阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

本公开的实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

背景技术：

目前，在不增加电子设备的尺寸的前提下，为了增大显示屏的尺寸，越来越多的生产厂家致力于研究无边框的显示屏。

技术实现要素：

本公开的实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，能够减少栅极、黑矩阵和金属布线等对环境光的反射，从而提升显示装置的显示效果。

根据本公开的实施例的第一方面，提供一种阵列基板，其包括：透明基板，其中，所述透明基板具有第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面；以及位于所述透明基板的所述第一侧表面上的光反射结构，其中，所述透明基板的所述第二侧表面具有粗糙区域，所述粗糙区域与所述光反射结构在所述透明基板上的正投影重合。

在本公开的实施例中，所述粗糙区域为所述透明基板的基体材料的表面的一部分。

在本公开的实施例中，所述光反射结构包括黑矩阵和导电结构。

在本公开的实施例中，所述导电结构包括形成在所述透明基板上的数据线、数据引线、栅极线和栅极引线。

在本公开的实施例中，所述透明基板的基体材料为玻璃。

根据本公开的实施例的第二方面，提供一种包括在本公开的实施例的第一方面中描述的阵列基板的显示面板。

根据本公开的实施例的第三方面，提供一种制备阵列基板的方法，包括：提供透明基板，其中，所述透明基板具有第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面，在所述透明基板的所述第一侧表面上设置有光反射结构；以及粗糙化所述透明基板的所述第二侧表面以形成粗糙区域，其中，所述粗糙区域与所述光反射结构在所述透明基板上的正投影重合。

在本公开的实施例中，所述粗糙区域为所述透明基板的基体材料的表面的一部分。

在本公开的实施例中，所述粗糙化包括：在所述透明基板的所述第二侧表面形成保护层；对所述保护层进行构图，以形成图案化的保护层，其中，所述图案化的保护层具有开口，所述开口与所述光反射结构在所述透明基板上的正投影重合；粗糙化所述透明基板的所述第二侧表面的由所述开口暴露的部分以形成所述粗糙区域；以及去除所述图案化的保护层。

在本公开的实施例中，所述保护层的材料为负性光致抗蚀剂，以及所述构图包括使用所述光反射结构为掩模曝光所述负性光致抗蚀剂。

在本公开的实施例中，粗糙化所述透明基板的所述第二侧表面的由所述开口暴露的部分以形成所述粗糙区域包括湿法或干法蚀刻。

在本公开的实施例中，所述透明基板的基体材料为玻璃。

在本公开的实施例中，所述湿法蚀刻使用包括蒙砂粉、氢氟酸和盐酸的蚀刻剂。

在本公开的实施例中，所述干法蚀刻使用he、cf4、h2或o2的等离子体。

在本公开的实施例中，所述光反射结构包括黑矩阵和导电结构。

在本公开的实施例中，所述导电结构包括形成在所述透明基板上的数据线、数据引线、栅极线和栅极引线。

在本公开的实施例中，提供了一种在透明基板的基体材料表面具有粗糙区域的阵列基板，能够减少透明基板上的栅极、黑矩阵和金属布线对环境光的反射，从而提升显示装置的显示效果。

适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解，本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解，本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。

附图说明

本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的，并不是所有可能的实施方式，并且不旨在限制本申请的范围，其中：

图1是示意性示出一种无边框显示面板的截面示意图；

图2是示意性示出根据本公开实施例的阵列基板的截面示意图；

图3是示意性示出根据本公开实施例的显示面板的结构示意图；

图4是示意性示出根据本公开实施例的制备阵列基板的方法的流程图；

图5是示意性示出根据本公开实施例的形成保护层的截面示意图；

图6是示意性示出根据本公开实施例的形成图案化的保护层的截面示意图；

图7是示意性示出根据本公开实施例的形成粗糙区域的截面示意图；

图8是示意性示出环境光入射到根据本公开实施例的阵列基板时的反射光路图；以及

图9是示意性示出根据本公开实施例的阵列基板的截面示意图。

贯穿这些附图的各个视图，相应的参考编号指示相应的部件或特征。

具体实施方式

首先，需要说明的是，除非上下文中另外明确地指出，否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数，反之亦然。因而，当提及单数时，通常包括相应术语的复数。相似地，措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地，术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的，除非本文中另有说明。在本文中使用术语“实例”之处，特别是当其位于一组术语之后时，所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的，且不应当被认为是独占性的或广泛性的。

另外，还需要说明的是，在本公开的描述中，术语“上”、“之上”、“下”、“之下”、“顶”、“底”、“之间”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。此外，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在该另一元件或层上，或者可以存在中间的元件或层；同样，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在该另一元件或层下，或者可以存在至少一个中间的元件或层；当元件或层被称为在两元件或两层“之间”时，其可以为该两元件或两层之间的唯一的元件或层，或者可以存在一个以上的中间元件或层。

本公开中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本公开精神的情况下，可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如，所述步骤可以以不同的顺序进行，或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。

现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。

图1示出一种无边框显示面板，其中，彩膜基板的相对两侧分别设置有背光模组和阵列基板，阵列基板作为显示侧。当环境光较强时，阵列基板对光的反射较强，导致反光比较明显，由此会影响显示装置的显示效果。

在本公开的实施例中，提供了一种阵列基板。该阵列基板的透明基板的表面具有粗糙区域，能够减少透明基板上的不希望的反光结构(例如，黑矩阵和导电结构)对环境光的反射，从而提升显示装置的显示效果。

