407连接，所述第一条状电极阵列404与所述第二条状电极4051和所述第三条状电极阵列406连接，所述第四条状电极阵列407与所述第二条状电极4051和所述第三条状电极阵列406连接。
[0038]在本实施例中，所述第一方向与所述第五方向具有第一夹角，所述第二方向与所述第五方向具有第二夹角，所述第三方向与所述第五方向具有第三夹角，所述第四方向与所述第五方向具有第四夹角。进一步地，所述第一方向与所述第四方向互为正反方向，所述第二方向与所述第三方向互为正反方向。
[0039]所述第一条状电极4041与所述第二条状电极4051或所述第三条状电极4061连接，所述第四条状电极4071与所述第二条状电极4051或所述第三条状电极4061连接。
[0040]通过上述技术方案，可以有效避免所述像素电极中的主干电极所导致的液晶倒向不当的现象，从而可以消除像素单元所显示的图像中与所述主干电极对应的阴影，有利于提高像素单元整体的穿透率。
[0041]参考图6，图6为本发明的薄膜晶体管阵列基板303的第二实施例的示意图。本实施例与上述第一实施例相似，不同之处在于:
[0042]所述外围电极403的第一部分与所述像素阵列中的扫描线401在预定方向上部分重叠或全部重叠；和/或所述外围电极403的第二部分与所述像素阵列中的数据线402在所述预定方向上部分重叠或全部重叠。其中，所述预定方向为所述薄膜晶体管阵列基板303的法线方向。
[0043]通过上述技术方案，可以使得所述数据线402和/或所述扫描线401所在的区域上的液晶分子也能够受到所述像素电极所施加的电场作用力，从而使得所述数据线402和/或所述扫描线401所在的区域上的液晶分子偏转，这样可以有效扩大所述像素单元的有效显示区(AA，Active Area)，从而显著提高所述像素单元的开口率。
[0044]本发明的薄膜晶体管阵列基板303的第三实施例与上述第二实施例相似，不同之处在于:
[0045]在本实施例中，在所述外围电极403的至少一部分(所述第一部分和/或所述第二部分)与信号线(所述数据线402和/或所述扫描线401)具有重叠部分(部分重叠或全部重叠)的情况下，所述外围电极403与所述信号线构成一存储电容，所述外围电极403和所述信号线分别构成所述存储电容的两极板。
[0046]为了减小所述存储电容中所存储的电荷对所述像素电极的灰阶电压所造成的影响，在本实施例中，所述外围电极403与所述信号线之间还设置有介质层，所述介质层位于所述外围电极403与所述信号线的重叠部分。
[0047]通过在所述外围电极403与所述信号线之间设置所述介质层，可以减小所述存储电容，从而减小所述存储电容对所述像素电极的电场作用力的影响。
[0048]作为一种改进，所述介质层包括半导体层和/或金属层，其中，所述半导体层和所述金属层均是形成在所述薄膜晶体管阵列基板303的薄膜晶体管开关的制程中形成的。
[0049]所述半导体层与所述信号线/所述外围电极403之间设置有第一绝缘层，所述半导体层和所述金属层之间设置有第二绝缘层，所述金属层与所述外围电极403/所述信号线之间设置有第三绝缘层。
[0050]尽管已经相对于一个或多个实现方式示出并描述了本发明，但是本领域技术人员基于对本说明书和附图的阅读和理解将会想到等价变型和修改。本发明包括所有这样的修改和变型，并且仅由所附权利要求的范围限制。特别地关于由上述组件执行的各种功能，用于描述这样的组件的术语旨在对应于执行所述组件的指定功能(例如其在功能上是等价的)的任意组件(除非另外指示)，即使在结构上与执行本文所示的本说明书的示范性实现方式中的功能的公开结构不等同。此外，尽管本说明书的特定特征已经相对于若干实现方式中的仅一个被公开，但是这种特征可以与如可以对给定或特定应用而言是期望和有利的其他实现方式的一个或多个其他特征组合。而且，就术语“包括”、“具有”、“含有”或其变形被用在【具体实施方式】或权利要求中而言，这样的术语旨在以与术语“包含”相似的方式包括。
[0051]综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括: 一彩色滤光片基板； 一液晶层；以及 一薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个像素单元，所述像素单元包括像素电极，所述像素电极包括: 一外围电极，所述外围电极所包围的区域包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域； 一第一条状电极阵列，所述第一条状电极阵列位于所述第一区域中，所述第一条状电极阵列包括至少两第一条状电极； 一第二条状电极阵列，所述第二条状电极阵列位于所述第二区域中，所述第二条状电极阵列包括至少两第二条状电极； 一第三条状电极阵列，所述第三条状电极阵列位于所述第三区域中，所述第三条状电极阵列包括至少两第三条状电极；以及 一第四条状电极阵列，所述第四条状电极阵列位于所述第四区域中，所述第四条状电极阵列包括至少两第四条状电极； 其中，所述外围电极与所述第一条状电极阵列、所述第二条状电极阵列、所述第三条状电极阵列和所述第四条状电极阵列连接，所述第一条状电极阵列与所述第二条状电极和所述第三条状电极阵列连接，所述第四条状电极阵列与所述第二条状电极和所述第三条状电极阵列连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述外围电极的第一部分与所述像素阵列中的扫描线部分重叠或全部重叠。