低温多晶硅阵列基板的制造方法与流程

本发明涉及液晶显示技术领域，特别地涉及一种低温多晶硅阵列基板的制造方法。

背景技术：

近年来，中小尺寸液晶显示器发展迅猛，液晶面板作为主流显示面板已广泛应用到人们日常生活和工作中。在液晶显示器行业的曝光制程中，需要通过曝光机的光罩进行电路图形定义，但是在曝光制程结束后基板需要经过400～600℃的高温制程，由于基板受到高温烘烤，会使基板发生热形变扩张的状况，而基板的形变会造成其上图形的形貌发生变化，使最终制程完成后的图形与目标值之间相差较大。

技术实现要素：

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，用于解决现有技术中存在的基板上的图案与目标值之间相差较大的技术问题。

本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，包括多道光刻制程，所述光刻制程包括以下步骤：

确定基板上多个目标点的期望位置；

确定第一道光刻制程的图形修正值；

对基板进行第一道光刻制程时，用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正，获得所述目标点的实际位置。

在一个实施方式中，所述图形修正值包括第一道光刻制程在x方向上的修正值tx以及在y方向上的修正值ty；

其中，x方向为基板的短边方向；

y方向为基板的长边方向。

在一个实施方式中，以所述基板的中心为原点，获得所有的所述目标点的期望位置坐标(ui，vj)；

其中，i为大于或等于1的整数；

j为大于或等于1的整数。

在一个实施方式中，所述目标点的实际位置坐标(xi，yj)满足下列定义式：

xi＝ui+ui×tx；

yj＝vj+vj×ty。

在一个实施方式中，还包括确定第一道光刻制程的点位修正值的步骤。

在一个实施方式中，用所述图形修正值对所述目标点的期望位置进行修正后，再用点位修正值进行修正；

不同的所述目标点采用的图形修正值相同，不同的所述目标点采用的点位修正值不同。

在一个实施方式中，所述点位修正值与所述图形修正值之和小于或等于曝光机镜头的最大行程。

在一个实施方式中，所述基板上至少有两个曝光区，每个所述曝光区内设置至少有4个目标点。

在一个实施方式中，所述目标点位于基板的显示区域最外围的边框上。

在一个实施方式中，采用扫描式曝光机进行光刻制程。

与现有技术相比，本发明的优点在于：通过采用图形修正值，在进行第一道光刻制程时对目标值进行了修正，即在进行第一道光刻制程时，是将目标图形预先进行形变后再制作在基板上，这样基板在经过高温烘烤之后，图形虽然还是会发生形变，但是由于制成的图形是带有形变量的图形，因此与目标图形之间的误差会降低很多，可控制在±1um之间，可以满足设计的需求。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。

图1是本发明的一个实施例中低温多晶硅阵列基板的制造方法的流程图；

图2是本发明的一个实施例中目标点的示意图；

图3是本发明的一个实施例中第一道光刻制程后的图形示意图；

图4是本发明的一个实施例中最终制程完成后的图形示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明作进一步说明。

如图1所示，本发明提供一种低温多晶硅阵列基板的制造方法，其包括多道光刻制程，该光刻制程包括以下步骤：

第一步，确定基板上多个目标点的期望位置。

其中，目标点位于基板的显示区域(aa区)最外围的边框上。如图2所示，图中4指示的阴影部分即为aa区，图中5指示的部分为曝光区，图中包括四个曝光区。

图2中数字1-32表示的为选取的目标点。如图2所示，分别在每个曝光区5选取8个点，且分别位于曝光区5的四个拐角处以及长边的中点和短边的中点处，共32个点。左下角为第1点，并按从左至右蛇形排序的方式选取其余的目标点，左上角为第32点。左下方的曝光区5包括第1、2、3、9、10、11、12、13点，共8个点。

具体地，目标点的期望位置用坐标的形式来表述。例如，以基板的中心为原点，可获得所有的目标点的期望位置坐标(ui，vj)；其中，i为大于或等于1的整数；j为大于或等于1的整数。

例如，基板尺寸为1850mm×1500mm，则第1点的坐标为(-925，750)。

第二步，确定第一道光刻制程的图形修正值。

进一步地，图形修正值包括第一道光刻制程在x方向上的修正值tx以及在y方向上的修正值ty；其中，x方向为基板的短边方向；y方向为基板的长边方向。

对发生变形后的基板进行了分析，并测量和采集上述目标点的偏移量，根据这些目标点的偏移量，经过反推计算可获得图形修正值。

具体来说，根据多次实验的结果，可统计获得低温多晶硅阵列基板制造完成后获得的变形情况，即制程完成后(最终站点时)，其变形的方向为尺寸缩小，且其变形量均在一定的范围之内，那么根据上述的变化规律，可反推制程开始前(首站点时)目标值的坐标位置，以及根据最终站点的歪曲形貌，计算首站点的歪曲形貌。以第1点为例，经过统计后获得，最终站点时，该目标点在x方向上的偏移量为-0.8μm，说明该点热收缩能力较正常点偏弱，因此需要在首站点时使其多收缩0.8μm,即在首站点时，对第1点的期望位置进行修正，且修正后，其坐标向x正方向偏移0.8μm，那么就可使最终制程完成后，即最终站点时获得的实际位置与期望位置之间的误差在可接受的范围之内(±1μm)。

