一种显示基板及其制备方法和液晶显示组件与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法和液晶显示组件。

背景技术：

液晶显示装置是一种在两个相对的基板间设置液晶层，利用电光效应来显示图像的装置。其具有色域高、轻薄化、响应时间快等优点，在理论研究和实际工艺方面都有着成熟的技术。

技术实现要素：

本发明的主要目的在于，提供一种显示基板及其制备方法和液晶显示组件。用于解决相关技术中第一驱动电路中的栅线和数据线以及第二驱动电路中的栅线和数据线之间的距离较大，使得第一驱动电路和第二驱动电路中的栅线和数据线与黑矩阵图案共同作用所产生的摩尔纹、彩虹纹不良的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一方面，本发明实施例提供一种显示基板，具有显示区，所述显示区包括多个显示子区，每个显示子区包括至少一个第一亚像素区；所述显示基板包括：第一基板、设置在所述第一基板的第一侧且位于所述第一亚像素区的第一像素电极和设置在所述第一基板的第二侧且位于所述显示子区的第二像素电极，以及均设置于所述第一基板的第一侧或第二侧的第一驱动电路和第二驱动电路；

其中，所述第一侧和所述第二侧是所述第一基板沿自身厚度方向的相对两侧；所述第一驱动电路包括交叉设置的第一栅线和第一数据线、以及第一薄膜晶体管，所述第一栅线和所述第一数据线通过所述第一薄膜晶体管与所述第一像素电极耦接；所述第二驱动电路包括交叉设置的第二栅线和第二数据线、以及第二薄膜晶体管，所述第二栅线和所述第二数据线通过所述第二薄膜晶体管与所述第二像素电极耦接。

可选的，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路均位于所述第一基板的第一侧；所述第一基板上具有第一过孔，所述显示基板还包括：设置于所述第一基板上的第一过孔中的第一电连接件；所述第二薄膜晶体管通过所述第一电连接件与所述第二像素电极耦接。

可选的，所述第一栅线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二栅线和第二薄膜晶体管的栅极属于同一图案层；所述第一数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二数据线和第二薄膜晶体管的源极和漏极属于同一图案层；或者，沿逐渐靠近所述第一基板的方向，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路依次设置。

可选的，所述第二薄膜晶体管为底栅型薄膜晶体管；所述显示基板还包括与每个第二薄膜晶体管的源极或漏极耦接的第一连接部，所述第一连接部与所述第二薄膜晶体管的栅极属于同一图案层，并通过设置于所述第一基板中的第一过孔与所述第二像素电极耦接。

可选的，每个显示子区还包括一个第二亚像素区；所述显示基板还包括：设置在所述第一基板的第一侧且位于所述第二亚像素区的第三像素电极；位于同一个显示子区的第三像素电极和第二像素电极与同一个所述第二薄膜晶体管耦接。

可选的，沿第一方向依次排列的至少三个连续的第一亚像素区组成一个像素区；每个显示子区包括2n个像素区，n为大于或等于1小于或等于8的正整数；2n个像素区沿所述第一方向依次排列成一排，所述第二亚像素区位于2n个像素区的中间位置；或者，2n个像素区包括沿第二方向依次排列的两排像素区，每排像素区包含沿第一方向依次排列的n个像素区，所述第二亚像素区位于两排像素区之间，所述第二方向垂直于所述第一方向。

可选的，所述显示基板还包括金属线栅偏振层，所述金属线栅偏振层位于所述第一基板的第一侧或第二侧。

可选的，在所述第一栅线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二栅线和第二薄膜晶体管的栅极属于同一图案层；所述第一数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二数据线和第二薄膜晶体管的源极和漏极属于同一图案层的情况下，所述金属线栅偏振层设置于所述第一基板的第二侧；在沿逐渐靠近所述第一基板的方向，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路依次设置的情况下，所述金属线栅偏振层设置于所述第一驱动电路和所述第二驱动电路之间。

可选的，在沿逐渐靠近所述第一基板的方向，所述第一驱动电路和所述第二驱动电路依次设置的情况下，所述显示基板还包括设置于所述金属线栅偏振层和所述第一驱动电路之间的第一平坦层，和设置于所述金属线栅偏振层和所述第二驱动电路之间的第二平坦层。

可选的，在所述第一基板上具有第一过孔，所述显示基板还包括第一连接部和第一电连接件，且所述金属线栅偏振层设置于所述第一基板的第二侧的情况下，所述金属线栅偏振层设置于所述第一基板和所述第二像素电极之间，且所述金属线栅偏振层在对应所述第一过孔的位置设置有开口；所述显示基板还包括设置于所述金属线栅偏振层和所述第二像素电极之间的保护层，所述保护层用于对所述金属线栅偏振层和所述第二像素电极进行绝缘，并覆盖所述开口的侧壁；所述保护层在对应所述开口处设置有第二过孔，所述第二过孔和所述第一过孔连通；所述显示基板还包括：设置于所述保护层上的所述第二过孔中的第二电连接件；所述第二薄膜晶体管通过所述第一连接部、第一电连接件和第二电连接件与所述第二像素电极耦接。

