方 法按下列步骤实施：
[0032] 一、将预处理后的基片置于质量浓度为10%的roDA溶液中浸泡5min，取出后用二 次水洗净吹干，再浸入到质量浓度为10%的PSS溶液中5min，取出后用二次水洗净吹干，完 成一次TODA-PSS浸泡过程，重复TODA-PSS浸泡过程三次，得到带有负电荷的基片；
[0033] 二、将步骤一得到的带有负电荷的基片放入质量浓度为10%的roDA溶液中浸泡 5min，取出后用二次水洗净吹干，再浸入到浓度为lmg/ml的0-PhSPcH 2 (四- f3-(4-磺酸 苯氧基）酞菁）水溶液中5min，取出后用二次水洗净吹干，然后浸入到质量浓度为10%的 TODA溶液中浸泡5min，取出后用二次水洗净吹干，再浸入到0. lmg/ml的GO (氧化石墨烯） 水溶液中5min，取出后用二次水洗净吹干，完成单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜 组装。
[0034] 本实施例中使用的TODA与PSS均购买自Sigma-Aldrich。
[0035] 将处理过的基片在10% H)DA溶液中浸泡5min，取出后用二次水洗净吹干，再浸入 到10% PSS溶液中5min，取出后用二次水洗净吹干。重复roDA-PSS三次，得到表面带有 均匀且负电荷密度较大的基片。这样基片三层打底后，得到带有负电荷的基片。将带有负 电荷的基片在10% H)DA溶液中浸泡5min，取出后用二次水洗净吹干，再浸入到lmg/ml的 e-PhSPcHjK溶液中5min，取出后用二次水洗净吹干，然后浸入到10% TODA溶液中浸泡 5min，取出后用二次水洗净吹干，再浸入到0. lmg/ml的GO水溶液中5min，取出后用二次水 洗净吹干就得到1对层的无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜，如此重复就可得到任意对层 的无金属酞菁-氧化石墨烯静电自组装多层膜。
[0036] 实施例二：本实施例与实施例一不同的是分别重复1~10次步骤二的单对层无金 属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程，得到无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄 膜材料。
[0037] 图1为1-10对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜、四_ 0 _ (4-磺酸 苯氧基）酞菁水溶液和氧化石墨烯溶液的紫外-可见吸收光谱。酞菁的特征吸收谱带（Q 带）在600-800nm范围出现，复合非线性光学薄膜材料与酞菁水溶液的最大吸收峰相比均 发生一定程度的红移，说明酞菁分子在薄膜中聚集是面对面堆积。由于实验所选为水溶性 良好的磺酸基苯氧基酞菁，所以酞菁在水溶液中聚集程度较大。在230nm和300nm处，氧化 石墨烯水溶液紫外-可见吸收光谱图有一个较为尖锐的吸收峰，其起因于C-C键的31 _ 31 * 跃迀，还有一个较为平坦的吸收伴峰，是由于C = 0键的n- 31 *跃迀引起的。图2是复合非 线性光学薄膜的Q带最大吸收值与薄膜层数的关系图，图中直线的回归度为0. 9745,表明 薄膜Q带最大吸收值与层数具有良好的线性关系，说明静电自组装是一个均匀、有序的薄 膜沉积过程。
[0038] 实施例三：本实施例与实施例一不同的是分别重复20次步骤二的单对层无金属 酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程，得到20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光 学薄膜材料。
[0039] 图3所示20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料在20 y m的 尺度下以原子力显微镜研宄其表面形貌，在无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜 材料中，可看到氧化石墨稀大片结构，其分子在基片上形成均勾分布的椭圆形粒子，薄膜粗 糙度为4. 628nm，粒子平均直径为3. 52 y m，说明在静电自组装成膜过程中，氧化石墨烯和 酞菁分子形成了聚集体系。
[0040] 图4为拉曼光谱图，用458nm激光激发，1373. lcnT1处的谱峰被认为是缺陷诱导的 D模，1593. lcnT1处的谱峰是与E 2g模频率有关的谱峰G模。结合紫外-可见吸收光谱和原 子力显微镜图像，能够进一步说明用静电自组装方法能把GO分子沉积在石英基片上。