图2是示意性示出根据本公开实施例的阵列基板的截面示意图。如图2所示，阵列基板10包括：透明基板1，该透明基板1具有第一侧表面11和与第一侧表面11相对的第二侧表面12；以及位于透明基板1的第一侧表面11上的多个光反射结构2。透明基板1的第二侧表面12具有多个粗糙区域13，该粗糙区域13与光反射结构2在透明基板1上的正投影重合。在本公开的实施例中，粗糙区域13为透明基板1的基体材料的表面的一部分。作为一个示例，透明基板1的基体材料可以为玻璃。在本公开的实施例中，光反射结构2可以包括黑矩阵和导电结构。作为一个示例，导电结构可以包括形成在透明基板1上的数据线、数据引线、栅极线和栅极引线。在本公开的实施例中，光反射结构2可以由金属材料制成。

在本公开的实施例中，当环境光入射到阵列基板10的透明基板1上时，由于透明基板1具有粗糙区域13，入射到粗糙区域13的光产生漫反射，从而减弱光反射结构2对环境光在某一方向上的反射，由此能够提升显示装置的显示效果。

在本公开的实施例中，提供了一种显示面板。图3是示意性示出根据本公开实施例的显示面板的结构示意图。如图3所示，显示面板100包括如图1所示的阵列基板10，从而能够提升显示面板100的显示效果。

在本公开的实施例中，提供了一种制备阵列基板的方法。能够制备出在透明基板的基体材料的表面具有粗糙区域的阵列基板，从而提升显示装置的显示效果。

图4是示意性示出根据本公开实施例的制备阵列基板的方法的流程图。如图4所示，在步骤s401中，提供透明基板；以及在步骤s402中，在透明基板的表面上形成保护层。图5是示意性示出根据本公开实施例的制备保护层的截面示意图。如图5所示，提供透明基板1，该透明基板1具有第一侧表面11和与该第一侧表面11相对的第二侧表面12，并且在透明基板1的第一侧表面11上设置有多个光反射结构2。接着，在透明基板1的第二侧表面12上形成保护层4。

如图4所示，在步骤s403中，对保护层进行构图。图6是示意性示出根据本公开实施例的形成图案化的保护层的截面示意图。在本公开的实施例中，对保护层4进行构图，以形成图案化的保护层41。具体地，以光反射结构2为掩模，使用例如紫外线的辐射对保护层4进行曝光。在本公开的实施例中，保护层4的材料为负性光致抗蚀剂。在本公开的实施例中，图案化的保护层41具有多个开口42，其中，开口42与光反射结构2在透明基板1上的正投影重合。

在本公开的实施例中，光反射结构2可以包括黑矩阵和导电结构。作为一个示例，导电结构可以包括形成在透明基板1上的数据线、数据引线、栅极线和栅极引线。在本公开的实施例中，光反射结构2可以由金属材料制成。

如图4所示，在步骤s404中，形成粗糙区域。图7是示意性示出根据本公开实施例的形成粗糙区域的截面示意图。在本公开的实施例中，粗糙化透明基板1的第二侧表面12以形成粗糙区域13。具体地，如图7所示，粗糙化透明基板1的第二侧表面12的由开口42暴露的部分以形成粗糙区域13。在本公开的实施例中，粗糙区域13为透明基板1的基体材料的表面的一部分。作为一个示例，透明基板1的基体材料为玻璃。在本公开的实施例中，上述粗糙化可以包括湿法或干法蚀刻。

作为一个示例，湿法蚀刻使用包括蒙砂粉、氢氟酸和盐酸的蚀刻剂。具体地，将蒙砂粉、氢氟酸和盐酸混合以配制蚀刻剂，将该蚀刻剂至少施加(例如，喷淋)到透明基板1的第二侧表面12的由开口42暴露的部分，以使该部分与蚀刻剂充分反应，从而形成粗糙区域13。

作为一个示例，干法蚀刻使用he、cf4、h2或o2的等离子体。具体地，在干法蚀刻设备中使用he、cf4、h2或o2的等离子体对透明基板1的第二侧表面12的由开口42暴露的部分进行物理轰击，从而形成粗糙区域13。

如图4所示，在步骤s405中，去除图案化的保护层。具体地，去除图案化的保护层41，从而制备出如图2所示的阵列基板10。

图8是示意性示出环境光入射到根据本公开实施例的阵列基板时的反射光路图。如图8所示，当环境光入射到阵列基板10上时，入射到粗糙区域13的光产生漫反射，以使环境光被反射到多个方向，从而减少环境光在某一方向上的反射，由此提升显示装置显示效果。

图9示出当导电结构为栅极线和栅极引线时的阵列基板的截面示意图。如图9所示，阵列基板20包括：透明基板1，其中，该透明基板1具有第一侧表面11和与该第一侧表面11相对的第二侧表面12；位于透明基板1的第二侧表面12上的粗糙区域13；位于透明基板1的第一侧表面11上的栅极线21和栅极引线22，其中，栅极线21和栅极引线22的材料为金属；位于透明基板1的第一侧表面11、栅极线21和栅极引线22上的栅极绝缘层3；位于栅极绝缘层3上的有源层6和源/漏电极层7；位于栅极绝缘层3、有源层6和源/漏电极层7上的钝化层5；以及通过钝化层5中的过孔连接源/漏电极层7的导电接触8。当环境光照射到透明基板1上时，光在粗糙区域13上产生漫反射，能够减少由金属制成的栅极线21和栅极引线22对环境光在某一方向上的反射，从而提升包括阵列基板20的显示装置的显示效果。

在本公开的实施例中，阵列基板的透明基板的基体材料的表面具有粗糙区域，能够减少透明基板上的黑矩阵、栅极线、栅极引线、数据线和数据引线等对环境光在某一方向上的反射，从而提升显示装置的显示效果。

以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例，但是，在合适的情况下，这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中，即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请，并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。