另一方面，本发明实施例提供一种液晶显示组件，包括：如上所述的显示基板；与所述显示基板沿所述显示基板的厚度方向层叠设置的第二基板和第三基板，其中，所述第一基板上的第一像素电极朝向所述第二基板，所述第一基板上的第二像素电极朝向所述第三基板；以及，设置于所述显示基板和所述第二基板之间的第一液晶层；和设置于所述显示基板和所述第三基板之间的第二液晶层。

可选的，所述液晶显示组件还包括黑矩阵图案；所述黑矩阵图案设置于所述第二基板上，且所述黑矩阵图案在所述第一基板上的正投影覆盖所述第一驱动电路和第二驱动电路在所述第一基板上的正投影。

再一方面，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括显示区，所述显示区包括多个显示子区，每个显示子区包括至少一个第一亚像素区；所述制备方法包括：在第一基板的第一侧或第二侧形成第一驱动电路和第二驱动电路；在第一基板的第一侧形成位于第一亚像素区的第一像素电极；在第一基板的第二侧形成位于显示子区的第二像素电极；其中，所述第一驱动电路包括交叉设置的第一栅线和第一数据线、以及第一薄膜晶体管，所述第一栅线和所述第一数据线通过所述第一薄膜晶体管与所述第一像素电极耦接；所述第二驱动电路包括交叉设置的第二栅线和第二数据线、以及第二薄膜晶体管，所述第二栅线和所述第二数据线通过所述第二薄膜晶体管与所述第二像素电极耦接。

可选的，在所述第一基板上形成第一驱动电路和第二驱动电路，包括：在所述第一基板上形成第一导电薄膜，并对第一导电薄膜图案化第一图案层，所述第一图案层包括：所述第一栅线、所述第一薄膜晶体管的栅极、所述第二栅线和第二薄膜晶体管的栅极；以及，在所述第一基板上通过同一次构图工艺形成所述第一数据线、所述第一薄膜晶体管的源极和漏极、所述第二数据线和第二薄膜晶体管的源极和漏极。

或者，在所述第一基板的第一侧形成所述第二驱动电路；在形成有所述第二驱动电路的第一基板的第一侧形成所述第一驱动电路。

可选的，在所述第一基板上形成第二像素电极之前，所述制备方法还包括：在所述第一基板上形成第一过孔，并在所述第一过孔中形成第一电连接件，以使得所述第二薄膜晶体管通过形成在所述第一过孔中的第一电连接件与所述第二像素电极耦接。

本发明实施例提供一种显示基板及其制备方法和液晶显示组件。通过将第一驱动电路和第二驱动电路制作于第一基板的同一侧，与相关技术中，第一驱动电路和第二驱动电路分别位于第一基板的第一侧和第二侧，使得第一驱动电路中的栅线和数据线(如第一栅线和第一数据线)和第二驱动电路中的栅线和数据线(如第二栅线和第二数据线)之间的间距大于第一基板的厚度(500微米以上)相比，能够减小第一驱动电路中的栅线和数据线与第二驱动电路中的栅线和数据线之间的间距，从而能够改善第一驱动电路中的栅线和数据线与第二驱动电路中的栅线和数据线之间的距离较大，使得第一驱动电路和第二驱动电路中的栅线和数据线与黑矩阵图案共同作用所产生的摩尔纹、彩虹纹不良的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种液晶显示装置的剖视结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种液晶显示装置的剖视结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种液晶显示组件的俯视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种基于图1中的液晶显示组件的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种相关技术中的液晶显示组件的剖视结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种液晶显示组件的剖视结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种基于图6中的液晶显示组件的俯视结构示意图；

图8为本发明实施例提供的另一种液晶显示组件的剖视结构示意图；

图9为本发明实施例提供的一种基于图7中的液晶显示组件的俯视结构示意图；

图10为本发明实施例提供的一种液晶显示组件的俯视结构示意图；

图11为本发明实施例提供的另一种液晶显示组件的俯视结构示意图；

图12为本发明实施例提供的一种在第一基板上形成第一导电薄膜的结构示意图；

图13为本发明实施例提供的在图12基础上形成第一图案层的结构示意图；

图14为本发明实施例提供的一种在第一基板上形成第二导电薄膜的结构示意图；

图15为本发明实施例提供的在图14基础上形成第二图案层的结构示意图；

图16为本发明实施例提供的在基板上形成第二驱动电路的结构示意图；

图17为本发明实施例提供的在图16基础上形成第一驱动电路的结构示意图；

图18为本发明实施例提供的在图17基础上形成第一像素电极的结构示意图；

图19为本发明实施例提供的在图18基础上形成第二像素电极的结构示意图；

图20为本发明实施例提供的在图17基础上形成第一过孔的结构示意图；

图21为本发明实施例提供的在图20基础上形成第一电连接件的结构示意图；

图22为本发明实施例提供的在图15基础上形成金属线栅偏振层的结构示意图；

图23为本发明实施例提供的在图22基础上形成开口的结构示意图；

图24为本发明实施例提供的在图23基础上形成保护层的结构示意图；

图25为本发明实施例提供的在图15基础上形成可去除的保护层的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

