第(x，y)个像素区PA (x,y)的第(x，y)个像素电极PE (x,y)和第(x+2，y)个像素区PA (x+2,y)的第(x+2，y)个像素电极PE (x+2, y)中的狭缝的方向倾斜为相对于第一方向对称。因而，在第(X，y)像素电极PE(x,y)和第(x+2，y)像素电极PE (x+2,y)中的对称的狭缝构成2域。因此，能够提高液晶显示装置100的视角的对称特性。
[0034]液晶显示装置100包括滤色器基板，在滤色器基板中，滤色器形成为与像素区一致，并且黑色矩阵形成为与电路区一致。此外，在根据一个实施方案的液晶显示装置100中，在其中限定有像素区和电路区的基板110与其中形成有滤色器和黑色矩阵的滤色器基板之间注入有液晶。在根据一个实施方案的液晶显示装置100中，为了保持像素区，其中限定有电路区的基板110与其中形成有滤色器和黑色矩阵的滤色器基板之间的盒间隙(cellgap)和盒间隔(cell space)可以形成在电路区中并且也可以形成在除电路区之外的区域中。
[0035]接着，图2是示出图1中的一个像素单元和一个电路单元的局部放大图。电路单元形成在第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的电路区CA处。电路单元包括形成在电路区CA中的两个晶体管TRjP TR2O
[0036]在第一晶体管TR1中，第一电极210连接至第一数据线DL i，第二电极212连接至第一像素电极214。第一晶体管TR1的第一电极210和第二电极212连接至半导体层215。
[0037]在第二晶体管TR2*，第三电极216连接至第二数据线DL2，第四电极218连接至第二像素电极220。第二晶体管TR2的第三电极216和第四电极218连接至半导体层219。
[0038]像素单元包括:形成在第一像素区PA1中的第一像素电极214，第一像素区？八1通过栅极线GL的一侧由与栅极线GL交叉的第一数据线DL1和第三数据线DL 3限定；以及形成在通过栅极线GL的另一侧限定的第二像素区PA2中的第二像素电极220。
[0039]此时，第一像素区PA1和第二像素区PAJg定为跨过第二数据线DL2。此外，第一像素电极214和第二像素电极220限定为跨过第二数据线DL2。第一像素电极214和第二像素电极220中的每一个的整个形状对应于第二方向的长度比第一方向的长度长的近似矩形形状。虽然第一像素电极214和第二像素电极220可以由金属氧化物或透明导电材料例如Ti02、ITO和IZO形成，但是本发明不限于此，第一像素电极214和第二像素电极220可以由Cu、Al、T1、Mo或其合金形成。
[0040]在第一像素电极214和第二像素电极220中形成有以预定角度倾斜的一个或更多个狭缝222和224。第一像素电极214的狭缝222的方向与第二像素电极220的狭缝224的方向可以彼此相同。但是狭缝222的方向与狭缝224的方向可以彼此不相同。换句话说，第一像素电极214的狭缝222的方向与第二像素电极220的狭缝224的方向沿相同方向以预定角度倾斜。另一方面，第一像素电极214的狭缝222的方向与第二像素电极220的狭缝224的方向可以以预定角度倾斜为相对于第一方向对称。
[0041]另一方面，在第一像素电极214和第二像素电极220的层的下部处形成有由连续表面形成的公共电极226。此时，在第一像素电极214和第二像素电极220的上部处可以形成有公共电极226。虽然公共电极226可以由金属氧化物或透明导电材料例如Ti02、IT0和IZO形成，但是本发明不限于此，公共电极226可以由Cu、Al、T1、Mo或其合金形成。
[0042]虽然在上述实例中已经描述了第一像素电极214和第二像素电极220包括沿相同方向或沿对称方向以预定角度倾斜的一个或更多个狭缝222和224，并且在第一像素电极214和第二像素电极220的上部或下部处形成有由连续表面形成的公共电极226，但是本发明不限于此。公共电极226可以包括沿相同方向或沿对称方向以预定角度倾斜的一个或更多个狭缝，在公共电极226的上部或下部处的由连续表面形成的第一像素区处形成有第一像素电极，并且在公共电极226的上部或下部处的由连续表面形成的第二像素区处形成有第二像素电极。
[0043]接着，图3是示出沿图2中的线1-1'截取的实例的截面图。在基板110上的电路区CA中形成有栅电极228。栅极线GL沿第二方向与栅电极228 —体地形成。在栅极线GL的端部处形成有栅极焊盘。