[0041] 图5利用Z-扫描技术，其实验条件为入射光能量1. 03 yj，入射激光波长532nm、 脉冲宽度4ns，研宄20对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜、酞菁水溶液和 氧化石墨烯水溶液的非线性光学性质，并给出酞菁-氧化石墨烯静电自组装多层膜的开孔 Z-扫描曲线。在532nm处线性透过率分别为15 %、82 %和42 %的20对层无金属酞菁-氧化 石墨烯复合非线性光学薄膜、酞菁水溶液和氧化石墨烯水溶液的开孔Z-扫描均呈现谷状 曲线，表明三者都具有较强的反饱和吸收性质。对所得曲线进行非线性拟合可知，无金属酞 菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜的非线性吸收系数0约为l(T 4m/W，比氧化石墨烯水溶 液（非线性吸收系数0约为l〇_9m/W)和相应酞菁水溶液（非线性吸收系数0约为KT nm/ W)分别提高了 5和7个数量级，说明非线性吸收效应得到了较大程度的增强。这是因为薄 膜中酞菁和石墨烯分子的聚集程度非常高，在复合薄膜内部形成了更大的共轭体系，使得 复合薄膜比溶液具有更好的三阶非线性光学性质，由此可见薄膜比溶液适合作为非线性光 学材料。
【主权项】
1. 一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料，该无金属酞菁-氧化石墨 烯复合非线性光学薄膜材料由酞菁化合物和氧化石墨烯的水溶液以静电自组装的方法成 膜，其中所述的酞菁化合物为带电荷的四-β -(4-磺酸苯氧基）酞菁，其结构式为：2. 根据权利要求1所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料，其 特征在于所述的氧化石墨稀采用Hmnmers法制备得到。3. -种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制备方法，其特征在于是 按下列步骤实现： 一、 将预处理后的基片置于质量浓度为10%的I3DDA溶液中浸泡4~6min，取出后用蒸 馏水洗净吹干，再浸入到质量浓度为10 %的PSS溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹 干，完成一次I3DDA-PSS浸泡过程，重复TODA-PSS浸泡过程三次，得到带有负电荷的基片； 二、 将步骤一得到的带有负电荷的基片放入质量浓度为10%的I3DDA溶液中浸泡4~ 6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，再浸入到β -PhSPcHjK溶液中4~6min，取出后用蒸馏 水洗净吹干，然后浸入到质量浓度为10%的I3DDA溶液中浸泡4~6min，取出后用蒸馏水洗 净吹干，再浸入到GO水溶液中4~6min，取出后用蒸馏水洗净吹干，完成单对层无金属酞 菁-氧化石墨烯复合薄膜组装； 三、 重复多次步骤二的单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合薄膜组装过程，得到无金 属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料。4. 根据权利要求3所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤一所述的基片为石英片或硅片。5. 根据权利要求3所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤一所述的预处理后的基片是将基片先用丙酮擦拭干净，然后浸入 lmol/L的NaOH溶液中5min，取出后洗净吹干，得到预处理后的基片。6. 根据权利要求3所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤二所述的β -PhSPcHjK溶液的浓度为0. 8~I. 5mg/ml。7. 根据权利要求6所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤二所述的β-PhSPcHjK溶液的浓度为lmg/ml。8. 根据权利要求3所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤二所述的GO水溶液的浓度为0. 08~0. 15mg/ml。9. 根据权利要求8所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的制 备方法，其特征在于步骤二所述的GO水溶液的浓度为0. lmg/ml。10. 根据权利要求3所述的一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料的 制备方法，其特征在于步骤三重复5~20次步骤二的单对层无金属酞菁-氧化石墨烯复合 薄膜组装过程。
【专利摘要】一种无金属酞菁-氧化石墨烯复合非线性光学薄膜材料及其制备方法，本发明属于复合非线性光学材料领域，它为了解决现有非线性光学薄膜材料的三阶非线性光学性能较差的问题。该非线性光学薄膜材料由酞菁化合物和氧化石墨烯的水溶液以静电自组装的方法成膜，其中所述的酞菁化合物为带电荷的四-β-(4-磺酸苯氧基)酞菁。制备方法：一、制备带有负电荷的基片；二、基片依次放入PDDA溶液中，β-PhSPcH2水溶液中，PDDA溶液和GO水溶液中；三、重复多次组装过程。本发明的复合非线性光学薄膜材料制备方法简单，性能稳定，具有良好的三阶非线性光学性能，表现出明显的反饱和吸收性质。
【IPC分类】G02F1/355, G02F1/361
【公开号】CN104898346
【申请号】CN201510239334
【发明人】宋微娜, 贺春英, 陈博文, 陈志敏, 吴谊群
【申请人】黑龙江大学
【公开日】2015年9月9日
【申请日】2015年5月12日