本发明的实施例提供一种液晶显示装置，参见图1和图2，包括：液晶显示组件100，以及背光模组200。

如图3所示，该液晶显示组件100具有显示区(activearea，简称为aa区)a和围绕显示区a设置的周边区s，该显示区a包括多个显示子区an，每个显示子区an包括至少一个第一亚像素区q1。周边区s为液晶显示组件100中除显示区a以外的区域，用于布线，此外，也可将栅极驱动电路设置于周边区s。

如图1和图2所示，该液晶显示组件100包括显示基板1，沿显示基板1的厚度方向，与显示基板1层叠设置的第二基板2和第三基板3，以及设置于显示基板1和第二基板2之间的第一液晶层4，和设置于显示基板1和第三基板3之间的第二液晶层5。

如图1、图2、图3和图4所示，该显示基板1包括第一基板11，设置于第一基板11的第一侧a且位于第一亚像素区q1的第一像素电极12，设置于第一基板11的第二侧b且位于显示子区an的第二像素电极13，以及均设置于该第一基板11的第一侧a或第二侧b的第一驱动电路14和第二驱动电路15；其中，该第一基板11的第一侧a和第二侧b是该第一基板11沿自身厚度方向的相对两侧。如图1和图4所示，该第一驱动电路14包括交叉设置的第一栅线141和第一数据线142，以及第一薄膜晶体管tft1，第一栅线141和第一数据线142通过第一薄膜晶体管tft1与第一像素电极12耦接，该第二驱动电路15包括交叉设置的第二栅线151和第二数据线152，以及第二薄膜晶体管tft2，第二栅线151和第二数据线152通过第二薄膜晶体管tft2与第二像素电极13耦接。

其中，根据该第二基板2和第三基板3分别设置于第一基板11的第一侧a还是第二侧b，有两种可能的情况。

第一种情况，如图1所示，该第二基板2可以设置于该第一基板11的第一侧a，该第三基板3设置于第一基板11的第二侧b，即，该第一基板11上的第一像素电极12朝向该第二基板2，该第一基板11上的第二像素电极13朝向第三基板3；在此情况下，显示基板1、第二基板2和第一液晶层组4成第一液晶盒，显示基板1、第三基板3和第二液晶层5组成第二液晶盒，而根据每个显示子区an包括至少一个第一亚像素区q1可以得知：一个第二像素电极13与一个或多个第一像素电极12对应，即，第二液晶盒作为控光层，第一液晶盒作为显示层，因此，该背光模组200可以设置于第三基板3远离显示基板1的一侧，此时，在该液晶显示组件100还包括黑矩阵图案bm的情况下，该黑矩阵图案bm可以设置于第二基板2或第一基板11上。如图1所示，仅示出了该黑矩阵图案bm设置于第二基板2上的情形。

第二种情况，如图2所示，该第二基板2可以设置于第一基板11的第二侧b，第三基板3设置于第一基板11的第一侧a，即，该第一基板11上的第一像素电极12朝向该第三基板3，该第一基板11上的第二像素电极13朝向第二基板2；在此情况下，显示基板1、第三基板3和第二液晶层5组成第一液晶盒，显示基板1、第二基板2和第一液晶层4组成第二液晶盒，此时，该背光模组200可以设置于第二基板2远离显示基板1的一侧。这时，在该液晶显示组件还包括黑矩阵图案bm的情况下，该黑矩阵图案bm可以设置于第三基板3或第一基板11上。如图2所示，仅示出了该黑矩阵图案bm设置于第三基板3上的情形。

无论以上哪一种情况，由于该第一驱动电路14和第二驱动电路15均位于第一基板11的第一侧a或第二侧b，即，该第一驱动电路14和第二驱动电路15位于第一基板11的同一侧，与相关技术中，如图5所示，第一驱动电路14和第二驱动电路15分别位于第一基板11的第一侧a和第二侧b，使得第一驱动电路14中的栅线和数据线(如第一栅线141和第一数据线142)和第二驱动电路15中的栅线和数据线(如第二栅线151和第二数据线152)之间的间距大于第一基板11的厚度(500微米以上)相比，能够减小第一驱动电路14中的栅线和数据线与第二驱动电路15中的栅线和数据线之间的间距，从而能够改善第一驱动电路14中的栅线和数据线与第二驱动电路15中的栅线和数据线之间的距离较大，使得第一驱动电路14和第二驱动电路15中的栅线和数据线与黑矩阵图案bm共同作用所产生的摩尔纹、彩虹纹不良的问题。

