多畴垂直取向模式的液晶显示面板，其包括阵列基板，所述阵列基板上设置有多个像素单元，其中每个像素单元内设置有薄膜晶体管、耦合电容配线和公共电极配线，
每个像素单元包括具有第一子像素电极的第一子像素单元和具有第二子像素电极的第二子像素单元，第一子像素电极和第二子像素电极分别与所述公共电极配线形成存储电容；
在每一个像素单元中，所述第一子像素电极配置成与薄膜晶体管的漏极电性连接，且与所述耦合电容配线电性连接；所述第二子像素电极配置成与所述耦合电容配线形成耦合电容；
所述公共电极配线与所述第一子像素电极和所述第二子像素电极重叠，所述公共电极配线在所述第二子像素电极下方设有用于容纳所述耦合电容配线的镂空区域，所述耦合电容配线与所述公共电极配线绝缘，并且所述公共电极配线由透明导电层形成。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述耦合电容配线由透明导电层形成，且所述耦合电容配线与所述公共电极配线同层设置。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的栅极配线包括透明导电层和栅极金属。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管的漏极连通有第一过孔，所述耦合电容配线连通有第二过孔，所述第一子像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，且所述第一子像素电极通过所述第二过孔与所述耦合电容配线电性连接。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括彩膜基板，所述彩膜基板上设置有脊状突起物。
6.根据权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述阵列基板上的所述像素电极设置有切口。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一子像素单元通过所述脊状突起物和/或切口形成分为多个畴区的所述第一显示区；所述第二子像素单元通过所述脊状突起物和/或切口形成分为多个畴区的第二显示区。
8.一种多畴垂直取向模式的液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上沉积一层透明导电材料形成透明导电层后，连续沉积栅极金属形成栅极金属层；
采用多灰阶光罩工艺对透明导电层和栅极金属层进行刻蚀，像素区的栅极金属层刻蚀掉后露出的透明导电层形成公共电极配线和耦合电容配线，刻蚀后的薄膜晶体管区的透明导电层和栅极金属层形成双层结构的栅极配线；其中，所述公共电极配线在所述第二子像素电极下方设有用于容纳所述耦合电容配线的镂空区域，所述耦合电容配线与所述公共电极配线绝缘；
沉积一层栅极绝缘材料形成栅极绝缘层；
进行半导体层工艺和源漏极工艺，形成有源层、数据线和源漏极后，沉积一层钝化材料形成钝化层；
进行过孔工艺，其中，所述漏极连通有第一过孔，所述耦合电容配线连通有第二过孔，使得所述第一子像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的漏极电性连接，且通过所述第二过孔与所述耦合电容配线电性连接；
在所述钝化层上的像素区利用透明导电材料形成至少两个独立的子像素电极，每一个子像素电极分别与所述公共电极配线形成一个存储电容，第二子像素电极配置成与所述耦合电容配线形成耦合电容。
9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述多灰阶光罩工艺包括：
利用半透过的膜进行半曝光；
或，制作出曝光机解析度以下的微缝，通过该微缝部位遮住一部份的光源，以达成半曝光效果。