由于曝光机的镜头中可显示的区域为10×10的正方形，那么第1点修正值的极大值为10ppm(百万分之一)，采用该极大值进行修正后，其偏移量并未达到上述期望的偏移量0.8μm，因此可减小该极大值，并以新的偏移量进行偏移，重复多次上述的过程，即可获得最优的偏移量。

如下表所示，本发明提供了3种最优的图形修正值，如下表1所示。

表1图形修正值

需要说明的是，上述表1中的第一列为玻璃基板的采样量，即选用当前数量的玻璃基板进行试验后，获得的修正值。

基板发生变形后，图形一般在目标图形的基础上会产生外扩的现象，采用图形修正值的目的是为了使第一道光刻制程后的图形是在目标图形的基础上进行了放大，那么在完成后续的制程之后，图形会有一定程度的缩小，即可缩小到目标图形的范围之内，且误差可控制在±1um的范围之内。从而改变了传统的外扩图形，使实际的图形得到了优化，改善了基板的形变造成的图形形貌与目标图形相差较大现象。

第三步，对基板进行第一道光刻制程时，用图形修正值对目标点的期望位置进行修正，获得目标点的实际位置。

进一步地，进行修正时，目标点的实际位置坐标(xi，yj)满足下列定义式：

xi＝ui+ui×tx；

yj＝vj+vj×ty。

例如，选取修正条件1进行修正，tx＝7.8×10^-6；ty＝8.4×10^-6。第1点的期望位置坐标为(-925，-750)，经过修正后，实际位置坐标为(x1，y1)，其中，x1＝-925+(-925×7.8×10^-6)，y1＝-750+(-750×8.4×10^-6)。类似的可获得其余目标点的实际位置坐标。经过修正后的图形位于目标图形的外部，即修正后的图形是扩大了目标图形。

需要说明的是，在此步骤中，不同的目标点采用相同的图形修正值。

在一个实施例中，基板上至少有两个曝光区5，每个曝光区5内设置至少有4个目标点。由于受到成本等因素的影响，在进行曝光制程时，对基板采取分区曝光的形式，如图2所示，本发明以一个基板上有4个曝光区5为例进行说明。

由于基板在变形过程中，各个点的位移量不同，因此最终制成完成后，有的点位于目标图形的外部，有的点位于目标图形的内部，因此还需要进行点位修正。

具体的做法是：

确定第一道光刻制程的点位修正值。

在图形修正值对目标点的期望位置进行修正的基础上，再用点位修正值进行修正。

需要说明的是，在此步骤中，不同的目标点采用不同的点位修正值。

进一步地，点位修正值也包括位于x方向上的修正值和位于y方向上的修正值；且点位修正值与所述图形修正值之和小于或等于曝光机镜头在该方向上的最大行程。

根据第二步中，对发生变形后的基板进行了分析，并测量和采集上述目标点的偏移量，可获知上述32个点的偏移量和偏移方向是一定的，而采用点位修正值的目的是为了对这些经过修正图形修正后还是无法满足偏移条件的点进行修正。以第1点为例，其偏移量为1.5um，但是经过图形修正后，由于受到曝光机的最大行程的限制，因此只能将其从目标位置偏移0.9um，那么就需要用采用点位修正，将其继续进行偏移，直至偏移量为1.5um为止。

因此对上述32个点进行点位修正，能够使最终制程完成后获得的图形与目标图形之间的误差更小。

在上述图形修正的基础上，采用点位修正值分别对这32个点进行点位修正。即可获得相应的第一道光刻制程后的图案，如图3所示，图中1指示的为虚线框，表示目标图形，图中2指示的为实线框，表示第一道光刻制程后的图形。

在经过12-14道光刻制程以及高温制程之后，虽然图形由于受到基板变形的影响而缩小，但由于预先进行了修正，因此最终得到的图形恰好位于目标图形之内，且二者的误差在±1um之内，如图4所示，图中1指示的为虚线框，表示目标图形，图中3指示的为实线框，表示全部制程完成后的图形。

在一个实施例中，采用扫描式曝光机进行光刻制程。

虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。