在此，以以上所述的第一种情况为例，在该液晶显示组件100还包括黑矩阵图案bm的情况下，如图1所示，该黑矩阵图案bm设置于第二基板2上，且该黑矩阵图案bm在第一基板11上的正投影覆盖第一驱动电路14和第二驱动电路15在第一基板11上的正投影。

即，该显示基板1、第二基板2和第一液晶层4组成第一液晶盒的情况。

在此情况下，如图1所示，该第一驱动电路14和第二驱动电路15均位于第一基板11的第一侧a。该第一基板11上具有第一过孔o1，该显示基板1还包括：设置于第一基板11上的第一过孔o1中的第一电连接件f1，该第二薄膜晶体管tft2通过该第一电连接件f1与第二像素电极13耦接。

与第一驱动电路14和第二驱动电路15均位于第一基板11的第二侧b相比，还能够减小黑矩阵图案bm与第一驱动电路14和第二驱动电路15之间的间距，基于此，还能够避免由于黑矩阵图案bm与第一驱动电路14和第二驱动电路15之间的间距过大，造成摩尔纹、彩虹纹不良的问题。

在以上结构基础上，第一驱动电路14和第二驱动电路15位于该第一基板11的同一侧，可以有多种实现方式，在此，仅以该第一驱动电路14和第二驱动电路15均位于该第一基板11的第一侧a为例进行说明。

示例性的，第一种实现方式中，如图6、图7、图8和图9所示，该第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2属于同一图案层；该第一数据线142、第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1、第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2属于同一图案层。

即，该第一驱动电路14中的第一栅线141和第一薄膜晶体管tft1的栅极g1，以及第二驱动电路15中的第二栅线151和第二薄膜晶体管tft1的栅极g2通过同一次构图工艺形成，第一驱动电路14中的第一数据线142和第一薄膜晶体管tft的s1和漏极d1，以及第二驱动电路15中的第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2通过同一次构图工艺形成。

在此情况下，该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2可以均为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管，如图6和图8所示，仅示出了该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2均为底栅型薄膜晶体管的情形。

再示例性的，第二种实现方式中，如图1和图4所示，沿逐渐靠近第一基板11的方向，第一驱动电路14和第二驱动电路15依次设置。

即，该第二驱动电路15相对于第一驱动电路14更靠近该第一基板11。此时，该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2可以分别为底栅型薄膜晶体管和顶栅型薄膜晶体管，或者，该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2可以均为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管。如图1所示，仅示出了该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2均为底栅型薄膜晶体管的情形。

在一些实施例中，如图1和图4所示，该第二薄膜晶体管tft2为底栅型薄膜晶体管。该显示基板1还包括与每个第二薄膜晶体管tft2的源极s2或漏极d2耦接的第一连接部l1，第一连接部l1与第二薄膜晶体管tft2的栅极g2属于同一图案层；该第二薄膜晶体管tft2通过该第一连接部l1和该第一电连接件f1与第二像素电极13耦接。

即，可以通过同一次构图工艺形成该第二薄膜晶体管tft2的栅极g2和第一连接部l1，通过该第一连接部l1作为中间连接件实现该第二薄膜晶体管tft2的源极s2或漏极d2和第二像素电极13之间的耦接。能够提高第二薄膜晶体管tft2的源极s2或漏极d2和第二像素电极13耦接的可靠性，并将第一连接部l1与第二薄膜晶体管tft2的栅极g2通过同一次构图工艺形成，能够简化第一连接部l1的制备工艺。

其中，该液晶显示装置可以为发彩色光的显示装置，此时，该第一亚像素区q1可以为彩色亚像素区，示例性的，如图6、图8、图10和图11所示，多个该第一亚像素区q1可以包括红色亚像素区r、绿色亚像素区g和蓝色亚像素区b。在此情况下，该红色亚像素区r可以设置有红色亚像素，绿色亚像素区可以设置有绿色亚像素、蓝色亚像素区b可以设置有蓝色亚像素。

具体的，在实际结构中，如图6和图8所示，该液晶显示组件100可以包括彩色滤光膜16，该彩色滤光膜16可以包括设置于红色亚像素区r的红色滤光图案161，设置于绿色亚像素区g的绿色滤光图案162和设置于蓝色亚像素区b的蓝色滤光图案163。