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述外围电极的第二部分与所述像素阵列中的数据线部分重叠或全部重叠。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一条状电极阵列在第五方向上与所述第二条状电极阵列相邻，所述第一条状电极阵列在第六方向上与所述第三条状电极阵列相邻； 所述第四条状电极阵列在第六方向上与所述第二条状电极阵列相邻，所述第四条状电极阵列在第五方向上与所述第三条状电极阵列相邻； 所述第一条状电极与所述第二条状电极或所述第三条状电极连接，所述第四条状电极与所述第二条状电极或所述第三条状电极连接。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述第一条状电极所在的直线方向平行于第一方向，所述第一方向与所述第五方向具有第一夹角； 所述第二条状电极所在的直线方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第五方向具有第二夹角； 所述第三条状电极所在的直线方向平行于第三方向，所述第三方向与所述第五方向具有第三夹角； 所述第四条状电极所在的直线方向平行于第四方向，所述第四方向与所述第五方向具有第四夹角。6.—种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个像素单元，所述像素单元包括像素电极，所述像素电极包括: 一外围电极，所述外围电极所包围的区域包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域； 一第一条状电极阵列，所述第一条状电极阵列位于所述第一区域中，所述第一条状电极阵列包括至少两第一条状电极； 一第二条状电极阵列，所述第二条状电极阵列位于所述第二区域中，所述第二条状电极阵列包括至少两第二条状电极； 一第三条状电极阵列，所述第三条状电极阵列位于所述第三区域中，所述第三条状电极阵列包括至少两第三条状电极；以及 一第四条状电极阵列，所述第四条状电极阵列位于所述第四区域中，所述第四条状电极阵列包括至少两第四条状电极； 其中，所述外围电极与所述第一条状电极阵列、所述第二条状电极阵列、所述第三条状电极阵列和所述第四条状电极阵列连接，所述第一条状电极阵列与所述第二条状电极和所述第三条状电极阵列连接，所述第四条状电极阵列与所述第二条状电极和所述第三条状电极阵列连接。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述外围电极的第一部分与所述像素阵列中的扫描线部分重叠或全部重叠。8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述外围电极的第二部分与所述像素阵列中的数据线部分重叠或全部重叠。9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一条状电极阵列在第五方向上与所述第二条状电极阵列相邻，所述第一条状电极阵列在第六方向上与所述第三条状电极阵列相邻； 所述第四条状电极阵列在第六方向上与所述第二条状电极阵列相邻，所述第四条状电极阵列在第五方向上与所述第三条状电极阵列相邻； 所述第一条状电极与所述第二条状电极或所述第三条状电极连接，所述第四条状电极与所述第二条状电极或所述第三条状电极连接。10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第一条状电极所在的直线方向平行于第一方向，所述第一方向与所述第五方向具有第一夹角； 所述第二条状电极所在的直线方向平行于第二方向，所述第二方向与所述第五方向具有第二夹角； 所述第三条状电极所在的直线方向平行于第三方向，所述第三方向与所述第五方向具有第三夹角； 所述第四条状电极所在的直线方向平行于第四方向，所述第四方向与所述第五方向具有第四夹角。
【专利摘要】本发明公开了一种显示面板及薄膜晶体管阵列基板。显示面板包括彩色滤光片基板、液晶层和薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板包括像素单元，像素单元包括像素电极，像素电极包括外围电极、第一条状电极阵列、第二条状电极阵列、第三条状电极阵列、第四条状电极阵列。外围电极所包围的区域包括第一、第二、第三和第四区域；第一条状电极阵列位于第一区域；第二条状电极阵列位于第二区域；第三条状电极阵列位于第三区域；以及第四条状电极阵列位于第四区域；外围电极与第一、第二、第三和第四条状电极阵列连接，第一条状电极阵列与第二、第三条状电极阵列连接，第四条状电极阵列与第二、第三条状电极阵列连接。本发明能提高像素单元的穿透率。
【IPC分类】G02F1/1368, G02F1/1362, G02F1/1343
【公开号】CN104880866
【申请号】CN201510239298
【发明人】钟新辉, 李泳锐
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2015年5月12日