一种集成电路、第一电路结构及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体的制造领域，尤其涉及一种集成电路、第一电路结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002]现有集成电路表面的导电层结构设计的是同一高度，该设计在大尺寸液晶面板或面板采用同层金属导电的结构比较适用，参见图1示出的例子；但随着小尺寸产品或高PPI (pixels per inch)产品的发展，和集成电路压合的面板位置越来越多的产品采用双层金属线的布线方式(为了在相同空间内布上更多的走线)，如图2所示。双层布线就带来相邻两层高度的差异，但集成电路侧导电层结构是同一高度，这就意味着相邻两金属层的压合程度不同，这样就存在接触电阻的差异，从而影响画面品质或产品良率(亮/暗线等不良)。
【发明内容】
[0003]本发明实施例的目的在于提供一种集成电路、第一电路结构及其制备方法，以减少集成电路与显示面板压合后不同压合导电部位接触电阻之间的差异。
[0004]为解决上述技术问题，本发明实施例提供方案如下:
[0005]本发明实施例提供一种第一电路结构，能够和第二电路结构压合形成新的电路结构，所述第二电路结构具有至少两个待贴合的深度不同的凹陷导电部，所述凹陷导电部具有深度最浅的第一凹陷导电部；
[0006]所述第一电路结构包括至少两个突出导电部，与至少两个所述凹陷导电部一一对应设置，与所述第一凹陷导电部对应的第一突出导电部具有第一高度；
[0007]所述至少两个突出导电部中除所述第一突出导电部之外的任意一个突出导电部具有对应的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A与B之和；
[0008]所述A为所述第一高度，所述B为所述任意一个突出导电部对应的凹陷导电部的深度与所述第一凹陷导电部的深度的差。
[0009]优选地，全部所述第二高度都等于所述A与所述B之和。
[0010]优选地，所述第一高度与所述第一凹陷导电部的深度相同。
[0011]优选地，所述第一电路结构和所述第二电路结构压合后，所述任意一个突出导电部的侧面能够与对应的所述凹陷导电部的侧面形成侧面导电部。
[0012]优选地，所述凹陷导电部和所述突出导电部都是上底面面积大于下底面面积的台体结构。
[0013]优选地，所述第一电路结构包括集成电路表面的导电层结构，所述第二电路结构包括显示面板，所述凹陷导电部包括显示面板表面的电接触面。
[0014]本发明实施例还提供一种集成电路，所述集成电路表面设置有以上所述的第一电路结构。
[0015]本发明实施例还提供一种第一电路结构的制备方法，所述第一电路结构能够和第二电路结构压合形成新的电路结构，所述第二电路结构具有至少两个待贴合的深度不同的凹陷导电部，所述凹陷导电部具有深度最浅的第一凹陷导电部，所述制备方法包括:
[0016]形成所述第一电路结构，所述第一电路结构包括至少两个突出导电部，与至少两个所述凹陷导电部一一对应设置，与所述第一凹陷导电部对应的第一突出导电部具有第一高度；所述至少两个突出导电部中除所述第一突出导电部之外的任意一个突出导电部具有对应的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A与B之和；所述A为所述第一高度，所述B为所述任意一个突出导电部对应的凹陷导电部的深度与所述第一凹陷导电部的深度的差。
[0017]优选地，全部所述第二高度都等于所述A与所述B之和。
[0018]优选地，所述第一高度与所述第一凹陷导电部的深度相同。
[0019]从以上所述可以看出，本发明实施例至少具有如下有益效果:
[0020]与现有技术中突出导电部高度相同的情况相比，在至少两个待贴合的凹陷导电部的深度不同的情况下，高度最低的突出导电部最先与对应的凹陷导电部贴合上之后，其它突出导电部与对应凹陷导电部的贴合程度变大，从而两个电路结构压合后不同突出导电部、凹陷导电部对之间的压合程度差异变小，这样电阻差异就会变小，画面品质以及产品良率得到提高。
【附图说明】
[0021]图1表示现有集成电路和面板压合情况示意图(单层金属布线)；
[0022]图2表不现有集成电路和面板压合情况不意图(双层金属布线)；
[0023]图3表不本发明实施例提供的一种第一电路结构的不意图；
[0024]图4表示与本发明实施例提供的第一电路结构对应的现有电路结构示意图；
[0025]图5A表示与图3相应的深度最浅的凹陷导电部与对应突出导电部贴合上时两个电路结构之间的位置关系示意图；
[0026]图5B表示与图4相应的深度最浅的凹陷导电部与对应突出导电部贴合上时两个电路结构之间的位置关系示意图；
[0027]图6表不本发明实施例提供的一种第一电路结构的另一不意图；
[0028]图7表示本发明实施例的较佳实施方式提供的集成电路导电层结构设计方案示意图。