根据该彩色滤光膜16设置于第一基板11还是第二基板2上，有两种可能的情况。第一种情况，该彩色滤光膜16设置于第一基板11上，此时，该显示基板1直接发出彩色光，彩色光经过第一液晶层5中的液晶分子偏转后实现彩色显示。

第二种情况，如图1、图6和图8所示，该彩色滤光膜16设置于第二基板2上，此时，该显示基板1发出白光，白光经过第一液晶层4中的液晶分子偏转后再经过该彩色滤光膜16实现彩色显示，此时该第二基板2又称为彩膜基板。

基于以上结构，如图6和图8所示，该液晶显示组件100还可以包括第一公共电极17和第二公共电极18，该第一公共电极17可以设置于第一基板11上，也可以设置于第二基板2上，与第一像素电极12共同驱动第一液晶层4中的液晶发生偏转。该第二公共电极18也可以设置于第一基板11或第三基板3上，与第二像素电极13共同驱动第二液晶层5中的液晶发生偏转。

其中，需要说明的是，本发明实施例提供的液晶显示组件100是以第一公共电极17和第二公共电极18均设置于第一基板11上为例进行的示意。此时第一液晶盒和第二液晶盒可以是ad-sds(advanced-superdimensionalswitching，高级超维场开关)型的液晶盒，对于第一液晶盒而言，第一像素电极12和第一公共电极17其中一者是带有狭缝的，二者的上下位置可以变换，但是和第一薄膜晶体管tft的源极s1或漏极d1相连的为第一像素电极12。对于第二液晶盒而言，第二像素电极13和第二公共电极18具有与第一像素电极12和第一公共电极17相同的结构，但本申请并不限于此，例如，第一液晶盒和第二液晶盒还可以是ffs(fringefieldswitching，边缘场开关)型、ips(inplaneswitch，横向电场效应)型等类型的液晶盒。此外，第一公共电极17还可设置于第二基板2上，第二公共电极18还可设置于第三基板3上，此时第一液晶盒和第二液晶盒可以是tn(twistnematic，扭曲向列)型等类型的液晶盒。

基于以上结构，在另一些实施例中，如图8、图9、图10和图11所示，每个显示子区an还包括一个第二亚像素区q2；该显示基板1还包括：设置在第一基板11的第一侧a且位于第二亚像素区q2的第三像素电极19；位于同一个显示子区an的第三像素电极19和第二像素电极12与同一个第二薄膜晶体管tft2耦接。

在本实施例中，通过设置第二亚像素区q2，该第二亚像素区q2可以为空白亚像素(即相对于以上红色亚像素区r设置红色滤光图案，绿色亚像素区g设置绿色滤光图案，蓝色亚像素区b设置蓝色滤光图案，该第二亚像素区q2不设置彩色滤光图案)，这样一来，在相同亮度的背光的情况下，对于相同的形状和开口率的第一亚像素区q1和第二亚像素区q2而言，透过一个第二亚像素区q2的光的透过率大于透过一个第一亚像素区q1的光的透过率，而又由于一个显示子区an与至少一个第一亚像素区q1和一个该第二亚像素区q2对应，因此，与不设置第二亚像素区q2相比，能够增大每个显示子区an的亮度，从而增大该液晶显示装置的亮度。

在又一些实施例中，如图10和图11所示，沿第一方向(如图10和图11中x轴所示方向)依次排列的至少三个连续的第一亚像素区q1组成一个像素区p。每个显示子区an包括2n个像素区p，n为大于或等于1小于或等于8大的正整数。

如图10和图11所示，以沿第一方向依次排列的至少三个连续的第一亚像素区q1为红色亚像素区r、绿色亚像素区g和蓝色亚像素区b为例，则2n个像素区p和一个第二亚像素区q2的排列方式可以如图10和图11所示。

其中，如图10所示，2n个像素区p沿第一方向依次排列成一排，第二亚像素区q2位于2n个像素区p的中间位置。或者，如图11所示，2n个像素区p包括沿第二方向(如图11中y所示方向)依次排列的两排像素区p，每排像素区p包括沿第一方向依次排列的n个像素区p，第二亚像素区q2位于两排像素区p之间，其中，第二方向垂直于第一方向。

即，在一个显示子区an中，第二亚像素区q2位于2n个像素区p的中间位置。这样一来，能够利用第二亚像素区q2对每个显示子区an的各个第一亚像素区q1进行亮度渲染(分配)，避免第二亚像素区q2在各个显示子区an中分布不均匀造成亮度分配不均匀的情况发生。

同时，通过将n的取值限定在1～8范围内，相应地，在n等于1时，一个显示子区an与2个像素区p对应，在n等于2时，一个显示子区an与4个像素区p对应，在n等于3时，一个显示子区an与6个像素区p对应，在n等于4时，一个显示子区an与8个像素区p对应，依次类推，在n等于8时，一个显示子区an与16个像素区p对应。