[0044]在形成有栅电极228和栅极线GL的基板110上形成有绝缘层，例如，栅极绝缘层230。
[0045]在形成有栅极绝缘层230的基板110上的电路区CA中形成有半导体层215。虽然半导体层215可以由氧化物半导体形成，但是本发明不限于此，并且半导体层215可以由多晶硅、纯的非晶硅和不纯的非晶硅中之一形成。在半导体层215由氧化物半导体形成的情况下，可以通过在惰性气体气氛下使氧化物半导体成为导体(通过提高氧化物半导体的导电性)来形成源极区234和漏极区236。在半导体层215由氧化物半导体形成的情况下，半导体层215的电荷迀移率高，使得半导体层215形成为具有小尺寸。因此，电路区CA减小并且像素区PA扩大，使得孔径比可以增大。
[0046]在电路区CA中，在其上形成有半导体层215的基板110上的半导体层215的源极区234上形成有源电极238，在半导体层215的漏极区236中形成有漏电极240。此时，沿第一方向形成有数据线DL，并且数据线DL与源电极238 —体地形成。
[0047]在数据线DL和源电极238/漏电极240上形成有另一绝缘层，例如，层间绝缘层242。在层间绝缘层242中形成有接触孔244，像素电极214随后通过该接触孔244连接至半导体层215的源极区236。
[0048]在层间绝缘层242上和像素电极214的层下方形成由连续表面形成的公共电极226。公共电极226通过公共线或连接图案连接至相邻像素单元的公共电极。虽然公共电极226由连续表面形成，但是公共电极226可以包括形成在像素电极214的狭缝之间的一个或更多个狭缝。
[0049]在公共电极226和公共线CL上形成有另一绝缘层，例如，保护层246。在保护层246中，接触孔244从层间绝缘层242延伸，像素电极214随后通过该接触孔244连接至半导体层215的漏极区236。
[0050]在保护层246上形成像素电极214，在像素电极214中，在像素区PA中形成有以预定角度倾斜的两个或更多个狭缝222。通过形成在层间绝缘层242和保护层246中的接触孔244，像素电极214连接至半导体层215的漏电极240。向具有两个或更多个狭缝222的像素电极214中的每一个和由表面形成的公共电极226施加电压使得能够形成电场。
[0051]在基板110上形成有通过摩擦或光学对准(例如紫外线照射)而对准的对准层248。
[0052]如图1至图3所示，像素电极214形成为具有沿第二方向的长度比沿第一方向的长度长的矩形形状，并且沿第二方向(例如图1的水平方向)形成有狭缝，使得对准层248的摩擦方向可以沿第二方向进行。因而，虽然在像素单元中形成有盒间隔，但是在对准层被摩擦时越过盒间隔的情况下，在第二方向(即朝着电路区)上必然生成有摩擦阴影区(即摩擦尾部(rubbing tail))。
[0053]因此，通过使用具有高迀移率的氧化物半导体例如半导体层，晶体管设计为小于使用非晶硅的晶体管，并且盒间隔和摩擦尾部位于像素区之间。因此，形成在滤色器基板上的黑色矩阵的宽度最小化，因此能够提高液晶显示装置的透射率。
[0054]此外，在上述实施方案中，像素电极214形成为具有第一方向的长度比第二方向的长度长的矩形形状，像素电极214的狭缝222形成为一条直线，并且两个相邻像素电极的狭缝彼此对称设置。因而，可以形成多个域。因为两个相邻像素电极的狭缝彼此对称设置，所以可以防止液晶向错。另外形成有多个维度，并且也能够提高透射率。
[0055]接着，在图4中，与图3中相同的是在基板110上的电路区中形成有栅电极228、半导体层215、数据线DL和源电极238/漏电极240。
[0056]在数据线DL和源电极238/漏电极240上形成有层间绝缘层242。在层间绝缘层242中形成有接触孔244。
[0057]在层间绝缘层242上形成有像素电极214a。像素电极214a通过形成在层间绝缘层242中的接触孔244连接至漏电极240。像素电极214a由表面形成，并且公共电极226a可以包括形成在公共电极226a的狭缝226b之间的一个或更多个狭缝。
[0058]在像素电极214a上形成有保护层246。
[0059]在保护层246上形成有公共电极226a，在公共电极226a中形成有以预定角度倾斜的两个或更多个狭缝226b。公共电极226a通过公共线CL或连接图案连接至相邻像素单元的公共电极。
[0060]在基板110上形成有通过摩擦或光学对准(例如紫外线照射)而沿第二方向对准的对准层2