[0029]符号说明:
[0030]11:集成电路导电层；
[0031]12:栅极线；
[0032]13:玻璃基板；
[0033]14:数据线绝缘层；
[0034]15:导电层；
[0035]16:栅极线绝缘层；
[0036]17:数据线。
【具体实施方式】
[0037]为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例对本发明实施例进行详细描述。
[0038]图3表示本发明实施例提供的一种第一电路结构的示意图，参照图3，本发明实施例提供一种第一电路结构1，能够和第二电路结构2压合形成新的电路结构，所述第二电路结构2具有至少两个待贴合的深度不同的凹陷导电部，所述凹陷导电部具有深度最浅的第一凹陷导电部3 ;
[0039]所述第一电路结构I包括至少两个突出导电部，与至少两个所述凹陷导电部一一对应设置，与所述第一凹陷导电部3对应的第一突出导电部4具有第一高度；
[0040]所述至少两个突出导电部中除所述第一突出导电部4之外的任意一个突出导电部具有对应的第二高度，所述第二高度大于所述第一高度，且小于或等于A与B之和；
[0041]所述A为所述第一高度，所述B为所述任意一个突出导电部对应的凹陷导电部的深度与所述第一凹陷导电部3的深度的差。
[0042]可见，通过上述方式，与现有技术中突出导电部高度相同的情况相比，在至少两个待贴合的凹陷导电部的深度不同的情况下，高度最低的突出导电部最先与对应的凹陷导电部贴合上之后，其它突出导电部与对应凹陷导电部的贴合程度变大，从而两个电路结构压合后不同突出导电部、凹陷导电部对之间的压合程度差异变小，这样电阻差异就会变小，从而提尚了广品良率。
[0043]其中，所述第一电路结构I可以包括集成电路表面的导电层结构，所述第二电路结构2可以包括显示面板，所述凹陷导电部可以包括显示面板表面的电接触面。所述显示面板例如液晶显示面板，相应地，不同深度的所述电接触面可以分属不同的金属布线层。
[0044]图3中示出了 5个凹陷导电部的例子，这5个凹陷导电部从左到右深度依次加深，一一对应的从左到右5个突出导电部中第一突出导电部4的高度最小，在5个突出导电部中第一突出导电部4最先与对应的凹陷导电部(第一凹陷导电部3)贴合，从左数第2、5个突出导电部各自的高度与第一突出导电部4的高度之差分别小于对应的从左数第2、5个凹陷导电部各自的深度与第一凹陷导电部3的深度之差，从左数第3、4个突出导电部各自的高度与第一突出导电部4的高度之差分别等于对应的从左数第3、4个凹陷导电部各自的深度与第一凹陷导电部3的深度之差，又由于第一突出导电部4最先与对应的凹陷导电部贴合，因此:
[0045]第一突出导电部4与第一凹陷导电部3贴合上时，从左数第3、4个突出导电部与对应的从左数第3、4个凹陷导电部也贴合上了，而从左数第2、5个突出导电部都没有接触到各自对应的从左数第2、5个凹陷导电部的下表面。
[0046]也就是说，其它突出导电部中有一部分与所述第一突出导电部3同时与对应的凹陷导电部贴合上了。
[0047]与图3中示出的例子对应，图4中示出了现有技术的相应例子，其中电路结构I’中各突出导电部的高度均与图3中第一突出导电部4的高度相同，又由于第二电路结构2中最左边的凹陷导电部3的深度最浅，因此最左边的突出导电部4’与对应的凹陷导电部3贴合上时，其它突出导电部均未接触到对应凹陷导电部的下表面。
[0048]也就是说，深度最浅的凹陷导电部与对应的突出导电部先贴合上时，其它突出导电部均未与对应的凹陷导电部贴合上。
[0049]对于图3、图4示出的例子，相应的深度最浅的凹陷导电部与对应突出导电部贴合上时两个电路结构之间的位置关系分别如图5A、5B所示。显然，图5A中有更多的导电部对先贴合上，两个电路结构压合之后不同导电部对之间的压合程度差异更小一些，从而存在的接触电阻的差异更小，相应地，产品良率更高。
[0050]当然，实际中不同深度凹陷导电部之间的位置关系以及不同高度突出导电部之间的位置关系可以有各种变化，当然，需满足原本对应的凹陷导电部和突出导电部在位置关系改变后仍然保持对应，例如将图3中第2、4个凹陷导电部的位置互换以及第2、4个突出导电部的位置互换，将图4中第2、4个凹陷导电部的位置互换，将图5A中第2、4个凹陷导电部的位置互换以及第2、4个突出导电部的位置互换，将图5B中第2、4个凹陷导电部的位置互换。
[0051]图6表示本发明实施例提供的一种第一电路结构的另一示意图，参照图6，由斜线阴影标示的为所述第一电路结构，由点状阴影标示的为所述第二电路结构，该例中所述第一电路结构有两个突出导电部。所述第二电路结构有两个深度不同的凹陷导电部，最左侧示出的是现有技术中突出导电部高度相同(均为所述A)的情况；最右侧示出的两个突出导电部的高度差为所述B，也就是对应的两个凹陷导电部的深度差，压合后这两对导电部之间的压合程度相同，从而接触电阻相同；中间示出的与较深凹陷导电部对应的突出导电部的高度