假设一个显示子区an的面积不变，则以一个显示子区an与4个像素区p对应为例，在引入一个第二亚像素区q2之后，该液晶显示装置的分辨率下降1/12，以一个显示子区an与8个像素区p对应为例，在引入一个第二亚像素区q2之后，该液晶显示装置的分辨率下降1/24。可见，在本实施例中，通过将n的取值限定在以上范围内，该液晶显示装置的分辨率不会下降太多，且随着n的取值不断增大，该液晶显示装置的分辨率下降越小，在实际应用中，本领域技术人员可以根据实际需要选择合适的n的取值，以达到提高亮度，并最大程度上减小分辨率下降的技术效果。

基于以上结构，在又一些实施例中，如图1、图6和图8所示，该显示基板1还包括金属线栅偏振层20，金属线栅偏振层20位于第一基板11的第一侧a或第二侧b。

金属线栅偏振层20包括多条相互平行的金属线，相邻两条金属线之间缝隙宽度相同。此处所谓的平行应当理解为实质平行，由于工艺的误差是难以避免的，因此应当遵循本领域技术人员的常规理解。

金属线栅偏振层20的特点是反射平行于金属线方向的偏振光，并透射垂直金属线方向的偏振光。

在本实施例中，可实现在第一液晶层4和第二液晶层5之间设置偏光片，能够为液晶显示装置中的第二液晶盒提供可供该第二液晶盒正常显示的线偏振光。

根据该第一驱动电路14和第二驱动电路15的设置位置不同，该金属线栅偏振层20的设置位置也可以不同。

在一些实施例中，如图6、图7、图8和图9所示，在该第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2属于同一图案层；第一数据线142、第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1、第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2属于同一图案层的情况下，该金属线栅偏振层20设置于该第一基板11的第二侧b。

即，该金属线栅偏振层20设置于该第一基板11背离该第一驱动电路14和第二驱动电路15的一侧，与该金属线栅偏振层20与该第一驱动电路14和第二驱动电路15设置于同一侧相比，能够降低第一连接部l1的制作难度，避免第一连接部l1在金属线栅偏振层20与第一驱动电路14和第二驱动电路15之间的绝缘层中的过孔中下沉而发生断层，导致第二薄膜晶体管tft2和第二像素电极13之间耦接的稳定性下降的问题。

在此情况下，如图6和图8所示，该金属线栅偏振层20设置于第一基板11和第二像素电极13之间，且金属线栅偏振层20在对应第一过孔o1的位置设置有开口k。该显示基板1还包括设置于金属线栅偏振层20和第二像素电极13之间的保护层30，该保护层30用于对金属线栅偏振层20和第二像素电极13进行绝缘，并覆盖该开口k的侧壁。该保护层30在对应该开口k处还设置有第二过孔o2，该第二过孔o2和第一过孔o1连通。该显示基板1还包括设置于保护层30上的第二过孔o2中的第二电连接件f2；该第二薄膜晶体管tft2通过第一连接部l1、第一电连接件f1和第二电连接件f2与第二像素电极13耦接。

在此情况下，该金属线栅偏振层20可以通过压印制作于第一基板1上。另外，通过在金属线栅偏振层20和第二像素电极13之间设置保护层30，一方面该保护层30可以对金属线栅偏振层20和第二像素电极13进行绝缘，另一方面，该保护层30在对应该开口k处设置有第二过孔o2，并覆盖该开口k的侧壁，因此，该保护层30还能够对金属线栅偏振层20和设置于第二过孔o2中的第二电连接件f2进行绝缘，而又由于该第二过孔o2和第一过孔o1连通，因此，可以通过电镀在第一过孔o1和第二过孔o2中形成第一电连接件f1和第二电连接件f2，从而能够使该第二薄膜晶体管tft2通过该第一连接部l1、第一电连接件f1和第二电连接件f2与第二像素电极13耦接。

在另一些实施例中，如图1和图4所示，在沿逐渐靠近第一基板11的方向，第一驱动电路14和第二驱动电路15依次设置的情况下，金属线栅偏振层20设置于第一驱动电路14和第二驱动电路15之间。

与上述金属线栅偏振层20设置于第一基板11的第二侧b相比，通过将该金属线栅偏振层20设置于第一驱动电路14和第二驱动电路15之间，无需在金属线栅偏振层20上设置开口k，仅需要在第一基板11上设置第一过孔o1和第一连接件f1即可实现第二薄膜晶体管tft2和第二像素电极13的耦接。

在此情况下，如图1和图4所示，该显示基板1还包括设置于金属线栅偏振层20和第一驱动电路14之间的第一平坦层40，和设置于金属线栅偏振层20和第二驱动电路15之间的第二平坦层50。

本发明的一些实施例提供一种显示基板的制备方法，该显示基板1包括显示区a，该显示区a包括多个显示子区an，每个显示子区an包括至少一个第一亚像素区q1。该制备方法包括：

s1、在第一基板11的第一侧a或第二侧b形成第一驱动电路14和第二驱动电路15。其中，该第一驱动电路14包括交叉设置的第一栅线141和第一数据线142，以及第一薄膜晶体管tft1，第一栅线141和第一数据线142通过第一薄膜晶体管tft1与第一像素电极12耦接，该第二驱动电路15包括交叉设置的第二栅线151和第二数据线152，以及第二薄膜晶体管tft2，该第二栅线151和第二数据线152通过第二薄膜晶体管tft2与第二像素电极13耦接。

其中，该第一基板11可以为已经形成有缓冲层的基板。

示例性的，如图6和图7所示，以该第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2属于同一图案层，该第一数据线142、第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1、第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极s2属于同一图案层为例，在第一基板11的第一侧a或第二侧b形成第一驱动电路14和第二驱动电路15，可以包括：

如图12所示，在该第一基板11上形成第一导电薄膜300，并对第一导电薄膜300图案化形成第一图案层，得到如图13所示结构。该第一图案层包括第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2。

即，通过同一次构图工艺形成该第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2。

以及，如图14所示，在该第一基板11上形成第二导电薄膜400，并对第二导电薄膜400图案化形成第二图案层，得到如图15所示结构。该第二图案层包括第一数据线142、第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1、第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2。

即，通过同一次构图工艺形成该第一数据线141、第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1、第二数据线142和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2。

此时，该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2可以均为底栅型薄膜晶体管或顶栅型薄膜晶体管。

需要说明的是，该第一薄膜晶体管tft1和第二薄膜晶体管tft2还可以包括有源层(如a-si)，该第一薄膜晶体管tft1的有源层和第二薄膜晶体管tft2的有源层也可以通过同一次构图工艺形成。

再示例性的，如图1和图4所示，以沿逐渐靠近第一基板11的方向，该第一驱动电路14和第二驱动电路15依次设置为例，在第一基板11的第一侧a或第二侧b形成第一驱动电路14和第二驱动电路15，可以包括：

如图16所示，在第一基板11的第一侧a形成第二驱动电路15。

具体的，可以通过多次构图工艺形成该第二驱动电路15的各个图案层(如属于同一图案层的第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2，属于同一图案层的第二数据线152和第二薄膜晶体管tft2的源极s2和漏极d2，该第二薄膜晶体管tft2的有源层等)。

如图17所示，在形成有第二驱动电路15的第一基板11的第一侧a形成该第一驱动电路14。

具体的，也可以通过多次构图工艺在形成有第二驱动电路15的第一基板11的第一侧a继续形成该第一驱动电路14的各个图案层(如属于同一图案层的第一栅线141和第一薄膜晶体管tft1的栅极g1，属于同一图案层的第一数据线152和第一薄膜晶体管tft1的源极s1和漏极d1，该第一薄膜晶体管tft1的有源层等)。

其中，在形成第一驱动电路14之前，还可以在第一驱动电路14和第二驱动电路15之间设置绝缘层，使第一驱动电路14和第二驱动电路15之间相互绝缘。

在本实施例中，如图17所示，在该显示基板还包括金属线栅偏振层20，且该金属线栅偏振层20设置于该第一驱动电路14和第二驱动电路15之间的情况下，可以在金属线栅偏振层20和第一驱动电路14之间形成第一平坦层40，在金属线栅偏振层20和第二驱动电路15之间形成第二平坦层50。即可起到对第一驱动电路14和第二驱动电路15绝缘的作用，同时，还能够实现在显示基板1中内置金属线栅偏振层20。

s2、在第一基板11的第一侧a形成位于第一亚像素区q1的第一像素电极12，得到如图18所示结构。

该第一像素电极12的材料可以为ito(indiumtinoxides，氧化铟锡)材料。

在制作时，可以通过沉积或溅射形成ito层，并在ito层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影、刻蚀、剥离等工艺形成该第一像素电极12。

s3、在第一基板11的第二侧b形成位于显示子区an的第二像素电极13，得到如图19所示结构。

该第二像素电极13的材料可以为ito材料。其制备工艺与第一像素电极12类似，在此不再赘述。

在本发明实施例中，通过将第一驱动电路14和第二驱动电路15制作于第一基板11的同一侧，与相关技术中第一驱动电路14和第二驱动电路15分别位于第一基板11的第一侧a和第二侧b，使得第一驱动电路14中的栅线和数据线(如第一栅线141和第一数据线142)和第二驱动电路15中的栅线和数据线(如第二栅线151和第二数据线152)之间的间距大于第一基板11的厚度(500微米以上)相比，能够减小第一驱动电路14和第二驱动电路15中的栅线和数据线之间的间距，从而能够改善第一驱动电路14和第二驱动电路15中的栅线和数据线之间的距离较大，使得第一驱动电路14和第二驱动电路15中的栅线和数据线与黑矩阵图案共同作用所产生的摩尔纹、彩虹纹不良的问题。

在一些实施例中，在该第一基板11上形成第二像素电极12之前，该制备方法还包括：

如图20和图21所示，在第一基板11上形成第一过孔o1，并在该第一过孔o1中形成第一电连接件f1，以使得第二薄膜晶体管tft2通过形成在第一过孔o1中的第一电连接件f1与第二像素电极耦接。

示例性的，如图20所示，可以通过激光改性和刻蚀的方法在该第一基板11上形成第一过孔o1。

以该第一基板11为玻璃基板为例，则采用激光从第一基板11远离第一驱动电路14和第二驱动电路15的一侧照射第一连接部l1的位置，使玻璃发生改性，再将改性完成后的基板放入刻蚀液中进行湿法刻蚀，除去第一基板11发生改性的部分，形成5～10微米的第一过孔o1。

其中，该刻蚀液可以为氢氟酸刻蚀液。

而后，如图21所示，可以通过电镀的方式在第一过孔o1中形成第一电连接件f1，例如电镀的金属可以为金属铜。

在另一些实施例中，如图13和图16所示，在该第二薄膜晶体管tft2为底栅型薄膜晶体管，显示基板1还包括第一连接部l1的情况下，可以通过同一次构图工艺形成该第一连接部l2和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2。

示例性的，在该第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2属于同一图案层的情况下，在对第一导电薄膜图案化形成第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2的同时，还包括形成该第一连接部l2，如图13所示的结构。此时的图案化所采用的掩膜板和以上对第一导电薄膜图案化形成第一栅线141、第一薄膜晶体管tft1的栅极g1、第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2所采用的掩膜板可以为不同的掩膜板。

再示例性的，在沿逐渐靠近所述第一基板11的方向，第一驱动电路14和第二驱动电路15依次设置的情况下，在形成属于同一图案层的第二栅线151和第二薄膜晶体管tft2的栅极g2的同时，还包括形成该第一连接部l2，如图16所示的结构。此时的图案化所采用的掩膜板和以上形成属于同一图案层的第二栅线151和第二薄膜晶体管tft的栅极g2所采用的掩膜板可以为不同的掩膜板。

基于以上结构，在另一些实施例中，在该显示基板1还包括金属线栅偏振层20，且该金属线栅偏振层20设置于该第一基板11和第二像素电极12之间的情况下，在该第一基板11上形成第一过孔o1之前，该制备方法还可以包括：

如图22所示，在该第一基板11的第二侧b形成金属线栅偏振层20。

可以通过压印工艺形成该金属线栅偏振层20。

如图23所示，在该金属线栅偏振层20对应第一连接部l1的位置形成开口k。

具体的，可以采用涂覆光刻胶，曝光、显影、剥离等步骤形成该开口k。

如图24所示，在该金属线栅偏振层20远离第一基板11的一侧形成保护层30，在该保护层30对应该开口k的位置形成第二过孔o2，并使该保护层30覆盖在该开口k的侧壁以及金属线栅偏振层20远离第一基板11的表面，并填充在相邻的金属线之间的间隙内。

在本实施例中，通过在形成第一过孔o1之前形成该金属线栅偏振层20和保护层30，能够降低金属线栅偏振层20的制作难度，同时，还能够在通过激光改性和刻蚀形成第一过孔o1时，防止该金属线偏振层20被刻蚀。再一方面，通过设置保护层30，还能够为后续通过电镀制备第一电连接件f1和第二电连接件f2做准备，防止金属线栅偏振层20和第二电连接件f2发生短路。

其中，需要说明的是，由于该金属线栅偏振层20形成在第一基板11的第二侧b，因此，在制作完第一驱动电路14、第二驱动电路15甚至第一像素电极12之后，为了避免在制作金属线栅偏振层20时，杂质对第一驱动电路14、第二驱动电路15和/或第一像素电极12造成划伤。

可选的，在该第一基板11的第二侧b形成金属线栅偏振层20之前，还包括：

如图25所示，在该第一基板11的第一侧a形成可去除的保护层60。其中，该可去除的保护层60示例性的，可以通过化学方法(如溶解或发生化学反应)进行去除，也可以通过物理方法(如机械剥离)，或者激光剥离的方法进行去除。

示例性的，该可去除的保护层60的材料可以为pi(polyimide，聚酰亚胺)材料。此时，可以采用激光剥离的方式去除该保护层60，即，在pi和该第一基板11的界面施加高强度的激光，烧蚀界面层的聚合物，从而实现pi和第一基板11的剥离。

本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。